步步高·2015高三物理总复习【Word文档】:第8章 磁场 单元小结练 带电粒子在叠加场、组合场中的运动
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单元小结练 带电粒子在叠加场、组合场中的运动(限时:45分钟)一、单项选择题1.如图1所示,一电子束沿垂直于电场线与磁感线方向入射后偏向A 极板,为了使电子束沿射入方向做直线运动,可采用的方法是( )图1A .将变阻器滑动头P 向右滑动B .将变阻器滑动头P 向左滑动C .将极板间距离适当减小D .将极板间距离适当增大 答案 D解析 电子射入极板间后,偏向A 板,说明Eq >B v q ,由E =Ud 可知,减小场强E 的方法有增大板间距离和减小板间电压,故C 错误,D 正确;而移动滑动头P 并不能改变板间电压,故A 、B 均错误.2.导体导电是导体中的自由电荷定向移动的结果,这些可以移动的电荷又叫载流子,例如金属导体中的载流子就是自由电子.现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类,一类是N 型半导体,它的载流子为电子;另一类为P 型半导体,它的载流子是“空穴”(相当于带正电的粒子).如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图2所示,且与前、后侧面垂直.长方体中通有水平向右的电流,测得长方体的上、下表面M 、N 的电势分别为φM 、φN ,则该种材料( )图2A .如果是P 型半导体,有φM >φNB .如果是N 型半导体,有φM <φNC .如果是P 型半导体,有φM <φND .如果是金属导体,有φM <φN答案 C解析如果是P型半导体,它的载流子是“空穴”,由左手定则可知,“空穴”受到的洛伦兹力指向N,“空穴”偏向N,有φM<φN,选项A错误,C正确.如果是N型半导体,它的载流子是电子,由左手定则可知,电子受到的洛伦兹力指向N,电子偏向N,有φM>φN,选项B错误.如果是金属导体,它的载流子是电子,由左手定则可知,电子受到的洛伦兹力指向N,电子向N偏移,有φM>φN,选项D错误.3.如图3所示的虚线区域内,存在垂直于纸面向里的匀强磁场和竖直向下的匀强电场.一带电粒子a(不计重力)以一定的初速度由左边界的O点射入磁场、电场区域,恰好沿直线由区域右边界的O′点(图中未标出)穿出.若撤去该区域内的磁场而保留电场不变,另一个同样的粒子b(不计重力)仍以相同初速度由O点射入,从区域右边界穿出,则粒子b()图3A.穿出位置一定在O′点下方B.穿出位置一定在O′点上方C.在电场中运动时,电势能一定减小D.在电场中运动时,动能一定减小答案 C解析a粒子要在电场、磁场的复合场区内域做直线运动,则该粒子一定沿水平方向做匀速直线运动,故对粒子a有:Bq v=Eq,即只要满足E=B v无论粒子带正电还是负电,粒子都可以沿直线穿出复合场区域;当撤去磁场只保留电场时,粒子b由于电性不确定,故无法判断从O′点的上方还是下方穿出,选项A、B错误;粒子b在穿过电场区域的过程中必然受到电场力的作用而做类平抛运动,电场力做正功,其电势能减小,动能增大,故C项正确,D项错误.4.如图4所示,两导体板水平放置,两板间电势差为U,带电粒子以某一初速度v0沿平行于两板的方向从两板正中间射入,穿过两板后又沿垂直于磁场方向射入边界线竖直的匀强磁场,则粒子射入磁场和射出磁场的M、N两点间的距离d随着U和v0的变化情况为()图4A .d 随v 0增大而增大,d 与U 无关B .d 随v 0增大而增大,d 随U 增大而增大C .d 随U 增大而增大,d 与v 0无关D .d 随v 0增大而增大,d 随U 增大而减小 答案 A解析 设粒子从M 点进入磁场时的速度大小为v ,该速度与水平方向的夹角为θ,故有v =v 0cos θ.粒子在磁场中做匀速圆周运动半径为r =m v qB .而MN 之间的距离为d =2r cos θ.联立解得d =2m v 0qB ,故选项A 正确.二、多项选择题5.如图所示,虚线空间中存在由匀强电场E 和匀强磁场B 组成的正交或平行的电场和磁场,有一个带正电小球(电荷量为+q ,质量为m )从正交或平行的电磁复合场上方的某一高度自由落下,那么,带电小球可能沿直线通过的是( )答案 CD解析 带电小球进入复合场时受力情况:其中只有C 、D 两种情况下合外力可能为零或与速度的方向相同,所以有可能沿直线通过复合场区域,A 项中力q v B 随速度v 的增大而增大,所以三力的合力不会总保持在竖直方向,合力与速度方向将产生夹角,做曲线运动,所以A 错.6.利用如图5所示的方法可以测得金属导体中单位体积内的自由电子数n ,现测得一块横截面为矩形的金属导体的宽为b ,厚为d ,并加有与侧面垂直的匀强磁场B ,当通以图示方向电流I 时,在导体上、下表面间用电压表可测得电压为U .已知自由电子的电荷量为e ,则下列判断正确的是( )图5A .上表面电势高B .下表面电势高C .该导体单位体积内的自由电子数为IedbD .该导体单位体积内的自由电子数为BIeUb答案 BD解析 画出平面图如图所示,由左手定则可知,自由电子向上表面偏转,故下表面电势高,A 错误,B 正确.再根据e Ud =e v B ,I =neS v=nebd v 得n =BIeUb,故D 正确,C 错误. 三、计算题7.如图6所示,在xOy 坐标系中,x 轴上的N 点到O 点的距离是12 cm ,虚线NP 与x 轴负向的夹角是30°.第Ⅰ象限内NP 的上方有匀强磁场,磁感应强度B =1 T ,第Ⅳ象限内有匀强电场,方向沿y 轴正向.将一质量m =8×10-10kg 、电荷量q =1×10-4 C 带正电粒子,从电场中M (12,-8)点由静止释放,经电场加速后从N 点进入磁场,又从y 轴上P 点穿出磁场.不计粒子重力,取π=3,求:图6(1)粒子在磁场中运动的速度v ; (2)粒子在磁场中运动的时间t ; (3)匀强电场的电场强度E .答案 (1)104 m /s (2)1.6×10-5 s (3)5×103 V/m解析 (1)粒子在磁场中的轨迹如图,由几何关系得粒子做圆周运动的轨道半径R =23×12 cm =0.08 m由q v B =m v 2R 得v =104 m/s(2)粒子在磁场中运动轨迹所对圆心角为120°,则有 t =120°360°×2πm qB=1.6×10-5 s (3)由qEd =12m v 2得E =m v 22qd=5×103 V/m8.如图7所示,M 、N 为两块带等量异种电荷的平行金属板,两板间电压可取从零到某一最大值之间的任一数值.静止的带电粒子带电荷量为+q ,质量为m (不计重力),从靠近M 板的P 点经电场加速后,从小孔Q 进入N 板右侧的匀强磁场区域,磁感应强度大小为B ,方向垂直于纸面向外,CD 为磁场边界上的一绝缘板,它与N 板的夹角为θ=45°,孔Q 到板的下端C 的距离为L ,当M 、N 两板间电压取最大值时,粒子恰垂直打在CD 板上,求:图7(1)两板间电压的最大值U m ;(2)CD 板上可能被粒子打中的区域的长度s ; (3)粒子在磁场中运动的最长时间t m . 答案 (1)qB 2L 22m (2)(2-2)L (3)πmBq解析 (1)M 、N 两板间电压取最大值时,粒子恰垂直打在CD 板上,所以圆心在C 点,如图所示,CH =QC =L 故半径r 1=L 又因为q v 1B =m v 21r 1且qU m =12m v 21,所以U m =qB 2L 22m.(2)设粒子在磁场中运动的轨迹与CD 板相切于K 点,此轨迹的半径为r 2,设圆心为A ,在△AKC 中: sin 45°=r 2L -r 2解得r 2=(2-1)L ,即KC =r 2=(2-1)L所以CD 板上可能被粒子打中的区域的长度s =HK ,即 s =r 1-r 2=(2-2)L(3)打在Q 、E 间的粒子在磁场中运动的时间最长,均为半个周期,所以t m =T 2=πmBq .9.中国著名物理学家、中国科学院院士何泽慧教授曾在1945年首次通过实验观察到正、负电子的弹性碰撞过程.有人设想利用电场、磁场控制正、负电子在云室中运动来再现这一过程.实验设计原理如下:在如图8所示的xOy 平面内,A 、C 二小孔距原点的距离均为L ,每隔一定的时间源源不断地分别从A 孔射入正电子,C 孔射入负电子,初速度均为v 0,方向垂直x 轴,正、负电子的质量均为m ,电荷量均为e (忽略电子之间的相互作用).在y 轴的左侧区域加一水平向右的匀强电场,在y 轴的右侧区域加一垂直纸面的匀强磁场(图中未画出),要使正、负电子在y 轴上的P (0,L )处相碰.求:图8(1)电场强度E 的大小;磁感应强度B 的大小及方向; (2)P 点相碰的正、负电子的动能之比和射入小孔的时间差Δt . 答案 见解析解析 (1)对A 处进入的正电子,由类平抛运动规律得: L =v 0t A L =12at 2A =Ee 2m t 2A得E =2m v 20eL对C 处进入的负电子,由牛顿第二定律得e v 0B =m v 20LB =m v 0eL,方向垂直纸面向外(2)设P 点相碰的正、负电子的动能分别为E k A 、E k C .对A 处进入的正电子,由动能定理得:EeL =E k A -m v 202,所以E k A =5m v 202故 E k A E k C =51从C 进入的负电子运动的时间为t C =90°360°×2πL v 0=πL2v 0从A 进入的正电子运动的时间t A =Lv 0πL2v0-L=(π-2)L2v0Δt=t C-t A,得Δt=。