微波CVD法低温制备纳米金刚石薄膜_满卫东

第28卷第4期 武　汉　化　工　学　院　学　报 V ol.28　N o.42006年07月 J .　W uhan Inst.　Chem.　Tech. Jul.　2006文章编号:10044736(2006)04005705微波CV D 法低温制备纳米金刚石薄膜满卫东1,2,汪建华1,王传新1,2,马志斌1,王升高1,熊礼威1(1.武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉430074;2.中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥230031)摘　要:利用甲醇和氢气的混合气体,用微波等离子体CV D 方法在480℃下成功地在硅片表面制备出纳米金刚石薄膜,本文研究了甲醇浓度和沉积温度对金刚石膜形貌的影响.通过Raman 光谱、原子力显微镜及扫描隧道显微镜对样品的晶粒尺寸及质量进行了表征.研究结果表明:通过提高甲醇浓度和降低沉积温度可以在直径为50mm 的硅片表面沉积高质量的纳米金刚石薄膜,晶粒尺寸大约为10～20nm,并对低温下沉积高质量的纳米金刚石薄膜的机理进行了讨论.关键词:纳米金刚石;微波;化学气相沉积;甲醇中图分类号:O 484.1 文献标识码:A收稿日期:20050523基金项目:湖北省科技厅攻关计划项目(2002A A 105A 02)作者简介:满卫东(1970),男,上海人,讲师,博士研究生.研究方向:微波法制备高品质金刚石膜的研究.0　引　言与其它材料相比,金刚石具有很多优异性质:所有材料中,金刚石的硬度最高,室温下热导率、声传播速度最高;耐磨性高,摩擦系数低;既是电的绝缘体,又是热的良导体,掺杂后可成为卓越的P 型或N 型半导体,禁带宽度宽,空穴迁移速率高并有最宽的透过波段(0.225μm 至远红外)等[1].通常的化学气相沉积生长出的金刚石膜(简称CVD 金刚石)是由微米级(几微米到几十微米)柱状多晶组成,表面粗糙,后续加工和进一步实用化难度很大.降低晶粒尺寸至纳米量级的金刚石,除了具有普通微米级金刚石膜的性质外,还会表现出一些新的优异性能,如高光洁度、高韧性,低场发射电压等,是一种具有广阔应用前景的新型材料[2,3].用CV D 方法制备纳米金刚石薄膜(Nanocrystaline diamond,简称N CD),主要是提高金刚石的二次形核同时抑制晶粒的长大,为此研究人员进行了大量的研究:T.Sharda 等人研究了用偏压技术制备纳米金刚石薄膜[4];V.I .Konov 等人在CH 4/H 2/Ar 体系中通过提高CH 4的浓度来降低金刚石的晶粒尺寸[5];一些研究人员通过使用不同反应气体种类来制备纳米金刚石薄膜如H 2/CCl 4[6]、C H 4/H 2/O 2[7]、N 2/CH 4/Ar [8]等.在这些方法中,沉积纳米金刚石薄膜的温度一般都为600～800℃,如果能在较低的温度下制备纳米金刚石薄膜,同时能保持金刚石膜具有较高的质量,那么可以在更多的低熔点材料表面沉积纳米金刚石薄膜.本文利用甲醇/氢气的混合气体,成功的用微波等离子体CVD(Microwave plasma CV D,简称M PCVD )方法在480℃的温度下制备出质量较高的纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行了表征.1　实验部分实验中使用的装置是实验室自行研制的2.45GHz 、5kW 的M PCV D,其结构如图1所示.图1　微波等离子体CV D 装置结构示意图Fig.1　Schematic diag ram of the micro wave plasmaenhanced CV D sy stem 反应室是用水冷却的内径为145mm的不锈钢圆柱形腔体组成,基片台是直径为60m m的不锈钢管,其内部用冷却水冷却,基片通过等离子体进行加热,在一定的微波功率下,通过调节冷却水的流量来控制基片温度,温度是通过红外测温仪进行测量.在生长金刚石膜之前,直径为50m m 的硅片用0.5μm的金刚石微粉超声研磨,然后在丙酮溶液中超声清洗,这样可以提高金刚石的形核密度.由于氧对CV D金刚石的形核和生长有显著的影响[9],整个沉积过程分为形核和生长两个阶段.在形核阶段,使用H2/CH4作为反应气体,具体工艺为:H2流量200cm3/min(标准状态下,下同),C H4流量5.0cm3/min,沉积气压5.4k Pa,微波功率2000W,基片温度700℃,沉积时间30 min.在上述的沉积条件下,经过30min的沉积,金刚石晶粒之间开始相互融合成金刚石膜,这样在后面的用甲醇/氢气沉积纳米金刚石膜的过程中,就会在同样的金刚石膜表面生长.毕竟形核密度对金刚石膜的生长具有显著的影响[10].形核之后用甲醇/氢气的混合气体进行金刚石膜的生长:沉积气压8.5k Pa,微波功率3000W,所有样品使用相同的氢气流量200cm3/min和不同的甲醇流量,详细的工艺参数见表 1.表1　制备CV D金刚石膜的部分工艺参数Table1　Co nditio ns for diamond fo rmatio n样品编号甲醇体积分数/%沉积温度/℃生长速度/μm·h-11 6.07500.8212.0750 1.13 6.04800.7412.0480 1.0 所制备的薄膜用SEM、Raman光谱、AFM及STM进行表征.其中Raman光谱是用Ar激光器(波长为514.5nm)作为激发光源,光斑直径为2μm.2　结果与讨论2.1　表面形貌的研究图2为不同样品表面的SEM形貌图.从图2 (a),(b)的对比可知,在相同的沉积温度(750℃)下,用较低浓度的甲醇(6%,本文浓度指体积分数,下同)生长的金刚石晶粒表面显现出比较完整的晶面,晶粒尺寸为2～3μm;当升高甲醇浓度至12%,可以看到,在大晶粒的表面出现了许多二次行核的小晶粒,样品2中晶粒的晶面也没有样品1的那样清晰.说明提高甲醇的浓度可以提高CVD图2　不同样品表面的SEM形貌图,分别为样品1(a), 2(b),3(c)和4(d)Fig.2　SEM images of sample1(a),2(b),3(c)a nd 4(d)金刚石二次形核率.当沉积温度从750℃降低到480℃后,可以从图2(c),(d)看到,在低温下不同甲醇浓度制备的金刚石膜表面没有显著的区别,只是样品4中晶粒之间相互团聚呈现球簇状,导致薄膜表面的粗糙度增加.由于在低温下沉积的58武汉化工学院学报第28卷金刚石膜样品,其表面的金刚石的晶粒尺寸显著减小,远低于1μm,由于晶粒尺寸太小,无法用SEM 观测出晶粒的大小.因此用AFM 对表面较为平整的样品3进行表征(见图3).从图3可以看图3　纳米金刚石膜表面的A FM 图像Fig.3　Threedimensio nal A FM imag e sca nned in a n6μm ×6μm o f the nanocry stallline film出,当降低沉积温度至480℃,金刚石薄膜表面显得十分的平整,表面粗糙度<80nm ,晶粒相互之间聚集呈球簇状.具有导电性的石墨和无定形碳往往聚集在CV D 金刚石膜中晶粒之间的晶界处区域,当晶粒尺寸达到纳米量级时,晶界之间相互导通,使得纳米晶粒的金刚石薄膜没有掺杂,也是良好的导电体,可以用作场发射电极[11,12].因此在本研究中,我们用扫描隧道显微镜对金刚石膜样品(样品3)表面形貌进行更细致的观测(如图4所示),从图中可以看出,样品3表面由一些小颗粒组成,而每个颗粒是由若干个更小的晶粒构成,晶粒尺寸大约在10～20nm 之间.图4　纳米金刚石膜表面的STM 图像Fig .4　ST M cur rent imag e scanned in a n area o f a rea of100nm ×100nm of nanocrystalll ine diamo nd2.2　金刚石膜质量的研究图5为4个样品的Raman 光谱图.本研究使用的碳源体积分数(甲醇)为6%和12%,远高于传统研究中使用的碳源体积分数(CH 4:1%～3%),但是从图5中可以看出,在高温下制备的图5　不同沉积条件下制备的金刚石膜表面的Raman光谱Fig.5　Raman spectra of CV D -diamo nd depositedunder v arious co nditio ns金刚石膜都有十分显著的金刚石特征峰(1332cm -1),膜中含有少量的无定形碳(1550cm -1),说明在较高温度下合成的金刚石膜质量是比较好的;同时对比图5(a)和5(b),可以看到,即使使用的碳源体积分数从6%升至12%,金刚石膜的质59第4期满卫东等:微波CV D 法低温制备纳米金刚石薄膜量并没有显著的降低,说明在H2/CH3OH反应体系中,甲醇浓度可以在一个较大的范围内变化,而不会显著影响金刚石膜的质量.这一点也可以从图5(c)和5(d)中得出相同的结论.较低温度下(480℃),金刚石的特征峰强度减小,半高宽增大,在1350cm-1处出现无定形碳的特征峰(D 峰),值得注意的是在1140cm-1处出现了代表纳米晶粒的金刚石特征峰[13～15],这一结果与STM 观察的结果相同.因金刚石对Raman激光的散射能力比非金刚石碳高出50～75倍[16,17],固在低温下合成的金刚石膜中金刚石碳仍然占主要成分.2.3　机理讨论由于用CVD方法制备的金刚石是多晶的,因此要制备纳米晶粒的CV D金刚石薄膜,需要在CVD过程中提高金刚石的二次形核率,同时抑制晶粒的长大,这样可以使得金刚石晶粒还没有来得及长大就被新的形核晶粒所掩盖,从而达到降低晶粒尺寸至纳米量级的目的.在本研究中使用了高浓度的碳源(C H3OH),高浓度的碳源可以显著提高金刚石的二次形核密度;而降低沉积温度又可以抑制晶粒的长大,使得最后得到纳米晶粒的薄膜.同时本研究使用的是H2/CH3OH反应体系,使用较高浓度的CH3OH而不会对金刚石膜的质量造成明显的不利影响以及在较低的沉积温度下可以沉积出质量较高的金刚石膜,其原因笔者认为是由于CH3OH中较高的O/C比(1∶1).在微波CV D过程中,C H3OH中的O在微波场电离作用下会生成O H基团,而O H基团在低温下具有比原子氢更强的刻蚀非金刚石碳的能力[18],因此使用高CH3OH浓度,同时就会产生较高浓度的O H基团,因此可以保证制备的金刚石膜具有较高的质量.3　结　语利用微波CV D技术,使用H2/CH3O H反应气体,在Si表面成功的制备出纳米晶粒的金刚石薄膜,金刚石膜表面粗糙度<80nm,晶粒尺寸大致为10～20nm,Raman光谱证明所沉积的薄膜是高质量的.之所以能将金刚石晶粒尺寸降低到纳米量级同时又能保持较高的质量,主要是通过提高CH3OH的浓度来提高金刚石的二次形核率,降低沉积温度来抑制晶粒的长大.其间由于CH3O H中的高O/C比,能够十分有效地刻蚀由于提高CH3OH浓度或降低沉积温度所产生的更多的非金刚石碳,从而保证了沉积薄膜的质量.因此利用H2/CH3O H是较低温度下制备纳米金刚石薄膜的一种理想方法. 致谢　本研究得到湖北省科技厅重大攻关项目(No.2002AA105A02)的部分资金资助,也同时感谢中国地质大学地质过程与矿产资源国家重点实验室何谋春博士关于Raman光谱的测试及相关的讨论.参考文献:[1]　满卫东,汪建华,王传新,等.金刚石薄膜的性质、制备及应用[J].新型炭材料,2002,17(1):6270. 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微波等离子CVD 低温沉积金刚石薄膜的研究发表时间：2015-01-12T09:23:23.380Z 来源：《价值工程》2014年第8月下旬供稿作者：芦宝娟[导读] 金刚石具有许多优异的性能，但天然金刚石的价格也比较昂贵。

芦宝娟LU Bao-juan（贵州工业职业技术学院电子与信息工程学院，贵阳550008）（Department of Electronic Information Engineering，Guizhou Industry Polytechnic College，Guiyang 550008，China）摘要：金刚石具有许多优异的性能，但天然金刚石的价格也比较昂贵。

金刚石薄膜的各种性质与天然金刚石几乎相同，具有非常广阔的工业前景。

本文采用乙醇和氢气作为工作气源，利用微波等离子体化学气相沉积法，在较低的温度下制备了金刚石薄膜，并研究了乙醇浓度、反应气压对金刚石薄膜生长的影响。

Abstract: Diamond has many excellent performance, but the price of natural diamond is also very expensive. Research shows that thediamond film is the same as the natural diamond and possesses many industrial applications. Diamond films have been prepared fromethanol and hydrogen using microwave plasma CVD at a lower substrate temperature. And we have studied the ethanol concentration,reaction pressure on the growth of diamond films.关键词：微波等离子；化学气相沉积；金刚石薄膜；乙醇 Key words: microwave plasma；chemistry vapor deposition；diamond film；ethanol 中图分类号：O484 文献标识码院A 文章编号院1006-4311（2014）24-0297-03 0 引言金刚石具有极其优异的性质，极高的硬度和导热率，优异的光学透过性能，高的禁带宽度和场发射特性，因此在光学、半导体、真空微电子学、平面显示、机械及航空、航天和国防等领域都有广泛的应用[1]。

纳米金刚石的制备及研究进展肖雄;满卫东;何莲;赵彦君;阳硕【期刊名称】《真空与低温》【年(卷),期】2015(000)002【摘要】纳米金刚石具有比普通金刚石更优越的性能，目前有诸多学者致力于纳米金刚石的研究。

化学气相沉积法（CVD）制备纳米金刚石是近年来比较成熟的制备方法。

通过简要描述纳米金刚石薄膜的生长机制，介绍了两种制备纳米金刚石薄膜的方法及其优势，讨论了两种方法在纳米金刚石的质量、尺寸及沉积速率等方面取得的最新研究进展，并对今后的主要研究方向进行了展望。

【总页数】7页(P63-68,77)【作者】肖雄;满卫东;何莲;赵彦君;阳硕【作者单位】武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉 430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉 430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉 430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉 430073【正文语种】中文【中图分类】O484;TB383【相关文献】1.金刚石纳米线的制备方法及研究进展 [J], 吴骁;汪建华;翁俊;何硕2.金刚石-SiC、纳米结构金刚石-TiC、金刚石-金刚石直接成键型聚晶的制备与表征 [J], 王海阔;邵华丽;贺端威;陈永杰;张方方3.纳米金刚石薄膜制备技术的研究进展 [J], 李志扬;张华;周一丹;唐通鸣4.金刚石、碳纳米管、碳纳米管/纳米金刚石复合物的制备及生长机制研究 [J], 秦宏宇;徐强;杨光敏5.PECVD法制备掺硼纳米金刚石薄膜的工艺研究进展 [J], 熊礼威;彭环洋;汪建华;崔晓慧;龚国华因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

HFCVD法高速生长金刚石的研究进展刘伟;满卫东;曹阳【摘要】CVD diamond has some excellent properties,which approach or even exceed the nature diamond,such as the high mechanical strength,high thermal conductivity,low friction coefficient and so on. Such performances make the study of CVD diamond attracted so many researchers’ persistent pursuit. This article is based on the hot filament chemical vapor deposition,elaborated some improvements in traditional HFCVD and their corresponding results in recent years,ex-plained the meaning of these improvements to promote the industrialization of CVD diamond and made a expectation for the development in the future on this side.%CVD金刚石有着接近甚至是超过天然金刚石的一些优异性能，如高机械强度、高热传导率、低摩擦系数等，使得对CVD金刚石的研究吸引着众多研究者们的不懈追求。

文章就热丝CVD法（HFCVD），阐述了近几年来为了提高金刚石生长速率对传统法做出的改进以及其相应的改进后的效果，解释了这些改进对推进CVD金刚石工业化的意义并就这一方面在未来的发展作出展望。

微波等离子体化学气相沉积法制备石墨烯的研究进展涂昕;满卫东;游志恒;阳朔【摘要】Due to itsadvantages by low-temperature growth, a widely selection of the substrate materials and easily doped, microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD)is the first choice of the grapheme prepration by large area、high speed、high quality.The several main CVD methods for synthesizinggrapheme are compared.It found out that MPCVD has clear superiority.Then the study of graphene prepared by MPCVD is stly the application of graphene pre-pared by MPCVD is introduced and also the development trend of graphene prepared by MPCVD is prospected .%微波等离子体化学气相沉积（ MPCVD）法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点，是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。

首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势，然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究，最后介绍了MPCVD法制备的石墨烯的应用并对MPCVD法制备石墨烯的发展趋势进行了展望。

【期刊名称】《真空与低温》【年(卷),期】2014(000)002【总页数】9页(P63-70,76)【关键词】微波等离子体化学气相沉积;石墨烯;研究;应用【作者】涂昕;满卫东;游志恒;阳朔【作者单位】武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073【正文语种】中文【中图分类】O4840 引言2004年，英国曼彻斯特大学的K．S．Novoselov等［1］采用微机械剥离法利用特殊胶带剥离高定向热解石墨(HOPG)首次获得了独立存在的高质量单层石墨烯。

微波等离子体化学气相沉积--一种制备金刚石膜的理想方法满卫东;汪建华;马志斌;王传新
【期刊名称】《真空与低温》
【年(卷),期】2003(009)001
【摘要】综述了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备金刚石膜技术,表明MPCVD是高速、大面积、高质量制备金刚石膜的首选方法.介绍了几种常用的MPCVD装置类型,从MPCVD装置的结构特点可以看到,用该类型装置在生长CVD 金刚石膜时显示出独特的优越性和灵活性.用MPCVD法制备出的金刚石膜其性能接近甚至超过天然金刚石,并在多个领域得到广泛应用.
【总页数】7页(P50-56)
【作者】满卫东;汪建华;马志斌;王传新
【作者单位】中国科学院,等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;武汉化工学院,等离子体技术与薄膜材料重点实验室,湖北,武汉,430073;中国科学院,等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;中国科学院,等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;中国科学院,等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;武汉化工学院,等离子体技术与薄膜材料重点实验室,湖北,武汉,430073
【正文语种】中文
【中图分类】TB848;O643.131
【相关文献】
1.一种合成金刚石膜的独特方法—燃烧焰法合成金刚石膜述评 [J], 张伟;相炳坤
2.高定向纳米金刚石膜的高功率微波等离子体化学气相沉积研究 [J], 唐春玖;侯海虹;李明法;李文浩
3.微波等离子体化学气相沉积方法制备纳米金刚石薄膜 [J], 林晨;李义锋;张锦文
4.一种自支撑金刚石膜的制备方法 [J], 明明
5.一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积方法及装置 [J],
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纳米金刚石的制备及研究进展肖雄，满卫东，何莲，赵彦君，阳硕【摘要】摘要：纳米金刚石具有比普通金刚石更优越的性能，目前有诸多学者致力于纳米金刚石的研究。

化学气相沉积法（CVD）制备纳米金刚石是近年来比较成熟的制备方法。

通过简要描述纳米金刚石薄膜的生长机制，介绍了两种制备纳米金刚石薄膜的方法及其优势，讨论了两种方法在纳米金刚石的质量、尺寸及沉积速率等方面取得的最新研究进展，并对今后的主要研究方向进行了展望。

【期刊名称】真空与低温【年(卷),期】2015(000)002【总页数】7【关键词】纳米金刚石薄膜；制备；研究进展0 引言金刚石是工业应用中最有价值的材料之一。

使用化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）制备的金刚石薄膜具有高硬度、高热导率、高弹性模量、极好的化学稳定性等优异性能［1］。

其在耐磨涂层、光学器件、微机电系统（Micro-Electron-Mechanical Systems，MEMS）具有广泛的应用［2］。

但是，常规CVD金刚石薄膜晶粒尺寸为微米级，表面较为粗糙，且晶粒间存在较为明显的空隙［3］，这给后续的加工及应用带来了很大困难。

所以，越来越多的学者致力于研究晶粒尺寸更小的纳米金刚石薄膜。

纳米金刚石（Nanocrystalline Diamond，NCD）薄膜一般是指晶粒尺寸为几个至几百纳米的金刚石薄膜［4］。

与常规CVD金刚石薄膜相比，NCD薄膜表面光滑，摩擦系数小，并且硬度不如常规CVD金刚石薄膜［5］，这为NCD薄膜的后续处理带来了便利。

同时由于纳米效应，NCD薄膜在很多方面的性能都比常规CVD金刚石薄膜要优异［6］。

1 NCD薄膜的生长机制与常规CVD金刚石薄膜的柱状生长机制不同，NCD薄膜生长的关键在于要有非常高的成核率及二次形核率［7］。

在常规CVD金刚石薄膜的生长过程中，氢气起着至关重要的作用。

这是由于氢气离解出的氢原子可以抑制石墨相和无定形碳的形成，维持金刚石的生长［8］。

微波等离子体CVD制备金刚石膜XXX（XXXX大学，XX，710XXX）摘要：由于天然或高温高压合成单晶金刚石资源数量以及尺寸很有限，加工成本又高，所以它们的多种应用受到极大的限制，化学气相沉积（CVD）金刚石膜材料具有优异的机械、化学、光学和热学等性能，具有和天然金刚石相近的高硬度、低摩擦系数、高热导率以及优异的透微波、透红外性能。

本文对用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法制备金刚石膜技术进行了综述，从文章中可以看到，MPCVD 是高速，大面积，高质量制备金刚石膜的首选方法。

并对几种常用的MPCVD装置类型进行了阐述，从MPCVD装置的结构特点可以看到，用该类型装置在生长CVD金刚石膜时显示出独特的优越性和灵活性，用MPCVD法制备出的金刚石膜其性能接近甚至超过天然金刚石，并在多个领域得到广泛应用。

关键词：微波等离子体；化学气相沉积；金刚石膜；生长；反应Microwave plasma chemical vapor deposition for diamondfilms growthXXX(XX University,XX,7101XXX)Abstract：Because the quantity and size of high temperature and high pressure natural or synthetic monocrystalline diamond resources is limited, the processing cost is high, so most of their application is greatlimited.Chemical vapor deposition (CVD) diamond film material has excellent mechanical, chemical, optical and thermal performance. And its high hardness,low friction coefficient, thermal conductivity and excellent through microwave, through infrared performances are similar with natural diamond.This paper gives an overview on using microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) for the growth of high quality diamond films. It shows that MPCVD is the first choice for high growth rate, high quality, and large area diamond films deposition. Main kinds of apparatus used in MPCVD for diamond films deposition are also concerned. The application prospects of diamond thin films were also summarized in this paper.Key words:microwave plasma；chemical vapor deposition;diamond films；microwave plasma;growth;reaction1.引言金刚石在所有已知物质中具有最高的硬度，室温下有最高的热导率，对光线而言从远红外区到深紫外区是完全透明的，有最低的可压缩性，极佳的化学惰性，其生物兼容性超过了钛合金等等。

提高CVD金刚石薄膜刀具膜—基附着力的工艺方法评述
满卫东;汪建华
【期刊名称】《工具技术》
【年(卷),期】2001(35)9
【摘要】提高金刚石薄膜与硬质合金基底之间的附着力是CVD金刚石薄膜刀具得以推广应用的关键因素。

本文介绍了国内外采用CVD法制备金刚石薄膜刀具时提高膜—基附着力的典型工艺方法 ,评述了WC
【总页数】6页(P3-8)
【关键词】刀具;金刚石薄膜;膜一基附着力;化学气相沉积;CVD
【作者】满卫东;汪建华
【作者单位】武汉化工学院
【正文语种】中文
【中图分类】TG711
【相关文献】
1.提高CVD金刚石薄膜附着力的方法及其研究进展 [J], 周秋霞;史新伟;靳慧智;姚宁;王新昌
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