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我国类金刚石薄膜主要制备技术及研究现状摘要类金刚石薄膜具有优良的光学、机械和电特性在军事领域有广泛用途，类金刚石薄膜技术，是指利用各种光学薄膜制作技术制作接近天然金刚石和人造单晶金刚石特性（如在较宽光谱内均具有很高的光透过率在2～15μm（微米）范围光的吸收率低到1％；具有很高的硬度、良好的导热性、耐腐蚀性以及化学稳定性高(1000℃以上仍保持其化学稳定性等）的人造多晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜（又称为硬碳膜、离子碳膜、或透明碳膜）的一种技术。
由于类金刚石结构、性能存在一些缺陷，所以对此作了研究。
本文着重对类金刚石薄膜制备技术进行阐述，同时论述了发展潜力。
由于类金刚石薄膜的优越性，所以我国要加大这方面发展。
关键词：类金刚石薄膜，化学气相沉积法，物理沉积法，金刚石The Main Preparation Techniques and Research Status of theDLC Film in ChinaABSTRACTDLC films with excellent optical, mechanical and electrical characteristics ha ve a wide range of applications in the military field. DLC thin film technology, refers to the use of a variety of optical thin film production technology made close to the natural diamond and synthetic single crystal diamond characteristics (such as with high light transmittance in the wide spectrum-in the range of 2~15μm (microns) low absorption of light to 1%; has high hardness and good thermal conductivity, corrosion resistance and high chemical stability -1000°C (degrees Celsius) above maintained its chemical stability, etc.), artificial polycrystalline diamond films DLC films (also known as the hard carbon film,ion carbon film ,or a transparent carbon film), a technology. DLC structure, the performance has some shortcomings,have been investigated. Focus on the DLC film preparation technique is described,and discusses the potential for development. Because of the superiority the DLC films, so china should step up development in this field.KEY WORDS: DLC film，preparation techniques，CVD目录前言 (1)第1章类金刚石薄膜概述 (2)1.1 类金刚石薄膜介绍 (2)1.1.1类金刚石薄膜发展介绍 (3)1.1.2类金刚石薄膜微观结构与其性质 (3)1.1.3类金刚石薄膜分类 (5)第2章类金刚石薄膜制备技术 (6)2.1 化学气相沉积法 (6)2.1.1 热丝CVD法 (6)2.1.2 等离子体CVD法 (7)2.1.3 离子束蒸镀法 (7)2.1.4 光、激光CVD法 (7)2.2 激光法制备DLC膜的发展趋势 (8)2.2.1 激光脉冲宽度由纳秒脉冲向超短脉冲发展 (9)2.2.2 沉积环境由真空向氢气氛或氧气氛发展 (10)2.2.3 薄膜成分由纯DLC膜向掺杂DLC膜发展 (11)2.2.4 激光源由单一激光向多束激光发展 (11)第3章类金刚石薄膜研究 (12)3.1 实验研究 (12)3.1.1 实验装置 (13)3.1.2 实验过程 (15)3.1.3 实验结论 (15)第4章类金刚石薄膜应用以及展望 (16)4.1 类金刚石薄膜应用 (16)4.2 类金刚石薄膜应用展望.................... 1错误！未定义书签。
不同过渡层对钢基金刚石薄膜的影响*王玲，余志明，魏秋平，田孟昆，王志辉(中南大学材料科学与工程学院，长沙 410083)摘要：采用超高真空热丝化学气相沉积（HFCVD）系统，以甲烷和氢气为反应气体，在高速钢W18Cr4V基体上利用3种不同的过渡层（WC、Cr、WC/Cr）制备金刚石薄膜。
采用场发射扫描电子显微镜(FE–SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微激光拉曼光谱仪（Raman）以及洛氏硬度计对过渡层和金刚石薄膜进行检测分析，研究了不同过渡层对金刚石薄膜形貌质量和附着性能的影响。
结果表明，3种过渡层均可以有效减少钢基中Fe对金刚石薄膜的负面影响，提高金刚石的形核率；其中，采用WC/Cr过渡层时膜基间残余应力最小，仅为0.25 Gpa，附着性能最好。
关键词：金刚石薄膜；高速钢；过渡层；化学气相沉积；附着性能中图分类号：TG174.444 文献标识码：A 文章编号：1007–9289(2011)01–0033–07 Investigation of Diamond Films Deposition on Steel Substrates with Different InterlayersWANG Ling, YU Zhing–ming, WEI Qiu–ping,TIAN Meng–kun, WANG Zhi–hui(School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083)Abstract: Diamond films were deposited on high–speed steel (HSS) substrates pre–coated with different interlayers（WC, Cr and WC/Cr）by hot filament chemical vapour deposition (HFCVD). The surface morphology, film quality and interface structure of the diamond films were characterised by scanning electron microscopy (SEM), micro–raman spectroscopy and X–ray diffractometry (XRD), respectively. The adhesion of the diamond films was measured by Rockwell hardness tester. The results show that with the WC, Cr and WC/Cr interlayer, the high quality, low residual stress and high nucleation density of diamond film are achieved on the HSS substrates. As determined from Raman spectra, furthermore, the films with WC/Cr interlayer are under the lowest compressive stress, σ≤0.25 GPa, showing a best adhesion.Key words: diamond films; high–speed steel substrates; interlayers; chemical vapour deposition; adhesion0 引言金刚石薄膜具有极高的硬度和热导率，较低的摩擦因数和热膨胀系数，较高的耐磨性，良好的化学稳定性，是一种优异的表面抗磨损改性膜，是十分理想的刀具涂层材料。
金刚石薄膜的性质、制备及应用金刚石薄膜因其独特的物理、化学性质而备受。
作为一种具有高硬度、高熔点、优良光学和电学性能的材料，金刚石薄膜在许多领域具有广泛的应用前景。
本文将详细探讨金刚石薄膜的性质、制备方法以及在各个领域中的应用，旨在为相关领域的研究提供参考和借鉴。
金刚石薄膜具有许多优异的物理和化学性质。
金刚石是已知的世界上最硬的物质，其硬度远高于其他天然矿物。
金刚石的熔点高达3550℃，远高于其他碳材料。
金刚石还具有优良的光学和电学性能。
其透明度较高，可用于制造高效光电设备。
同时，金刚石具有优异的热导率和电绝缘性能，使其在高温和强电场环境下具有广泛的应用潜力。
制备金刚石薄膜的方法主要有物理法、化学法和电子束物理法等。
物理法包括热解吸和化学气相沉积等，可制备高纯度、高质量的金刚石薄膜。
化学法主要包括有机化学气相沉积和溶液法等，具有沉积速率快、设备简单等优点。
电子束物理法是一种较为新兴的方法，具有较高的沉积速率和良好的薄膜质量。
各种方法的优劣和适用范围因具体应用场景而异，需根据实际需求进行选择。
光电领域：金刚石薄膜具有优良的光学性能，可用于制造高效光电设备。
例如，利用金刚石薄膜制造的太阳能电池可将更多的光能转化为电能。
金刚石薄膜还可用于制造高品质的激光器、光电探测器和光学窗口等。
高温领域：金刚石的熔点高达3550℃，使其在高温环境下具有广泛的应用潜力。
例如，金刚石薄膜可应用于高温炉的制造，提高炉具的耐高温性能和加热效率。
金刚石薄膜还可用于制造高温传感器和热电偶等。
高压力领域：金刚石具有很高的硬度，使其在高压环境下保持稳定。
因此，金刚石薄膜可应用于高压设备的制造，如高压泵、超高压测试仪器等。
金刚石薄膜还可用于制造高精度的光学镜头和机械零件等。
本文对金刚石薄膜的性质、制备及应用进行了详细的探讨。
作为一种具有高硬度、高熔点、优良光学和电学性能的材料，金刚石薄膜在光电、高温、高压力等领域具有广泛的应用前景。
CVD 制备石墨烯：1、采用方法的原理：以甲烷作为碳源，以铂作为生长基底。
通入H2将有缺陷的核刻蚀掉，降低石墨烯的密度。
由于石墨烯的生长和刻蚀过程是可逆的，所以经过生长刻蚀，再生长再刻蚀再生长（反复生长刻蚀生长）的方法制备出高产量，无缺陷的单晶石墨烯。
2、典型过程：将180um厚，10mm*20mm的铂箔首先用丙酮和酒精分别冲洗1h，然后放入熔融石英管中。
适应管中通入体积流为700摩尔每分的H2。
退火十分钟后将残留的碳和有机物移除。
生长从通入甲烷并维持一段时间后开始，在CVD生长后将甲烷的流速降低，其他参量保持不变来促使刻蚀石墨烯的过程发生。
在刻蚀了一段时间后，增加甲烷的流速使石墨烯生长。
随着生长刻蚀次数的增加逐渐减少甲烷的流速。
经过三轮的刻蚀生长，大约3mm的单晶石墨烯就生成了。
反应停止后将铂箔迅速从高温环境中取出，关火，在温度降到800度以下后停止通甲烷。
3、设备示意图Scheme depicting the G_rE_RG process. (a) CVD growth of graphene domains on a substrate. (b) Hydrogen etching to reduce domain density. (c) Regrowth of the etched graphene domains. (d) New nuclei appear on the substrate during regrowth. (e) Hydrogen etching to remove the new nuclei generated during regrowth. (f) Large-size single-crystal graphene domains obtained by the G_rE_RG method. (g) Schematic of the G_rE_RG process used for fabricating ∼3 mm single-crystal graphene domains, with the flow rates of CH4 and H2 used. The reaction temperature was 1060℃ during the whole process. The error bars show the size range of the single-crystal graphene domains obtained under the same conditions, and the blue dots in the middle of the error bars represent the average size of graphene domains.4、产物的形貌或性能用这种方法在铂衬底上制备出了大约3mm的单晶石墨烯，在常温常压下载流子迁移率达到了大约13 000 cm2 V-1 s-1。
这里所讲的制备方法是CVD法，也就是化学气相沉积法，是利用含碳气源（一般为甲烷+氢气）作为原料，通过一定的能量输入（微波、热丝、直流等），在一定的压强下产生出等离子体，在这个等离子体中使含碳气体分解，使碳氢键断裂形成金刚石结构中的碳碳键，并不断的结合，使其“长大”，这一合成金刚石的方法合成速率快（较高温高压法），质量高（杂质可以避免），容易控制（通过对工艺参数的调控可以做不同晶面、不同种类的金刚石）。
CVD的方法也根据提供能量的方式不同也进行了划分，通过微波形式的输入能量称为“微波等离子体化学气相沉积”其英文缩写为MPCVD；而通过对热丝（通常为Ta丝）两边进行加高压，通过加热热丝提供能量的方式称为“热丝化学气相沉积”简称HFCVD；还有一种是通过对阴极和阳极施加直流电压，气体受热后有阳极嘴高速喷射出来形成等离子射流，此以射流的形式加热方式为“直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法”简称为DC-CVD。
三者之间最有前景的是微波CVD法，其制备的金刚石纯度高，质量好，国外的APOLLO公司已经利用其制备人造钻石，性能与天然金刚石媲美，甚至优于天然金刚石。
而CVD法制备的过程中有几个关键的参数影响着制备的金刚石的质量，以下一一分析：1. 衬底材料（或基底材料）：金刚石薄膜的制备过程中通常需要在其他材料上进行沉积，最普遍的应用就是涂层刀具。
基底材料的选择会影响金刚石的附着力、密度以及沉积质量。
通常选择时需要考虑其基底元素能否与碳结合形成碳化物（比如TiC、ZrC、MoC、WC、SiC等）这些物质能够与碳首先很好的结合，这也为金刚石的沉积过程提供了更多的结合点，从而更容易形成金刚石。
其次就是要考虑基底材料的热膨胀系数，即受热膨胀率，CVD制备金刚石通常要在750-900摄氏度，而在如此高的温度下金刚石能够与基底之间有很好的结合，但是实验结束后降至室温时，由于材料“热胀冷缩”的性质，薄膜与基底材料之间的热膨胀性有所差异，将会导致龟裂，因此，必须保证基底材料与金刚石的热膨胀系数相同或接近，这样冷切的过程中不至于差异太大而使薄膜裂开或脱落。
915mhz微波等离子体气相沉积
915MHz微波等离子体气相沉积
（Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition，简称MPCVD）是一种用
于制备金刚石薄膜等材料的技术。
该技术利用微波等离子体在低温下将碳源气体分解，并在衬底表面生长高质量的金刚石薄膜。
以下是915MHz微波等离子体气相沉积的主要特点
和应用：
1. 低温沉积：与传统的热丝辅助化学气相沉积法（HFCVD）相比，915MHz微波等离子
体气相沉积可以在较低的温度下生长金刚石薄膜，有利于保持基底的完整性，降低薄膜的制备成本。
2. 环保无污染：微波等离子体是无极放电，减少了气体污染和电极腐蚀问题，有利于环境保护和设备维护。
3. 高离子密度：915MHz微波等离子体具有较高的电离和分解程度，使原料气体分解
充分，有利于提高金刚石薄膜的质量和密度。
4. 宽运行气压范围：微波等离子体在高压下能维持等离子体，有利于生长大尺寸的金刚石薄膜。
5. 良好的重复性和可控性：915MHz微波等离子体气相沉积具有较低的密度涨落，便
于调整等离子体参数（如离子密度、电子温度），从而实现对薄膜生长过程的精确控制。
6. 应用领域：915MHz微波等离子体气相沉积技术已成功应用于制备金刚石薄膜，适
用于电子、光电子、能源等领域。
此外，该技术还可用于生长其他纳米材料，如SiC纳米线等。
总之，915MHz微波等离子体气相沉积作为一种高效、环保、低温的金刚石薄膜制备方法，具有广泛的应用前景。
随着研究的深入和技术的不断优化，这种方法在金刚石器件产业应用中的优势将更加明显。
约束式热丝CVD法制备金刚石的研究代凯;王传新;许青波;王涛【摘要】为提高热丝CVD法沉积金刚石薄膜的生长速率,以丙酮和氢气作为反应气源,利用自制的半封闭式空间约束装置,将热丝、衬底、反应气体聚集在狭小空间内,研究不同气体流速条件下的金刚石薄膜沉积情况;使用SEM和Raman光谱表征所合成的薄膜.结果表明:采用约束式沉积法可以显著提高沉积速率,本实验在230 cm3/min(标况)气体流速下获得最大沉积速率6.31μm/h,比未约束时增大了近一倍.随着气体流速增大,沉积速率先增大后减小;气体流速86～115 cm3/min(标况)时,晶粒尺寸为微米级;气体流速115～575 cm3/min(标况)时,晶粒尺寸减小至纳米级.Raman光谱检测显示:约束式沉积所得薄膜总体质量较好,但随气体流速增大而逐渐降低.【期刊名称】《金刚石与磨料磨具工程》【年(卷),期】2018(038)004【总页数】5页(P1-5)【关键词】热丝化学气相沉积;金刚石薄膜;约束空间;生长速率【作者】代凯;王传新;许青波;王涛【作者单位】武汉工程大学材料科学与工程学院,等离子体化学新材料湖北省重点实验室,武汉430073;武汉工程大学材料科学与工程学院,等离子体化学新材料湖北省重点实验室,武汉430073;武汉工程大学材料科学与工程学院,等离子体化学新材料湖北省重点实验室,武汉430073;武汉工程大学材料科学与工程学院,等离子体化学新材料湖北省重点实验室,武汉430073【正文语种】中文【中图分类】TQ164随着人工合成金刚石技术的发展，采用化学气相沉积(CVD)法制备的金刚石，其性能已逐渐达到甚至优于天然金刚石的性能，具有广泛的应用前景。
其中，热丝CVD法具有设备简单、可大面积沉积的优势，但生长速率低、成本高的问题依然制约其广泛应用。
热丝CVD法制备金刚石过程中，提高沉积速率的方法主要有2种：加载偏压或射频辅助，或添加辅助性气体。
CVD金刚石技术和应用I. 引言A. CVD金刚石技术的历史回顾B. 本文的目的和意义II. CVD金刚石的制备方法A. CVD金刚石的基本原理B. CVD金刚石的制备流程C. CVD金刚石的制备条件III. CVD金刚石的结构和性质A. CVD金刚石的结构特征B. CVD金刚石的物理性质C. CVD金刚石的化学性质IV. CVD金刚石的应用A. 工具切削领域1. 刀具2. 电子加工3. 磨具B. 研磨领域1. 研磨片2. 研磨液C. 生物医学领域1. 医用刀具2. 人工关节V. CVD金刚石技术的发展趋势A. 大规模制备技术B. 先进加工技术C. 新型材料的开发VI. 结论A. 对CVD金刚石技术的总体评价B. 未来CVD金刚石技术的发展前景VII. 参考文献I. 引言A. CVD金刚石技术的历史回顾金刚石是一种天然的高温高压下形成的矿物，具有硬度大、热稳定性好、化学惰性等诸多优异的物理和化学性质。
金刚石因其卓越的性能被广泛应用于研磨、切削、电子加工等领域。
然而，天然金刚石存在产地有限、成本高昂、形状和尺寸难以控制等问题，制约了其在工业生产中的应用。
为了解决这些问题，人们开始尝试通过化学合成来制备人工合成的金刚石材料。
早在20世纪50年代，人们就已经开始尝试使用高温高压合成技术来制备合成金刚石。
这种方法需要在高温高压下合成金刚石晶体，虽然可以得到高质量的金刚石晶体，但是成本高昂、生产效率低，限制了其在工业生产中的应用。
随着化学气相沉积（CVD）技术的发展，人们开始尝试使用CVD技术来制备金刚石材料。
CVD技术是一种通过在高温、低压下向金属或非金属基材表面沉积金刚石薄膜的技术，相比高温高压合成法，CVD技术具有成本低、生产效率高、适用范围广等优点，逐渐成为了金刚石制备的主要方法。
B. 本文的目的和意义本文主要介绍CVD金刚石技术的制备方法、结构和性质、应用以及发展趋势，旨在深入探讨CVD金刚石技术的原理和应用，为工业生产和科学研究提供参考。
人工合成金刚石的方法
人工合成金刚石的方法可以有以下几种：
1. 高温高压法（HPHT法）：这是最常用的合成金刚石的方法之一。
该方法需要在高温（约1500-2000C）和高压（约5-7 GPa）环境下进行。
将碳源（如石墨）和金刚石种子置于高温高压容器中，通过施加高温高压，在碳源上产生足够的压力和温度，使其转化为金刚石。
2. 化学气相沉积法（CVD法）：该方法通过在气相中加入碳源，如甲烷等有机气体和氢气，以及金属催化剂，将其加热并分解，形成碳原子，并在金属催化剂表面上沉积并排列形成金刚石晶体。
这种方法可以在较低的温度（约800-1200C）和较低的压力下实现金刚石的合成。
3. 纳米金刚石合成法：这是一种新兴的人工合成金刚石的方法。
通过使用纳米级的碳源，如纳米钻石颗粒或碳纳米管，加热并在高压环境下进行。
这种方法可以在相对较低的温度和压力下快速合成纳米金刚石。
以上是几种常见的人工合成金刚石的方法，每种方法都有其适用的特定条件和应用领域。
BDD电极的制备及其特性的研究摘要本篇论文使用了热丝化学气相沉积法（HFCVD）制备掺硼金刚石(BDD)膜电极，接着对掺硼金刚石薄膜的生长特性进行深入的研究和仔细的分析。
然后我们对制备获取的掺硼金刚石电极，采用SEM、Raman光谱、XRD等手段表征了掺硼金刚石的微观形貌及其结构，并对BDD电极的Hall效应分析、BDD电极的充放电性能分析、BDD电极的阻抗分析、BDD电极的动力学分析和用循环伏安法对BDD电极的电势窗口分析。
通过实验表明:这次实验制成了质量较好的掺硼金刚石膜电极。
然后对其进行电化学性能的测试发现其的比电容比较大，可用来做优良的电极材料。
关键词：掺硼金刚石 HFCVD 电化学 Hall效应Synthesis and Properties of Boron-doped DiamondFilmABSTRACTThis paper uses a hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) Preparation of boron-doped diamond (BDD) film electrode, then on boron-doped diamond thin film growth characteristics of in-depth research and careful analysis. Then boron-doped diamond electrode preparation we get, using SEM, Raman spectroscopy, XRD and other means to characterize the microstructure of boron-doped diamond of its structure, and studied the Hall effect analysis BDD electrode sheet resistance BDD Electrodes, BDD electrode impedance analysis, dynamic analysis BDD electrodes and electrode potential window analyzed by cyclic voltammetry.Experiments show: the experiment is made of good quality boron-doped diamond film electrodes. And then found its specific capacity is relatively large, it can be used for its excellent electrochemical properties of the electrode material testing.Key Words:Boron-doped diamond HFCVD Electrochemical Hall effect目录第一章绪论 (1)1.1金刚石的晶体结构 (1)1.2金刚石的性质及应用 (2)1.3掺硼金刚石的应用 (2)1.4BDD电极的性质及应用 (3)1.5本文的工作内容 (5)第二章实验部分 (7)2.1设备介绍 (7)2.1.1 气路系统 (7)2.1.2 真空系统 (7)2.1.3 水循环系统 (7)2.1.4 电源系统 (8)2.1.5 偏压电源系统 (8)2.2BDD电极的制备工艺 (8)2.3BDD电极的电化学分析方法 (11)第三章掺硼金刚石膜的生长特性研究 (13)3.1BDD的生长速率的影响 (13)3.2BDD电极扫描电子显微镜（SEM）分析 (13)3.3BDD电极的R AMAN光谱分析 (14)3.4BDD电极X射线衍射(XRD)分析 (15)第四章掺硼金刚石膜的电化学特性研究 (17)4.1BDD电极的HALL效应分析 (17)4.2BDD电极的充放电性能分析 (17)4.3BDD电极的阻抗分析 (18)4.3.1 交流阻抗法 (18)4.3.2 阻抗分析 (18)4.4BDD电极的动力学分析 (19)4.5 BDD电极的电势窗口分析 (20)4.5.1 循环伏安法 (20)4.5.2 电势窗口分析 (20)第五章总结 (23)参考文献 (24)致谢 (26)第一章绪论1.1 金刚石的晶体结构金刚石被称为钻石，是一种无色晶体，它是由碳元素组成，为目前已知最硬物质。
金刚石膜的应用以及制备方法——————微波等离子体ＣＶD制备金刚石膜前言:随着对金刚石的深入研究以及广泛应用，对硬质碳素材料有了进一步探索和需求，因此渴望找到一种可以代替金刚石的的材料。
自从1971年Aisｅnberｇ和Chaｂｏt第一次利用碳的离子束沉积技术制备出具有金刚石特征的非晶碳膜以后，全球范围内掀起了制备类金刚石薄膜的浪潮。
金刚石膜具有高硬度、低摩擦系数、高弹性模量、高热导、高绝缘、高稳定性、宽能隙和载流子高迁移率等优异性质和这些优异特性的组合，是一种在传统工业、军事、航天航空和高科技领域具有广泛应用前景的新材料，被称为是继石器时代、青铜器时代、钢铁时代、硅时代以来的第五代新材料，亦被称为是继塑料发明以来在材料科学领域的最伟大的发明。
微波等离子体化学气相沉积金刚石膜（简称：ＣＶD金刚石膜），具有沉积速度快、纯度高、成膜均匀、面积大、结晶好、成本低等优点，是当今国际上制备金刚石膜的最先进方法,亦是金刚石膜制备技术的发展方向。
世界上各大金刚石膜制品公司皆主要采用微波等离子体化学气相法制备金刚石膜。
一、金刚石膜在当代社会中的重要作用。
(1）金刚石膜刀具应用金刚石膜硬度高、热导率高、摩擦系数低、生物相容性好以及这些优异性能的组合,可制成金刚石膜的切削刀具、机芯、密封件、人工关节等。
使用金刚石膜工具不仅可以极大提高工具的使用寿命与工效，还可以极大提高加工精度。
更重要的是解决了超硬合金、陶瓷材料、碳纤维、玻璃纤维等超难加工材料的切削加工难题，为高、新、精、尖技术和工艺的发展奠定了基础。
（２）金刚石膜光学应用使用微波等离子体化学气相法沉积金刚石膜于镜头、钟表、仪表等表面，可制造真正的永不磨损镜头和钟表等,并极大提高光学镜头的适用范围和成像质量,适应各种恶劣的环境。
美国哈勃望远镜的镜头使用了表面沉积金刚石薄膜技术，以适应外太空的恶劣环境和提高成像质量。
(３）金刚石膜航天应用金刚石膜具有良好的抗辐照性能，以金刚石膜为基底的电子器件在高空电离辐射、热辐射和宇宙射线的作用下仍能保持良好的工作性能，在航天器中具有重要的应用。
