模拟电子技术基础-知识点总结(1)精品word
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电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式(设初始相角为零): (1)峰-峰值10V ,频率10 kHz; (2)有效值220 V ,频率50 Hz; (3)峰-峰值100 mV ,周期1 ms ; (4)峰-峰值0.25 V ,角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ,由于0=θ,于是得到: (1) V )105sin(2 = (t)4t v π⨯; (2) V 001sin 2220 = (t)t v π; (3) V 00020.05sin = (t)t v π;(4) V 00010.125sin= (t)t v ;2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示,设输出开路电压增益10=vo A 。
试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ,οR R L 10=; ( 2) si i R R = ,οR R i =; ( 3) 10si i R R = ,10οR R L =; ( 4 ) si i R R 10= ,10οR R L =。
电压放大电路模型解:由图可知,)(i si i i s R R R v v +=,i v LLA R R R v νοοο⋅+=,所以可得以下结果: (1)si i R R 10=,οR R L 10=时,i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=,i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο,则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。
同理可得: (2)5.225===ii s vs v v v v A ο (3)0826.0111110≈==i i s vs v v v v A ο (4)826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ,输出端接2k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
模电知识点总结1. 电路基本原理电路是电子技术的基础,它是由电阻、电容和电感等元件组成的。
在模拟电子技术中,我们经常需要分析和设计各种电路。
因此,了解电路基本原理是学习模拟电子技术的第一步。
电路分析包括欧姆定律、基尔霍夫定律、节点电压法和网孔电流法等。
这些原理是分析电路的重要工具,可以帮助我们理解电路中各个元件之间的关系。
2. 放大器放大器是模拟电子技术中的重要部分,它的作用是放大电压或电流信号。
放大器包括各种类型,例如运放放大器、电子管放大器和功率放大器等。
学习放大器的原理和特性可以帮助我们设计各种类型的放大器电路。
在实际应用中,放大器经常用于音频放大、信号处理和通信系统等领域。
3. 滤波器滤波器是模拟电子技术中的重要部分,它的作用是通过滤波器电路来处理信号中的不同频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
了解滤波器的原理和特性可以帮助我们设计滤波器电路以及实现信号处理和分析等功能。
4. 模拟信号处理电路模拟信号处理电路是模拟电子技术的核心内容,它包括各种模拟信号处理和传输电路。
常见的模拟信号处理电路包括模拟加减法器、积分器、微分器、比较器和信号发生器等。
了解这些电路的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟信号处理系统和仪器。
5. 模拟数字转换模拟数字转换(ADC和DAC)是模拟电子技术中的重要部分,它的作用是将模拟信号转换为数字信号或将数字信号转换为模拟信号。
了解ADC和DAC的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟数字转换电路以及实现数字信号处理和传输等功能。
总之,模拟电子技术是电子工程中的一个重要分支,它在通信、音频、视频和医疗等领域都有广泛的应用。
通过学习模拟电子技术的知识点,我们可以掌握电子技术的基本原理和技能,为未来的工作和研究打下良好的基础。
希望以上总结的知识点能对学习模拟电子技术的朋友们有所帮助。
模电考前知识点总结模拟电子技术主要研究内容包括模拟电路的设计和分析、模拟信号的处理和传输、模拟电子系统的设计和调试等。
在模拟电子技术中,最基本的理论是基于几种基本电路元件,如二极管、三极管等,建立各种电路方程模型,进而解决各种电子电路问题。
在学习模拟电子技术的过程中,有一些知识点是必须要掌握的。
以下是一些常见的模拟电子技术知识点总结:一、基本电路分析方法1. 谈论母线电力超过220伏特进行电压升降的原理和方法。
2. 需要了解R-L,R-C 串并联电路的等效变换原理及实际应用。
3. 掌握电容电压跟踪积分电路和非积分电路的基本工作原理和参数设计方法。
4. 对于理想电感,理解它在激励下的等效原理。
5. 了解关于画感性理想电感变压器、绕组波音特性原理。
以上是一些基本电路分析方法的知识点总结。
在模拟电子技术中,学生需要通过理论学习和实践操作,熟练掌握这些方法,才能更好地理解和应用模拟电子技术。
二、线性集成电路线性集成电路是模拟电子技术中非常重要的一部分,主要包括放大器、滤波器、示波器、振荡器、计算和计算机等。
掌握了线性集成电路基本的分析与设计方法,可以更好地应用模拟电子技术。
1. 熟悉主要的线性集成电路,了解其特性和使用方法。
2. 了解基于 MOS 器件的模拟 IC 结构、工作原理和指标。
会设计基于 MOS 器件的模拟集成电路电路图。
以上是一些线性集成电路方面的知识点总结。
掌握了这些知识之后,可以更好地理解和应用模拟电子技术,从而更好地解决实际电路问题。
三、信号处理技术在模拟电子技术中,信号处理技术也是一个重要的方面。
掌握了信号处理技术相关知识后,能更好地理解和应用模拟电子技术。
1. 掌握基本信号的表示方法, 变换,系统特性的描述(零-极点,频域与时域的转换)2. 会进行系统励波,知道辨别各种非线性工作特性3. 了解控制工程与信号处理之间的联系和区别4. 实现对系统行为与性能的评估、设计,调节;5. 了解基于 DSP 的数字控制技术,了解模拟电子技术的近期发展,结合数字技术提出新的功能要求。
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1.半导体二极管(1)掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通,即,哪个二极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。
(2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。
(3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)。
交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值(4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业:1.32. 半导体稳压管(1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好(2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。
(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。
(3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.63. 晶体三极管(1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握Ic=βIb )(2)掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级,必然就有BE 间的输入,CE 间的输出,所以有两组特性曲线。
iB 和Ube 之间的关系,但是保证Uce 是一个恒定值iC 和Uce 之间的关系,保证Ib 是一个恒定值关于NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
主要是饱和区和截止区之间的区别(3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
(4)理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业:1.9,1.12 ,共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈14. 场效应管(1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
(2)掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。
(3)掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。
(4)掌握电流方程,1.4.4 式和1.4.5式作业:1.14结型场效应MOS。
1半导体二极管自我检测题一.选择和填空1.纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体,掺入杂质后称 杂质半导体。
若掺入五价杂质,其多数载流子是 电子 。
2.在本征半导体中,空穴浓度 C 电子浓度;在N 型半导体中,空穴浓度 B 电子浓度;在P 型半导体中,空穴浓度 A 电子浓度。
(A .大于,B .小于,C .等于)3. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ,而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。
(A .温度,B .掺杂工艺,C .杂质浓度)4. 当PN 结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流 B 漂移电流,耗尽层 D 。
(A .大于,B .小于,C .等于,D .变宽,E .变窄,F 不变 )5.二极管实际就是一个PN 结,PN 结具有 单向导电性 ,即处于正向偏置时,处于 导通 状态;反向偏置时,处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。
(A .0.1~0.3V ,B .0.6~0.8V ,C .小于A μ1,D .大于A μ1)7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为 T 1时的伏安特性如图中虚线所示。
在25℃时,该二极管的死区电压为 0.5 伏,反向击穿电压为 160 伏,反向电流为 10-6安培。
温度T 1 小于 25℃。
(大于、小于、等于)图选择题78.PN 结的特性方程是)1(-=TV v S eI i 。
普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ;稳压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
( × ) 2.在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。
模拟电子知识点总结电子是现代科学技术的核心,广泛应用于生活的各个方面。
从简单的电池到复杂的计算机系统,电子知识贯穿了我们的日常生活。
在本文中,我们将总结电子学的基本知识点,讨论电子元器件的特性,电路的基本原理,以及电子技术的应用。
1. 电子元器件的特性电子元器件是指用来控制电子流动,实现特定功能的器件。
常见的电子元器件包括二极管、晶体管、电容、电感等。
这些元器件有各自特有的工作原理和特性。
1.1 二极管二极管是一种非线性元件,具有单向导电性。
它有正向导通和反向截止的特性。
当施加正向电压时,二极管导通,电流流动;反向电压时,二极管截止,电流几乎为零。
二极管在电源、整流、功率控制等方面有着广泛的应用。
1.2 晶体管晶体管是一种半导体元件,具有放大、开关等功能。
它可以用作信号放大器、数字逻辑门、模拟开关等。
晶体管有不同的类型,如NPN型、PNP型、场效应晶体管(FET)等,适用于不同的电路设计。
1.3 电容电容是一种可以存储电荷的元件。
它会在两极板上积聚磁场,形成电场。
电容的存电量和电压成正比,用以储能、滤波、保护电路等方面。
1.4 电感电感是一种储存电能的元件。
当电流通过电感时,会在其中产生磁场,这样就存储了电能。
电感对磁场的响应和积分得到电压。
它在电源、滤波、放大等电路中有着重要作用。
2. 电路的基本原理电路是由不同的电子元器件组合而成,用来实现特定的功能。
电路的基本原理包括串联、并联、电压分压、电流分流等。
2.1 串联电路串联电路是将电子元器件依次连接在一起,形成一个闭合的回路。
在串联电路中,每个元件的两端与下一个元件的两端相连,电流通过每个元件都是相同的。
串联电路中的电压会分级,每个元件的电压之和等于电源端的电压。
2.2 并联电路并联电路是将电子元器件同时连接在一个点上,构成一个平行的回路。
在并联电路中,每个元件的两端都与电源的两端相连。
并联电路中的电流会分流,每个元件的电流之和等于电源端的电流。
模电复试基本知识点总结模拟电子技术(简称模拟电子技术或模电)是电子科学中的一个重要领域,其研究对象是模拟信号的获取、处理和传输。
模拟电子技术在通信、计算机、医疗、工业控制和电子消费品等领域都有着广泛的应用。
模拟电子技术复试是电子信息类专业研究生入学时的一项测试,其目的是验证考生的专业基础知识水平和综合分析问题的能力。
模电类研究生复试主要考察的内容包括模电基础知识、电子线路设计能力、信号处理与滤波、放大电路设计、反馈电路设计、运算放大器、振荡电路、电源与稳压、模电实验与应用等。
下面就模拟电子技术复试的基本知识点做一个总结。
一、模电基础知识1. 电子电路电子电路是利用电子元件(如二极管、晶体管、集成电路等)搭建的可以完成某种电子功能的电路系统,是电子技术的核心。
在模电复试中,通常考察考生对电子电路的基本原理和分析能力,例如使用基尔霍夫定律分析电路,计算电路稳态和暂态响应等。
2. 电子元件在电子电路中,常用的电子元件包括二极管、晶体管、场效应管、继电器等。
考生需要了解不同电子元件的工作原理、特性和应用场景。
3. 电子器件特性电路中的电子器件,如二极管、晶体管等,都有其特定的工作特性,例如电压-电流特性曲线、频率响应、非线性失真等。
了解电子器件特性对于电路设计和分析非常重要。
4. 信号与系统信号与系统是模拟电子技术的基础,考生需要了解信号的分类、信号的时域和频域分析、系统的传递函数和频率响应等内容。
二、电子线路设计1. 放大电路设计在模拟电子技术中,放大电路是最基本的电子线路之一。
放大电路的设计考察考生对放大电路的基本原理、放大倍数、频率特性等有深入的理解和应用能力。
2. 滤波电路设计滤波电路是用于信号的分离和处理,对于模电的复试来说,考生要掌握各种滤波电路的设计原理、种类和特性,并能灵活应用于实际问题。
3. 反馈电路设计反馈电路是电子系统中的重要组成部分,其设计不仅直接影响了电路的稳定性和性能,还可以使得整个系统的性能有较大的提高。
模电知识点复习总结模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要基础学科之一,主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结:一.基础知识1.电路基本定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析:时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路:共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性:稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应:截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真:交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计:负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质:增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器:非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路:比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真:输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理:输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构:移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式:串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型:低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性:通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数:频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法:RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管:理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅:双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管:NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模拟电子技术复习资料总结
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型
微变等效电路法
三. 稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路
一. 三极管的结构、类型及特点
1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触
面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态
2. 三极管内各极电流的分配
* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件
式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降,用U CES表示
放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4. 温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
I CEO、I C以及β均增加。
温度升高I
三. 低频小信号等效模型(简化)
h ie---输出端交流短路时的输入电阻,
常用r be表示;
h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;
四. 基本放大电路组成及其原则
1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法
1. 直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1)改变R b:Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变R c:Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变V CC:直流负载线平移,Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的
直线。
3. 静态工作点与非线性失真
(1)截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法---减小R b,提高Q。
(2)饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围
(1)U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围
*当(U CEQ-U CES)>(V CC’ - U CEQ)时,受截止失真限制,U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当(U CEQ-U CES)<(V CC’ - U CEQ)时,受饱和失真限制,U OPP=2U OMAX=2 (U CEQ-U CES)。
*当(U CEQ-U CES)=(V CC’ - U CEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法
1.静态分析
(1)静态工作点的近似估算
(2)Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区,应满足R B>βRc。
2.放大电路的动态分析
* 放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
七. 分压式稳定工作点共射
放大电路的等效电路法
1.静态分析
2.动态分析
*电压放大倍数
在R e两端并一电解电容C e后
输入电阻
在R e两端并一电解电容C e后
* 输出电阻
八. 共集电极基本放大电路
1.静态分析
2.动态分析
* 电压放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
3. 电路特点
* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。
* 输入电阻高,输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路
一. 结型场效应管( JFET)
1.结构示意图和电路符号
2. 输出特性曲线
(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)
转移特性曲线
U P ----- 截止电压
二. 绝缘栅型场效应管(MOSFET)
分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。
结构示意图和电路符号
2. 特性曲线
*N-EMOS的输出特性曲线
* N-EMOS的转移特性曲线
式中,I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。
* N-DMOS的输出特性曲线
注意:u GS可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P,此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数
1.漏极饱和电流I DSS
2.夹断电压U p
3.开启电压U T。