硅管和锗管的导通电压

电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。

答：导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性，特性和特性。

答：热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。

答：单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答：0.7V、0.3V。

（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。

答：最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。

答：小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

答：电、光、光、电。

7、三极管有三个电极，即极、极和极。

答：集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答：NPN、PNP。

（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。

答：电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。

答：0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。

答：I C=βI B。

（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答：增加、小。

12、三极管的极限参数分别是，，和。

答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答：放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。

答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答：使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。

一选择题：1、理想二极管的反向电阻为（ B ）。

A 零B 无穷大C 约几百千欧D 以上都不对1.在换路瞬间，下列各项中除( B )不能跃变外，其他全可跃变。

(a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流4.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ D ）。

(A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率(C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压V t u BC )180sin(2380-=ω，则相电压=C u （ D ）。

(a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω(c) V t )120sin(2380+ω （d ）2202sin(30)t ω+o 6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同(f1>f2)的两电源下，此时线圈的磁通?1和?2 关系是( B )。

(a)?1 >?2 (b)?1<?2 (c)?1=?27.一负载电阻为RL ，经变压器接到内阻R0＝800Ω的电源上，变压器原、副绕组的额定电流为2A ／20A ，若使从变压器原绕组看进去的等效负载电阻RL ′＝R0时，则RL 等于（ B ） (a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω1、3Ωk 的电阻中通过2mA 的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。

A 、10VB 、6mVC 、1.5VD 、6V2、有一额定值为5W 500Ω 的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。

A 、2500B 、100C 、1D 、0.13、一个电热器从220V 的电源取用的功率为1000W ，如将它接到110V 的电源上，则取用的功率为（ B ）W 。

A 、125B 、250C 、500D 、10001. 稳压管起稳压作用，是利用它的（ D ）。

A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性2.某一负载消耗的有功功率为300W ，消耗的无功功率为400var ，则该负载的视在功率为（ c ）。

《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。

二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1晶体二极管加_____________ 时导通，加______ 电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。

二、判断题：1二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。

（）2由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。

（）3、二极管两端加上正向电压就导通。

（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。

（）三、选择题：1晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于）状态。

A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。

A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R i、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。

2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时电R 上的压各为多少。

4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1半导体是指导电性能______________ 的物体。

2、在半导体中存在两种载流子：一种是 _________ ，带_____ 电；一种是_________ ，带____ 电。

3、_________________________ 称为本征半导体。

4、P型半导体又称______ 半导体，其内部空穴数量 _____ （填“多于”或“少于”）自由电子数量，________ 是多数载流子。

5、P型半导体又称______ 半导体，其内部空穴数量 _____ （填“多于”或“少于”）自由电子数量， _______ 是多数载流子。

电子元器件知识：二极管、三极管与场效应管。

一、半导体二极管2、半导体二极管的分类分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管；b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。

3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。

4、半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.5、半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。

7、半导体二极管的识别方法：a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

8、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。

变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。

在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。

第四章常用半导体4.1 半导体的基本知识选择题：1.PN结的基本特性是：（ B ）A.半导性B.单向导电性C.电流放大性D.绝缘性正确答案是B，本题涉及的知识点是：PN结的基本特性。

2. 半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为：（ B ）A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动正确答案是B，本题涉及的知识点是：PN结的形成相关知识。

3. 在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是：（ A ）A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动正确答案是A，本题涉及的知识点是：PN结的形成相关知识。

6. N型半导体和P型半导体是利用了本征半导体的如下哪个特性（C）A．热敏性 B. 光敏性 C. 掺杂性正确答案是C，本题涉及的知识点是：本征半导体特性知识。

7. N型半导体是在本征半导体掺入（A ）A．5价元素 B. 3价元素 C. 导电杂质正确答案是A，本题涉及的知识点是：N型半导体的掺杂知识。

8. P型半导体是在本征半导体掺入（B ）A．5价元素 B. 3价元素 C. 导电杂质正确答案是B，本题涉及的知识点是：P型半导体的掺杂知识。

9. N型半导体中多数载流子是（A ）A．自由电子 B. 空穴 C. 自由电子和空穴 D.电子正确答案是A，本题涉及的知识点是：N型半导体的多数载流子知识。

10. P型半导体中多数载流子是（B ）A．自由电子 B. 空穴 C. 自由电子和空穴 D.电子正确答案是B，本题涉及的知识点是：P型半导体的多数载流子知识。

4.2 半导体二极管选择题：4.如图所示电路，输入端A的电位U A＝+3V，B点的电位U B＝0V，电阻R接电源电压为-15V，若不计二极管的导通压降，输出端F的电位U F为：（ A ）A ．3V B. 0V C. 1.5V D . -16V正确答案是A ，本题涉及的知识点是：二极管优先导通问题。

5.如图所示电路，输入端A 的电位U A ＝+3V ，B 点的电位U B ＝0V ，电阻R 接电源电压为-15V ，若二极管的导通压降为0.7V ，输出端F 的电位U F 为： （ C）A ．3V B. 0V C. 2.3V D . -16V正确答案是C ，本题涉及的知识点是：二极管优先导通问题。