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阻容感尺寸摘要：一、阻容感尺寸的概念与作用1.电阻尺寸2.电容尺寸3.感抗尺寸二、阻容感尺寸的测量方法1.直接测量法2.间接测量法3.测量误差与修正三、阻容感尺寸在电子产品中的应用1.电路设计中的尺寸匹配2.电子元件的选型与尺寸考虑3.尺寸对电路性能的影响四、行业标准与规范1.国际标准2.我国国家标准3.行业规范与应用指南正文：阻容感尺寸是电子电路设计中至关重要的一个环节。
在电子产品的开发过程中，阻容感尺寸的选择与匹配直接影响到产品的性能、可靠性和成本。
因此，对阻容感尺寸的研究和掌握对于职业写手来说具有重要的意义。
一、阻容感尺寸的概念与作用1.电阻尺寸电阻尺寸指的是电阻器的物理尺寸，包括电阻体的长度、宽度和厚度。
电阻尺寸的选择要考虑到电路性能的要求，如电阻值、功率、工作温度等。
在实际应用中，电阻尺寸需要与电路的其他元件尺寸相互匹配，以保证电路的稳定性和可靠性。
2.电容尺寸电容尺寸包括电容器的物理尺寸和电容量。
电容尺寸的选择主要依据电路性能要求，如频率响应、耦合方式、电压等级等。
电容尺寸的合理选择可以降低电路中的损耗，提高信号传输效率。
3.感抗尺寸感抗尺寸指的是电感器的物理尺寸，包括线圈长度、直径和匝数。
感抗尺寸的选择要根据电路性能要求，如频率响应、电流容量、工作温度等。
感抗尺寸的合理配置有助于提高电路的稳定性和抑制干扰。
二、阻容感尺寸的测量方法1.直接测量法直接测量法是利用测量仪器直接对阻容感尺寸进行测量。
如利用万用表、示波器等仪器测量电阻、电容和电感的数值。
2.间接测量法间接测量法是通过测量电路的性能参数，如电压、电流、频率等，然后根据电路理论和公式计算出阻容感尺寸。
3.测量误差与修正测量误差是不可避免的，通过对测量误差的分析和对测量方法的改进，可以降低测量误差，提高测量精度。
对于阻容感尺寸的测量，常见的误差有仪器误差、环境误差和操作误差等。
通过对误差的修正，可以提高测量结果的可靠性。
三、阻容感尺寸在电子产品中的应用1.电路设计中的尺寸匹配在电路设计中，阻容感尺寸的匹配至关重要。
电子电路中电阻电容等器件降额规范电阻器降额规范稳态功率与瞬态功率稳态功率功率降额是在相应的工作温度下的降额，即是在元件符合曲线所规定环境温度下的功率的进一步降额，采用P=V²/R公式进行计算。
为了保证电阻器的正常工作，各种型号的电阻厂家都通过试验确定了相应的降功率曲线，因此在使用过程中，必须严格按照降功率曲线使用电阻器。
当环境温度定于额定温度时（T<Ts）可以施加60%额定功率，不需要考虑温度降额。
当环境温度高于额定温度的时候，需要考虑温度降额，应该进一步降额功耗使用，P=PR(0.6+(Ts-T)/(Tmax-Ts))PR是额定功耗；T是环境温度；Tmax是零功耗时最高环境温度。
瞬态功耗不同厂家，电阻脉冲功耗和稳态功率的转换曲线不同，具体应用时，要查询转换缺陷，将瞬态功率转换为稳态功率，然后在此基础上降额。
厂家额定环境温度为70℃，低于这个温度的时候，直接按照60%进行降额。
当超过这个温度的时候，额定曲线是一个斜线。
降额曲线也按照，最大温度的降额为121℃，然后绘制一条红色的斜线，按照斜线进行降额。
瞬态降额只要时间足够短，电阻可以承受比额定功率大得多的瞬态功率。
要参考厂家资料中的最高过负荷电压参数，再在此基础上降额。
瞬态功耗，又要按照单脉冲和多脉冲，分别进行讨论和分析。
单脉冲：多脉冲：1、合成型电阻器1.1 概述合成型电阻器件体积小，过负荷能力强，但它们的阻值稳定性差，热和电流噪声大，电压与温度系数较大。
合成型电阻器的主要降额参数是环境温度、功率和电压。
1.2 应用指南a) 合成型电阻为负温度和负电压系数，易于烧坏。
因此限制其电压是必须的。
b) 在潮湿环境下使用的合成型电阻器，不宜过度降额。
否则潮气不能挥发将可能使电阻器变质失效。
c) 热点温度过高可能导致合成型电阻器内部的电阻材料永久性损伤。
d) 为保证电路长期工作的可靠性，电路设计应允许合成型电阻器有±15%的阻值容差。
典型的阻容降压电路⼀、概述将交流市电转换为低压直流的常规⽅法是采⽤变压器降压后再整流滤波，当受体积和成本等因素的限制时，最简单实⽤的⽅法就是采⽤阻容降压式电源。
阻容降压包括电容降压和电阻降压两种。
电容降压的原理⽤复函数来分析:电容的阻抗Xc=1/jωC,电容上的压降IXc,此处I为复函数电流。
也可近似表⽰为IoXc，此处Io为负载电流。
电容降压整流后未经稳压的直流电压⼀般会⾼于30伏，并且会随负载电流的变化发⽣很⼤的波动，故不适合⼤电流供电的应⽤场合。
本⽂将根据从基本到复杂的顺序，介绍这⼏种常见电容降压和电阻降压的典型电路。
在实际应⽤中应优先选择图5和图6的线路。
在有可控硅的系统中，应优选负电源。
⼆、典型电路1、单负电源电容降压半波整流电路该电路常⽤于电流⼩，空间有限，电源单⼀，有可控硅控制的电路中。
可避免可控硅使⽤在第四象限。
如⽆可控硅控制优先选⽤全波整流。
1.1原理图1.2电路参数选型及分析符号元器件名称型号备注F1保险管 1.25A 250VAC⼀般控制板都选⽤此规格，太⼩容易烧断.选择R1电阻时，可以不⽤保险丝。
C1X2电容0.1UF 275VAC容量的⼤⼩由负载的特性决定。
优选0.1，0.22，0.33，0.47，0.68UFR1线绕电阻30R/3W此电阻应为阻燃的线绕电阻，根据电流的⼤⼩优选30，47，51。
在有保险丝时可省掉ZNR1压敏电阻10D561根据电源电压优选:220V选 10D561; 120V 选10D431根据吸收能量的不同优选7D,10D,14D.R2碳膜电阻470K(120V) 1M(230V)由电源电压决定，不能⽤单个贴⽚电阻D1⼆极管1N4007或SMA4007（贴⽚）ZD1稳压⼆极管5V6/1W具体采⽤型号由电压和功率决定,优选3.3V，5.1V，5.6V,12V，24VC2电解电容220UF/16V具体采⽤型号由电压和功率决定，容值可采⽤下例公式计算：RLC>(3~5)T/2C3瓷⽚(贴⽚)电容100N消除⾼频谐波。
1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。
电阻：美国：AVX、VISHAY威世日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic松下、ROHM罗姆、susumu、TDK台湾： LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡：ASJ 中国：FH风华、捷比信电容：美国：AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世英国：NOVER 诺华德国：EPCOS、WIMA威马丹麦：JENSEN战神日本：ELNA伊娜、FUJITSU富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon （蓝宝石）尼吉康、Nippon Chemi-Con（黑金刚、嘉美工）日本化工、Panasonic松下、Raycon 威康、Rubycon（红宝石）、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信韩国：SAMSUNG 三星、SAMWHA三和、SAMYOUNG三莹台湾：CAPSUN、CAPXON（丰宾）凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON 士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨香港：FUJICON 富之光、SAMXON万裕中国：AiSHi艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA 扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA奇发电子电感：美国：AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世德国：EPCOS、WE 日本：KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕台湾：CHILISIN奇力新、yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨中国：Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达2、请解释电阻、电容、电感封装的含义：0402、0603、0805。
运算放大器的参数选型与应用一、运算放大器的参数1.基本参数：（1）增益（A）：运算放大器的放大能力，通常以电压增益或电流增益表示。
（2）输入阻抗（Rin）：运算放大器对输入信号源的接收能力，一般较高，以保持输入信号源的电路完整性。
（3）输出阻抗（Rout）：运算放大器提供给负载的输出能力，一般较低，以最大限度地传递放大的信号。
（4）带宽（B）：运算放大器能够放大信号的频率范围。
（5）共模抑制比（CMRR）：运算放大器对共模信号的抑制能力。
2.典型参数：（1）输入偏置电压（Vio）：运算放大器非平衡输入端的直流电压差异。
（2）输入偏置电流（Iio）：运算放大器非平衡输入端的直流电流差异。
（3）输入偏置电流温漂（Iio TC）：运算放大器输入偏置电流随温度变化的程度。
（4）输入失调电压（Vos）：漏电流通过输出端电阻引起的电压差。
（5）输出失调电压（Vos）：输出电压与期望输出电压之间的差异。
二、运算放大器的选型1.输入信号要求：根据要放大的信号类型，确定所需的运算放大器是单电源还是双电源，是直流耦合还是交流耦合。
2.增益和带宽需求：根据系统设计的需求，选择具有足够放大增益和带宽的运算放大器。
3.供电电源需求：选择适合实际供电电源范围的运算放大器。
4.共模抑制比要求：根据具体应用的共模干扰程度确定所需的共模抑制比。
5.工作温度和封装要求：根据实际工作温度和应用环境，选择适合的运算放大器封装。
三、运算放大器的应用1.模拟电路放大：2.滤波器设计：3.比较器设计：4.阻容电路设计：5.仪器放大器设计：总结：运算放大器作为一种重要的电子元件，具有广泛的应用领域。
在使用运算放大器时，需要根据具体应用的需求来选择合适的运算放大器型号，并根据参数来进行电路设计和调试。
运算放大器的应用非常灵活，可以用于模拟电路放大、滤波器设计、比较器设计、阻容电路设计和仪器放大器设计等。
IGBT驱动参数计算详解大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要，本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准，得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。
1 门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge，门极-集电极电容Cgc，我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg，门极驱动回路的等效电路如下图所示：其本质是：一个脉冲电压源向RC电路进行充放电，对于这个电压源，有2个物理量我们需要关心，1.它的功率；2.它的峰值电流。
2 驱动功率的计算驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。
为了实现此功能，驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on，或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。
门极电压的两种电平间的转换过程中，在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。
这个参数我们称为驱动功率PDRV。
驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。
请注明出处.igbt8.驱动功率可以从门极电荷量QGate，开关频率fIN，以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出：P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1)备注：P DRV: 驱动器每通道输出功率；f IN: IGBT开关频率；Q Gate :IGBT门极电荷，可从规格书第一页查出，不同IGBT该数值不同；ΔV Gate:门极驱动电压摆幅，等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。
如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容)，那么驱动器也需要对该电容进行充放电，如图1 所示：图1.带外接阻容的门级驱动只要CGE 在一个周期被完全的充放电，那么RGE 值并不影响所需驱动功率。
驱动功率可以从以下公式得出：P DRV = Q GATE * f IN *ΔV GATE + C GE * f IN*ΔV GATE2(Eq. 2)这个功率是每个IGBT 驱动时必须的，但门极的充放电是没有能量损失的，这个功率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。
常用阻容元器件的选型参考中国船舶重工集团第七研究院第707研究所 李长娜 冷述伟摘要:电路原理设计完成后，产品性能的稳定可靠与否，往拄与选用的元器件参数、等级、质量等密切相关，设计者应针对产品应用环境以及电性能的要求，准确提出对元件参数的具体要求，包括标称值、精度及误差要求、稳定性要求、温度范围要求、安装尺寸以及与电路性能密切相关的其它要求.通常高性能的元器件，比如有可靠性要求或精度、稳定性要求的元器件，其外形尺寸比一般要求的产品要大得多。
这就要求设计人员在PCB设计之前，针对开发的产品使用环境条件的要求，合理选择相应等级的元件.元器件生产商会在自己的产品目录中详细列出产品的型号及对应的参数，编制采购文件时，应在型号栏标明详细的型号。
严格讲，这些参数应在电路原理设计时随时在电路中限定。
现就常用阻容元件(包括电容器、电阻器、电感器等)型号及参数的具体含义进行分析，供设计人员参考选择.一、电容器常用的电容分为多层陶瓷电容器、固体电解质担电容器以及铝电解电容器三大类，分别说明如下。
1.1多层陶瓷电容器多层陶瓷电容器是由陶瓷电介质和金属交替构成，按弓}线方式的不同，分为多层片状陶瓷电容器、径向引线陶瓷电容器以及电容网络(排容)多层陶瓷电容器三种。
通俗地讲，多层片状陶瓷电容器就是表贴电容，主要特点是体积小，容量大，常用的0805, 1210封装电容均属这一种;径向引线陶瓷电容器就是针式引脚电容;电容网络也叫排容，就是一个封装里有几个〔通常是4个)电容，目的是节省PCB空间提高装配密度。
1.1 .1多 层 片状陶瓷电容器型号说明多层片状陶瓷电容器型号中一般包含类型、封装尺寸、介质种类、容量、误差、耐压、端头材料及包装形式等，以华达电子有限公司产品为例，对产品型号的构成说明如下:CC41 0805 CG 102 K 500 N Ta b c d e f g h(1)元件分类:标识有CC41与CT41两类CC41: I类片状电容器;CT41: 11类片状电容器。
(2)封装尺寸:按EIA代号标识，从0603到3035共7种数值表示氏x宽，换算到公制尺寸见表to表1封装尺寸(氏x宽)的公英制对照标识英制(inches ) 公制标识0402 0.04×0.02 10050603 0.06×0.03 16080805 0.08×0.05 20121206 0.12×0.06 32161210 0.12×0.10 32251812 0.18×0.12 45322225 0.22×0.25 5764(3) 介质 种 类:标识有CG.B .F .E 共4种CG : COG (NPO)介质，I类电介质。
电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路;B: X7R (2X1)介质，11类电介质。
电气性能较稳定，在温度、电压、时间改变时，性能的变化并不显著，适用于隔直、祸合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路。
X7R是一种强电介质，因而能造出比NPO介质更大的电容器:F: Y 5V (2F4)介质，II类电介质。
E: Z 5 U 介质，11类电介质。
这两种电介质都具有较高的介电常数，常用于比容较大、标称容量较高的大容量电容器，但其容量稳定性比X7R差，容量、损耗等对温度、电压等测试条件较敏感。
(4)标 称 容 量:单位pF容量的表示方法一般采用三位数字，第一、第二位是有效数字，第三位表示0的个数，小数点用R表示。
如:100=10pF; 107=100uF; 3R3= 3.3 pF等等。
(5) 容量 误 差:共11档，见表20表 2容 量 误 差 范 围标识 B (pF) C(pF) D(pF) F G J K M S误差 士0.10 士0.25 土0.5 土1.0% 土2.0％ 土5.0% 土10% 土20％ +50%-20%Z p+80% -20% +100% 0其中 B . C.D三档只适用于10p F以下的标称容量。
由于陶瓷电容器的容量误差范围很大，因此在选择时一定要针对电路要求，给出允许的误差范围。
建议滤波电路使用的选择K或M档。
(6) 额定电压:单位V额定电压是电容器允许施加的最高电压，一般从16V到2000V共9档，表示方法也是第一、第二位是有效数字，第三位表示0的个数。
(7) 端头 材 料:S为纯银端头，N为三层电镀三层 电 镀 (银、镍、锡)端头具有耐焊性能优越，端头物理强度高，可焊性好的特点，适合自动贴片焊接和手工焊接。
(8) 包装方式:无标记为散包装，T为编带包装，B为袋式包装。
需要进行回流焊的元件，应选择T需要说明的是，虽然这一型号说明是以特定的产品为例，但也具有一定的普遍意义，除了型号分类标识不同厂家有自己的定义，一般标称容量、额定电压、容量误差等级以及端头材料和包装方式等各个厂家的标志基本一致。
但在尺寸标识上，国内有些厂家会采用公制尺寸表示，选择时应注意区分。
1.1 .2 电容网络日前我们常用的电容网络，一般是4个片容封装在一起的，可以节省PCB空间，提高装配密度，减少安装次数。
仍以华达电子有限公司产品为例，说明电容网络型号构成:CA 03 CG 102 K 500 N T 2a b c d e f g h i(1) 元件 分 类:CA系列即为电容网络。
(2) 封装尺寸:有03和02两种，03表示0603x4规格，02表示0402x4规格。
(3) 一h 同 1.1.1,(4)， 表 示 厚度:1=0.8mm,2 =1.Omm,3 =1.2mme1.1 .3 径 向引线陶瓷电容器径向 引 线 陶瓷电容器与多层片状陶瓷电容器型号仅在a,g 项有所区别，在元件类型a上，径向引线陶瓷电容器用CC4和CT4区分I. II类，而在g项，多层片状陶瓷电容器只有两种端头，而径向引线陶瓷电容器引脚形状有多种不同形状，且每一厂家还各不相同，选用时查阅相关器件手册。
1.2担电容器固体电解质担电容器是用二氧化锰作电介质的极性电容器，有片式和径向引线两种。
片式担电容器采用模压塑封，密封性好，具有体积小、重量轻、电性能稳定可靠、寿命长等优点。
以华达电子有限公司产品为例，片式担电容器型号组成如下:CA45 D 476 M C Ta b c d e f(1)元件分类:CA45系列为片式固体电解质担电容器:(2)外形尺寸:用A一五种符号表示，见表30表 3片 式 f -)电 容 外 形 尺 寸标识 长(mm) 宽(mm) 高(mm)A 3.2 1.6 1.6B 3.5 2.8 1.9C 6.0 3.2 2.6D 7.3 4.3 2.8F 7.3 4.3 4.1(3)标称容量:单位pF。
表示方法同1.1.10(4)客量误差:表示方法同1.1.1，但只有K、M两档。
(5)额定电压:用字母表示。
见表40表 4 片 式 to. 电 容 额 定 电 炜标识 G J A C D E V H电压(V) 4 6.3 10 16 20 25 35 50包装 方 式 : T为编带包装，B为袋式包装径向引线固体电解质担电容器系列分类为CA42,型号组成参考片式担电容器型号，但外形尺寸(宽x高)与片式担电容器完全不同，选用时详细查阅器件手册。
1.3铝电解电容器铝电解电容是以经过蚀刻的高纯度铝箔作为阳极，以浸有电解液的薄纸或布做阴极构成的极性电容器，具有容量大、耐压高的特点，但其寿命随温度的升高下降很快。
数字电路中使用的铝质电解电容一般用于电源平滑滤波，除容量、耐压、容量误差、工作温度、封装尺寸等熟知的参数外，还有儿个有关电容器品质的重要参数，包括损耗角正切、漏电流、等效串联电阻ESR、允许的纹波电流、使用寿命等。
这些参数不标在成品封装外皮上，只在产品规格书中体现的，但这些参数有可能是关系电路性能的关键。
(1)损 耗 因 子(DissipationF actor)— 损耗角正切值(tan占)损耗当然愈低愈好。
所有电容器都有损耗，但铝电解电容损耗相当高，且与温度、容量、电压、频率等都有关系。
当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低;而温度升高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高。
(2)漏 电 流 (LeakageC urrent)铝电解电容在工作时会产生漏电流，当然也要愈低愈好。
电容器容量愈高，漏电流就愈大;额定电压愈高，漏电流也愈大，因此降低工作电压亦可降低漏电流。
(3)等 效 串 联电阻(EquivalentSe riesR esistance)电容器因其构造而产生各种阻抗、感抗，比较重要的就是等效串联电阻ESR,E SR的高低与电容器的容量、电压、频率及温度都有关，当额定电压固定时，容量愈大ESR愈低。
有人用并联电阻阻抗小的理论，将多颗小电容并接成一颗大电容以降低阻抗。
但若考虑电容管脚焊点的阻抗，以小并大不见得有益。
当容量固定时，耐压越高ESR越低;频率越高ESR低;当然，高温会造成ESR的提升。
(4)纹 波 电 流Irac( RippleC urrent)前面提到的DF.漏电流、ESR等，其值都是愈低愈好，但纹波电流却是愈高愈好。
要大电流输出时，电源平滑滤波电容器的纹波电流就显得格外突出。
纹波电流与频率刚好成正比。
(5) 使用寿命电容器的寿命依赖于环境温度，在额定温度范围内，每降低1o度使用寿命会增加I倍，而超出额定温度使用，会大大缩短电容器的使用寿命。
重要的参数清楚了，是不是选DF.漏电流、ESR愈低，纹波电流愈高的铝电解电容愈好呢？问题似乎不是那么简单，性能提高的代价是体型的肥大和价格的提高。
因此，铝电解电容的选择必须慎重，既要兼顾性能要求，又要考虑封装尺寸，在设计时一定要针对系统要求，仔细查阅相关的产品手册，认真确定适宜的型号。
著名的电容器生产厂商有Sanyo,S amsung.R ubycon.A VX/Cyocera等，国内4326厂、三和电机等也有高性能的铝电解电容。
每一厂商的型号编号不同，参数也不同，使用时要查阅相关产品目录。
1.4电容器使用指南最基本的，电容器应在额定电压和温度环境下使用，并且考虑降额设计。
对于陶瓷电容器，当电容器的特性直接影响电路的频率、时间常数的稳定时，要求电容器的容量及其它参数必须稳定，这时应选用I类介质COG (NPO)电容器。
而在电路中如做祸合、隔直、旁路、滤波等用途时，对容量稳定度要求不是很高，可以选用11类介质电容器。
极性电容如担电容器和铝电解电容使用时还要避免施加反向电压。
担电解电容与铝电解电容相比，具有性能稳定，温度和频率特性好、漏电流小等优点，不过担电容的容量及耐压都比铝电解电容要低。
使用固体电解质担电容器还要特别注意以下几点:(1)关于反向电压固体电解质极性担电容器，一般不允许加反向电压，并且不可在纯交流电路中使用。
