RC吸收电路
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开关电源rc吸收电路
开关电源rc吸收电路摘要：一、开关电源RC 吸收电路概述1.开关电源的工作原理2.RC 吸收电路的作用二、RC 吸收电路的组成及工作原理1.电容和电阻的特性2.RC 吸收电路的组成3.电路的工作原理三、RC 吸收电路在开关电源中的应用1.电压波动的抑制2.电磁干扰的减小3.开关电源的稳定性提高四、RC 吸收电路的设计与优化1.电容和电阻的选择2.电路参数的计算与分析3.优化方法与技巧正文：一、开关电源RC 吸收电路概述开关电源是一种利用现代电力电子技术，通过开关器件的开通和关断，实现输入电压和输出电压之间能量传递的电源。
然而，在开关电源的工作过程中，由于开关器件的开通和关断，会产生高频电流尖峰，这不仅会引起电磁干扰，还会导致输出电压的波动。
为了抑制这些不良影响，开关电源中通常会加入RC 吸收电路。
二、RC 吸收电路的组成及工作原理1.电容和电阻的特性RC 吸收电路主要由一个电容和一个电阻组成。
电容具有储存电能的特性，而电阻则限制电流的流动。
当开关器件开通时，电容开始充电；当开关器件关断时，电容通过电阻放电。
2.RC 吸收电路的组成RC 吸收电路通常由一个电容和一个电阻组成。
电容可以是单个电容，也可以是多个电容的串联或并联；电阻也可以是单个电阻，也可以是多个电阻的串联或并联。
电容和电阻的数值大小要根据实际应用场景进行选择。
3.电路的工作原理当开关电源的输出电压出现波动时，RC 吸收电路中的电容会储存一部分能量，然后在电阻的作用下释放，从而减小输出电压的波动。
同时，由于电容和电阻对电流的限制作用，可以有效地减小电磁干扰。
三、RC 吸收电路在开关电源中的应用1.电压波动的抑制开关电源的输出电压受到很多因素的影响，如输入电压的波动、负载的变动等，通过加入RC 吸收电路，可以有效地抑制这些因素引起的输出电压波动。
2.电磁干扰的减小开关电源的高频开关过程中会产生大量的高频电流尖峰，这些尖峰会产生很强的电磁干扰。
可控硅rc吸收电路
可控硅rc吸收电路可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种半导体器件，具有双向导通的特性，广泛应用于电子控制领域。
在电力控制和电力转换方面，可控硅的吸收电路起到了重要的作用。
本文将详细介绍可控硅RC吸收电路的原理、特点以及应用。
一、可控硅RC吸收电路的原理可控硅RC吸收电路是通过可控硅和电容器构成的电路，主要用于吸收和消耗电路中的感性负载电流。
其原理是通过控制可控硅的触发脉冲，使其导通，从而实现对电路中电流的吸收和消耗。
可控硅作为一种双向导通的器件，可以控制电流的方向，具有非常好的电流控制特性。
二、可控硅RC吸收电路的特点1. 能够实现对感性负载电流的吸收和消耗，保护其他电路元件不受过电流的侵害。
2. 可控硅具有双向导通的特性，能够适应不同的电流方向需求。
3. 可控硅的触发脉冲可以通过外部控制，实现对电流的精确控制。
4. 可控硅具有较高的耐压能力和耐电流能力，能够适应较大电流的吸收需求。
三、可控硅RC吸收电路的应用1. 电力电子领域：可控硅RC吸收电路常用于电力电子设备中，用于吸收感性负载电流，保护其他元件。
2. 交流电机控制：可控硅RC吸收电路可以用于交流电机的启动和制动，通过控制电流的方向和大小，实现对电机的控制。
3. 电力系统中的过电流保护：可控硅RC吸收电路可以作为过电流保护装置使用，在电力系统中对过电流进行吸收和消耗，保护系统的安全运行。
4. 电力变换器：可控硅RC吸收电路可以用于电力变换器中，对电流进行吸收和消耗，实现电力的转换和调节。
总结：可控硅RC吸收电路是一种通过可控硅和电容器构成的电路，用于吸收和消耗电路中的感性负载电流。
它具有双向导通的特性，可以控制电流的方向，并且具有较好的电流控制特性。
可控硅RC吸收电路广泛应用于电力电子领域，用于保护其他电路元件、交流电机控制、电力系统过电流保护以及电力变换器等方面。
通过对可控硅RC吸收电路的研究和应用，可以提高电力系统的稳定性和可靠性，实现对电流的精确控制。
rc吸收电路原理
rc吸收电路原理
RC吸收电路是一种用来去除电路中电信号尖峰的电路，其原理是利用电容和电阻的耦合作用来抑制电路中的高频干扰，从而达到滤波的效果。
这种电路在电子器件的设计和制造中应用广泛，具有重要的意义。
RC吸收电路由一个电阻和一个电容组成，电阻用来限制电路的电流，电容则作为滤波器来吸收电路中的电信号尖峰。
在一个RC吸收电路中，当电容充电时，它的电压将随着时间推移而增加，直到它的电压与电源电压相等时电路会达到平衡状态。
在达到平衡状态之前，当电流从电源进入电容时，电容会吸收一些电能，这种吸收过程会产生一个电场，使电容抑制电路中的电信号尖峰。
RC吸收电路的原理可以用以下公式来表示：
V = Q / C
其中，V是电容器的电压，Q是电容器存储的电荷，C是电容器的电容。
从这个公式可以看出，电容器的电压与存储的电荷成正比，与电容的值成反比。
因此，要提高RC吸收电路的滤波效果，需要增加电容的值，而降低电阻的值，以便能够允许更多的电流进入电容器。
开关电源rc吸收电路
开关电源rc吸收电路
（最新版）
目录
1.开关电源 rc 吸收电路的概念和原理
2.rc 吸收电路的构成和作用
3.rc 吸收电路的应用领域和优势
4.rc 吸收电路的局限性和改进方向
正文
一、开关电源 rc 吸收电路的概念和原理
开关电源 rc 吸收电路，是一种在开关电源中广泛应用的电路，其主要作用是吸收和释放电能，以保证开关电源的稳定工作。
rc 吸收电路的原理主要是利用电容和电阻的组合，形成一个充放电回路，当电源电压变化时，电容和电阻的充放电过程可以吸收和释放电能，从而减小电源电压的波动。
二、rc 吸收电路的构成和作用
rc 吸收电路主要由电容和电阻构成，电容负责储存电能，电阻则负责限制电流。
在开关电源的工作过程中，电容储存的电能会在电阻的限制下缓慢释放，从而形成一个平滑的电压输出。
这样，不仅可以保证电源输出电压的稳定，而且还能减小电源对其他电路的影响。
三、rc 吸收电路的应用领域和优势
rc 吸收电路广泛应用于各种开关电源、稳压电源等电子设备中。
其主要优势在于能够有效地吸收和释放电能，从而减小电源电压的波动，保证电源输出电压的稳定。
此外，rc 吸收电路结构简单，制作成本低，因此深受各类电子设备生产商的欢迎。
四、rc 吸收电路的局限性和改进方向
尽管 rc 吸收电路在吸收和释放电能方面具有显著的优势，但也存在一些局限性。
例如，当电源电压变化较大时，rc 吸收电路的吸收效果会受到影响，无法完全消除电压波动。
因此，对于一些对电源电压稳定性要求较高的设备，需要采用更为先进的电路设计，如使用 ldo（低压差线性稳压器）等。
吸收电路
3．LC吸收电路
LC吸收电路它由Ls、Cs、VDs1和VDs2构成。若开关断开，蓄积在漏磁或励磁等寄生电感中能量通过VDs1经电容Cs放电，吸收电容Cs电压反向，变压器由电容电压消磁。这期间，输入电压与吸收电容电压加到开关上。若开关接通，Cs与Ls振荡，吸收电容电压的极性再次反向。LC吸收电路不消耗能量。
LC吸收电路
4．开关吸收电路
开关吸收电路它是由电容Cs与开关Ss所构成，并与交换器的主开关并联连接。吸收电路开关与主开关交互通断工作。若主开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过吸收开关内二极管对吸收电容充电。其电流变为零后，反方向通过吸收开关继续流通，电容中充电能量回授到输入电源。主开关电压被吸收电容的电压所嵌位。如果提供停滞时间，使两开关同时断开，也可以为零电压开关，抑制开关接通时电流浪涌。这时吸收电路原理上无损耗，变压器去磁也由开关吸收电路进行。
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC小。
RC吸收电路
2．RCD吸收电路
RCD吸收电路它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成。电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。
开关吸收电路
5．有源吸收电路
有源吸收电路作为DC/DC变换器的吸收电路，它把蓄积在寄生电感中能量回授到输入侧。大功率变换器中采用这种吸收电路效果最好。若主开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过吸收二极管VDs对电容Cs充电，其能量由有源吸收电路的电容回授到输入电源侧。主开关电压被有源吸收电路的电容Cs的电压所嵌位，这时变压器去磁也由有源吸收电路进行。
LC吸收电路它由Ls、Cs、VDs1和VDs2构成。若开关断开，蓄积在漏磁或励磁等寄生电感中能量通过VDs1经电容Cs放电，吸收电容Cs电压反向，变压器由电容电压消磁。这期间，输入电压与吸收电容电压加到开关上。若开关接通，Cs与Ls振荡，吸收电容电压的极性再次反向。LC吸收电路不消耗能量。
LC吸收电路
4．开关吸收电路
开关吸收电路它是由电容Cs与开关Ss所构成，并与交换器的主开关并联连接。吸收电路开关与主开关交互通断工作。若主开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过吸收开关内二极管对吸收电容充电。其电流变为零后，反方向通过吸收开关继续流通，电容中充电能量回授到输入电源。主开关电压被吸收电容的电压所嵌位。如果提供停滞时间，使两开关同时断开，也可以为零电压开关，抑制开关接通时电流浪涌。这时吸收电路原理上无损耗，变压器去磁也由开关吸收电路进行。
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC小。
RC吸收电路
2．RCD吸收电路
RCD吸收电路它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成。电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。
开关吸收电路
5．有源吸收电路
有源吸收电路作为DC/DC变换器的吸收电路，它把蓄积在寄生电感中能量回授到输入侧。大功率变换器中采用这种吸收电路效果最好。若主开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过吸收二极管VDs对电容Cs充电，其能量由有源吸收电路的电容回授到输入电源侧。主开关电压被有源吸收电路的电容Cs的电压所嵌位，这时变压器去磁也由有源吸收电路进行。
可控硅rc吸收电路
可控硅rc吸收电路可控硅（SCR）是一种广泛应用于电力电子领域的电子器件，它具有可控性强、稳定可靠等特点，被广泛应用于各种吸收电路中。
本文将以可控硅RC吸收电路为主题，介绍其工作原理、特点以及应用领域。
一、可控硅RC吸收电路的工作原理可控硅RC吸收电路由可控硅和电容器组成，其工作原理是利用可控硅的导通和截止来控制电容器的充电和放电过程。
当可控硅处于导通状态时，电容器开始充电；当可控硅处于截止状态时，电容器开始放电。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对电容器充电和放电过程的控制，从而实现对吸收电路的控制。
二、可控硅RC吸收电路的特点1. 可控性强：可控硅可以通过控制电压或电流来实现导通和截止，具有较强的可控性。
2. 稳定可靠：可控硅具有较高的工作温度范围和较长的使用寿命，具有较高的稳定性和可靠性。
3. 体积小：可控硅和电容器可以集成在一起，体积小巧，便于集成和安装。
4. 节能环保：可控硅RC吸收电路可以实现对电容器充电和放电过程的精确控制，节省能源，减少能源消耗，具有较好的节能环保效果。
三、可控硅RC吸收电路的应用领域1. 电力电子领域：可控硅RC吸收电路广泛应用于电力电子领域，如电力调节、电力变换、电力传输等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对电力的精确控制和调节。
2. 电子通信领域：可控硅RC吸收电路可以应用于电子通信设备中，如调制解调器、通信接口等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对信号的精确控制和处理。
3. 工业自动化领域：可控硅RC吸收电路在工业自动化领域有着广泛的应用，如工业控制系统、自动化生产线等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对工业设备和系统的精确控制和调节。
4. 新能源领域：可控硅RC吸收电路在新能源领域中有着重要的应用，如太阳能光伏发电系统、风能发电系统等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对新能源的收集、转换和利用。
总结：可控硅RC吸收电路是一种基于可控硅和电容器的电子吸收电路，具有可控性强、稳定可靠等特点。
可控硅rc吸收电路
可控硅rc吸收电路可控硅（RC）是一种半导体器件，常用于电路中的开关控制。
在吸收电路中，可控硅起到了重要的作用。
本文将详细介绍可控硅RC 吸收电路的工作原理、应用场景以及优缺点。
我们来了解可控硅的基本原理。
可控硅是一种具有双向导电性的器件，可以在电路中实现开关控制。
它由PNPN四层结构组成，具有三个电极：阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。
当可控硅的门极施加一个触发电压时，就可以使其导通，形成通路；而当触发电压消失时，可控硅将自动断开通路。
可控硅RC吸收电路是一种常用的电源滤波电路，主要用于电源中的电磁干扰抑制。
它通过可控硅的控制，将干扰信号吸收到电路中，从而实现对电源干扰的抑制。
具体来说，可控硅RC吸收电路由一个可控硅和一个电阻（R）和电容（C）串联而成。
在正常工作状态下，可控硅处于关断状态，不导通。
而当电源中出现干扰信号时，可控硅的门极施加一个触发电压，使其导通，从而将干扰信号吸收到电容上，起到抑制的作用。
可控硅RC吸收电路在实际应用中具有广泛的用途。
首先，在电源滤波领域，它可以有效地抑制电源中的高频干扰信号，提高电源的纹波抑制能力，保证电源的稳定性和可靠性。
其次，在电力电子设备中，可控硅RC吸收电路可以用于抑制电流和电压的尖峰和谐波，提高设备的工作效率和性能。
此外，可控硅RC吸收电路还可以应用于各种电子仪器和通信设备中，提高系统的抗干扰能力，提高信号的传输质量。
然而，可控硅RC吸收电路也存在一些问题和局限性。
首先，由于可控硅本身的特性，它在导通和关断过程中会产生一定的功耗，降低了电路的效率。
其次，可控硅的触发电压需要精确控制，过高或过低的触发电压都会影响电路的正常工作。
此外，可控硅的寿命也是一个问题，长时间使用后可能会导致性能下降或失效。
因此，在设计可控硅RC吸收电路时，需要综合考虑这些因素，选择合适的组件和参数，以达到最佳的效果。
可控硅RC吸收电路是一种常用的电源滤波电路，通过控制可控硅的导通和关断，实现对电源中干扰信号的吸收和抑制。
开关电源rc吸收电路
开关电源rc吸收电路摘要：一、引言1.介绍开关电源RC 吸收电路的概念2.说明RC 吸收电路在开关电源中的作用二、开关电源RC 吸收电路的工作原理1.分析开关电源的工作原理2.介绍RC 吸收电路的作用原理3.解释电容器和电阻器在RC 吸收电路中的作用三、开关电源RC 吸收电路的设计1.设计RC 吸收电路的一般步骤2.电容器和电阻器的选择方法3.举例说明RC 吸收电路的设计过程四、开关电源RC 吸收电路的应用1.介绍几种常见的RC 吸收电路应用场景2.分析RC 吸收电路在不同应用中的优缺点五、总结1.回顾开关电源RC 吸收电路的重要性和作用2.总结RC 吸收电路的设计方法和应用场景正文：一、引言开关电源是一种利用现代电力电子技术，通过开关管的开通和关断，实现输入电压和输出电压之间能量传递的电源。
在开关电源中，RC 吸收电路是一个关键组成部分，它的作用是在开关管关断时，吸收开关管漏极产生的高频振荡，从而减小开关管的损耗，提高电源的效率。
二、开关电源RC 吸收电路的工作原理1.开关电源的工作原理开关电源的工作原理是通过开关管的开通和关断，将输入电压转换为输出电压。
在开关管开通期间，电感器储存能量；在开关管关断期间，电感器中的能量通过输出电容器传递给负载。
2.RC 吸收电路的作用原理在开关管关断期间，由于电感器中的电流不能突变，会产生高频振荡。
RC 吸收电路的作用就是通过电容器和电阻器组成一个低通滤波器，消除这种高频振荡。
电容器和电阻器在RC 吸收电路中的作用分别是：电容器阻止直流通过，允许交流通过；电阻器限制电流大小，保证电容器不会损坏。
3.电容器和电阻器在RC 吸收电路中的作用电容器在RC 吸收电路中主要起到滤波作用，它能够阻止直流通过，允许交流通过。
电阻器在RC 吸收电路中主要起到限流作用，它能够限制通过电容器的电流大小，防止电容器损坏。
三、开关电源RC 吸收电路的设计1.设计RC 吸收电路的一般步骤设计RC 吸收电路的一般步骤包括：确定电容器和电阻器的额定值、选择合适的电容器和电阻器类型、根据电路的工作频率和电压确定电容器的容值、计算电阻器的阻值、画出RC 吸收电路的原理图和布局图。
rc 尖峰脉冲吸收电路-概念解析以及定义
rc 尖峰脉冲吸收电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述：RC 尖峰脉冲吸收电路是一种电路设计技术，用于消除电路中的尖峰脉冲信号，以保护后续电路和系统免受这些潜在的有害影响。
尖峰脉冲信号可能是由于电源噪声、电磁干扰或其他外部干扰引起的，它们会对电路和系统的正常功能造成严重影响。
本文将介绍和探讨RC 尖峰脉冲吸收电路的原理、设计与实现方法，以及其在实际应用中的展望。
通过深入了解和研究RC 尖峰脉冲吸收电路，可以更好地理解和解决电路设计和系统集成中的尖峰脉冲问题，提高系统的稳定性和可靠性。
文章结构部分：本文分为引言、正文和结论三部分。
在引言中，将介绍本文的概述、文章结构和目的。
在正文部分，将详细阐述RC尖峰脉冲吸收电路的原理、设计与实现以及应用与展望。
最后，在结论部分，将对本文进行总结，并展望RC尖峰脉冲吸收电路未来的发展，并进行结束语。
}}}请编写文章1.2 文章结构部分的内容1.3 目的：本文旨在介绍RC尖峰脉冲吸收电路的原理、设计与实现，以及其在实际应用中的展望。
通过对尖峰脉冲吸收电路的深入理解和分析，可以帮助读者更好地掌握该电路的工作原理和应用领域，为相关领域的工程师和研究人员提供有益的参考和借鉴。
同时，通过本文的介绍，读者可以了解到该电路在电子领域中的重要性和潜在的发展前景，为相关科研和技术创新提供一定的启发。
最终目的是促进尖峰脉冲吸收电路技术的进步和应用的推广，为电子行业的发展做出贡献。
2.正文2.1 RC尖峰脉冲吸收电路原理RC尖峰脉冲吸收电路是一种常用的信号处理电路，其原理是利用电容和电阻的组合，对输入信号进行滤波和吸收。
在电路中，电容起到将输入信号进行积分的作用，而电阻则起到放大和衰减信号的作用。
通过合理的设计和布置，RC尖峰脉冲吸收电路可以实现对特定频率信号的吸收和滤波，从而提高信号的质量和稳定性。
RC尖峰脉冲吸收电路的原理可以简单概括为以下几点：1. 电容的积分作用：电容可以对输入信号进行积分，即对信号进行累加和延时，从而实现对信号波形的改变和调节。
rc吸收电路原理和作用
rc吸收电路原理和作用
rc吸收电路原理和作用
rc吸收电路是一种常用的电子电路，它可以将外部高频信号或非线性波形的能量吸收，从而达到抑制这类信号或非线性波形的目的。
它由两部分组成：一个电阻和一个电容。
它能够通过调整电阻和电容的值，来调节外部信号的衰减速率。
rc吸收电路最初是用于处理高频信号和抑制共振，但是随着技术的不断进步，它也被广泛应用于电源供应、缓冲、滤波器等方面。
rc吸收电路的工作原理是，在信号通过电阻和电容时，电流首先通过电阻，此时电容尚未电荷，此时电阻和电容组成的线性系统中的信号衰减很快，这种情况下，电容的电荷时间会比电阻的电流时间要大得多，因此，电容存储了一定的能量，然后，当信号经过电容后，电容上的电压开始升高，此时电容就会将其存储的能量释放出来，然后，信号又经过电阻，此时，电阻和电容组成的线性系统中的信号衰减很快，从而实现信号的衰减。
rc吸收电路的作用是抑制外部高频信号或非线性波形的能量，从而达到信号处理的目的。
它可以用于使电路输出信号保持稳定，避免受外界干扰，同时也可以用于滤
波，以抑制恒定频率以外的信号，使输出信号更加平滑，可靠性更好。
此外，它还可以用于电源供应，以稳定电压输出，同时减少电源噪声，使电路工作更稳定。
总之，rc吸收电路是一种非常实用的电路，它的作用是抑制外部高频信号或非线性波形的能量，从而达到信号处理的目的。
它可以用于电源供应、缓冲、滤波等，从而使输出信号更加平滑、可靠性更好，从而完成更加稳定的电路工作。
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缓冲电路 （独立运行光伏发电系统功率控制研究-----内蒙古工业大学硕士论文）
开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的， 但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的 电压有重叠时间，所以会有较大的关断损耗。为了使 IGBT 关断过程电压能够得到有效的抑 制并减小关断损耗， 通常都需要给 IGBT 主电路设置关断缓冲电路。 通常情况下,在设计关于 IGBT 的缓冲电路时要综合考虑从 IGBT 应用的主电路结构、 器件容量以及要满足主电路各种 技术指标所要求的 IGBT 开通特性、关断特性等因素。 选用 RCD 缓冲电路，结构如图 4-5 所示。
作. RC 吸收回路的作用，一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位， 二是抑制电路中因 dV/dt 对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断的 瞬间， 如果此时感性负载的磁通不为零， 根据愣次定律便会产生一个自感电动势， 对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用 RC 吸收回路，将这部份能量以 热能的方式消耗掉。 设计 RC 吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况： 1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由 RC 回路 处理，开关器件关断的瞬间，RC 回路的初始电流等于关断前的工作电流； 2、工频变压器、正激变压器，它的励磁电感与主回路并联，励磁电流远小于工 作电流。虽然磁场储能也需要全部由 RC 回路处理，但是开关器件关断的瞬间， RC 回路的初始电流远小于关断前的工作电流。 3、反激变压器，磁场储能由两部份辞放，其中大部份是通过互感向二次侧提供 能量，只有漏感部份要通过 RC 回路处理， 以上三种情况，需要测量励磁电感，互感及漏感值，再求得 RC 回路的初始电流 值。 R 的取值，以开关所能承受的瞬时反压，比初始电流值；此值过小则动态功耗过 大，此值过大则达不到保护开关的作用；
RC 吸收回路设计基础
RC 吸收回路的作用， 一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位， 二是抑制电路中因 dV/dt 对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断 的瞬间，如果此时感性负载的磁通不为零，根据愣次定律便会产生一个自感电动 势，对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用 RC 吸收回路，将这部份能 量以热能的方式消耗掉。 设计 RC 吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况： 1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由 RC 回 路处理，开关器件关断的瞬间，RC 回路的初始电流等于关断前的工作电流； 2、工频变压器、正激变压器，它的励磁电感与主回路并联，励磁电流远小于工 作电流。虽然磁场储能也需要全部由 RC 回路处理，但是开关器件关断的瞬间， RC 回路的初始电流远小于关断前的工作电流。 3、反激变压器，磁场储能由两部份辞放，其中大部份是通过互感向二次侧提供 能量，只有漏感部份要通过 RC 回路处理， 以上三种情况，需要测量励磁电感，互感及漏感值，再求得 RC 回路的初始电流 值。 R 的取值，以开关所能承受的瞬时反压，比初始电流值；此值过小则动态功耗过 大，引值过大则达不到保护开关的作用；
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90% 注意：① VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD 必须大于 VOR 的 1.3 倍． （如果小于 1.3 倍，则主 MOS 管的 VD 值选择就太低了） ③ MOS 管 VD 应当小于 VDC 的 2 倍． （如果大于 2 倍，则主 MOS 管的 VD 值就过大了） ④ 如果 VRCD 的实测值小于 VOR 的 1.2 倍，那么 RCD 吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD 是由 VRCD1 和 VOR 组成的 ⅴ，RC 时间常数 τ 确定． τ 是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~ 20 个开关电源周期。 三﹑试验调整 VRCD 值 首先假设一个 RC 参数， R=100K/RJ15, C=10nF/1KV 。再上市电，应遵循先低压后高压， 再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视 RC 元件上的电压值，务必使 VRCD 小于计算 值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将 R 值减小后，重复以上试验。 （ RC 元件上的电 压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋ ”极的 RC 一点上，测试点接到 RC 另 一点上） 一个合适的 RC 值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD 的试验值等于理论计算值。 四﹑试验中值得注意的现象 输入电网电压越低 VRCD 就越高，负载越重 VRCD 也越高。那么在最低输入电压，重负载时 VRCD 的试验值如果大于以上理论计算的 VRCD 值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不 矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。 重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。 五﹑RCD 吸收电路中 R 值的功率选择 R 的功率选择是依实测 VRCD 的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对 MOS 管的 VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压 VDC； ⅱ，次级反射初级的 VOR； ⅲ，主 MOS 管 VD 余量 VDS ； ⅳ，RCD 吸收有效电压 VRCD1。 二﹑对于以上主 MOS 管 VD 的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压 VDC。 在计算 VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V，即 DC375V。 VDC＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的 VOR。 VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为： 5.0V± 5%（依 Vo =5.25V 计算） ， 二极管 VF 为 0.525V （此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 VF 值） ． VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主 MOS 管 VD 的余量 VDS． VDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值．如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择 DC65V． VDC＝VD* 10% ⅳ，RCD 吸收 VRCD． MOS 管的 VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD 的最大值。实际选取的 VRCD 应为最大值的 90% （这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响） 。
对缓冲电路的要求：尽量减小主电路的电感；电容应采用低感吸收电容；二极管应选用快开 通和快速恢复二极管，以免产生开通过电压和反向恢复引起较大的振荡过电压。
（ 1 ）缓冲电容的计算
Cs I ce 50 tr t f 0.85 0.51uF Vce 84
（ 2 ）缓冲电阻的计算
编后语： RCD 吸收电路中的 R 值如果过小，就会降低开关电源的效率。然而，如果 R 值如果过大，MOS 管就存在着被击穿的危险。
RCD 吸收电路的设计
在讨论前我们先做几个假设， ① ② ③ 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； RCD 中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒） ； 在调整 RCD 回路前主变压器和 MOS 管，输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对 MOS 管的 VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压 VDC； ⅱ，次级反射初级的 VOR； ⅲ，主 MOS 管 VD 余量 VDS ； ⅳ，RCD 吸收有效电压 VRCD1。 二﹑对于以上主 MOS 计算 VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V，即 DC375V。 VDC＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的 VOR。 VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为： 5.0V± 5%（依 Vo =5.25V 计算） ， 二极管 VF 为 0.525V （此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 VF 值） ． VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主 MOS 管 VD 的余量 VDS． VDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值．如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择 DC65V． VDC＝VD* 10% ⅳ，RCD 吸收 VRCD． MOS 管的 VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD 的最大值。实际选取的 VRCD 应为最大值的 90% （这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响） 。 VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90% 注意：① VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD 必须大于 VOR 的 1.3 倍． （如果小于 1.3 倍，则主 MOS 管的 VD 值选择就太低了） ③ MOS 管 VD 应当小于 VDC 的 2 倍． （如果大于 2 倍，则主 MOS 管的 VD 值就过大了） ④ 如果 VRCD 的实测值小于 VOR 的 1.2 倍，那么 RCD 吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD 是由 VRCD1 和 VOR 组成的 ⅴ，RC 时间常数 τ 确定． τ 是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~ 20 个开关电源周期。 三﹑试验调整 VRCD 值 首先假设一个 RC 参数， R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电，应遵循先低压后高压， 再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视 RC 元件上的电压值，务必使 VRCD 小于计算 值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将 R 值减小后，重复以上试验。 （ RC 元件上的电 压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋ ”极的 RC 一点上，测试点接到 RC 另 一点上） 一个合适的 RC 值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD 的试验值等于理论计算值。 四﹑试验中值得注意的现象 输入电网电压越低 VRCD 就越高，负载越重 VRCD 也越高。那么在最低输入电压，重负载时 VRCD 的试验值如果大于以上理论计算的 VRCD 值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不 矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。 重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。 五﹑RCD 吸收电路中 R 值的功率选择 R 的功率选择是依实测 VRCD 的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的， 但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的 电压有重叠时间，所以会有较大的关断损耗。为了使 IGBT 关断过程电压能够得到有效的抑 制并减小关断损耗， 通常都需要给 IGBT 主电路设置关断缓冲电路。 通常情况下,在设计关于 IGBT 的缓冲电路时要综合考虑从 IGBT 应用的主电路结构、 器件容量以及要满足主电路各种 技术指标所要求的 IGBT 开通特性、关断特性等因素。 选用 RCD 缓冲电路，结构如图 4-5 所示。
作. RC 吸收回路的作用，一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位， 二是抑制电路中因 dV/dt 对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断的 瞬间， 如果此时感性负载的磁通不为零， 根据愣次定律便会产生一个自感电动势， 对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用 RC 吸收回路，将这部份能量以 热能的方式消耗掉。 设计 RC 吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况： 1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由 RC 回路 处理，开关器件关断的瞬间，RC 回路的初始电流等于关断前的工作电流； 2、工频变压器、正激变压器，它的励磁电感与主回路并联，励磁电流远小于工 作电流。虽然磁场储能也需要全部由 RC 回路处理，但是开关器件关断的瞬间， RC 回路的初始电流远小于关断前的工作电流。 3、反激变压器，磁场储能由两部份辞放，其中大部份是通过互感向二次侧提供 能量，只有漏感部份要通过 RC 回路处理， 以上三种情况，需要测量励磁电感，互感及漏感值，再求得 RC 回路的初始电流 值。 R 的取值，以开关所能承受的瞬时反压，比初始电流值；此值过小则动态功耗过 大，此值过大则达不到保护开关的作用；
RC 吸收回路设计基础
RC 吸收回路的作用， 一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位， 二是抑制电路中因 dV/dt 对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断 的瞬间，如果此时感性负载的磁通不为零，根据愣次定律便会产生一个自感电动 势，对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用 RC 吸收回路，将这部份能 量以热能的方式消耗掉。 设计 RC 吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况： 1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由 RC 回 路处理，开关器件关断的瞬间，RC 回路的初始电流等于关断前的工作电流； 2、工频变压器、正激变压器，它的励磁电感与主回路并联，励磁电流远小于工 作电流。虽然磁场储能也需要全部由 RC 回路处理，但是开关器件关断的瞬间， RC 回路的初始电流远小于关断前的工作电流。 3、反激变压器，磁场储能由两部份辞放，其中大部份是通过互感向二次侧提供 能量，只有漏感部份要通过 RC 回路处理， 以上三种情况，需要测量励磁电感，互感及漏感值，再求得 RC 回路的初始电流 值。 R 的取值，以开关所能承受的瞬时反压，比初始电流值；此值过小则动态功耗过 大，引值过大则达不到保护开关的作用；
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90% 注意：① VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD 必须大于 VOR 的 1.3 倍． （如果小于 1.3 倍，则主 MOS 管的 VD 值选择就太低了） ③ MOS 管 VD 应当小于 VDC 的 2 倍． （如果大于 2 倍，则主 MOS 管的 VD 值就过大了） ④ 如果 VRCD 的实测值小于 VOR 的 1.2 倍，那么 RCD 吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD 是由 VRCD1 和 VOR 组成的 ⅴ，RC 时间常数 τ 确定． τ 是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~ 20 个开关电源周期。 三﹑试验调整 VRCD 值 首先假设一个 RC 参数， R=100K/RJ15, C=10nF/1KV 。再上市电，应遵循先低压后高压， 再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视 RC 元件上的电压值，务必使 VRCD 小于计算 值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将 R 值减小后，重复以上试验。 （ RC 元件上的电 压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋ ”极的 RC 一点上，测试点接到 RC 另 一点上） 一个合适的 RC 值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD 的试验值等于理论计算值。 四﹑试验中值得注意的现象 输入电网电压越低 VRCD 就越高，负载越重 VRCD 也越高。那么在最低输入电压，重负载时 VRCD 的试验值如果大于以上理论计算的 VRCD 值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不 矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。 重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。 五﹑RCD 吸收电路中 R 值的功率选择 R 的功率选择是依实测 VRCD 的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对 MOS 管的 VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压 VDC； ⅱ，次级反射初级的 VOR； ⅲ，主 MOS 管 VD 余量 VDS ； ⅳ，RCD 吸收有效电压 VRCD1。 二﹑对于以上主 MOS 管 VD 的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压 VDC。 在计算 VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V，即 DC375V。 VDC＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的 VOR。 VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为： 5.0V± 5%（依 Vo =5.25V 计算） ， 二极管 VF 为 0.525V （此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 VF 值） ． VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主 MOS 管 VD 的余量 VDS． VDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值．如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择 DC65V． VDC＝VD* 10% ⅳ，RCD 吸收 VRCD． MOS 管的 VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD 的最大值。实际选取的 VRCD 应为最大值的 90% （这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响） 。
对缓冲电路的要求：尽量减小主电路的电感；电容应采用低感吸收电容；二极管应选用快开 通和快速恢复二极管，以免产生开通过电压和反向恢复引起较大的振荡过电压。
（ 1 ）缓冲电容的计算
Cs I ce 50 tr t f 0.85 0.51uF Vce 84
（ 2 ）缓冲电阻的计算
编后语： RCD 吸收电路中的 R 值如果过小，就会降低开关电源的效率。然而，如果 R 值如果过大，MOS 管就存在着被击穿的危险。
RCD 吸收电路的设计
在讨论前我们先做几个假设， ① ② ③ 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； RCD 中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒） ； 在调整 RCD 回路前主变压器和 MOS 管，输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对 MOS 管的 VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压 VDC； ⅱ，次级反射初级的 VOR； ⅲ，主 MOS 管 VD 余量 VDS ； ⅳ，RCD 吸收有效电压 VRCD1。 二﹑对于以上主 MOS 计算 VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V，即 DC375V。 VDC＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的 VOR。 VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为： 5.0V± 5%（依 Vo =5.25V 计算） ， 二极管 VF 为 0.525V （此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 VF 值） ． VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主 MOS 管 VD 的余量 VDS． VDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值．如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择 DC65V． VDC＝VD* 10% ⅳ，RCD 吸收 VRCD． MOS 管的 VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD 的最大值。实际选取的 VRCD 应为最大值的 90% （这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响） 。 VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90% 注意：① VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD 必须大于 VOR 的 1.3 倍． （如果小于 1.3 倍，则主 MOS 管的 VD 值选择就太低了） ③ MOS 管 VD 应当小于 VDC 的 2 倍． （如果大于 2 倍，则主 MOS 管的 VD 值就过大了） ④ 如果 VRCD 的实测值小于 VOR 的 1.2 倍，那么 RCD 吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD 是由 VRCD1 和 VOR 组成的 ⅴ，RC 时间常数 τ 确定． τ 是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~ 20 个开关电源周期。 三﹑试验调整 VRCD 值 首先假设一个 RC 参数， R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电，应遵循先低压后高压， 再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视 RC 元件上的电压值，务必使 VRCD 小于计算 值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将 R 值减小后，重复以上试验。 （ RC 元件上的电 压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋ ”极的 RC 一点上，测试点接到 RC 另 一点上） 一个合适的 RC 值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD 的试验值等于理论计算值。 四﹑试验中值得注意的现象 输入电网电压越低 VRCD 就越高，负载越重 VRCD 也越高。那么在最低输入电压，重负载时 VRCD 的试验值如果大于以上理论计算的 VRCD 值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不 矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。 重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。 五﹑RCD 吸收电路中 R 值的功率选择 R 的功率选择是依实测 VRCD 的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。