下载文档原格式
模电典型例题分析第二章题2.1分别选择“反相”或“同相”填入下列各空内。
（1）比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
（2）比例运算电路的输入电阻大，而比例运算电路的输入电阻小。
（3）比例运算电路的输入电流等于零，而比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。
（4）比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
解：（1）反相，同相（2）同相，反相（3）同相，反相（4）同相，反相题2.2 现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D题2.3-1如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V，Ui=1V；R1＝10k,Rw=100k。
请问：当Rw滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo＝？V；解：14V,1V,6V题2.3-2 电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V，u I为2V的直流信号。
分别求出下列各种情况下的输出电压。
（1）R2短路；（2）R3短路；（3）R4短路；（4）R4断路。
解：（1）V 4 2I 13O -=-=-=u R R u（2）V 4 2I 12O -=-=-=u R R u（3）电路无反馈，u O ＝－14V （4）V 8 4I 132O -=-=+-=u R R R u题 2.4 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模拟电子技术基础习题课模拟电子技术基础1. 在模拟集成放大电路中，二极管的作用是。
（A）保护（B）电平移位（C）温度补偿（D）电压放大答：A、B、C2. 运算放大器输出接负载RL，当负载RL变化时，要求负载RL两端电压不变，运算放大器采用负反馈。
（A）电压并联（B）电流并联（C）电流串联（D）电压串联答：A、D3. 两级放大器串接后需要改宽带通，后级放大器应置入电路。
（A）电压并联负反馈（B）共基（C）电流串联负反馈（D）共集答：A、B、D4. 两级放大器串接后需要改宽带通，前级放大器应置入电路。
（A）电压并联负反馈（B）共基（C）电流串联负反馈（D）共集答：A、D5. 共基电路高频特性好的原因是。
（A）密勒效应低（B）输入电阻低（C）电流串联负反馈（D）fα高答：A、B6. 共集电路高频特性比共射电路好的原因是。
（A）降低密勒效应（B）输出电阻低（C）电流并联负反馈（D）fβ低答：A7. 掺杂浓度高的会引起击穿，掺杂浓度低的会引起击穿。
答：齐纳、雪崩8. 掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使激增。
（A）多子（B）反向电流（C）载流子（D）反向电压答：B9. 单级理想运算放大器接成只有电压并联负反馈时，会应用到概念。
（A）虚断（B）虚短（C）虚地（D）A为穷大答：A、B、C、D10. 单级理想运算放大器接成只有电压串联负反馈时，不会应用到概念。
（A）虚断（B）虚短（C）虚地（D）A为穷大答：C11. 在实际工程运用中，引入负反馈后，相位裕度和幅度裕度应该满足。
（A）≥180°，≥1dB （B）≥45°，≥10dB （C）≥10° ，≥10dB （D）≥45°，≥45dB 答：B12．三极管共射放大电路引入电压负反馈后，输入电阻。
（A）增大（B）减小（C）也许增大，也许减小（D）不变答：C13．电流源电路若置入共射差分放大电路的射极，起到的作用是。
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的B 。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。
[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。
[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。
[ ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。
[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。
