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模电习题答案解析

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模电复习题解析

模电复习题解析

分析/作图题 1.电路如图所示，稳压管的稳定电压Z1Z26V U U ==，正向压降不计，输入电压u t I V =5sin ω，REF 0V U =，简要分析电路的工作原理并画出输出电压o u 的波形。

+-REFU I u R 1z D 2z D ou2. 如图所示为一波形发生器电路,（1）试说明，它是由那些单元电路组成的；（2）定性画出A 、B 、C 各点的波形 。

+-+-+-RRC Cf R 1R 2R 3R 0R 1C A B C z D ±Au Bu Cu tωtωtω03. 如上图所示稳压电路，选择正确答案填空：（1）R2、R3为电路的______ ；R1、VDz 为电路的______；VT 为电路的______；A为电路的______。

A. 调整管部分B. 基准电压部分C. 比较放大部分D. 输出电压采样部分（2）比较放大环节所放大的对象______。

A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差4. 已知如下图所示电路中，场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(C)所示，利用图解法求解静态时IDQ 和UGSQ。

5. 试判断下图所示各电路是否满足自激振荡的相位平衡条件6. 判断下图电路级间反馈的正负，如果是负反馈，说明反馈组态。

计算题1、在图示放大器中，晶体管的静态V BE≈0.7V，β=100（1）估算静态工作点I C和V CE 。

（2）画出交流等效电路。

（3）求放大器的A V、A VS、R i和R o 。

2设下图所示电路中T1、T2特性理想对称，且β＝100，U BEQ＝0.7V，rbe＝2kΩ。

(1)静态时，流过Re的电流约为多少，I CQ1和I CQ2为多少？。

(2)差模电压放大倍数Aud为多少；当u i1＝1mV，u i2＝-1mV时，输出信号uo为多少？3 下图所示电路引入了什么类型负反馈？若引入的是深度负反馈，则反馈系数是多少，电压放大倍数是多少？4已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降|U CES|=3V，V CC=15V， R L=8Ω。

模拟电子技术习题集参考答案

模拟电子技术习题集参考答案

第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。

题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。

题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。

2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

八、解：波形如题8解图所示。

题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。

2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。

（b）VD截止，U AB=-12 V。

（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。

（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。

图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

模电工作考试题及答案解析

模电工作考试题及答案解析

模电工作考试题及答案解析一、选择题1. 以下哪个元器件的功能是将输入电压放大并产生输出信号？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 发光二极管答案：C. 晶体管解析：晶体管是一种半导体器件，具有放大信号的功能。

当输入信号施加在晶体管的基极上时，通过控制电流的变化，晶体管可以放大信号并将其输出。

2. 加深电流放大系数可以采取以下哪种措施?A. 减小输入电阻B. 增大输入电阻C. 减小输出电阻D. 增大输出电阻答案：A. 减小输入电阻解析：当输入电阻较小时，输入电流变化对晶体管的控制能力更强，可以使得电流放大系数增大。

3. 以下哪个电路可以用于将交流信号转化为直流信号？A. 单级晶体管放大电路B. 双级晶体管放大电路C. 电容滤波电路D. 反相放大电路答案：C. 电容滤波电路解析：电容滤波电路可以通过对输入信号的滤波作用，将交流信号转化为平稳的直流信号。

二、分析题请根据以下电路图回答问题。

[电路图]4. 请分析并写出电路图中电阻R的阻值。

答案：根据欧姆定律，电路中的总电阻等于电流和电压的比值，即R = V / I。

5. 请计算并写出电路图中电容C的电容值。

答案：根据电容的定义，电容的电容值等于电荷量和电压的比值，即C = Q / V。

三、应用题请根据以下场景回答问题。

6. 小明需要设计一个音响系统，要求能够放大输入信号并产生清晰的音乐声音。

请问他应该选用哪种电路？答案：小明应该选用晶体管放大电路。

晶体管具有放大信号的功能，可以将输入的音频信号放大并输出。

7. 小红正在制作一个电子钟，需要将交流电信号转化为直流电信号来驱动指针的运动。

请问她应该使用哪种电路？答案：小红应该使用电容滤波电路。

这种电路可以将交流信号转化为直流信号，并提供稳定的电源给电子钟的驱动系统。

总结：本文对模电工作考试题及答案进行了分析和解析。

通过选择题、分析题和应用题的讨论，我们对模拟电子电路的基本知识有了更深入的了解。

希望这些内容能够帮助读者更好地理解和应用模拟电子电路的知识。

模电课后习题解答

模电课后习题解答
2.1.7电路如题图2.1.7所示，已知vi＝6sinωt(V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出vi与vO的波形，并标出幅值。
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时

模电课后题答案详解

模电课后题答案详解

习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。

答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。

例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。

又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。

利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。

若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。

利用这个特性，可制造出各种半导体器件。

1.2 简述PN结是如何形成的。

答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。

这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。

PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。

内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。

因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。

当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。

由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN 结也称为耗尽层。

1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。

《模拟电子技术》复习试题10套与答案解析

《模拟电子技术》复习试题10套与答案解析

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性 C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A 空穴B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P 沟道增强型MOS 型B P 沟道耗尽型MOS 型C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型 图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

模拟电路第三版课后习题答案详解

模拟电路第三版课后习题答案详解

习题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

习题 1-2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A，试问它在 20℃和 80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高 10℃，反向电流大致增加一倍。

解：在 20℃时的反向电流约为： 2310A 1.25 A在 80℃时的反向电流约为：2310A80 AN7习题 1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示：①如在二极管两端通过1k?的电阻加上 1.5V的电压，如图(b) ，此时二极管的电流I 和电压 U各为多少？②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V，则二极管的电流和电压各为多少？3I/mA解：根据图解法求解+ U -①电源电压为 1.5V 时2I1.5UI1I0.8A,U0.7V0.5 1 1.5 2 U/V 1.5V 1k?② 电源电压为3V 时(a)(b) 3U II 2.2A,U0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。

习题 1-4 已知在下图中，u I = 10sinω t (V) ， R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压 u D以及输出电压 u O的波形，并在波形图上标出幅值。

设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

u I/V+ u D-10++ti D/mAu I i D u--R L D10(a)tu I /Vt- 10u o/V10t习题 1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻 r Z以及温度系数αU，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻 r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 I Z愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。

模电课后习题完整答案

模电课后习题完整答案

1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。

P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ；P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。

元件2、4是电源，元件1、3是负载。

1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V 。

解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。

解：此题由KVL 求解。

对回路Ⅰ，有： U 1-10-6=0，U 1=16V 对回路Ⅱ，有：U 1+U 2+3=0，U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ，有：U 2+U 3+10=0，U 3=-U 2-10=19-10=9V验算：对大回路，取顺时针绕行方向，有：-3+U 3-6=-3+9-6=0 ，KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。

题1.4图+U 3--3V++6V -题1.6图20Ω1a题1.8图(a)(b)解：重画电路如（b ）所示，设a 点电位为V a ，则201a V I =，5502+=a V I ，10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即0105055020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7100-=1.10 求题1.10图所示电路端口的伏安关系。

模拟电子技术复习试题及答案解析

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。

完整版模拟电子技术基础典型习题解答

完整版模拟电子技术基础典型习题解答

半导体器件的基础知识1.1电路如图P1.1所示，已知U i = 5sin与U o的波形，并标出幅值。

cot (V)，二极管导通电压U D= 0.7V。

试画出U i1.2电路如图P1.2 (a)所示，其输入电压电压U D= 0.7V。

试画出输出电压U o的波形，并标出幅值。

P1.2解：波形如解图P1.1所示。

U I1和U I2的波形如图(b)所示，二极管导通»1|O"ilG---- 冏(II)O +厂f+5 V>0.3解：U o的波形如解图P 1.2所示。

(h>w…/V30.3fl 心V3H 3 (J叫yv0 3(t呵/V1.5电路如图P 1.5(a )、(b )所示，稳压管的稳定电压U Z = 3V, R 的取值合适，U i 的波解图P1.21.3已知稳压管的稳定电压 U Z = 6V,稳定电流的最小值I zmi 尸5mA 最大功耗P z 心150mW 试求图P1.3所示电路中电阻 R 的取值范围。

0 *图 P1.3解：稳压管的最大稳定电流I ZM = P ZM / U Z = 25mA电阻R 的电流为I Z Q i Zmin ,所以其取值范围为U IU zR ———-0.36 〜1.8k1.4已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压 LZ = 6V,最小稳定电流I zmin = 5mA 最大 稳定电流 (1) (2) I Zmax — 25mA别计算U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; 若U = 35V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？I kQR50(11图 P1.4解： 以稳压管未击穿。

故U oR LU I 3.33VR R L当U = 15V 时，若U 尸U Z = 6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管 未击穿。

故(1)当U = 10V 时，若UhU Z = 6V,则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所 U oR L R L U I 5V当U = 35V 时,⑵R稳压管中的电流大于最小稳定电流 I zmin ,所以U O = LZ = 6V 。

模电作业及答案分析

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作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。

主要靠空穴导电。

N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。

主要靠自由电子导电PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。

PN 结具有单向导电性。

2、简述PN 结的单向导电性。

在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。

如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。

这就是PN 结的单向导电性。

3、简述PN 结的伏安特性。

如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。

P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。

求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。

解：(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：P. 69－70: 1.3，1.61.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

模电作业及答案分析

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作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。

主要靠空穴导电。

N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。

主要靠自由电子导电PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。

PN 结具有单向导电性。

2、简述PN 结的单向导电性。

在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。

如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。

这就是PN 结的单向导电性。

3、简述PN 结的伏安特性。

如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。

P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。

求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。

解：(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：P. 69－70: 1.3，1.61.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

模电课后（康华光版）习题答案

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第四章部分习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA =100mA，，P CM =150mW =150mW，，V （BR BR））CEO =30V =30V，，若它的工作电压V CE =10V =10V，则工作电流，则工作电流I C 不得超过多大？若工作电流I C =1mA =1mA，则工作电压的极限值应为多少？，则工作电压的极限值应为多少？，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。

则将损坏。

当工作电压当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。

当V CE =10V 时，时，mA V P I CECMC 15==此值小于I CM =100mA =100mA，故此时工作电流不超过，故此时工作电流不超过15mA 即可。

即可。

同理，当工同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V （BR ）CEO 确定工作电压V CE 的大小。

当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 30V。

4．3．3 若将图题若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V =12V，，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。

求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V =0.7V。

图题3.3.1图题 3.3.3解: 由题3.3.1已求得β=200=200，故，故，故mA R V V I bBEBB B 03.0=-=I C =βI B =200=200××0.03mA=6mA 0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R e 的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V =6V。

模电试题库和答案解析

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2.共模抑制比越小，则差分放大器抑制零点漂移的能力也愈弱。（）
3.差分放大器对差模信号有抑制作用，对共模信号有放大作用。（）
4.采用差分放大电路的目的是为了放大直流信号。（）
5.共模抑制比越大差分放大器抑制零点漂移的能力越强。（）
6.已知单管放大器的放大倍数Au1＝Au2＝50，则差分放大器的差模放大倍数Aud为（）
12.三极管工作在饱和区时，发射结为，集电结为，工作在放大区时，发射结为，集电结为，此时，流过发射结的电流主要是，流过集电结的电流主要是。
第二章放大电路的基本原理和分析方法
作业2-1
一、习题（满分100分）
1.放大器放大信号的能量来源于交流信号强与弱。（）
2.电压放大倍数小于1，输入电阻小，输出电阻大，为共射极输出电路。（）
5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态Ｄ.截止状态
6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。
A.VC>VB>VEB. VC> VE> VBＣ.VE>VB> VCＤ.VE>VC>VB
7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。
8.在共射、共集电极和共基极三种放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（）。
A.共基极B.共集电极C.共发射极D.不确定
9.放大器把信号放大，其放大器的作用是。（）
A.晶体管把交流能量进行放大B.晶体管把小能量进行放大
C.放大器不消耗电能D.把直流电源提供的能量转换成交流信号
10.在分压式共射极放大电路中，若更换管子使β由50变为100，则电路中的电压放大倍数（）。

模电习题答案 题解

模电习题答案 题解

1.1 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 解：u i 和u o 的波形如解图P 1.2所示。

解图P1.2 1.3解：波形如解图P1.3所示。

1.4 解：二极管的直流电流 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6m A 其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1m A1.5 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.6 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4m A ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故 V 33.3I LL O ≈⋅+=U R R R U 当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Z mi n ，所以U O ＝U Z ＝6V .同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z29m A ＞I ZM ＝25m A ，稳压管将因功耗过大而损坏。

1.7解：（1）S 闭合。

（2）R 的范围为 。

Ω=-=Ω≈-=700)(233)(Dmin Dmax Dmax Dmin I UV R I U V R1.8解：答案如（右）解图所示。

1．9解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。

解表1.10 解：（1）当V B B ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。

（2）当V B B ＝1V 时，因为60bBEQBB BQ =-=R U V I μ AV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β 所以T 处于放大状态。

（3）当V BB ＝3V 时，因为160bB E QBB BQ =-=R U V I μ ABEC CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC ＜-===β 所以T 处于饱和状态。

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

习题1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为10卩A ， 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大？已知 温度每升高10C ，反向电流大致增加一倍。

解：在20C 时的反向电流约为：2” 10」A = 1.25)A 在80C 时的反向电流约为：23 10」A = 80」A习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压，如图 (b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少?② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，贝V 二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 二 U II 0.8A, U : 0.7V②电源电压为3V 时3二U II 2.2A, U ： 0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电1.5V 1k ? (b)流随之增大，但管子两端的电压变化不大。

习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin® t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形，并在波形图上标出幅值。

设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大,则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

习题1-6 某稳压管在温度为 20 C,工作电流为5 mA 时， 稳定电压U Z =10V ，已知其动态内阻 r Z =8?，电压的温度系 数 a u =0.09% / °C,试问：① 当温度不变，工作电流改为 20 mA 时，U Z 约为多少？ ② 当工作电流仍为 5 mA ，但温度上升至 50C 时，U Z 约为 多少？解： ①.：U z = ：l z r z =(20 —5) 10-8=0.12VU z =100.12 =10.12 V② U z U z= : u :T =0.09%(50 -20) = 2.7%U z =101 2.7% 严 10.27习题1-7 在下图中，已知电源电压 U = 10V , R = 200?,R L =1 k ?，稳压管的U Z = 6V ,试求： ① 稳压管中的电流I Z = ?② 当电源电压U 升高到12V 时，I Z 将变为多少? ③ 当U 仍为10V ，但R L 改为2k ?时，-将变为多少?Uz6mARLU -U z -- z=20mA R二 I z = I - I R L = 20 - 6U -U② I = -------- = 30mA 二 I z= I — I R = 30 — 6 = 24 mARL③ I R == 3mA p I z = I 一 I R L = 20 一 3 = 17 mAL R L解：①I R L =习题1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为 6V , 当工作在正向时管压降均为 0.7V ，如果将他们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出 各种不同的串联方法。

习题1-9 一个三极管的输出特性如图所示，①试在图中求出u CE =5V ，i C =6mA 处的电流放大系数：、丁、:和「，并进行比较。

+2?“- ⑴12VI.+2?h -(1) 6.7V仆+< * -(1) 1.4V②设三极管的极限参数为 I CM =20mA ， U （B R ）CEO =15V ， P CM=100mW ，试在特性曲线图中画出三极管的安全工作区。

解：习题1-10假设有两个三极管，已知第一个管子的\=99, 则:"-?当该管的I BI=10"时，其I C1和I E1各等于多少？已知第二个管子的：一2 = 0.95，则其汽=?若该管的I E2=1mA，则I C2和l B2各等于多少？解：① s =—=0.9911 +幷当I B1=10」A 时，I C1 = 0.99mA, I E1 =1mA② \2= ' 2=191 -阪2当l E2=1mA时，l C2=0.95mA, l B2=50PA习题1-11设某三极管在20C时的反向饱和电流I CB o=1卩A，B =30;试估算该管在50C的I CB O和穿透电流I C EO大致等于多少。

已知每当温度升高10C时，I CBO大约增大一倍，而每当温度升高1C 时，B大约增大1%。

解：20C时，1CEO = 1 1CBO = 31"A50 C 时，l CBO ：" 8 丄A任任’t_L0’50_20—■0 11% 0=30 11%:30 1 30 1% = 39I。

二 i 1 。

= 320」A = 0.32mA习题1-12 一个实际PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE。

约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP型三极管工作在放大区，其U BE和u BC的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN型三极管进行比较。

解：①查图可知，I CE o=0.5mA，死区电压约为0.2V ；②为了使三极管工作在放大区，对PNP型：U BE<0，U BC>0；对NPN 型：U BE>0，U BC<0。

习题1-13测得某电路中几个三极管各极的电位如图P1-13所示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。

+5V +0.7V I >0V(a)+12V+12V(b)0V +10.3V-5V+4.7V0V (e)+5V(f)-6V +10V解：判断依据:+0.7V1/0V (a) 放大NPN 型: U BE >0， U BC <0. 放大； U BE >0, U BC >0, 饱和;U BE <0， U BC <0. 截止。

PNP 型: U BE <0， U BC >0. 放大； U BE <0, U BC <0, 饱和;U BE >°，U B C >0, 截止。

+5V截止 临界饱和-1V+12V (g)(h)放大 放大饱和截止0VQ-6V (c)放大习题1-14 已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的B均为50, U B E〜0.7V，试分别估算各电路中的i C和U C E，判断它们各自工作在哪个区(截止、放大或饱和)，并将各管子的i C和u CE 对应在输出特性曲线上的位置分别画在图P1-14(g)上。

I B = 0.065mAI C 3.25mAU C E= 3.55V三极管工作在放大区, 见图P1-14(g)中A点(b)I B = 0.0465mAI C： 2.325mAU CE -5.35V三极管工作在放大区, 见图P1-14(g)中B点(c)I B = 0.465mAI C 23.25mAU CE=「36.5VU CE V CC =10V以上算出的I C与U CE值是荒谬的，实质上此时三极管巳工作在饱和区，故I B=0.465 mA，I C ~ V CC/ R C=5 mA，U CE=U CES 〜0.3V，见图P1-14(g)中C点。

三极管工作在截止区,见图P1-14(g)中D点200k?20k?(d)7B =100MA80MA -60pA一 40MA—20MA OMAU CE ： V cc =10VI B = 0.0465mA I C : 2.325mAU CE 二V CC "W三极管工作在截止区, 见图P1-14(g)中E 点 (与D 点重合)。

三极管工作在放大区, 见图P1-14(g)中F 点'32 1 U10 ^<E /V200k?6A _ B图 P1-14(g)4-1.2 4.5 - 3.5 =2.8mS习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。

试识别它们的管脚，分别标上e、b、c,并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。

解：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。

(a) 1 ――发射极e，3――基级b，2――集电极c,三极管类型是NPN锗管。

(b) 2――发射极e，3――基级b，1――集电极c,三极管类型是PNP硅管。

习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性(a)(a)曲线如图P1-16所示。

试作出U DS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压U Gs(th)和l D o值，以及g m'：i D'：U GS习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。

如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS（off）和饱和漏极电流l D ss；如为增强型，标出其（a）绝缘栅型N沟道增强型；（b）结型P沟道耗尽型；（c）绝缘栅型N沟道耗尽型；（d）绝缘栅型P沟道增强型习题1-18 已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流|DSS= - 2.5mA，夹断电压U Gs（off）=4V，请示意画出其转移特性曲线。

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。

答：（a）无放大作用（发射结反偏）；（b）不能正常放大（发射结无直流偏置）；（c）无放大作用（集电结无直流偏置）；（d）无放大作用（发射结无直流偏置）；（e）有放大作用（是射极跟随器）；⑴无放大作用（输出交流接地）；（g）无放大作用（输入交流接地）；（h）不能正常放大（栅极无直流偏置）；（i）无放大作用（电源极性接反）；习题2-2 试画出图P2-2中各电路的直流通路和交流通路。

设各电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器答：（a）oWORD格式可编辑(b)交流通路CC(c)交流通路图(c)中, 2R L习题2-3在NPN三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I B Q、I CQ和U CEQ将增大、减少还是基本不变。