模电习题及解答
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一、填空题1、P型半导体多数载流子为空穴,而N型半导体的多数载流子为电子。
2、为了使三极管具有放大作用,要求外加电压保证发射结正偏,集电结反偏。
3、甲类功放电路管子的导通角为2π,乙类功放电路管子的导通角为π。
4、同相比例运算电路可实现Au>1的放大器;反相比例运算电路可实现Au<0的放大器。
5、差分放大电路能够放大差模信号,而抑制共模信号。
6、在具有反馈的放大电路中,如果令输出电压0u,反馈信号消失,说明它o的反馈类型属于电压反馈,否则就是电流反馈。
7、在某个信号处理系统中,要求让输入信号中的10~15KH信号通过,应该选Z用带通滤波器,如果要抑制20~30KH的干扰信号,不使其通过可采Z用带阻滤波器。
8、振荡电路的自激振荡条件中,幅值平衡条件为AF=1,相位平衡条件为:ψa+ψf=2nπ。
u的幅值又相对较大,则很容易引9、当静态工作点Q的位置偏低,而输入电压iu的幅值又起截止失真,当静态工作点Q的位置偏高,而输入电压i相对较大,则很容易引起饱和失真。
10、正弦波振荡电路由放大器、正反馈网络和选频网络和稳幅环节四部分构成。
11、PN结外加正向偏置电压时,在外电场的作用下,空间电荷区的宽度要变窄,于是多子的扩散运动将增强。
12、当三极管工作在放大区(线性区)时,集电极电流的变化基本与Uce无关,而主要受 Ib 的控制。
13、半导体中的载流子为电子和空穴。
14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。
K等于差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值,15、共模抑制比CMRK值越大,表明电路抑制共模信号的能力越强。
CMR16、在对放大电路的输入、输出电阻的影响中,串联负反馈的影响是使输入电阻的阻值增大,而电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减小。
17、在某个信号处理系统中,为了获得输入电压中的低频信号,应该选用低通滤波器,为了避免50HZ电网电压的干扰进入放大器,应该选用带阻滤波器。
18、电路中品质因数的公式为:Q值越大,则幅频特性越尖锐,说明选频特性越好。
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模电试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 滤波B. 整流C. 放大D. 调制答案:C2. 运算放大器的差分输入电压是指()。
A. 两个输入端电压之和B. 两个输入端电压之差C. 两个输入端电压之积D. 两个输入端电压之商答案:B3. 理想运算放大器的开环增益是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 共发射极放大电路中的电流放大倍数β是指()。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比5. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合答案:C6. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致()。
A. 截止失真B. 饱和失真C. 截止和饱和失真D. 线性放大答案:C7. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案:B8. 在模拟电路中,电源去耦是指()。
A. 增加电源的内阻B. 减少电源的内阻C. 增加电源的纹波D. 减少电源的纹波答案:D9. 场效应管的控制极是()。
B. 源极C. 漏极D. 基极答案:A10. 模拟信号的数字化过程包括()。
A. 采样、量化、编码B. 滤波、放大、调制C. 调制、解调、编码D. 放大、滤波、编码答案:A二、填空题(每空1分,共10分)1. 放大器的输入电阻越大,对前级电路的________越好。
答案:负载效应2. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案:高3. 差分放大器可以有效地放大两个输入端之间的________。
答案:差模信号4. 运算放大器的饱和输出电压通常为________V或________V。
答案:+Vcc -Vee5. 晶体管的截止频率是指晶体管的放大倍数下降到________的频率。
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。
( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空(本题共20分,每空1分):1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特性如图1所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。
图1二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。
2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。
模电试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在理想情况下,二极管的正向导通电压为:A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案:B2. 放大电路中,为了抑制温漂,通常采用的措施是:A. 采用差分放大电路B. 采用直接耦合C. 采用电容耦合D. 采用变压器耦合答案:A3. 下列关于运算放大器的描述,错误的是:A. 运算放大器具有高输入阻抗B. 运算放大器具有低输出阻抗C. 运算放大器的电压放大倍数很大D. 运算放大器的输出电压与输入电压成正比答案:D4. 在模拟电路中,滤波器的作用是:A. 放大信号B. 滤除噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案:B5. 晶体管的三个极分别是:A. 基极、发射极、集电极B. 阳极、阴极、栅极C. 阴极、阳极、栅极D. 基极、集电极、发射极答案:A6. 以下哪种电路可以用来产生正弦波振荡:A. 整流电路B. 滤波电路C. 振荡电路D. 放大电路答案:C7. 稳压二极管的工作原理是利用二极管的:A. 正向导通特性B. 反向击穿特性C. 温度特性D. 频率特性答案:B8. 在模拟电路中,电流源的作用是:A. 放大电流B. 限制电流C. 产生电流D. 转换电流答案:B9. 以下哪种元件不是模拟电路中常用的:A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D10. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案:B二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,______是用来表示信号幅度变化的。
答案:电压2. 晶体管的放大作用是通过控制______极电流来实现的。
答案:基极3. 运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系,通常用______来描述。
答案:差分电压4. 在模拟电路中,______是用来表示信号频率变化的。
答案:电流5. 稳压二极管的稳定电压值通常在______V左右。
答案:6.8三、简答题(每题5分,共15分)1. 简述差分放大电路的工作原理。
模电基础试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间,这种材料被称为:A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案:C2. 在PN结中,正向偏置时,电流主要由哪种载流子通过?A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 离子答案:C3. 下列哪个元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 逻辑门答案:D4. 运算放大器的理想工作条件是:A. 单电源供电B. 双电源供电C. 无电源供电D. 任意电源供电答案:B5. 共发射极放大电路中,输出信号与输入信号的相位关系是:A. 同相B. 反相C. 无关系D. 相位差90度答案:B6. 晶体三极管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的?A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 任何极答案:B7. 在模拟电路中,通常使用哪种类型的反馈来提高电路的稳定性?A. 正反馈B. 负反馈C. 无反馈D. 混合反馈答案:B8. 场效应管(FET)的主要优点之一是:A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案:A9. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C10. 串联负反馈可以导致放大电路的:A. 增益增加B. 增益减少C. 带宽增加D. 带宽减少答案:B二、填空题(每空1分,共10分)1. 半导体二极管的主要特性是______,即正向导通,反向截止。
答案:单向导电性2. 在共基极放大电路中,输入信号与输出信号的相位关系是______。
答案:同相3. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案:100000(或10^5)4. 场效应管的控制方式是______控制,而双极型晶体管的控制方式是______控制。
答案:电压;电流5. 理想运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系是______。
答案:输出电压远大于输入电压三、简答题(每题5分,共10分)1. 简述晶体三极管的三种基本放大电路及其特点。
V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得:U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA,U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V,所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE,45.4小I B七、T1 :恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时,若U O=U Z = 6V,则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。
P 1=-U 1×3= -(-5)×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ;P 3=U 3×(-1)=-3×(-1)=3W ;P 4=-U 4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W 。
元件2、4是电源,元件1、3是负载。
1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V 。
解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。
解:此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ,有: U 1-10-6=0,U 1=16V 对回路Ⅱ,有:U 1+U 2+3=0,U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ,有:U 2+U 3+10=0,U 3=-U 2-10=19-10=9V验算:对大回路,取顺时针绕行方向,有:-3+U 3-6=-3+9-6=0 ,KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。
题1.4图+U 3--3V++6V -题1.6图20Ω1a题1.8图(a)(b)解:重画电路如(b )所示,设a 点电位为V a ,则201a V I =,5502+=a V I ,10503-=a V I 由KCL 得: I 1+I 2+I 3=0 即0105055020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7100-=1.10 求题1.10图所示电路端口的伏安关系。
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2、填空题:I. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。
2•信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8.在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路四类。
10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
II. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是电压增益 =20lgA v dB 、电流增益 =20lgA i dB 。
13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化的稳态响应。
14.幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率_______ 之间的关系 。
10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电 路? 三、某电唱机拾音头内阻为 1M Q ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Q 扬声器 连接,扬声器上的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路, 它的输入电阻R i =1M Q ,输出电阻R o =10 Q,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。
该放大电路使用 哪一类电路模型最方便?解:直接将它与10Q 扬声器连接,扬声器上的电压V =10 QOVsz 10 Q X1V=10iV o.61 M Q +10 Q10 Q第一章绪论、某放大电路输入信号为 解:A rV 。
1. _非常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体,前者中多数载流子是_自由电子_,少数载流子是_空穴_,后者中多数载流子是_空穴_,少数载流子是_自由电子_。
3. 本征硅中若掺入5价元素的元素,则多数载流子应是_自由电子_,掺杂越多,则其数量一定越_多_,相反,少数载流子应是_空穴_,掺杂越多, 则其数量一定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_,N 曲一侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_,其方向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压,正端与P 区相连,负端与N 区相连,这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,而输出特性曲线可以划分为三个工作区域,它们是_截止_区、_饱和_区和_放大_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响,当温度升高时,半导体三极管的β值_增大_,ICBO 值_增大_,UBE 值_减小_。
8. 半导体三极管能够放大信号,除了内部结构和工艺特点满足要求外,还必须具备的外部工作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. 工作在放大区的某晶体管,当IB 从20微安增大到40微安时,Ic 从2毫安变为4毫安,它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为_E B C U U U >>_;基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两大类,他们工作时有_自由电子_、_空穴_两种载流子参与导电。
13. 在用万用表测量二极管的过程中,如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω,说明该二极管内部已_击穿_;如果所测得的正反向电阻都为无穷,说明该二极管已_断路损坏_。
模电考试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,以下哪个元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内?A. 10^1B. 10^2C. 10^3D. 10^5 至 10^6答案:D3. 下列哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可放大性答案:B4. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性?A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的增益带宽积D. 有限的电源电压答案:C5. 在模拟电路设计中,以下哪个不是噪声的来源?A. 电源B. 电阻C. 运算放大器D. 外部电磁干扰答案:B6. 一个二阶低通滤波器的截止频率是1kHz,若要将其转换为高通滤波器,其截止频率将如何变化?A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案:A7. 什么是共模抑制比(CMRR)?A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 差模抑制与共模增益的比值D. 共模增益与差模增益的比值答案:B8. 一个理想二极管的正向导通电压是多少?A. 0VB. 0.7VC. 1.5VD. 3.3V答案:B9. 在模拟电路设计中,以下哪个不是电源管理的考虑因素?A. 电源纹波B. 电源效率C. 电源稳定性D. 电源的频率响应答案:D10. 什么是增益带宽积(GBW)?A. 放大器的增益与带宽的乘积B. 放大器的增益与截止频率的比值C. 放大器的带宽与截止频率的比值D. 放大器的增益与截止频率的乘积答案:A二、简答题(每题10分,共30分)1. 简述运算放大器的基本应用之一——非反相放大器的工作原理。
答案:非反相放大器是一种基本的运算放大器应用,其工作原理基于运算放大器的虚短和虚断特性。
在非反相放大器中,输入信号被连接到运算放大器的非反相输入端,输出信号则从运算放大器的输出端获得。
由于运算放大器的高增益,输出信号是输入信号的线性放大版本,其增益由反馈电阻和输入电阻的比值决定。
模电试题及答案【注意】本文为正文部分,不再重复题目或其他内容。
第一部分选择题1. 在放大器输出四个限制区域中,是导通区域导通时间应该:A. 最短B. 最长C. 平均D. 都有可能答案:A. 最短2. 当晶体管工作于放大区时,其发射极电流的变化范围为:A. 0% - 50% IbB. 50% - 100% IbC. 100% - 150% IbD. 150% - 200% Ib答案:B. 50% - 100% Ib3. 一般晶体管的集电极输出电流最大值不能超过:A. 0.1 AB. 1 AC. 10 AD. 100 A答案:C. 10 A4. 常用的信号源与功放级之间接驳的方式主要有:A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 阻容耦合D. 全部都包括答案:D. 全部都包括第二部分填空题1. 运算放大器最基本的运算电路是________。
答案:差动放大器2. 参数作动元件的变量之间的关系可以用________描述。
答案:函数3. 双稳态多谐振荡电路的输出波形为________。
答案:方波4. 端子触发器是一种________。
答案:数字电路第三部分简答题1. 请简要介绍运放的基本性质和特点。
答案:运放是一种高增益的电子放大器,具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点,可以实现线性放大、滤波、求和等功能。
2. 请简述大信号放大器和小信号放大器的区别。
答案:大信号放大器可以在放大器中处理大幅度的输入信号,输出信号可以是负载的整个动态范围;小信号放大器则处理小幅度的输入信号,输出信号通常只在线性范围内变化。
3. 什么是反馈?答案:反馈是从放大电路输出端取出一部分信号并与输入信号进行比较,并将差异信号送回到放大器中进行增幅或补偿的过程。
4. 请简要介绍运算放大器的反相输入端、非反相输入端和输出端之间的关系。
答案:运算放大器的反相输入端和非反相输入端之间的电压差可以通过电压放大倍数放大,并输出到输出端,同时反馈回到非反相输入端,使电压差趋近于零。
模电习题参考答案一、填空:1.空穴、自由电子、空穴、自由电子2. 8V 、硅、NPN3.电流、正向、反向4.电压、电流、串联、并联6. 1u u A F ⋅⋅=、2(0,1,2)a f n n ϕϕπ+==7.电压、输入电阻8.线性、非线性 二、选择题:B C C B B C C A D D三、分析题:1.波形图如下图所示。
2.R2:电压串联负反馈、R5电压并联负反馈、R3和R6电流并联负反馈3. 参考答案:(1)Uo=28V ,电路正常工作,负载没有加上,或者负载开路。
(2)Uo=24V ,电路正常工作,负载正常工作。
(3)Uo=18V ,Uo=0.9U 2,电路非正常工作,可能是滤波电容断路损坏或者虚焊。
(4)Uo=9V ,Uo=0.45U 2,电路非正常工作,可能是整流电路的一条回路出现开路损坏或虚焊,且滤波电容虚焊或断路。
4.满足射同基反,可以起振,振荡频率四.计算题1.解:(1) V B = RB 2RB 1+RB 2V CC =4V I EQ = VB−U BEQRE 1+RE 2=1mAI CQ ≈I EQ =1mA I BQ = I CQ /β=20 uAU CEQ =V CC -I CQ R C -I EQ (R E1+R E2)=5.7Vr be =r bb ′+(1+β)26I EQ =1526Ω (2)微变等效电路为:(3)1)1(//E be L C u R r R R A ββ++-=≈ -6.4 ])1(//[//121E be B B i R r R R R β++==8.67 K Ω ==c o R R 3 K Ω2.解:A 1为一个同相比例放大器:V 01=(1+R 3/R 1)V 1=3 V 1根据虚短和虚断概念,V 2N =V 2P =V 2所以有:(V 01 –V 2N )/ R 4=(V 2N -V 0 )/R 5解得:V 0 =2V 2 -3V 13.解:(1)最大输出电压幅度(峰值)为:CES cc omm U V U -==13 V有效值为:2omm om U U ==9.19 V (2) 最大输出功率: L CES cc om R U V P 2)(21-==10.5625 W %5.784==πη。
试题一一、选择题:(每小题2分,共24分)(1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。
A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。
A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。
A.共射电路B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。
A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。
A.采用了双极型电源B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。
A.i2i1u u - B .i1i2u u -C. i2i1u u +(7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。
A .3dB B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
A .同相比例B .微分C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。
A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。
A . T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。
A . 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D 为理想元件,输入信号u i 为如图所示的三角波,则输出电压u o 的最大值为( B )。
A. 5 V B . 7 V C. 2 V二、填空题:(总 16 分,每空 2 分)(1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A 脚为12伏,B 脚为11.7伏,C 脚为6伏,则该管为PNP 型 锗 管,A 为e 极,B 为 b 极,C为 c 极。
模拟电子技术基础试卷与参考答案试卷三与其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,说明电路()。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。
a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd=A ,共模电压增益m V 5V m V,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为()。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为()。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选()。
模电测试题及答案一、选择题(每题5分,共20分)1. 在模拟电路中,三极管的基本放大作用是通过改变哪个参数来实现的?A. 集电极电流B. 发射极电流C. 基极电流D. 漏极电流答案:C2. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 零B. 无穷大C. 有限值D. 负值答案:B3. 在共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位关系是:A. 同相B. 反相C. 正交D. 无固定相位关系答案:B4. 以下哪个元件不是模拟电路中的基本元件?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案:D二、填空题(每空3分,共15分)1. 在模拟电路中,放大器的增益可以通过改变________来调节。
答案:电阻值2. 运算放大器的输出电压范围受到________的限制。
答案:电源电压3. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案:高4. 模拟电路中的反馈可以分为________和________。
答案:正反馈,负反馈5. 模拟电路中的噪声主要来源于________和________。
答案:电源,半导体器件三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案:模拟电路处理的是连续变化的信号,而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路通常使用模拟信号,如电压或电流的连续变化,来表示信息;数字电路则使用二进制数字信号,即0和1,来表示信息。
2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案:运算放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器,用于放大两个输入端之间的电压差;中间级为高增益放大级,进一步放大信号;输出级则负责将放大后的信号输出。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理,通过调整反馈电阻来控制放大倍数。
四、计算题(每题15分,共30分)1. 给定一个共发射极放大电路,其静态工作点为Vcc=12V,Rc=2kΩ,Re=1kΩ,β=100,求该电路的静态集电极电流Ic。
习题88.1判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
(1)与分立元件比较,集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
()(2)集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
(3)直接耦合的主要缺点是零点漂移。
()(4)晶体管的参数受温度的影响,但不影响零点漂移。
()(5)零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
()(6)在集成电路中元件的对称性差。
()(1)集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
()答:(1)√(2)√(3)√(4)×(5)√(6)×(7)√8.2选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A.可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2)通用型集成运放适用于放大。
A.高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号(3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C.参数一致性好(4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A.减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。
A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路答:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A8.3 电路如题图8.3所示,已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V,试求I C2的值。
题图8.3解:分析估算如下: 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示,已知所有晶体管的特性均相同,V B E 均为0.7V ,β0=β1=β2=β3=100。
习 题
3.1 在晶体管放大电路中,测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示,试分别标出各个
晶体管的管脚e 、b 和c ;判断各晶体管是NPN 型还是PNP
型;并分别估算它们的值。
( a
)( b
)
图P3.1
答:(a )从左至右依次为b , e , c ,NPN ,40 (b )从左至右依次为b , c , e ,PNP ,60
3.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示,试判断这些晶
体管分别处于什么状态。
A .放大
B .饱和
C .截止
D .损坏
⑴ ; ⑵ ; ⑶ ; ⑷ ; ⑸ 。
图P3.2
解:(1)A ;(2)A ;(3)C ;(4)D
;(5)B
3.3 某晶体管的输出特性如图P3.3(BR)CEO V 和P CM 。
46
2
8
图P3.3
1000.99,I CEO =10μA ,(BR)CEO V ≈55V ,P CM ≈100mW
3.4电路如图P3.4所示,已知晶体管β=50,在下列情况下,用直流电压表测
晶体管的集电极电位,应分别为多少?设V C C =12V ,晶体管饱和管压降V C E S =0.5V 。
(1)正常情况 (2)R b 1短路 (3)R b 1开路
(4)R b 2开路 (
5)R C 短路
CC
图P3.4
解:设V BE =0.7V 。
则 (1)基极静态电流
V
4.6mA 022.0c C CC CE b1BE
b2BE CC B ≈-=≈--=
R I V V R V R V V I
(2)由于V BE =0V ,晶体管截止,V CE =12V 。
(3)由于基极电流 >≈-=
mA 22.0 b2BE CC B R V V I mA 045.0 c
CES
CC ≈-R V V β
故晶体管饱和,V CE =V CES =0.5V 。
(4)晶体管截止,V CE =12V 。
(5)由于集电极直接接直流电源,故V CE =V CC =12V 。
3.5 在图P3.5所示电路中,T 为硅晶体管,β=50。
当开关S 分别接到A 、B 、C 端时,判
断晶体管的工作状态(放大、饱和、截止),并确定V O 的近似值。
30k Ω
图P3.5
解:S 接A 时,T 放大 , V O ≈ 3.35V
S 接B 时,T 饱和 , V O ≈0V (0.1~0.5V ) S 接C 时,
T 截止 , V O ≈ 6V
3.6 试分析图P3.6所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所
有电容对交流信号均可视为短路。
CC
CC
CC
图P3.6
解:(a )不能放大,因输入信号i v 被直流电源BE V 短路了。
(b )不能放大,因晶体管的发射结处于反向偏置状态。
(c )不能放大,因输出端直接接于电源CC V ,输出信号被短路。
(d )不能放大,因输出端接于e C 两端,输出信号被e C 短路。
3.7放大电路及晶体管输出特性如图P3.7所示。
设晶体管的V BEQ =0.7V ,V
,电
容容量足够大,对交流信号可视为短路。
1)估算静态时的I BQ ;
2)用图解法确定静态时的I CQ 和V CEQ ;
3)用图解法分别求出R L =∞和R L =1.5k Ω时的最大不失真输出电压幅值V O M 。
R L
15
46CE V
28
5
10
图P3.7
解:1)I BQ ≈60μA
2)作直流负载线如图所示,由图可读出I CQ ≈6mA ,V CEQ ≈6V
10
CE V
I Q
3)作交流负载线,由图可读出V om +≈4.5V ,V om -≈V CEQ -V CES ≈5.5V , 故V om =V
om +=4.5V
3.8放大电路及晶体管输出特性如图P3.8所示。
按下列不同条件估算静态电流I BQ (取
V 7.0BE ≈V ),并用图解法确定静态工作点Q (标出Q 点位置和确定I CQ 、V CEQ 的值)。
Q 的影响。
1) V CC =12V
Q 1; 2) V CC =12V Q 2;
3) V CC=12V
Q3;
4) V CC=8V,Q4。
R
L
2
4
6
8
图P3.8
解:Q点见图
1)Q1:I BQ≈75μA,I CQ≈4mA,V CEQ≈4V
2)Q2:I BQ≈100μA,I CQ≈5.2mA,V CEQ≈1.7V.
3)Q3:I BQ≈75μA,I CQ≈3.5mA,V CEQ≈1.5V
4)Q4:I BQ≈49μA,I CQ≈2.5mA,V CEQ≈3V
由以上结果可总结出偏置电阻、集电极电阻和电源电压变化对静态工作点Q的影响如下:
偏置电阻R b增大,Q点沿直流负载线向右下方移动,容易进入截止区;
集电极电阻R c增大,Q点向左移动,容易进入饱和区;
电源电压V CC增大,Q点向右上方移动,可增大最大不失真输出电压。
3.9 图P3.9所示电路中,由于电路参数不同,在输入电压
i
v为正弦波时,测得输出电压
o
v波形分别如图P3.16(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除(不许改变负载电阻)?
图P3.9
解:(a )饱和失真,增大R b 或减小输入信号v i 幅度;
(b )截止失真,减小R b 或减小输入信号v i 幅度;
(c) 饱和失真和截止失真,减小输入信号v i 幅度或提高电源电压V CC 。
3.10放大电路及相应的晶体管输出特性如图P3.10所示,直流负载线和Q 点已标在图上,
Ω=k R L 6。
1) 确定V CC
V BEQ =0.7V ); 2) 画出交流负载线,要标出关键点的数值;
3)
4)
R L
12
23
6CE V
514
4
8
2
6
10
图P3.10
解:1
)
2 v CE 轴交点为10.5V ,与i C 轴交点为7mA 。
12
236
CE 5144
8
2
6
10
7
3)V om +≈4.5V ,V om -≈5.5V 故V om =
4.5V 4)R b 应减小
3.11已知图P3.11
100
V BEQ =0.7V ,电容的容
1
CEQ V ;
2)求be r ;
3)画出简化h 4)求电压放大倍数v
A
R L 10k Ω
图P3.19
解:1
C E Q 23)
o
..
4)200-≈
A
3.13在图P3.13所示电路中,设某一参数变化时其余参数不变,在表中填入:
A.增大
B.减小
C.基本不变
解:
3.14已知图P3.1480
V BEQ =-0.3V
,电容的
1) CEQ V ; 2)求be r ;
3)画出简化h 4) 求电压放大倍数v
A 5)与3.19题比较,你得出什么结论?
图P3.14
解:1)
CEQ
2)
3)
.
4)107
-
≈
A
5)PNP型晶体管与NPN型晶体管的h参数交流等效电路是相同的,故由它们分别组成的同类型放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式也相同。
3.15 已知图P3.15
100V BEQ=0.7V,电容的
1
CEQ
V;
2)画出简化h
3)求电压放大倍数
v
A
R L 3.9kΩ
P3.15
解:1)()()≈
+
+
+
-
=
e2
e1
BEQ
CC
BQ1R
R
β
R
V
V
I15μA
≈
+
-
-
≈)
(
e2
e1
EQ
c
CQ
CC
CEQ
R
R
I
R
I
V
V 4.3V 2)
.
b
I
L
.
3)(+
+
=
'
b b
be
1β
r
r
=
v
A 16
≈。