(2) 即: IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 IB>IC,VCE0.3V C、E间相当于短路 (3) 截止区:发射结反偏,集电结反偏, IB=0 , IC=ICEO 0 C、E间相当于开路 2、电流的放大作用及分配 iC(mA) 4 直流电流放大系数: 3 80A 60A VB、VC、VE小于零 且-VC >- VB>-VE 总的来说:处于放大区时,NPN型、PNP型两种三极管, 满足 VC > VB >VE 思考2:在同一坐标上绘制NPN型、PNP型三极管的 输出特性曲线 iC2(mA) C iC1 PN BN E iC1(mA) 4 3 2 80A 60A 40A C iC2 B N P P C N B P 基极 N E 集电区: 面积较大 基区:较薄, 掺杂浓度低 B 基极 发射区: 掺杂浓度较高 发射极 PNP型 集电极 C P N P E 发射极 C 集电极 集电结 N B P 基极 N 发射结 E 发射极 C C N B P N P B N P E E C * 三极管的符号 C B B E NPN型三极管 E PNP型三极管 二、IE, IB, IC 电流形成 进入P区的电子 IBE。 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降, 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电 流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值 时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是 25C、基极开路时的击穿电压。 6. 集电极最大允许功耗PCM • 集电极电流IC 流过三极管, 所发出的焦耳 IC ICM 热为: PC =ICUCE • 必定导致结温 上升,所以PC 有限制。 PCPCM 安全工作区 ICUCE=PCM U(BR)CEO UCE 五、温度对BJT参数及特性的影响 T iC 、 ICEO 、 ICBO IC 温度上升时, 输出特性曲 线上移 uCE 六、常见三极管实物外形 VCE0.3V, VB>VE和 VB>VC , 4 iC(mA ) 区 100A 称为饱和 区。 3 80A 60A 2 IB=0,IC=ICEO, VB< VE和 1 VB<VC,称为 截止区。 40A 20A IB=0 3 6 9 12 vCE(V) (三)、结论 1、三极管工作在三个区域的条件及特点: (1) 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 三、 符号规定 § 4.2 基本共射极放大电路 一、放大电路的分类 三极管放 大电路有 三种形式 共射放大器 共基放大器 共集放大器 以共射放 大器为例 讲解工作 原理 二、 共射放大电路的基本组成 iC RB RC C2 +VCC iC t C1 iB T Rs RB vBE VCC vS ~ VB vI v0 vS vI t t v0 t vo t 未加电容C2 加电容C2 E 80A 60A 40A 20A IB=0 -12 -9 -6 4 3 2 1 -3 vCE(V) 1 20A IB=0 3 6 9 12 vCE(V)2I0B=A0 vCE(V) 40A 60A 80A iC2(mA) 四、主要参数 ___ 1. 电流放大倍数 前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的 公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共 3. 集-射极反向饱和电流ICEO 集电结反 偏有ICBO B ICEO= IBE+ICBO C ICBO IBE N P ICEO受温度影响 很大,当温度上 升时,ICEO增加 很快,所以IC也 相应增加。三极 管的温度特性较 差。 IBE N 根据放大关系, ICBO进入N E 区,形成 由于IBE的存 在,必有电流 IBE。 vCE=0V 80 vCE =0.5V iB(A) vCE 1V 60 死区电压: 硅管0.5- 40 0.7V,锗 管0.1-0.3V。 20 工作压降: 硅管 VBE0.5~0.7V,锗管 UBE0.1~0.3V。 0.4 0.8 பைடு நூலகம் vBE(V) (二)、输出特性: VB>VE和VC>VB , iCf(vCE)vBE常数IICC只 =与IB,IB有称关为且放大 集接法。共射直流电流放大倍数: ___ IC IB 工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在 直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB, 相应的集电极电流变化为IC,则交流电流放 大倍数为: IC IB 2.集-基极反向饱和电流ICBO ICBO A ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流,受温 度的变化 影响。 集接法。共射直流电流放大倍数: ___ IC IB 工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在 直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB, 相应的集电极电流变化为IC,则交流电流放 大倍数为: IC IB 四、主要参数 ___ 1. 电流放大倍数 前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的 公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共 三极管及放大电路 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 BJT 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路 *和共基极放大电路 *4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 §4.1 晶体三极管 一、 基本结构 NPN型 集电极 E区 被C的收电集子,, 形成ICE。 BJT 内部载流子的传输过程:(1)、E区向B区注入电子,形成IE (2)、电子在B区复合,形成IB (3)、 C区收集电子,形成IC 三、 V-I特性曲线及结 论 iB A RB V vBE iC mA EC V vCE EB 实验线路 (一)、输入特性: iBf(vBE)vCE常 数 少部分与基区的 空穴复合,形成 C 电流IB ,多数扩 散到集电结。 B N P IB N RB EB E IE 发射结正偏, 发射区电子 不断向基区 扩散,形成 发射极电流 IE。 EC 集电结反偏,有 少子形成的反向 电流ICBO。 B IB RB EB IC=ICE+ICBOICE C I ICBO CE N P N E IE 从基区扩 散到集电 IC IB 2 40A 1 20A IB=0 3 6 9 12 vCE(V) 交流电流放大系数: IC , 大 约 为 10-100 I B 电流分配关系 IC IB IE IB IC (1)IB 思考1:处于放大区时,NPN型、PNP型两种三极管的各 电极电位如何? C B PN N C B NP P E E VB、VC、VE大于零 且VC > VB>VE