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FPＣ生产工艺流程ﻫ分类：ＰＣB板FＰＣ生产流程ﻫ１、ＦPC生产流程:1、1 双面板制程: ﻫ开料→ 钻孔→PTＨ→ 电镀→前处理→ 贴干膜→对位→曝光→ 显影→ 图形电镀→ 脱膜→前处理→ 贴干膜→对位曝光→ 显影→蚀刻→ 脱膜→ 表面处理→ 贴覆盖膜→ 压制→固化→ 沉镍金→ 印字符→ 剪切→ 电测→冲切→终检→包装→ 出货１、2 单面板制程: ﻫ开料→ 钻孔→贴干膜→ 对位→曝光→ 显影→蚀刻→ 脱膜→ 表面处理→贴覆盖膜→压制→ 固化→表面处理→沉镍金→ 印2、开料ﻫ2、1、原字符→ 剪切→ 电测→ 冲切→ 终检→包装→ 出货ﻫﻫ材料编码得认识NＤIR05051３HJY：Ｄ→双面，Ｒ→压延铜， 0５→PI厚0、5mil，即１２、5um，０5→铜厚 18ｕm， 1３→胶层厚13um、ＸSIE101０20ＴＬＣ：Ｓ→单面，E→电解铜， 1０→ＰＩ厚25um, 1０→铜厚度35um, 20→胶厚20um、CI05１2NL：(覆盖膜) :05→P I厚1２、5um, １２→胶厚度１2、5ｕm、总厚度：25um、2、２、制程品质控制A、操作者应带手套与指套，防止铜箔表面因接触手上之汗而氧化、ﻫＢ、正确得架料方式，防止皱折、ﻫＣ、不可裁偏，手对裁时不可破坏沖制定位孔与测试孔、Ｄ、材料品质，材料表面不可有皱折,污点,重氧化现象,所裁切材料不可有毛边，溢胶等、３钻孔３、1打包: 选择蓋板→組板→胶帶粘合→打箭头（记号）ﻫ３.1.１打包要求：单面板 15张 ,双面板10张，包封20张、ﻫ３、1、2蓋板主要作用：A: 防止钻机与压力脚在材料面上造成得压伤Ｂ：:使钻尖中心容易定位避免钻孔位置得偏斜Ｃ：带走钻头与孔壁摩擦产生得热量、减少钻头得扭断、３、2钻孔: ﻫ３、2、1流程: 开机→上板→调入程序→设置参数→钻孔→自检→IPＱA检→量产→转下工序、ﻫ3、2、２、钻针管制方法:a、使用次数管制ｂ、新钻头之辨认，检验方法ﻫ3、3、品质管控点： a、钻带得正确ｂ、对红胶片，确认孔位置，数量，正确、 c确认孔就是否完全导通、 d、外观不可有铜翘，毛边等不良现象、ﻫ3、4、常见不良现象3、4、１断针: ａ、钻机操作不当ｂ、钻头存有问题 c、进刀太快等、ﻫ3、4、2毛边 a、蓋板,墊板不正确 b、靜电吸附等等4、电镀ﻫ4、1、PTH原理及作用：ＰTH即在不外加电流得情況下,通过镀液得自催化（钯与铜原子作为催化剂）氧化还原反应，使铜离子析镀在经过活化处理得孔壁及铜箔表面上得过程，也称为化学镀铜或自催化镀铜、ﻫ4、2、PHT流程: 碱除油→水洗→微蚀→水洗→水洗→预浸→活化→水洗→水洗→速化→水洗→水洗→化学铜→水洗、4、3、PTH常见不良状况之处理4、3、1、孔无铜：a活化钯吸附沉积不好、ｂ速化槽:速化剂浓度不对、c 化学铜：温度过低,使反应不能进行反应速度过慢;槽液成分不对、ﻫ４、3、2、孔壁有颗粒，粗糙： a化学槽有颗粒，铜粉沉积不均,开过滤机过滤、 b板材本身孔壁有毛刺、4、３、3、板面发黑： a化学槽成分不对（ＮaＯH浓度过高)、ﻫ4、4镀铜镀铜即提高孔内镀层均匀性，保证整个版面（孔内及孔口附近得整个镀层）镀层厚度达到一定得要求、ﻫ4、4、1电镀条件控制ﻫa电流密度得选择b电镀面积得大小ﻫc镀层厚度要求d电镀时间控制4、4、１品质管控 1 贯通性：自检QC全检，以４０倍放大镜检查孔壁就是否有镀铜完全附着贯通、ﻫ2表面品质：铜箔表面不可有烧焦，脱皮,颗粒状，针孔及花斑不良等现象、3 附着性:于板边任一处以3Ｍ胶带粘贴后,以垂直向上接起不可有脱落现象、5、线路5、1干膜干膜贴在板材上,经曝光后显影后,使线路基本成型,在此过程中干膜主要起到了影象转移得功能，而且在蚀刻得过程中起到保护线路得作用、5、2干膜主要构成：PE,感光阻剂,PET 、其中ＰE与PET只起到了保护与隔离得作用、感光阻剂包括：连接剂,起始剂，单体，粘着促进剂，色料、ﻫ5、3作业要求 a保持干膜与板面得清洁，ｂ平整度，无气泡与皱折现象、、c附着力达到要求,密合度高、5、4作业品质控制要点5、4、1为了防止贴膜时出现断线现象,应先用无尘纸粘尘滚轮除去铜箔表面杂质、5、４、2应根据不同板材设置加热滚轮得温度,压力,转数等参数、5、4、３保证铜箔得方向孔在同一方位、ﻫ5、４、4防止氧化，不要直接接触铜箔表面、５、4、5加热滚轮上不应该有伤痕，以防止产生皱折与附着性不良5、４、6贴膜后留置1０—20分钟，然后再去曝光，时间太短会使发生得有机聚合反应未完全,太长则不容易被水解,发生残留导致镀层不良、5、４、７经常用无尘纸擦去加热滚轮上得杂质与溢胶、ﻫ5、4、8要保证贴膜得良好附着性、５、5贴干膜品质确认ﻫ5、５、1附着性:贴膜后经曝光显影后线路不可弯曲变形或断等（以放大镜检测)5、5、2平整性：须平整，不可有皱折，气泡、ﻫ5、5、3清洁性:每张不得有超过5点之杂质、5、6曝光5、6、1、原理：使线路通过干膜得作用转移到板子上、ﻫ5、６、2作业要点: a作业时要保持底片与板子得清洁、ﻫｂ底片与板子应对准，正确、c不可有气泡，杂质、＊进行抽真空目得:提高底片与干膜接触得紧密度减少散光现象、ﻫ*曝光能量得高低对品质也有影响: ﻫ1能量低，曝光不足,显像后阻剂太软,色泽灰暗,蚀刻时阻剂破坏或浮起，造成线路得断路、２、能量高，则会造成曝光过度，则线路会缩小或曝光区易洗掉、5、7显影５、7、1原理:显像即就是将已经曝过光得带干膜得板材，经过（1、0＋/－0、1）％得碳酸钠溶液（即显影液）得处理，将未曝光得干膜洗去而保留经曝光发生聚合反应得干膜，使线路基本成型、ﻫ5、７、2影响显像作业品质得因素： a﹑显影液得组成 b﹑显影温度、ｃ﹑显影压力、d﹑显影液分布得均匀性、e ﹑机台转动得速度、５、7、３制程参数管控：药液溶度，显影温度,显影速度,喷压、５、７、４显影品质控制要点: ﻫａ﹑出料口扳子上不应有水滴，应吹干净、ﻫｂ﹑不可以有未撕得干膜保护膜、ﻫc﹑显像应该完整，线路不可锯齿状,弯曲，变细等状况、ﻫd﹑显像后裸铜面用刀轻刮不可有干膜脱落，否则会影响时刻品质、ﻫｅ﹑干膜线宽与底片线宽控制在＋/-0。
光掩膜生产工艺
光掩膜是半导体制造过程中的重要材料，用于保护芯片表面不被污染。
以下是光掩膜生产工艺：
1.设计：根据芯片的尺寸和形状，设计出相应的掩膜图案。
2.制版：将设计好的掩膜图案通过光刻机转移到光刻胶片上，形成一层薄薄的金属感光层。
3.曝光：将光刻胶片放入光刻机中，在紫外线照射下，通过化学反应使掩膜图案转移到光刻胶片上。
4.显影：将光刻胶片放入显影液中，使未曝光的部分溶解掉，暴露出金属感光层。
5.清洗：将显影后的光刻胶片放入清洗机中，使用化学药品将表面的杂质和残留物清洗干净。
6.烘干：将清洗后的光刻胶片放入烘干机中，使其完全干燥。
7.检测：对烘干后的光刻胶片进行质量检测，确保其符合要求。
8.切割：将检测合格的光刻胶片切割成所需大小的掩膜。
9.包装：将切割好的掩膜进行包装，以备后续使用。
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半导体光刻工艺流程
半导体光刻是制造半导体元件的关键步骤之一，其工艺流程大致包括：
1. 硅片准备：将硅片清洗干净并进行表面平整化处理。
2. 底片涂覆：将涂覆剂涂覆在硅片上，使其形成一层平整的覆盖层。
3. 硬化：将底片经过紫外光或热处理硬化，使其形成固定的图案形状。
4. 掩膜对准：将掩膜对准底片，以保证图案的精度和准确性。
5. 曝光：将底片暴露在紫外光下，使得未被硬化的部分被光化学反应所影响，形成表面的图案。
6. 显影：将底片进行显影处理，将未受光化学反应影响的部分去除，形成所需的图案形状。
7. 洗涤：将底片进行洗涤处理，将化学物质清洗干净，以保证元件的纯度和质量。
8. 检验与测试：对半导体元件进行检验测试，以保证其符合设计和性能要求。
整个工艺流程需要精密的仪器设备和复杂的程序控制，以确保半导体元件的高质量制造。
干膜曝光干膜成像化学(DRY-FILM IMA-GING CHEMISTRY)干膜感光阻剂之主要成份包括﹕1．连结剂(Binder)﹕高分子连结剂是干膜构成之骨干﹐使其余各成分能结合在一起﹐它决定了干膜阻剂是溶剂型﹐或半水溶液型﹐或是全水溶液型。
2．单体(Monomer)﹕在游离基之激发下产生聚合反应﹐为亚克力树脂之主成份。
3．起始剂(Initiator):在320-400nm之光曝光下产生自由根或游离基(free radical)由此先驱再引发聚合反应。
4．粘着促进剂(Adhesion Promotor):一般为低分子量成份﹐具挥发性﹐当干膜经过加热滚轮时蒸发﹐然后凝结于铜表面﹐使干膜粘着后与铜表面产生化学键(Chemical Bond),增进附着力。
5．色料(Dyes):便于曝光前后识别。
曝光后底片透光部分接受到U.V.光﹐产生聚合反应成为高分子化合物﹐不溶于显影液﹔底片遮光部分﹐干膜阻剂在显颢液中变成有机酸盐﹐被碳酸钠显影液洗掉﹐故干膜作业为一负片印刷型之流程。
干膜曝光要项(A)曝光时底片药膜面务必朝下﹐使其紧贴干膜阻剂。
(B)真空度要好以确保药膜面与干膜密着。
(C)越薄的干膜解像力越好。
(D)在目前之曝光设备技朮下﹐用干膜作负片影像转移﹐线路宽度之缩小在所难免﹐故在实际作上往往将工作底片之线宽的以放大1-2 mil。
曝光能量之决定曝光能量测定可用能量测定器(Radiometer)及标准步格(Step tablet)两种方式﹐不管使用那种方式﹐务必与实际干膜作业条件同步﹐即在量测时感应器(Sensor)或标准步格需置于曝光台面﹐同时上面放置使用中之底片透明部分。
目前业界使用之标准步格有Stouffer 21 Steps和Ristom 17 Steps两类﹐21 Steps相邻两格透光率比值为√2=1.414,即要使21 Steps读数增加一格需增加为原曝光能量的1.414倍。
使用Step tablet需经压膜﹑曝光﹑显影及滞留时间等所有流程﹐作乙次测定需费时30分钟﹐而Radiometer正可以弥补此一缺点﹐能提供节单﹑迅速﹑可靠的测定。
感光干膜法制造工艺(1)贴膜制板工艺流程。
贴膜前处理一吹干或烘干一贴膜一对孔一定位一曝光一显影一晾干一修板。
1．)贴膜前处理。
在贴膜前将板材刷洗干净，去除氧化膜、油污等，以增加干膜与铜箔表面的结合力，否则将会引起干膜脱落与边缘起翘等。
刷洗一般用刷板机。
2)贴膜。
贴膜主要借助贴膜机进行。
贴膜温度对贴膜质量影响比较大。
温度过高，易使子膜流胶和发脆。
因此，要严格控制贴膜温度。
温度的选择与干膜性能、气候条件有关，一般为90-130℃，夏季要再低13 ---20℃。
选择适当的贴膜压力也是非常重要的。
压力过小，干膜与铜箔结合不牢，影响制板质量；反之，膜易变形起皱。
在生产过程中，要根据经验选择压力大卟。
贴膜速度太快，膜易起皱，无法制出合格图形；反之，会使贴膜不牢。
3)曝光。
曝光对印制电路板质量影响很大。
光源类型、曝光时间的长短、光源的强弱，对制成图形线条的粗细及精度产生直接影响。
若曝光过量，会造成显影困难，甚至细线条显不出影；反之，线条边缘发毛，会出现渗镀现象。
曝光时，应严格控制曝光量。
曝光量与光源的强弱、灯距的远近、曝光时间长短等有关。
在光源选定的情况下，决定曝光量的因素有灯距和时间。
若灯距远，曝光时间就要相应加长；反之，曝光时间要短。
但光源距离过近，会对干膜显影带来困难。
因此，光源的距离要合适，一般通过实验来确定。
4)显影。
显影一般在显影机里进行。
显影溶液采用无水碳酸钠，浓度为1% '--,20200操作程序是：曝光后的印制电路板去掉聚酯膜，放在显影机里进行显影，印制电路板首先进入喷淋2070稀碳酸钠溶液段中显影，然后进入水中冲洗干净，最后在盛有1%的碳酸钠溶液的容器中再次显影。
显影的时间不能太长，时间太长会造成过显，使边线不整齐；时间太短会使显影不彻底，密集线条部分显不出图像。
显影溶液的浓度要严格地控制，浓度太低，显影速度慢，不易显示出图像；浓度太高，显影速度过快，~易造成导绒边缘不整齐。
5)修板。
光化学反应仪光化学、干膜、曝光及显影制程术语手册光化学反应仪主要用于研究气相或液相介质、固定或流动体系、紫外光或模拟可见光照、以及反应容器是否负载TiO2光催化剂等条件下的光化学反应。
具有提供分析反应产物和自由基的样品，测定反应动力学常数，测定量子产率等功能，广泛应用化学合成、环境保护以及生命科学等研究领域光化学、干膜、曝光及显影制程术语手册1、Absorption 领受，吸入指被领受物会进入主体的内部，是一种化学式的吸入步履。
如光化反映中的光能领受，或板材与绿漆对溶剂的吸入等。
还有一近似词 Adsorption 则是指吸附而言，只附着在主体的概略，是一种物理式的亲和吸附。
2、Actinic Light(or Intensity，or Radiation) 有用光指用以完成光化反映各类光线中，其Z有用波长规模的光而言。
例如在360～420 nm 波长规模的光，对偶氮棕片、浅显吵嘴底片及重铬酸盐感光膜等，其等反映均Z快Z且功用Z大，谓之有用光。
3、Acutance 解像尖锐度是指各类由感光编制所取得的图像，其线条边缘的尖锐景象抽象 (Sharpness)，此与解像度 Resolution 不合。
后者是指在必定宽度距离中，可以了了的显像(Develope)解出若干良多多少组“线对”而言(Line Pair，系指一条线路及一个空间的组合)，普简易称只说解出机条“线”而已。
4、Adhesion Promotor 附出力增进剂多指干膜中所添加的某些化学品，能促使其与铜面发生“化学键”，而增进其与底材间之附出力者皆谓之。
5、Binder 粘结剂各类积层板中的接着树脂部份，或干膜之阻剂中，所添加用以“成形”而不致太“散”的接着及组成剂类。
6、Blur Edge(Circle)恍惚边带，恍惚边圈多层板各内层孔环与孔位之间在做瞄准度搜检时，可把持 X光透视法为之。
由于X光之光源与其机组均非平行光之机关，故所得圆垫(Pad)之减少回忆，其边缘之解像其实不明锐了了，称为 Blur Edge。
光刻原理详细步骤光刻技术是半导体制造工艺中至关重要的步骤之一，用于在半导体芯片上将图案转移到光刻胶层或硅表面。
光刻技术通过光源、光刻胶、掩膜等组成的光刻机来完成。
在光刻技术中，主要包括光刻胶涂布、曝光、显影和刻蚀等步骤。
下面将详细介绍光刻技术的步骤和原理。
首先是光刻胶涂布。
在光刻工艺中，光刻胶被涂布在硅片表面或半导体材料上，以形成光刻胶层。
涂布过程中，需要将光刻胶稀释，使其具备一定的流动性。
这样才能更好地填充表面的凹陷和粗糙区域，并保持光刻胶层的均匀度。
在涂布中，涂胶机在硅片上建立一层顺滑的涂胶层，通过旋转硅片使光刻胶均匀地分布在硅片表面。
在涂布完成后，通过在烤箱中对光刻胶进行烘烤，将其固化成薄膜。
其次是曝光过程。
曝光是光刻技术中最重要的步骤之一，用于将图案转移到光刻胶层或硅表面。
曝光过程主要分为三个步骤：对准、曝光和显影。
首先是对准。
对准是为了保证光刻胶层上的图案与掩模上的图案对齐。
现代光刻机使用显微镜和自动对准系统实现对准。
自动对准系统通过显微镜观察已经涂布光刻胶的硅片表面，并通过对比硅片表面和掩模上已有的对准标记，调整硅片的位置，使其准确对准。
接下来是曝光。
曝光是光刻技术的核心步骤，用于将掩模上的图案转移到光刻胶层或硅表面。
光刻机通过投射光源至掩膜上，然后通过透过掩膜的透明区域，将光投射到光刻胶层上。
根据掩膜上的图案，光刻胶层会在光照区域发生化学或物理反应。
这些反应会导致光刻胶层在曝光区域进行固化或溶解。
通过掩膜上的光学限制性，只有光照区域的光刻胶会被固化或溶解，从而形成所需的图案。
最后是显影和刻蚀。
显影是将已经暴露的光刻胶层中的未固化或未溶解的部分去除，使其暴露出下面的硅表面。
显影过程一般使用化学液体，通过浸泡或喷洒的方式使溶剂溶解掉未暴露的光刻胶。
刻蚀是将已经显影的光刻胶层和下面的硅表面一同去除。
刻蚀根据需要选择不同的刻蚀方法，包括化学刻蚀、干法刻蚀等。
在整个光刻过程中，掩模的质量和对准的准确性对最终的芯片质量有着至关重要的影响。
〖双击自动滚屏〗光化学、干膜、曝光及显影制程1、Absorption 吸收，吸入指被吸收物会进入主体的内部，是一种化学式的吸入动作。
如光化反应中的光能吸收，或板材与绿漆对溶剂的吸入等。
另有一近似词 Adsorption 则是指吸附而言，只附着在主体的表面，是一种物理式的亲和吸附。
2、Actinic Light(or Intensity，or Radiation) 有效光指用以完成光化反应各种光线中，其最有效波长范围的光而言。
例如在360～420 nm 波长范围的光，对偶氮棕片、一般黑白底片及重铬酸盐感光膜等，其等反应均最快最彻底且功效最大，谓之有效光。
3、Acutance 解像锐利度是指各种由感光方式所得到的图像，其线条边缘的锐利情形 (Sh arpness)，此与解像度 Resolution 不同。
后者是指在一定宽度距离中，可以清楚的显像(Develope)解出多少组“线对”而言(L ine Pair，系指一条线路及一个空间的组合)，一般俗称只说解出机条“线”而已。
4、Adhesion Promotor 附着力促进剂多指干膜中所添加的某些化学品，能促使其与铜面产生“化学键”，而促进其与底材间之附着力者皆谓之。
5、Binder 粘结剂各种积层板中的接着树脂部份，或干膜之阻剂中，所添加用以“成形”而不致太“散”的接着及形成剂类。
6、Blur Edge(Circle)模糊边带，模糊边圈多层板各内层孔环与孔位之间在做对准度检查时，可利用 X光透视法为之。
由于X光之光源与其机组均非平行光之结构，故所得圆垫(Pad)之放大影像，其边缘之解像并不明锐清晰，称为 Bl ur Edge。
7、Break Point 出像点，显像点指制程中已有干膜贴附的“在制板”，于自动输送线显像室上下喷液中进行显像时，到达其完成冲刷而显现出清楚图形的“旅程点”，谓之“Break Point”。
所经历过的冲刷路程，以占显像室长度的 50~75% 之间为宜，如此可使剩下旅途中的清水冲洗，更能加强清除残膜的效果。
8、Carbon Arc Lamp 碳弧灯早期电路板底片的翻制或版膜的生产时，为其曝光所用的光源之一，是在两端逼近的碳精棒之间，施加高电压而产生弧光的装置。
9、Clean Room 无尘室、洁净室是一个受到仔细管理及良好控制的房间，其温度、湿度、压力都可加以调节，且空气中的灰尘及臭气已予以排除，为半导体及细线电路板生产制造必须的环境。
一般“洁净度”的表达，是以每“立方呎”的空气中，含有大于0.5μm以上的尘粒数目，做为分级的标准，又为节省成本起见，常只在工作台面上设置局部无尘的环境，以执行必须的工作，称 Clean Benches。
10、Collimated Light 平行光以感光法进行影像转移时，为减少底片与板面间，在图案上的变形走样起见，应采用平行光进行曝光制程。
这种平行光是经由多次反射折射，而得到低热量且近似平行的光源，称为Collimate d Light，为细线路制作必须的设备。
由于垂直于板面的平行光，对板面或环境中的少许灰尘都非常敏感，常会忠实的表现在所晒出的影像上，造成许多额外的缺点，反不如一般散射或漫射光源能够自相互补而消弥，故采用平行光时，必须还要无尘室的配合才行。
此时底片与待曝光的板面之间，已无需再做抽真空的密接(Close Contact)，而可直接使用较轻松的 Soft Contact 或Off Contact了。
11、Conformity吻合性，服贴性完成零件坏配的板子，为使整片板子外形受到仔细的保护起见，再以绝缘性的涂料予以封护涂装，使有更好的信赖性。
一般军用或较高层次的装配板，才会用到这种外形贴护层。
12、Declination Angle 斜射角由光源所直接射下的光线，或经各种折射反射过程后，再行射下的光线中，凡呈现不垂直射在受光面上，而与“垂直法线”呈某一斜角者(即图中之 a角)该斜角即称 Declination Angle。
当此斜光打在干膜阻剂边缘所形成的“小孔相机”并经 Mylar 折光下，会出现另一“平行光”之半角(Collimation HalfAngle，CHA)。
通常“细线路”曝光所讲究的“高平行度”的曝光机时，其所呈的“斜射角”应小于 1.5 度，其“平行半角”也须小于1.5 度。
13、Definition 边缘逼真度在以感光法或印刷法进行图形或影像转移时，所得到的下一代图案，其线路或各导体的边缘，是否能出现齐直而又忠于原底片之外形，称为“边缘齐直性”或逼真度“Definition”。
14、Densitomer 透光度计是一种对黑白底片之透光度(Dmin)或遮光度(Dmax)进行测量之仪器，以检查该底片之劣化程度如何。
其常用的品牌如 X-Rite 36 9 即是。
15、Developer 显像液，显影液，显像机用以冲洗掉未感光聚合的膜层，而留下已感光聚合的阻剂层图案，其所用的化学品溶液称为显像液,如干膜制程所用的碳酸钠(1％)溶液即是。
16、Developing 显像，显影是指感光影像转移过程中，由母片翻制子片时称为显影。
但对下一代像片或干膜图案的显现作业，则应称为“显像”。
既然是由底片上的“影”转移成为板面的“像”，当然就应该称为“显像”，而不宜再续称底片阶段的“显影”，这是浅而易见的道理。
然而业界积非成是习用已久，一时尚不易改正。
日文则称此为“现像”。
17、Diazo Film 偶氮棕片是一种有棕色阻光膜的底片，为干膜影像转移时，在紫外光中专用的曝光用具(Phototool)。
这种偶氮片即使在棕色的遮光区,也能在“可见光”中透视到底片下的板面情形，比黑白底片要方便的多。
18、Dry Film 干膜是一种做为电路板影像转移用的干性感光薄膜阻剂,另有 PE 及PET 两层皮膜将之夹心保护。
现场施工时可将 PE 的隔离层撕掉，让中间的感光阻剂膜压贴在板子的铜面上,在经过底片感光后即可再撕掉 PET 的表护膜，进行冲洗显像而形成线路图形的局部阻剂，进而可再执行蚀刻(内层)或电镀(外层)制程，最后在蚀铜及剥膜后，即得到有裸铜线路的板面。
19、Emulsion Side药膜面黑白底片或 Diazo 棕色底片，在 Mylar 透明片基 ( 常用者有4 mil 与7 mil 两种)的一个表面上涂有极薄的感光乳胶(Emuls ion) 层，做为影像转移的媒介工具。
当从已有图案的母片要翻照出“光极性”相反的子片时，必须谨遵“药面贴药面” ( Emu lsion to Emulsion ) 的基本原则，以消除因片基厚度而出现的折光，减少新生画面的变形走样。
20、Exposure 曝光利用紫外线(UV)的能量，使干膜或印墨中的光敏物质进行光化学反应，以达到选择性局部架桥硬化的效果，完成影像转移的目的称为曝光。
21、Foot 残足指干膜在显像之后部份刻意留下阻剂，其根部与铜面接触的死角处，在显像时不易冲洗干净而残留的余角(Fillet)，称为Foot 或Cove。
当干膜太厚或曝光能量不足时，常会出现残足，将对线宽造成影响。
22、Halation环晕指曝光制程中接受光照之图案表面，其外缘常形成明暗之间的环晕。
成因是光线穿过半透明之被照体而到达另一面，受反射折光回到正面来，即出现混沌不清的边缘地带。
23、Half Angle 半角此词的正式名称是Collimation Half Angle“平行光半角”。
是指曝光机所射下的“斜光”，到达底片上影像图案的边缘，由此“边缘”所产生“小孔照像机”效应，而将“斜光”扩展成“发散光”其扩张角度的一半，谓之“平行光半角”(CHA)，简称“半角”。
24、Holding Time 停置时间当干膜在板子铜面上完成压膜动作后，需停置 15～30 分钟，使膜层与铜面之间产生更强的附着力；而经曝光后也要再停置 1 5～30 分钟，让已感光的部份膜体，继续进行完整的架桥聚合反应，以便耐得住显像液的冲洗，此二者皆谓之“停置时间”。
25、Illuminance 照度指照射到物体表面的总体“光能量”而言。
26、Image Transfer 影像转移，图像转移在电路板工业中是指将底片上的线路图形，以“直接光阻”的方式或“间接印刷”的方式转移到板面上，使板子成为零件的互连配线及组装的载体，而得以发挥功能。
影像转移是电路板制程中重要的一站。
27、Laminator 压膜机当阻剂干膜或防焊干膜以热压方式贴附在板子铜面上时，所使用的加热辗压式压膜机，称之 Laminator。
28、Light Integrator 光能累积器、光能积分器是在某一时段内，对物体表面计算其总共所得到光能量的一种仪器。
此仪器中含滤光器，可用以除去一般待测波长以外的光线。
当此仪另与计时器配合后，可计算物体表面在定时中所接受到的总能量。
一般干膜曝光机中都加装有这种“积分器”，使曝光作业更为准确。
29、Light Intensity 光强度单位时间内(秒)到达物体表面的光能量谓之“光强度”。
其单位为 Watt/cm2,连续一时段中所累计者即为总计光能量，其单位为 Joule(Watt?Sec)。
30、Luminance 发光强度，耀度指由发光物体表面所发出或某些物体所反射出的光通量而言。
类似的字词尚有“光能量”Luminous Energy。
31、Negative-Acting Resist 负性作用之阻剂，负型阻剂是指感光后能产生聚合反应的化学物质，以其所配制的湿膜或干膜，经曝光、显像后，可将未感光未聚合的皮膜洗掉，而只在板面上留下已聚合的阻剂图形，的原始图案相反，这种感光阻剂称之为“负性作用阻剂”，也称为Negative Working Resist。
反之，能产生感光分解反应，板面的阻剂图案与底片完全相同者，则称为 Positive Acting Resis 。
电路板因解像度(Resolutio n，大陆用语为“分辨率”)的要求不高，通常采用“负性作用”的阻剂即可，且也较便宜。
至于半导体IC、混成电路(Hybri d)、液晶线路(LCD)等则采解像度较好的“正型”阻剂，相对的其价格也非常贵。
32、Mercury Vaper Lamp 汞气灯是一种不连续光谱的光源，其主要的四五个强峰位置,是集中在波长 365～560nm 之间。
其当光源强度之展现与能量的施加,在时间上会稍有落后。
且光源熄灭后若需再开启时，还需要经过一段冷却的时间。
因而这种光源一旦启动后就要连续使用，不宜开开关关。
在不用时可采“光栅”的方式做为阻断控制，避免开关次数太多而损及光源的寿命。
33、Newton Ring 牛顿环当光线通过不同密度的介质，而其间的间隔(Gap，例如空气)又极薄时，则入射光会与此极薄的空气间隙发生作用，而出现五彩状同心圆的环状现象，因为是牛顿所发现的故称为“牛顿环”。
