电子技术实验室实验教材与实验讲义
一、电子技术实验室实验教材、实验讲义
1. 高文焕张尊侨徐振英金平编著. 电子技术实验. 北京：清华大学出版社，2004.8
2. 电工电子实验教学中心电子技术实验室编.《电子技术实验》教师辅导手册. 2004.7
3．电工电子实验教学中心电子技术实验室编. 《电子技术课程设计》教师辅导手册. 2005.1
4. 电工电子实验教学中心电子技术实验室编.《电子技术实验》.讲义.2002.7
5. 电工电子实验教学中心电子技术实验室编.《电子技术实验》.讲义.2003.8
二、实验教材《电子技术实验》简介
内 容 简 介
本书是面对实验教学改革的需要，总结多年实验教学的经验而编写的电子技术实验教材。全书共分为8章，内容是：绪论，常用电子仪器的原理与使用，模拟电路基础型实验, 数字电路基础型实验，电子电路的计算机辅助分析与设计，电子技术设计型实验，在系统可编程逻辑器件应用，实验用电路元器件。
本书安排了较多的实验题目，且每个实验题目包括较多的实验项目，其内容和难易程度基本上覆盖了不同层次的教学要求，任课教师可以根据实际情况灵活选用。为了适应不同类型实验课的需求，每个实验都附有实验原理、参考实验电路和思考题。
本书可作为高等学校电类本科和高等学校工程电类专科的电子技术基础实验的教材，也可作为从事电子技术工作的工程技术人员参考书。
前 言
随着大规模集成电路和电子计算机技术的发展，电子系统的理论、技术和电路发生了巨大的变化，这种发展状况和趋势对电子技术基础课程提出了更高的要求，需要不断地更新课程内容，拓宽知识面，培养学生的综合能力和创新能力。电子技术实验作为电子技术基础课程的重要组成部分，在人才培养中具有不可替代的重要作用。它的主要任务是培养学生的基本实验技能、电路的设计与综合应用的能力、使用计算机工具的能力，以全面提高学生的素质和创新能力。为了适应这种要求，推动电子技术实验课的改革特编写此教材。
1. 电子仪器是观察物理现象，测量电子系统或电路性能的工具，了解常用电子仪器的基本原理，正确调整和使用电子仪器，掌握电路与系统的测试方法是进行电路实验和科学研究的基础，也是培养实验能力的重要内容。对于一个从事电子技术工作的科技人员来说是必须具有的基本功。电子技术实验课必须充分重视这一问题。因此，本书第2章专门介绍了常用电子仪器的原理、使用方法和电子网络主要性能指标的测试方法等，并安排专门的实验进行练习，且将此项训练作为基本要求贯串整个基础性实验当中。
2. 电子技术实验按其性质和目的可分为基础型实验、设计型实验和研究型实验三大类。考虑到研究型实验是具有研究性和探索性的大型实验，需要较多的学时和较多的条件，拟放于课程设计或大型专题实验中。本书的第3、4章安排了模拟电路和数字电路基础型实验，第6章安排了设计型实验。
基础型实验的重点是培养学生观察和分析实验现象，掌握基本实验方法，培养基本实验技能，为以后进行更复杂的实验打下基础。尽管基础性实验比较简单，往往具有验证的性质，但对电路理论的验证不是主要的。所以，本书安排的基础性实验（包括模拟电路基础性实验和数字电路基础性实验）着重培养基本的实验技能和实验方法，着重打基础。有些基础性实验也安排了自行设计的内容。
设计型实验是在基础型实验的基础上进行的综合性的实验训练，其重点是电路设计。实验内容侧重综合应用所学知识，设计制作较为复杂的功能电路。本书所安排的设计型实验一般是给出实验任务和设计要求，学生通过电路设计、电路安装调试和指标测试、撰写报告等过程，提高电路设计水平和实验技能，培养学生综合运用所学知识解决实际问题的能力。
3. 随着电子设计自动化程度的迅速提高和集成电路技术与工艺的迅速进步，电子系统已进入片上系统的阶段。使用计算机辅助分析和设计工具来分析与设计电路，已经成为电类本科生必须掌握的知识和必备的基本能力。所以培养学生具有使用工具的习惯和能力是电子技术实验课程的另一项重要任务。本书的第5章，以OrCAD PSpice A/D 9为典型软件，介绍PSpice软件的功能、使用方法，并通过电路实例和实验，使学生逐步掌握如何使用CAD 工具进行电路分析与设计的基本方法，培养学生具有使用CAD工具的习惯和能力。
4. 近年来，采用大规模可编程逻辑器件为电路载体，以硬件描述语言表达系统的逻辑关系，以微机和开发软件作为设计工具来设计数字系统已成为一种趋势。因此，本书的第7章简单介绍大规模可编程逻辑器件、硬件描述语言、软件开发工具和实验开发系统等基础知识，并安排相应的实验，使学生受到基本训练，为今后使用可编程逻辑器件设计较复杂的数
字系统打下较好的基础。
5. 为了适应不同实验课的类型和不同实验学时的需求，本书安排了较多的实验题目，且每个实验题目包括较多的实验项目，其内容和难易程度基本上覆盖了不同层次的教学要求，为因材施教提供了可能，任课教师可以根据实际情况灵活选用。此外，每个实验都附有实验原理和思考题，有的还附有参考实验电路。多数学生可以通过自学或在教师的指导下，自行拟定实验步骤和测试方法，独立完成实验全过程。
参加本书编写工作的有高文焕（第1、3章）、张尊侨（第2、4、8章）徐振英（第6、7章）, 金平（第5章）等同志，高文焕同志为主编，负责全书的组织和定稿。
在编写过程中得到董在望教授的热心指导和清华大学电工电子学教学实验中心许多同志的支持。在此，对以上所有给予支持、帮助和指导的同志致以衷心的感谢。
由于编者水平有限，书中难免有不妥和错误之处，敬请读者批评指正。
编者
2003年8月
于北京清华园
目录
第1章绪论
1.1 电子技术实验在人才培养中的作用
1.2 电子技术实验的一般过程和要求
1.3 实验测量误差…
1.3.1测量误差的来源与分类
1.3.2 测量误差的表示方法
1.3.3 误差的估计
1.3.4 误差的消除方法
1.4 实验数据处理
1.4.1 测量读数的处理
1.4.2 实验数据的处理方法
1.5 常用基本电量的测量方法
1.5.1 电压的测量
1.5.2 阻抗的测量
1.5.3 电压增益及幅频特性的测量
第2章常用电子仪器的原理与使用
2.1电子示波器的原理与应用
2.1.1 示波器显示波形的基本原理
2.1.2 示波器的工作原理
2.1.3 电子示波器的主要技术指标和正确使用
2.1.4 使用示波器测量电压、相位、时间与频率
2.2 SS7804/7810型示波器简介
2.2.1 SS7804型示波器的主要性能指标
2.2.2 SS7804型示波器面板各部件的作用及使用方法
2.2.3 SS7810型示波器简介
2.2.4 SS7804/7810型示波器的屏幕字符显示
2.2.5 SS7804/7810型示波器的校准方法
2.2.6 使用SS7804/7810型示波器测量电压、相位、时间和频率2.3 EE1642B1型函数信号发生器的原理与应用
2.3.1 EE1642B1型函数信号发生器的组成及工作原理
2.3.2 EE1642B1型函数信号发生器主要技术指标
2.3.3 EE1642B1型函数信号发生器使用说明
2.3.4 AFG310 型任意函数波形发生器简介
2.4 DH1718E－4型双路直流稳压电源
2.4.1概述
2.4.2电源的主要性能指标
2.4.3电源面板各部件的作用与使用方法
2.5 GH4821型晶体管特性图示仪
2.5.1晶体管图示仪的基本原理
2.5.2 GH4821型晶体管特性图示仪的主要技术指标
2.5.3 GH4821型晶体管特性图示仪的面板各部件的作用与使用方法2.6 实验一常用电子仪器的原理与使用
第3章模拟电路基础型实验
3.1 实验一单管放大电路
3.2 实验二负反馈放大电路（A）
3.3 实验二负反馈放大电路（B）
3.4 实验三增益自动切换的电压放大电路
3.5 实验四波形产生电路
3.6 实验七RC有源滤波电路的设计
3.7 实验六集成功率放大电路
3.8 实验七 555定时器的应用
第4章数字电路基础型实验
4.1 实验一与非门电路的测试.
4.2实验二简单组合逻辑电路的设计.
4.3 实验三键盘输入电路的设计
4.4 实验四定时控制电路的设计
4.5 实验五扫描显示电路的设计
4.6 实验六电子密码锁电路的设计
第5章电子电路的计算机辅助分析与设计
5.1 概述
5.1.1电路CAD技术及工具
5.1.2电路CAD工具PSpice软件简介
5.2 OrCAD PSpice软件功能介绍
5.2.1 电路基本特性的分析功能
5.2.2 电路复杂特性的分析功能
5.2.3 OrCAD PSpice的元器件
5.3 使用 OrCAD Capture软件绘制电路图
5.3.1 运行Capture软件
5.3.2 绘制电路原理图
5.4 OrCAD PSpice仿真分析.
5.4.1 OrCAD PSpice仿真分析的基本步骤
5.4.2 OrCAD PSpice仿真分析的操作方法
5.5电子电路的仿真实验
5.5.1教学目的与要求
5.5.2 实验一单管共发射极放大电路
5.5.3 实验二有源负载差动放大电路
5.5.4 实验三多级放大电路
5.5.5 实验四由集成运放组成的多谐振荡电路
5.5.6 实验五直流稳压电源
5.5.7 实验六两位全减器电路
5.5.8 实验七十字路口交通信号灯控制电路
第6章电子技术设计型实验
6.1 概述.
6.1.1 教学目的
6.1.2 设计型实验的步骤
6.2 电子电路设计的基础知识
6.2.1电子电路设计的一般方法
6.2.2电子电路设计的几个问题
6.2.3设计型实验电路的设计方法
6.3 实验一数字显示稳压二极管稳压值的测量电路
6.4 实验二双线多路通讯
6.5 实验三产品分档电路的设计
6.6 实验四流水线产品统计电路设计.
6.7 实验五超声波遥控电路的设计
6.8 实验六晶体管输出特性曲线测试电路的设计6.9 实验七数模转换器和模数转换器的应用
6.10 实验八电话自动留言电路
6.11 实验九超声波传感器应用研究
6.12 实验十半导体热敏电阻传感器应用研究
第7章在系统可编程逻辑器件的应用
7.1 概述
7.1.1可编程逻辑器件的基本概念
7.1.2可编程逻辑器件实验的一般过程与要求
7.2可编程逻辑器件简介
7.3 硬件描述语言
7.3.1VHDL语言
7.3.2 Verilog –HDL语言
7.3.3 ABEL－HDL语言.
7.4 软件开发工具
7.4.1 IspDesignEXPERT
7.4.2 ispDesignEXPERT 操作举例
7.5 可编程逻辑器件实验
7.5.1 实验一汽车尾灯控制电路
7.5.2 实验二乒乓球游戏模拟电路
7.5.3 实验三自动售票模拟电路
7.5.4 实验四秒表电路
7.5.5 实验五呼叫系统
7.5.6 实验六公交车自动报站控制器
7.5.7 实验七互锁式电子触摸开关
7.5.8 实验八步进电机控制电路
7.5.9 实验九密码锁电路
7.5.10 实验十抢答器电路
第8章实验用电路元器件
8.1常用电阻电容元件
8.1.1电阻器型号命名与识别方法
8.1.2 电容器的识别与型号命名法
8.2常用半导体器件
8.2.1 常用半导体器件型号命名的国家标准
8.2.2 常用的二极管型号及性能
8.2.3 常用的三极管型号及性能
8.3 几种常用模拟集成电路简介
8.3.1 μA741通用运算放大器
8.3.2 LM318 高速运算放大器
8.3.3 μA348四通用运算放大器和μA324四通用单电源运算放大器8.3.4 OP07低失调、低温漂运算放大器
8.3.5 LF347四JFET输入运算放大器
8.3.6 电压比较器LM311
8.3.7 音频功率放大器LM386
8.3.8 音频功率放大器LM388
8.3.9 音频功率放大器LA4102
8.3.10 CMOS模拟开关4052
8.3.11 CMOS四双向模拟开关4066
8.3.12 555、556 定时器电路
8.3.13 集成三端稳压器电路
8.4 常用的数字集成电路简介
8.4.1 几类常用数字集成电路的典型电参数
8.4.2 常用的TTL数字集成电路功能及引脚图
8.4.3 常用CMOS数字集成电路引脚图
8.5 常用的显示器件
8.5.1 发光二极管
8.5.2 字码管
8.5.3 发光二极管阵列显示器
8.6 A/D与D/A变换电路
8.6.1 A/D转换器AD0804
8.6.2 D/ A转换器DAC0832
8.7 存储器
8.7.1 静态随机存取存储器（RAM）2114简介
8.7.2 可紫外线擦除的只读存储器27C16
8.7.3 电可擦除只读存储器93C46
8.8 专用器件和可编程电路
8.8.1发射/接收型超声波传感器
8.8.2 光电耦合器
8.8.3 压电陶瓷蜂鸣片
8.8.4 可编程器件
8.8.5 语音处理集成电路
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
【清华考研复试辅导班】2020年清华大学航天航空学院考研复试及调剂经验攻 略 大家好，我是盛世清北胡老师。 2020年考研初试在即，各位备考清华的小伙伴在备考之余，或者初试之后，千万不要闲着，合理利用时间，掌握复试信息，准备考研复试才是成功上上策。 本文将通过分析目标院校成绩查询时间、复试分数线、复试内容、复试时间和地点、资格审查、复试体检、复试调剂、复试名单、复试经验等，帮助考生复试备考时充分掌握到目标院系复试信息，有助于考生根据复试资讯，制定复试计划，掌握复习方法，使考生及早进行有针对性的复试准备，提前熟悉复试流程、复试题型，保证在成绩公布后可以快速进入复试状态，轻松通过考研最后一关。 清华航天航空学院简介 2004年5月18日，清华大学航天航空学院（School of Aerospace Engineering，Tsinghua University）正式成立。学院在航天航空方面注重与国内外的著名航空航天院校、研究所建立长期、良好的合作关系，在学院成立之前的2003年，清华大学就与中国一航签订在科研合作和人才培养方面的协议。同年，美国通用电气公司（GE）发动机公司在清华大学设立喷气推进联合研究中心。2005年，清华大学－沈阳飞机设计研究所联合研究中心成立。目前航天航空学院下设航空宇航工程系、工程力学系和航空技术研究中心，宇航技术研究中心保持跨学科特色，挂靠航天航空学院。航空宇航工程系下设5个研究所，分别为工程动力学研究所、飞行器设计研究所、推进与动力技术研究所、人机与环境工程研究所和空天信息技术研究所；工程力学系下设4个研究所，分别为固体力学研究所、流体力学研究所、工程热物理研究所和生物力学与医学工程研究所。 清华大学往年成绩查询时间 2019年考研初试成绩查询时间：2月15日 2018年考研初试成绩查询时间：2月4日 2017年考研初试成绩查询时间：2月15日 2016年考研初试成绩查询时间：2月18日 复试分数线
清华大学日前宣布，今年起将从参加全国高考的应届高中毕业生中招收预备飞行学员，组成清华大学“飞行员班”，培养高层次、高素质的军事飞行领军人才。据悉，清华今年将招收32名“飞行员班”学员，毕业后将成为空军副连职军官，授予空军中尉军衔。 报名：限理科应届毕业生 清华招办有关负责人表示，“飞行员班”面向除西藏、香港、澳门、台湾地区外的30个省区市招生，今年计划招生32人。录取学生全部进入清华大学航天航空学院工程力学与航天航空工程(飞行员班)专业培养。 清华“飞行员班”招生对象为普通中学男性，理科应届高中毕业生，年龄不超过19周岁，具有所在考区正式户籍和所在学校正式学籍，符合空军招收飞行学员的政治、身体、心理素质等基本条件。 按照清华招办的安排，4月25日之前，报名考生须按通知的时间和地点进行初次检测。6月中下旬，初选、复选或初次检测通过的考生需根据通知到北京进行定选。对于北京、上海、黑龙江、辽宁、新疆的考生，只有初选、复选或初次检测通过后才可以在提前批次第一志愿填报清华大学“工程力学与航天航空工程（飞行员班）”专业。只有定选通过的考生才能进入清华大学最终考察名单。 清华大学不提前制定分省计划，将综合参考考生定选结果和高考成绩，在最终考察名单中择优录取，但录取考生的高考成绩最低不能低于清华大学在本省（自治区、直辖市）第一批次理科最低调档分数线下60分。参加“飞行员班”的检测不需要个人支付费用。初选、复选结果与自查结果相符的考生由空军报销自查费用和交通费用，检测期间免费提供食宿。定选期间报销交通费用，免费提供食宿。 北京、上海、黑龙江、辽宁、新疆的考生，初选、复选或初次检测通过后就可在提前批次第一志愿填报清华大学工程力学与航天航空工程(飞行员班)专业。其他省份考生，只有定选通过后才能获得报名资格。 录取：最多可降60分录取 清华招办表示，“飞行员班”学员除身体条件要过关外，对高考成绩也有较高的要求。据预计，今年录取分数可能在各省区市一本线60分以上。 据介绍，清华大学将综合参考考生定选结果和高考成绩，在最终考察名单中择优录取，但录取考生的高考成绩最低不能低于清华在该省区市第一批次理科最低调档分数线下60分。清华“飞行员班”在提前批次进行录取，未被录取者不影响其他志愿的正常录取。 清华“飞行员班”的学制为四年，前三年在清华航天航空学院学习，第四年在空军航空大学学习。完成联合培养本科4年学习要求并毕业的飞行学员，可获清华大学、空军航空大学两校的学历、学位证书。
清华大学数字电路题库 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）
B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +
航天航空学院 本科培养方案 一、培养目标 根据清华大学“加强通识教育基础上的宽口径专业教育，培养厚基础，宽口径复合型人才”的方针，航天航空学院毕业的本科生将具有工程力学、动力工程及工程热物理、航空宇航科学与技术领域的理论基础，基本掌握所学领域的专门知识；具有工程综合能力、创新意识、团队精神和社会责任感；具有较强的口头和书面交流能力；具有继续进行科学研究和探索的能力；了解所学技术领域的有关管理、政策和环境等知识；了解社会发展的历史、文化、哲学和艺术等。 二、学制与学位授予 本科学制四年，按照学分制管理机制，实行弹性学习年限。 授予学位：工学学士学位。 三、基本学分学时 培养方案总学分：174学分，包括春、秋季学期课程总学分142（选修数理基础科学班数学需147学分），夏季学期实践教学环节15+2？学分，综合论文训练15学分。 四、课程设置与学分分布 1．人文社会科学基础课 35学分 (1) 思想政治理论课4门14学分 10610183 思想道德修养与法律基础3学分(秋) 10610193 中国近现代史纲要3学分(春) 10610204 马克思主义基本原理4学分(秋) 10610214 毛泽东思想、邓小平理论和“三个代表”重要思想概论4学分(春) (2) 体育4学分 第1-4学期的体育(1)-(4)为必修，每学期1学分；第5-8学期的体育专项不设学分，其中第5-7学期为限选，第8学期为任选。体育课学分不够或不通过者不能本科毕业及获得学士学位。 (3) 外语4学分 大学英语教学实行目标管理和过程管理相结合的方式。学生入学后建议选修并通过4－6学分的英语课程后再参加《清华大学英语水平I》的考试。本科毕业及获得学士学位必须通过英语水平I考试。学生可选修外语系开设的不同层次的外语课程，以提高外语水平与应用能力。 日语、德语、法语、俄语等小语种外语课程的选课要求详见《学生手册》(2006)。 (4) 文化素质课13学分 本科培养方案设置文化素质课程八个课组：1. 历史与文化、2. 语言与文学、3. 哲学与人生、4. 科技与社会、5. 当代中国与世界、6. 艺术与审美、7. 法学、经济与管理、8.科学与技术。要求在以上八个课组中选修若干门课程，修满13学分，其中必须包含2门文化素质核心课程。 2．自然科学基础课程 37学分（35-40） (1) 数学课7门≥20学分
2020清华大学航天航空学院考研大纲目录参考书考研经验考研难度 解析-盛世清北 考研的时间短暂，会不会觉得怎么都不够用呢？考研的条款较多，会不会担心自己不符合报考条件？考研的科目较多，会不会复习错了科目等等一些列的问题，都是考研常见的。为了避免大家备考中出现问题，盛世清北老师总结了清华大学航天航空学院考研难度解析，关于招生目录，分数线，参考书，复试及备考经验等等问题以供参考！ 一、招生目录 对比2020年清华大学招生目录，清华航天航空学院考研招生目录发生了如下重大变化： 1、085232航空工程专业学位与085233航天工程专业学位取消； 2、080100力学专业2019年的4个研究方向取消，增加05方向力学；复试内容弹性力学及流体力学为2019年02及03方向结合； 3、080700动力工程与工程热物理专业复试科目取消了流体力学； 4、082500航空宇航科学与技术专业2019年的3个研究方向取消，增加04航空宇航科学与
技术方向，考试科目为960理论力学，复试科目材料力学。 5、新增085500机械专业学位，01航空工程方向，考试科目960理论力学，复试科目根据研究方向不同有所不同。 盛世清北老师解析： 清华航天航空学院2020年招生目录变化巨大，取消了2个专业，新增了1个专业，各个专业的研究方向也都发生了变化，一些考试科目发生了变化，例如960理论力学，需要重新查找考试大纲，参考书及历年真题，对于报考机械专业学位和航空宇航科学与技术专业的考生来说，难度会相对较大，报考的时间，建议衡量自己综合能力。 二、关于复试分数线 复试分数线，总分为310分，单科分数线分别为50，50，80，80 强军计划分数线，总分254，单科分数线35，30，52，52 士兵计划分数线，总分305，单科分数线50，50，80，80 2018年分数线 报考航天航空学院硕士研究生的考生，总分及单科达到以下分数线的可以参加相应的复试：1. 工学硕士（力学、动力工程及工程热物理、航空宇航科学与技术）: 政治50，外语50，业务课一80，业务课二80；总分：315。 2. 工程硕士（航空工程）：政治50，外语50，业务课一80，业务课二80；总分：315。 3. 强军计划（动力工程及工程热物理、航空宇航科学与技术）：政治50，外语50，业务课一80，业务课二80；总分：315。 盛世清北老师解析：
清华大学发展史 清华大学（Tsinghua University）是中国著名高等学府，坐落于北京西北郊风景秀丽的清华园,是中国高层次人才培养和科学技术研究的重要基地。 清华大学的前身是清华学堂，成立于1911年，当初是清政府建立的留美预备学校。1912 年更名为清华学校，为尝试人才的本地培养，1925 年设立大学部，同年开办国学研究院，1928年更名为“国立清华大学”。1937年抗日战争爆发后，南迁长沙，与北京大学、南开大学联合办学，组建国立长沙临时大学，1938年迁至昆明，改名为国立西南联合大学。1946年，清华大学迁回清华园原址复校。 1952年，全国高校院系调整后，清华大学成为一所多科性工业大学，重点为国家培养工程技术人才，被誉为“红色工程师的摇篮”。1978年以来，清华大学进入了一个蓬勃发展的新时期，逐步恢复了理科、经济、管理和文科类学科，并成立了研究生院和继续教育学院。1999 年，原中央工艺美术学院并入，成立清华大学美术学院。在国家和教育部的大力支持下，经过“211工程”建设和“985工程”的实施，清华大学在学科建设、人才培养、师资队伍、科学研究、国际合作、社会服务以及整体办学条件等方面均跃上了一个新的台阶。目前，清华大学设有16个学院，56个系，已成为一所具有理学、工学、文学、艺术学、历史学、哲学、经济学、管理学、法学、教育学和医学等学科的综合性、研究型、开放式大学。 清芬挺秀，华夏增辉。今天的清华大学面临前所未有的历史机遇，清华人将秉持“自强不息、厚德载物”的校训，发扬“爱国奉献，追求卓越”的优良传统、“行胜于言”的校风以及“严谨、勤奋、求实、创新”的学风，为使清华大学跻身世界一流大学行列，为中华民族的伟大复兴而努力奋斗。 1911年清华学堂成立 1912年更名为清华学校 1925年设立大学部
2003春季学期数字电子期末试题 教学站 班级 姓名 一、 按要求回答下列问题： 1. 用代数法化简 (1) )()(1C B A C B A C B A P ++?++?++= (2) P 2=AB +C B C A + 2. 对逻辑运算判断下述说法是否正确，正确者在其后（ ）内打对号，反之打×。 （1） 若X+Y=X+Z ，则Y=Z ；( ) （2） 若XY=XZ ，则Y=Z ；( ) （3） 若X ⊕Y=X ⊕Z ，则Y=Z ；( ) 3. 函数式F=C B A ⊕⊕写成最小项之和的形式，结果应为m ∑( )。 4. 用卡诺图化简: D C A C B A D C D C A ABD ABC F +++++=
5填空： （1） 由TTL 门组成的电路如图1所示，已知它们的输入短路电流为I is ＝1.6mA ，高电平输入漏电流I iH ＝40μA 。试问：当A=B=1时，G 1的（拉，灌） 电流为 mA ；A=0时，G 1的（拉，灌） 电流为 mA 。 & G 3 &&G 1G 2A B 图1 （2） TTL 门电路输入端悬空时，应视为 ；（高电平，低电平，不定）此时如用万用表测量其电压，读数约为 （3.5V ，0V ，1.4V ）。 （3） 集电极开路门（OC 门）在使用时须在 之间接一电阻（输出与地，输出与输入，输出与电源）。 6. 由TTL 门组成的电路如图2所示，G 1和G 2为三态门，分别写出R=100Ω和R ＝100k Ω时输出Y 的表达式。 X A B & & ≥1 G 1 G 2R G 3Y 图2
二、分析图3所示电路的逻辑功能，写出输出的逻辑表达式并化简，列出真值表，说明其逻辑功能。 A B & & & & & & & C Y 图3
2018年清华大学航天航空学院航空宇航科学与技术考研科目、参考书目、复习经验考试科目： 参考书目： 835理论力学及自动控制原理 《理论力学》清华大学出版社李俊峰 《自动控制原理》清华大学出版社吴麒 876热力学 《工程热力学》清华大学出版社朱明善 《工程热力学》高教出版社沈维道 《传热学》高等教育出版社第三版杨世铭陶文铨 《传热学》建筑工业出版社第三版章熙民等 875电工电子学和微机原理 《电工学》（上、下册）高等教育出版社秦曾煌 《计算机硬件技术基础》第二版清华大学出版社张菊鹏 828信号与系统 《信号与系统》上册下册高教出版社 2000年第二版郑君里等 《信号与系统引论》高教出版社 2009年3月第一版郑君里等 学习经验分享 一、参考书的阅读方法
（1）目录法：先通读各本参考书的目录，对于知识体系有着初步了解，了解书的内在逻辑结构，然后再去深入研读书的内容。 （2）体系法：为自己所学的知识建立起框架，否则知识内容浩繁，容易遗忘，最好能够闭上眼睛的时候，眼前出现完整的知识体系。 （3）问题法：将自己所学的知识总结成问题写出来，每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。 二、学习笔记的整理方法 （1）第一遍学习教材的时候，做笔记主要是归纳主要内容，最好可以整理出知识框架记到笔记本上，同时记下重要知识点，如假设条件，公式，结论，缺陷等。记笔记的过程可以强迫自己对所学内容进行整理，并用自己的语言表达出来，有效地加深印象。第一遍学习记笔记的工作量较大可能影响复习进度，但是切记第一遍学习要夯实基础，不能一味地追求速度。第一遍要以稳、细为主，而记笔记能够帮助考生有效地达到以上两个要求。并且在后期逐步脱离教材以后，笔记是一个很方便携带的知识宝典，可以方便随时查阅相关的知识点。 （2）第一遍的学习笔记和书本知识比较相近，且以基本知识点为主。第二遍学习的时候可以结合第一遍的笔记查漏补缺，记下自己生疏的或者是任何觉得重要的知识点。再到后期做题的时候注意记下典型题目和错题。 （3）做笔记要注意分类和编排，便于查询。可以在不同的阶段使用大小合适的不同的笔记本。也可以使用统一的笔记本但是要注意各项内容不要混杂在以前，不利于以后的查阅。同时注意编好页码等序号。另外注意每隔一定时间对于在此期间自己所做的笔记进行相应的复印备份，以防原件丢失。统一的参考书书店可以买到，但是笔记是独一无二的，笔记是整个复习过程的心血所得，一定要好好保管。
教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章半导体器件 1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(b)。 (a)变宽(b)变窄(c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有(b)。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(a)。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压u i=150sinωt V如图2所示，试 画出电压u O的波形。 答案 D 2 D 1 u O + - 图1 图2
5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。 u I2 D 1 图1 图2 u I1u 答案 t 1:D 1导通，D 2截止 t 2:D 2导通，D 1截止 u i u i
第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。 2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。 (a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =0 7，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 U o CC U CC U (c) (d) - o u o V
第1章 电路理论及分析方法习题(共9题) （注：英文习题采用美国电路符号） 1.1（直流电源功率）图1.1所示电路，求各电流源的端电压和功率，并判断出哪个电流源输出功率，哪个电流源吸收功率。已知：I S1=1 A, I S2=3A, R 1=5Ω, R 2=10Ω。 （答案：U S1= -10V , U S2=40V , P S1=10W, P S2= -120W ） 1.2 图1.2所示电路，求8Ω电阻两端的电压U R 和恒流源的端电压U S 各是多少。 （答案： U R = -32V ，U S = -40V ） 1.3 图1.3所示电路，求2A 恒流源的功率。（答案： P = -24W ） 1.4 (仿真习题)用仿真的方法求图1.4所示电路中的I 1 和I 2 。 （答案：I 1=0.5A 、I 2=2A ） 说明：1、要求自己下载Multisim 仿真软件，可以是Multisim2001、V7~V10等版本 中的任一种。 2、自学第10章 Multisim 电路仿真有关内容。 3、仿真题作业要求有仿真电路图和仿真的数据结果，图和数据结果可以打印 也可以手写。 图1.1 习题1.1的图 R I S2 U S1 图1.4 习题1.4的图 18V 图1.2 习题1.2的图 20 V + - U R 图1.3 习题1.3的图 8 V
1.5 (电源模型的等效互换法)Use source transformations to find the voltage U across the 2mA current source for the circuit shown in Figure 1.5. (Answer: U = 1.8 V) 1.6 (戴维宁定理)Using Thevenin’s theorem, find the current I through the 2V voltage source for the circuit shown in Figure 1.6.（Answer ： I=5A ） 1.7 （戴维宁定理，结点电位法）图1.7所示电路，已知 R 1=1k Ω, R 2=2k Ω, R 3=6k Ω, R 4=2k Ω, R 5=4k Ω,。用戴维宁定理和结点电位法两种方法求电流I 3。（答案：-0.5mA ） 1.8 （解题方法任选）如图1.8所示电路，当恒流源I S 为何值时，它两端的电压U S ＝0。（答案：-1.5A ） 1.9 (仿真习题) 图1.9所示电路，用仿真方法求电流I ，用直流工作点分析法求A 、B 、C 三个结点电位（答案：I = 2.6 A ， V A = 7.8 V ，V B = 2.8 V ，V C = 10 V ） 2V Ω Ω Figure 1.6 图1.7 习题1.7的图 +12V R 图1.8 习题1.8的图 - U Figure 1.5 图1.9 习题1.9的图 12 V Ω
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?2313810，电子电量
清华大学数字电路题库 一、填空题: （每空1分，共10分） 1．(30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题：(选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门
3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形u I 和输出波形u O 如下图所示，则该电路为（）。
A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、B、C、D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A + 2、用卡诺图法化简为最简或与式 Y= + C +A D，约束条件：A C + A CD+AB=0 四、分析下列电路。（每题6分，共12分） 1、写出如图1所示电路的真值表及最简逻辑表达式。
第1章电路的基本定律与分析方法 【思1.1.1】(a) 图U ab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2＝－I1＝－1A。 (2) I2＝0，所以此时U CD＝0，但V A和V B不一定相等，所以U AB不一定等于零。 【思1.1.3】这是一个参考方向问题，三个电流中必有一个或两个的数值为负，即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。 【思1.1.4】(a) 图U AB＝U1＋U2＝－2V，各点的电位高低为V C＞V B＞V A。 (b) 图U AB＝U1－U2＝－10V，各点的电位高低为V B＞V C＞V A。 (c) 图U AB＝8－12－4×(－1)＝0，各点的电位高低为V D＞V B(V A＝V B)＞V C。 【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时，电位V C＝0；若将其滑动触点C右移，则V C降低。 【思1.1.6】(a) 当S闭合时，V B＝V C＝0，I＝0。 当S断开时，I＝ 12 33 +＝2mA，V B＝V C＝2×3＝6V。 (b) 当S闭合时，I＝－6 3 ＝－2A，V B＝－ 3 21 + ×2＝－2V。 当S断开时，I＝0，V B＝6－ 3 21 + ×2＝4V。 【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时，表示该元件吸收功率，为负载；当其电压与电流的实际方向相反时，表示该元件发出功率，为电源。 可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定，即将其先视为“负载模型”，如图1-2(a)所示，元件功率P＝UI。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝2A(电流实际方向与其正方向一致)，U、I实际方向一致，P＝UI＝10×2＝20W＞0(P值为正)，可判断A元件吸收功率，为负载。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝－2A(电流实际方向与其正方向相反)，U、I实际方向相反，P＝UI＝10×(－2)＝－20W＜0(P值为
盛世清北—专注清华大学考研|保研|考博辅导 https://www.doczj.com/doc/7f13421988.html, 清华航天航空学院推免拟录取名单（一） 清华航天航空学院推免院系简介 清华航天航空学院推免院系为国家培养高层次高水平的科技人才是学院的重要目标。自2003年起，校学术委员会同意工程力学系的本科生培养计划改为“工程力学与航天航空工程”，并在同年获得国务院学位委员会批准。清华航天航空学院推免院系现有约360名本科生，约380名研究生（180名博士生和200名硕士生），每年从国内外招收90名本科新生。2005年开设的航天员工程硕士研究生班，将为中国载人航天事业做出重要贡献。 力学和热科学是现代科学技术中历史悠久、发展迅速，应用广泛的专业，具有技术科学类的特点，其专业知识结构是许多产业和各类工程学科的理论和技术基础，是造就可纵览技术发展全局人才的摇篮。为了加强专业与特定工程部门的紧密联系，并为我国的国防建设培养高层次人材，2002年开始在工程力学系增设了国防定向的“飞行器设计与工程”专业。2002年开始招收国防定向生。 在清华航天航空学院推免院系的力学一级学科博士点中，现有固体力学、流体力学和一般力学与力学基础三个二级学科博土点，有工程热物理二级学科博土点和两个博士后科研流动站。固体力学、流体力学和工程热物理是国务院学位委员会批准的全国重点学科，且评分最高。2005年，我院增设航空宇航科学与技术学科硕士点。 清华航天航空学院推免（航空宇航科学与技术）拟录取名单公示： 清华航天航空学院推免生姓名性别 清华航天航空学院推免生毕业学校及院系、专业 清华航天航空学院推免生拟录取专 业及录取导师宋维民男西北工业大学飞行器设计与工程航空宇航科学与技术符松孙禹男华南理工大学 信息工程创新班 航空宇航科学与技术詹亚锋丁建琦男北京邮电大学应用物理航空宇航科学与技术李路明印明威男北京航空航天大学 飞行器制造工程 航空宇航科学与技术王天舒胡展男北京航空航天大学 飞行器设计与工程（航天工程） 航空宇航科学与技术郑钢铁张尚煜男山东大学通信工程航空宇航科学与技术黄振齐婷女南京邮电大学通信工程航空宇航科学与技术王有政蔡进铮男复旦大学生物医学工程航空宇航科学与技术王有政万森男北京航空航天大学 飞行器制造工程 航空宇航科学与技术李路明段超伟男 西安电子科技大学 信息工程 航空宇航科学与技术 詹亚锋
第三部分 习题与解答 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?23 13810 ，电子电量
)(C 1060217731.1q 19库伦-?=，则)V (2 .11594T V T = ，在常温（T=300K ）下，V T ==26mV 。当外 加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V >>，于是T V V s e I I ?=，这时正向电流 将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数 值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。PN 结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图所示.从式伏安特性方程的分析和图特性曲线（实线部分）可见：PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 2、什么是PN 结的反向击穿？PN 结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，PN 结发生击穿。 PN 结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结，一般反向击穿电压小于4Eg/q （E g —PN 结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN 的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。 雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结，一般反向击穿电压高于6 Eg/q 的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。 3、PN 结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？ PN 结电容由势垒电容C b 和扩散电容C d 组成。 图 PN 伏安特性
清华大学数字电路题库一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）
B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +
2020清华大学“全国优秀中学生工程科学创新挑 战营” 2018清华大学“全国优秀中学生工程科学创新挑战营” 为增进中学生对清华大学工程学科的了解，让中学生走进大学校园近距离感知学术氛围，激发中学生的科研兴趣、提高中学生的创新意识和实践能力，清华大学相关院系拟于2018年1月下旬在校园内举办2018年“全国中学生工程科学创新挑战营”，营内设置创意创新挑战赛、人居科学和建成环境设计赛、钱学森班创新挑战赛、未来化工与新材料创新赛、车身设计挑战赛、未来城市与智能建造创新赛、智慧能源与大数据创新赛、工程物理挑战赛、能源创新挑战赛、智能材料创制与应用创意挑战赛等10个项目。 一、报名条件 本次挑战营欢迎有志于投身工程学科研究，平时学业成绩优秀、在学科竞赛中表现突出或拥有科创和发明成果的普通高中毕业生申请，其中人居科学和建成环境设计赛与车身设计挑战赛要求参营学生具有绘画基础。 二、报名申请 学生需进行网上报名，在报名系统中填写申请表，提交成功后请将申请表进行打印，经所在中学核实加盖中学公章，连同其他申请材料一起扫描上传。 报名链接：http://xgmsszs.join- https://www.doczj.com/doc/7f13421988.html,/bz.wsbm_login.jsp?err=null，注册或登录后选择“工程科学创新挑战营”进行报名。 报名起止时间：2017年11月27日至12月20日24:00。 请按照以下要求网上填写并提交申请材料。 a)“成绩信息”需由中学审核盖章以证明成绩真实。
b)“附加信息”需逐项填写，并上传证明材料的扫描件或照片。 附加信息包括：高中阶段获得的省级(含)以上学科竞赛奖励情况;高中阶段参与的科学研究、创新实践、发明创作情况;高中阶段获得 的校级(含)以上个人荣誉情况等。 c)“申请理由”是初审的重要参考，请认真并据实分志愿填写(限1000字)。 三、参营程序 1、初审 专家组将对在规定期限内申请报名且内容和形式符合要求的申请材料进行评审，确定通过初审的参营名单。 报名学生可在2018年1月8日左右登录报名系统查询初审结果，初审通过的学生可打印《报到通知书》，学生需凭身份证及《报到 通知书》报到。 2、参赛 (1)创意创新挑战赛(由教务处、基础工业训练中心、电子系、自动化系、计算机系、电机系、机械系、精仪系、汽车系、热能系、 工业工程系联合举办) 通过48小时创客挑战赛的形式进行考核。具体方式为：借助提 供的创客开发工具、元件和设备，在一定的命题范围内，发挥自己 的创造力、学习能力、动手能力等综合创新能力，在48小时内做出 实物作品并进行演示，考核专家依据学生在48小时全过程中的表现 以及最终的作品展示进行评分。总计4天，包括一天的准备时间。 (2)人居科学和建成环境设计赛(由建筑学院举办) 绘画表达能力测试、设计课程(总计3天，完成设计和表现，模型、评图)及学科/专业面试。 (3)钱学森班创新挑战赛(由机械航空与动力类举办)