温度补偿衰减器PXV1220S-5dB-N2

离子平衡控制方式
约 2 sec
约 0.7 sec
±5 V
±10 V
0.8 m/s
3.5 m/s
3.1 m3/min
0.005 ppm 以下
NPN 集电极开路与无线电通讯压力节点信号
NPN 电极开路 100 mA（40 V 以下）
24 VDC ±10% 1.2 A 以下 0 至 +50˚C
35 至 65%（避免凝结水滴） 约 620g
应用示例
电池组检查 工程
HDD 生产线
小型电动机内置 静电消除
元件工程中的 省空间 静电消除
精密操作的 高精度 静电消除
基板静电消除
3
SJ-M040
在需要避免污垢、附着物的场所，方便地消除静电
附带气压枪的静电消除器
安装 SJ-MG01 时 SJ-M400 系列
附带脉冲气体功能的高压气体清洁
电磁信号控制功能使间歇性持续释放最大强度为 0.7 MPa 的离子流成为可能。 对吸附在表面不易去除的粉尘施加振动，不但可以达到除尘的目的，而且采用 间歇性空气供给比持续空气供给降低约 50％ 空气耗量。
电压输入方式
输入电压 限定输出电压
控制离子平衡方式
离子平衡
最大空气压力
连接管
控制输入
输入触发器
控制输出
警报 离子水平／状况警报
主要功能
特定规格 耐环境性 重量
电源电压 消耗电流 使用时的周围温度 使用时的周围湿度 静电消除器的头部 控制器部分
1. 设置距离 150 mm。无清洁空气时
SJ-M400 SJ-M040 脉冲 AC 方式 ±5.5 kV
❙ 传统产品（AC 方式）
生成离子 +

热光效应
通过加热氧化硅层，改变其折射率， 实现光路的开关和切换。
设计考虑因素
热响应速度
优化热响应速度，提高热光开关的开关速度和稳 定性。
光路设计
合理设计光路，减小光能损耗，提高热光开关的 光能利用率。
集成化与小型化
实现热光开关的集成化和小型化，满足现代光通 信系统的需求。
04
CATALOGUE
plcsio2mzi热光开关的应用实例
05
CATALOGUE
plcsio2mzi热光衰减器介绍
定义与特性
定义
plcsio2mzi热光衰减器是一种基于光热 效应的集成光学器件，通过加热方式实 现对光信号的衰减。
VS
特性
具有高精度、低插入损耗、低噪声等优点 ，广泛应用于光纤通信、光传感等领域。
工作原理
工作原理
plcsio2mzi热光衰减器利用光热效应，通过加热改变介质折射率 ，实现对光信号的衰减。
热处理与加工
对薄膜进行热处理和加工，以实现所需的热光效应和机械稳定性。
设计考虑因素
光学性能
衰减器应具有优异的光学性能，如高透光率 、低插入损耗等，以满足稳定性，以承受使 用过程中的振动和环境变化。
热稳定性
衰减器应具有良好的热稳定性，以确保在温 度变化时仍能保持稳定的性能。
工业自动化
在工业自动化领域，plcsio2mzi热光开关可用于控制和监测各种工业设备的运行状态，提高设备的稳 定性和可靠性。
医疗设备
光学成像
在医疗光学成像设备中，plcsio2mzi热光开关可用于控制和切换不同的光源和滤光片， 提高成像质量和设备性能。
激光治疗
在激光治疗设备中，plcsio2mzi热光开关可用于控制激光的输出功率和照射时间，提高 治疗效果和安全性。

一、判断题第一单元（物理基础）1、波动过程中能量传播是靠相邻两质点的相互碰撞来完成的。

（F）2、波只能在弹性介质中产生和传播。

（F）3、由于机械波是由机械振动产生的，所以波动频率等于振动频率。

（O）4、由于机械波是由机械振动产生的，所以波长等于振幅.。

（F）5、传声介质的弹性模量越大，密度越小，声速就越高。

（O）6、物体作谐振动时，在平衡位置的势能为零。

（O）78检。

910111213141516171819202122232425262728、界面上入射声束的折射角等于反射角。

（F）29、当声束以一定角度入射到不同介质的界面上，会发生波型转换。

（O）30、在同一固体材料中，传播纵、横波时声阻抗不一样。

（O）31、声阻抗是衡量介质声学特性的主要参数，温度变化对材料的声阻抗无任何影响。

（F）32、超声波垂直入射到界面时，声强反射率与声强透射率之和等于1.（O）33、超声波垂直入射到异质界面时，界面一侧的总声压等于另一侧的声压。

（O）34、超声波垂直入射到Z2>Z1的界面时，声强透射率大于1，说明界面有增强声压的作用。

（F）35、超声波垂直入射到异质界面时，当底面全反射时，声压往复透射率与声强透射率在数值上相等。

（O）36、超声波垂直入射时，界面两侧介质声阻抗差愈小，声压往复透射率愈低。

（F）37、当钢中的气隙（如裂纹）厚度一定时，超声波频率增加，反射波高也随之增加。

（O）38、超声波倾斜入射到异质界面时，同种波型的反射角等于入射角。

（F）39、超声波倾斜入射到异质界面时，同种波型的折射角总是大于入射角。

（F）40、超声波以10°角入射到水/钢界面，反射角等于10°。

（O）41、超声波入射到钢/水界面时，第一临界角约为14.5°。

（F）42、第二介质中折射的横波平行于界面时的纵波入射角为第一临界角。

（F）43、如果有机玻璃/铝界面的第一临界角大于有机玻璃/钢界面的第一临界角，则前者的第二临界角也一定大于后者。

热释电红外线传感器D204S标准规格和尺寸窗口尺寸4*3mm红外接受电极2.6*1mm，2elements封装TO-5接收波长5—14μm 透过率≥75%输出信号峰值[Vp-p]≥3500mV 灵敏度≥3300V/W 探测率(D*) 1.4×108cmHz 1/2/W噪声峰值[Vp-p]<80mV 输出平衡度<10%源极电压0.3~1.2V 电源电压3~15V 工作温度范围-30~70ºC 保存温度范围-40~80ºC注意：1.不要在超出产品规格范围的情况下使用本产品.2.在产品封样过程中，双方对承认书需书面确认。

以便保证批量产品无误。

3.本说明书中提到的应用电路仅作为标准使用范例.请注意根据外围设施来设计电路并调整参数设置.4错误的使用，会导致危险和人身伤害。

产品概述热释电红外线传感器是利用材料自发极化随温度变化的特征来探测红外线辐射的传感器，采用双灵敏元设计，抑制环境温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。

本产品应用广泛，例如智能玩具，自动灯开关，感应门等，特别适用于智能玩具应用场合。

入射视角图等效电路图输出触发模式测试方法测量条件♦环境温度25ºC♦黑体温度420K(@147˚C)♦调制频率1赫兹,0.3-3.5赫兹△f♦放大倍数72.5dB测量条件双元传感器的灵敏平衡度是通过测量每个单元的灵敏度（即单个输出峰值电压），并采用下列公式计算得出。

平衡度=|VA-VB|/(VA+VB)×100%VA=A面的灵敏度(mVp-p)VB=B面的灵敏度(mVp-p)典型应用电路注意:U1A-D:LM324电源:12VDCRs=47KΩ，作为参考电压设置电阻模拟PIR+数字芯片典型应用模拟PIR+数字芯片（ISB01）应用参考图注意事项一、电路设计方面1.PIR与其他器件的连线要越短越好，双面板或多层板上，该连线下方尽量不要走线，尤其是不能有大电流的走线。

硅基温度补偿衰减器
硅基温度补偿衰减器是一种在电子设备中常见的元件，它具有重要的功能和作用。

它能够根据温度的变化，自动调整其衰减程度，从而确保电子设备的正常工作。

在现代电子通信领域，温度对于电子设备的性能和稳定性有着重要的影响。

温度的变化会导致电子元件的参数发生变化，进而影响整个电子系统的工作。

为了解决这个问题，硅基温度补偿衰减器应运而生。

硅基温度补偿衰减器的工作原理基于硅材料的热敏特性。

硅材料在不同温度下的电导率和衰减特性会发生变化。

通过利用这一特性，硅基温度补偿衰减器可以在不同温度下自动调整其衰减程度，从而保持信号的稳定和准确。

具体而言，硅基温度补偿衰减器内部包含了一个硅材料制成的可调衰减器。

这个可调衰减器的衰减程度可以根据温度的变化进行自动调整。

当温度升高时，硅材料的电导率会增加，衰减程度也会相应增加，从而保持信号的稳定。

反之，当温度降低时，硅材料的电导率会减小，衰减程度也会相应减小，以保持信号的准确传输。

硅基温度补偿衰减器的应用十分广泛。

它可以用于无线通信系统中的天线衰减控制、光纤通信系统中的信号衰减控制等。

通过使用硅基温度补偿衰减器，可以有效地提高电子设备的性能和稳定性，保
证信号的准确传输。

总的来说，硅基温度补偿衰减器是一种重要的电子元件，它能够根据温度的变化自动调整衰减程度，以保持信号的稳定和准确传输。

它在电子通信领域具有广泛的应用，并且在提高设备性能和稳定性方面发挥着重要作用。

随着科技的不断进步，硅基温度补偿衰减器的研究和应用将会越来越深入，为电子通信领域带来更多的发展机遇。

传统通信系统
2. 应用于低噪声放大器
使用温度补偿衰减器的通信系统
● 若环境温度改变，低噪声放大器的增益也会随温 度的变化而改变，温度特性变差。
● 可改善低噪声放大器温度特性。
+
=
● 若输出端意外出现开路，往往输出端的反射会 造成低噪声放大器的损坏。
损坏 低噪放
输出端反射
意外 开路
输入 低噪声放大器 功率放大器
增加温度补偿衰减器 增益与温度响应（线性补偿）
+
=
功率放大器增益随温度上升而减小，TCA衰减量随温 度上升而减小，可获得线性补偿。
输入
输出
为什么需要在末前级增加高功率温度补偿衰减器？
一、因为在末前级功率较大，衰减器必须能承受高 功率 的输入信号。
二、功率放大器的主要热源在末级，末前级的PTCA 可实时准确的改善功放的温度特性。
温度补偿衰减器应用
1.应用于功率放大器 2.应用于低噪声放大器 3..天线
1. 应用于功率放大器
传统功率放大器增益与温度响应
传统解决方案
-采用自动增益控制电路
自动增益 控制电路
输入
输出
自动增益控制电路稳定增益
随环境或系统温度的升高，功率放大器 增益下降，输出功率降低，效率降低。
输出
● 若输出端意外出现开路，输出端的反射会被 TCA部分隔离，起保护低噪声放大器的作用。
·温度补偿作用 ·隔离反射 ·保护模块
输出端反射
意外 开路
输入
TCA
输出
低噪声 放大器
温度补偿 衰减器
功率 放大器
三、有隔离作用，也可用于前级或级间，减小多级 功放相互影响。
温度补偿衰减器优势：

黄 杏丽 秦 希 秦 亚杰 黄 煜梅 洪 志良
（ 复 旦 大 学 专 用 集 成 电 路 与 系 统 国家 重 点 实 验 室 ， 上海 ， ２ Ｏ １ ２ Ｏ ３ ）
２ ０ １ ２ — １ １ — ２ ６收 稿 ， ２ Ｏ ｌ ３ － ０ １ — ３ ０收 改稿
摘要 ： 设 计 实 现 了一 个 具 有 温 度 补 偿 的 宽带 Ｃ ＭＯ Ｓ可 变 增 益 放 大 器 ， 该 可 变 增 益 放 大 器 的 核 心 电路 由 三 级 基 于改进型 Ｃ ｈ ｅ ｒ ｒ ｙ — Ｈｏ ｏ ｐ ｅ ｒ 结 构 的可 变 增 益 单 元 级 联 而 成 ， 并 通 过 一 种温 度 系 数 增 强 的 且 可 编 程 的 偏 置 电 路 和 增 益 控 制 电路 对 可 变 增 益放 大 器 的增 益进 行温 度 补 偿 。采 用 中 芯 国 际 ０ ． １ ３ ｍ Ｃ ＭＯＳ工艺 流 片 ， 测 试 结 果 表 明 可 变 增 益放 大器的可变增益 范围为一１ ３ ～２ ７ ｄ Ｂ， 经 过温度补偿后 ， 在 相 同增 益 控 制 电 压 下 其 增 益在 Ｏ ～７ ５ 。 Ｃ 温 度 范 围 内 的 变 化 范 围不 超 过 ３ ｄ Ｂ。可 变 增 益 放 大 器 的 ３ ｄ Ｂ带 宽 为 ０ ． ８ ～３ Ｇ Ｈｚ ， 输入 １ ｄ Ｂ压 缩 点 为 一５ Ｏ ～一２ １ ｄ Ｂ ｍ， 在１ ． ２
第３ ３ 卷 第３ 期
２ ０ １ ３ 年６ 月
固体 电子 学 研 究 与进 展
Ｒ Ｅ Ｓ Ｅ Ａ Ｒ Ｃ Ｈ ＆Ｐ Ｒ Ｏ Ｇ Ｒ Ｅ Ｓ Ｓ Ｏ Ｆ Ｓ Ｓ Ｅ
Ｖｏ １ ． ３ ３， Ｎｏ ． ３
Ｊ ｕ ｎ ． ，２ ０ １ ３
一
种 具有 温 度 补偿 的 宽带 Ｃ ＭＯＳ 可 变 增 益 放 大 器

N6、N7、N8、N9七种温度特性，全系列总共70种温度特性组合。另，可根据客户要 求，提供N10或N11等斜率较大的温度系数代码的特制产品。 z 采用100%激光调阻，衰减量精度高。 z 可靠性高，采用先进的厚膜工艺技术通过850℃高温烧结而成。 z 零失真，几乎没有温度变化引起的相位变化或时延变化，零噪声。 z 正向起温度补偿，反向有隔离器的作用，更适合于多级功放。 z 不会产生额外的三阶交调（IP3），可直接安装在线性功放里。
12
技术支持与服务
欢迎索取免费样品及测试治具
STCA 系列
MTCA 系列
测试治具 测试PCB板
测试治具 测试PCB板
TCA、BTCA系列
测试治具 测试PCB板
13
类别 外观检查 静态阻值 温度冲击
低温 温度循环 高温烘烤 Burn in 附着力
和 可焊性
功率

6
频率特性
TCA 系列的频率特性 @1~10dB（25 ℃）

7
性能优势
z 频率范围: DC to 3 GHz, DC to 6 GHz, DC to 12.4 GHz, DC to 18 GHz。 z 输入功率: 100mW, 200mW, 2W。 z 阻抗: 50Ω or 75Ω。 z 工作温度: -55 ℃ to +150 ℃。 z 衰减量范围从1dB至10dB，具有10种类型的衰减量，每种衰减量具有N3、N4、N5、
功率寿命试验：70℃下加相应功率的1GHz的射频信号，90分钟加 载，30分钟不加载，持续1000小时
测试比率 100% 100% 100%
每批次3‰-5‰ 每批次3‰-5‰ 每批次3‰-5‰ 每批次3‰-5‰
每批次3‰-5‰ 每批次3‰-5‰ 每批次3‰-5‰

衰减器参数
衰减器的参数主要包括以下几类：
1.衰减量：这是描述传输过程中信号减少的量值，通常用分贝（dB）表示。

2.通频带：这是衰减器能够正常工作的频率范围。

3.输入输出阻抗：衰减器的输入输出阻抗应该与信号源和负载的阻抗匹配，以确保最小的信号反射。

4.温度系数：对于高精度应用来说，这是一个非常重要的参数，它表示在不同温度下衰减量的变化情况。

5.功率承受能力：最大输入功率和最大输出功率。

6.平均衰减量：在通频带内的平均衰减量。

7.相对于中心频率的衰减量变化：衰减器的频率响应曲线可以确定它是否适合特定的应用场景。

8.插入损耗：这是衰减器引入信号的额外损耗，一般用分贝表示。

9.VSWR（比驻波比）：这是衰减器的“驻波”情况，用于评估衰减器与电路的匹配程度。

10.冷端温度：这可以影响衰减器的稳定性和可靠性，对高精度应用来说非常重要。

这些参数会根据具体应用需求和性能标准进行选择和优化。

薄膜温补衰减器，键合-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述薄膜温补衰减器作为一种重要的微波器件，广泛应用于无线通信、雷达、导航系统等领域。

它通过调节微波信号的功率，实现对信号的衰减。

在实际应用中，薄膜温补衰减器具有体积小、衰减范围广、精度高等优点，因此备受关注。

本文主要对薄膜温补衰减器的原理和应用进行探讨，以期加深对该器件的理解和研究。

首先，我们将介绍薄膜温补衰减器的工作原理，包括温补材料及其特性、温度传感器以及衰减机构等方面的内容。

其次，我们将探讨薄膜温补衰减器在实际应用中的具体应用情况。

我们将以无线通信和雷达系统为例，阐述薄膜温补衰减器在信号调节、控制和保护等方面的功能和作用。

同时，我们将介绍一些典型的应用案例，以帮助读者更好地理解和应用薄膜温补衰减器。

最后，在结论部分，我们将对本文进行总结，并对薄膜温补衰减器未来的发展进行展望。

薄膜温补衰减器作为一种关键的微波器件，在无线通信和雷达等领域具有广阔的应用前景。

随着技术的不断进步和创新，薄膜温补衰减器有望在尺寸、性能和可靠性等方面进一步提升，为相关领域的发展提供强大支持。

通过本文的阐述，读者将能够全面了解薄膜温补衰减器的工作原理和应用，并具备更深入的研究和应用该器件的能力。

同时，本文也将为相关领域的科研人员提供宝贵的参考和借鉴。

在未来的研究中，我们期待能够进一步推动薄膜温补衰减器的发展，为无线通信和雷达等领域的技术进步做出更大的贡献。

1.2 文章结构文章结构部分的内容可以包括以下内容：本文首先引入了薄膜温补衰减器的概念和应用领域，并介绍了文章的整体结构。

接下来将详细探讨薄膜温补衰减器的原理和应用。

在2.1节中，将介绍薄膜温补衰减器的工作原理，并详细解释其中的机制和原理。

通过对温补衰减器结构和材料的分析，读者将能够更好地理解薄膜温补衰减器的工作原理。

在2.2节中，将介绍薄膜温补衰减器在实际应用中的情况。

这将包括薄膜温补衰减器在通信系统、微波电路和其他领域中的具体应用案例。

一种温补衰减器的制备方法与流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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温度补偿衰减器工作原理温度补偿衰减器，这名字听起来就有点高大上，对吧？其实它的工作原理可没那么复杂，咱们一起轻松聊聊。

温度变化对设备的影响可不小，特别是在那些对信号强度要求高的领域。

想象一下，你在炎炎夏日里，空调一开，房间瞬间凉快；可信号强度却可能因为这温差而变得捉摸不定，真是让人苦恼。

温度补偿衰减器就是为了解决这个“温差不和谐”的问题而生的。

什么是温度补偿衰减器呢？简单说，它就像个小帮手，随时准备调整信号强度，以应对温度变化。

听起来是不是很酷？比如，温度升高时，信号强度可能会变强，反之亦然。

这个时候，温度补偿衰减器就会自动“出马”，通过调节信号，确保你不论在什么温度下，都能享受到稳定的体验。

这就像你在大热天里喝冰饮料一样，清凉又舒爽，心里那个美呀。

咱们来深入了解一下它的具体原理。

温度补偿衰减器一般采用一些特殊材料，这些材料对温度的敏感度很高。

哎，你可以想象它们就像是神经末梢，感知到环境的微妙变化，马上做出反应。

一旦温度上升，这些材料会迅速改变自己的电阻，进而影响到信号的传输路径。

就好比你换了一条更顺畅的路，开车的时候别提多快多稳了。

通过这种方式，信号强度可以保持在一个理想的范围内，真是一举两得。

不过，很多朋友可能会问，这种衰减器有什么实际应用呢？嘿，别着急，举个例子。

你想象一下在一个大型的通信基站里，温度变化可能是非常频繁的，尤其是夏天。

当外面热得像蒸笼时，设备内部的温度也会随之升高。

如果没有温度补偿衰减器，信号可能会受到影响，用户体验就惨了，大家可能会抱怨网络慢，真是让人头疼。

可是有了这个小家伙，信号稳如老狗，大家上网都流畅，心情也跟着变好，简直是“如鱼得水”！温度补偿衰减器在很多高科技产品中也扮演着关键角色，比如手机、卫星通信等。

你想啊，手机就是个小小的“信息搬运工”，随时随地传递信号，没点儿稳定的技术支持可不行。

而温度补偿衰减器正是让这“搬运工”在不同环境下都能稳定工作的秘密武器。

没有它，恐怕你的手机在高温下就变得“心情不爽”，信号频繁掉线，简直让人抓狂！这个小设备的存在有时候就像生活中的小确幸，虽不显山露水，但却能在关键时刻拯救你。

R C L基础知识培训HK WACHING ELECTRONIC (GROUP) LIMITED2007-10被动电子元件基础知识培训1.电阻(Resistor)2.电容(Capacitor)3.电感(Inductor)How to call you ----Chip R C LWhat is 0805 →2012 ??? 0603→1608 ???08 :0.08 inches---Length of chip body05 :0.05 inches---Width of chip body But, in catalog---L=2.0; W=1.25Unit :mm ≠inchSo,L: 0.08 inches * 25.4 mm/inch=2.032mm W: 0.05inches * 25.4 mm/inch= 1.27mm电阻概述1.阻滞电流通过2.制程工艺1.厚膜(印刷)2.薄膜(真空溅镀)3.主要内容1.主要参数2.主要应用3.国巨电阻分类及命名规则主要参数1.阻值2.精度3.功率4.尺寸5.包装主要参数•阻值•常用标称阻值1.E24系列2.E96系列3.E192系列•精度•常用SMD电阻的精度1. F = 1%2.J = 5%•功率•常用SMD电阻的功率1.1/4W2.1/8W3.1/10W4.1/16W5.1/20W •尺寸•常用SMD电阻的尺寸1.12062.08053.06034.04025.0201•包装•常用SMD电阻的包装1.7英寸料盘主要参数主要应用1.电压分压2.电流采样3.信号处理4.上拉下拉•电压分压•信号处理•上拉下拉•电流采样主要应用国巨SMD电阻分类1.Single Resistor -RC Series2.Array Resistor -YC Series3.Low ohm Resistor –RL Series (Mini ohm)work Resistor -ATV Series (Attenuator)5.Varistor –VRS Series国巨电阻命名规则-Single ResistorRC0201J R–07100R L(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8)(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)Series Name SizecodeResistanceTolerancePacking style TCR Reel Type ResistanceTerminationL=LeadFreeRC = Thick film resistor020104020603080512061210121820102512B = ±0.1%C = ±0.25%D = ±0.5%F = ±1%J = ±5%P = ±0.02%W= ±0.05%R = Paper TapeK = EmbossedPlastic TapeB = Bulk BagC = ±15ppm/ °CD = ±25ppm/ °CE = ±50ppm/ °CM= ±75ppm/ °CF = ±100ppm/ °CG = ±200ppm/ °CI = ±300ppm/ °C–=Base on Spec.07= 7 inch10=10 inch13=13 inchExample0R221R10R100R1K10K100K10M国巨电阻命名规则-Array ResistorYC122-J R-0756R L(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)Series Name SizecodeResistanceTolerancePacking style TCR Reel Type Resistance TerminateL=LeadFreeYC = ArrayResistor122 = 2 x 0402124 = 4 x 0402164 = 4 x 0603B = ±0.1%C = ±0.25%D = ±0.5%F = ±1%J = ±5%P = ±0.02%W= ±0.05%R = Paper TapeK = EmbossedPlastic TapeB = Bulk BagC = ±15ppm/ °CD = ±25ppm/ °CE = ±50ppm/ °CM= ±75ppm/ °CF = ±100ppm/ °CG = ±200ppm/ °CI = ±300ppm/ °C–=Base on Spec.07= 7 inch10=10 inch13=13 inchExample0R221R10R 100R1K10K 100K10M(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)国巨电阻命名规则–Low ohm ResistorRL0805J R-070R22L(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8)(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)Series Name SizecodeResistanceTolerancePacking style TCR Reel Type Resistance TerminationL=LeadFreeRL= Low ohm Resistor 0603080512061210121820102512B = ±0.1%C = ±0.25%D = ±0.5%F = ±1%J = ±5%P = ±0.02%W= ±0.05%R = Paper TapeK = EmbossedPlastic TapeB = Bulk BagC = ±15ppm/ °CD = ±25ppm/ °CE = ±50ppm/ °CM= ±75ppm/ °CF = ±100ppm/ °CG = ±200ppm/ °CI = ±300ppm/ °C–=Base on Spec.07= 7 inch10=10 inch13=13 inch7W=IncreatePower RatingExample0R221R10R 100R1K10K 100K10M国巨电阻命名规则-Network ResistorATV321C R-073dB L(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)Series Name ResistanceTolerancePacking style TCR Reel TypeAttenuationValueTerminateL=LeadFreeATV321 = Attenuator B = ±0.2 dBC = ±0.3 dBD = ±0.5 dBF = ±1 dBG = ±2 dBR = Paper TapeK = EmbossedPlastic TapeB = Bulk BagC = ±15ppm/ °CD = ±25ppm/ °CE = ±50ppm/ °CM= ±75ppm/ °CF = ±100ppm/ °CG = ±200ppm/ °CI = ±300ppm/ °C–=Base on Spec.07= 7 inch10=10 inch13=13 inch1dB2dB3dB4dB5dB6dB7dB8dB9dB...20dB(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)关于衰减器•典型应用电路VCO37.4 Ω151 Ω151 Ω151 Ω151 Ω37.4 Ω-6dBAttenuator-6dBAttenuatorV RVoltage ControlledLow Pass FilterOutputFrequency-15dBm -27dBm-21dBm Level matching on VCO applicationR2R21234R1•Construction(1) Application of 1~6dB: impedance matchingFeedback circuitsignal(2)Application of 10~20d B:signal’s attenuatorVCOFiltersignalPAcomp Power Amplifier什么是0欧姆电阻0 ohm---its real name is Jumper The definition of Jumper:≤50 m ohms(0.05 ohms)电容概述1.两个导体之间加入介质就可以形成电容2.电容可以存贮电荷3.电容两端电压不能突变4.根据介质的不同, 电容的种类很多, 如陶瓷电容, 钽电解电容, 铝电解电容等5.接下来主要介绍多层陶瓷电容(MLCC)1.主要参数2.主要应用3.国巨(Yageo) MLCC非类和命名规则主要参数1.容值2.耐压3.材质4.精度5.尺寸6.包装7.ESR(等效串连电阻)主要参数•容值1 pF (pico) = 10-12F1 nF (nano)= 10-9 F = 103pF1 μF (micro) = 10-6 F = 103nF = 106pF1 mF (mini) = 10-3 F = 103μF = 106nF = 109nF主要参数•耐压•超过标称耐压值会导致电容烧坏•常用的MLCC电容的耐压值:• 6.3V•10V•16V•25V•50V•100V主要参数•材质•使用不同材质的陶瓷电容在不同温度时容值会发生变化•使用什么样材质的陶瓷决定了电容的温度特性(TC)•常用多层陶瓷电容的材质•NP0•X5R•X7R•Y5V•Z5U主要参数•材质•各种材质的陶瓷电容的温度特性Significant figure of tem p. coefficient of Capacitance (ppm/℃) Sym bol M ultiplier appliedto significantfigureSym bol Tolerance oftem p. coefficient(ppm)Sym bol0 0.3 0.80.91.01.52.23.34.7 7.5 CBUAMPRSTU-1-10-100-1000-10000110100100010000123456789±30±60±120±250±500±1000±2500GHJKLMNClass I Material : C0G (NP0: Negative Positive Zero)主要参数•材质•各种材质的陶瓷电容的温度特性Class II Material : X7R, X5R, Y5V, Z5ULow temperature (℃)Symbol High temperature (℃)Symbol Max. Cap.Change overtemp. range (%)Symbol-55 -30 +10XYZ+45+65+85+105+125+150+2002456789± 1.0± 1.5± 2.2± 3.3± 4.7± 7.5± 10± 15± 22+22 ~ - 33+22 ~ - 56+22 ~ - 82ABCDEFPRSTUVMLCC温度特性曲线各种材质电容特性总结•NPO是电容量和介质损耗最稳定的电容器，在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201711110391.2(22)申请日 2017.11.09(71)申请人 广东风华高新科技股份有限公司地址 526000 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城(72)发明人 廖进福　沓世我　付振晓　杨曌　罗俊尧　李保昌　(74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 44202代理人 周全英　郝传鑫(51)Int.Cl.H01P 1/30(2006.01)H01P 1/22(2006.01)(54)发明名称一种温度补偿衰减器(57)摘要本发明涉及一种温度补偿衰减器，其包括基片，所述基片上设有第一热敏电阻、第二热敏电阻、信号电极和地电极，所述第一热敏电阻为薄膜PTC热敏电阻；所述第二热敏电阻由至少一层导电层和至少一层薄膜NTC热敏电阻交替堆叠而形成，且最底层的所述导电层设于所述基片和最底层的所述薄膜NTC热敏电阻之间；所述信号电极与所述第一热敏电阻和薄膜NTC热敏电阻分别电连接，所述地电极与所述第一热敏电阻或所述薄膜NTC热敏电阻电连接。

本发明通过至少一层导电层和至少一层薄膜NTC热敏电阻交替堆叠而形成第二热敏电阻，这样可以在较大范围内灵活调节整体的阻值及电阻温度系数，从而实现温补衰减器的薄膜化及系列化。

权利要求书1页 说明书7页 附图7页CN 107946712 A 2018.04.20C N 107946712A1.一种温度补偿衰减器，其特征在于：包括基片，所述基片上设有第一热敏电阻、第二热敏电阻、信号电极和地电极，所述第一热敏电阻为薄膜PTC热敏电阻；所述第二热敏电阻由至少一层导电层和至少一层薄膜NTC热敏电阻交替堆叠而形成，且最底层的所述导电层设于所述基片和最底层的所述薄膜NTC热敏电阻之间；所述信号电极与所述第一热敏电阻和薄膜NTC热敏电阻分别电连接，所述地电极与所述第一热敏电阻或所述薄膜NTC热敏电阻电连接。