电子线路非线性部分第五版第一章功率放大器
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电子线路非线性部分习题解答第一章(1-20)第三章(3-5、3-6、3-7、3-8、3-9、3-18、3-22)3-5 试判断下图所示交流通路中,哪些可能产生振荡,哪些不能产生振荡。
若能产生振荡,则说明属于哪种振荡电路。
解:(a) 不振。
同名端接反,不满足正反馈;(b) 能振。
变压器耦合反馈振荡器;(c) 不振。
不满足三点式振荡电路的组成法则;(d) 能振。
但L2C2回路呈感性,ωosc < ω2,L1C1回路呈容性,ωosc > ω1,组成电感三点式振荡电路。
(e) 能振。
计入结电容C b'e,组成电容三点式振荡电路。
(f) 能振。
但L1C1回路呈容性,ωosc > ω1,L2C2回路呈感性,ωosc > ω2,组成电容三点式振荡电路。
3-6 试画出下图所示各振荡器的交流通路,并判断哪些电路可能产生振荡,哪些电路不能产生振荡。
图中,C B、C C、C E、C D为交流旁路电容或隔直流电容,L C为高频扼流圈,偏置电阻R B1、R B2、R G不计。
解:画出的交流通路如图所示。
(a)不振,不满足三点式振荡电路组成法则。
(b) 可振,为电容三点式振荡电路。
(c) 不振,不满足三点式振荡电路组成法则。
(d) 可振,为电容三点式振荡电路,发射结电容C b'e为回路电容之一。
(e) 可振,为电感三点式振荡电路。
(f) 不振,不满足三点式振荡电路组成法则。
3-7 如图所示电路为三回路振荡器的交流通路,图中f01、f02、f03分别为三回路的谐振频率,试写出它们之间能满足相位平衡条件的两种关系式,并画出振荡器电路(发射极交流接地)。
解:(1) L2C2、L1C1若呈感性,f osc < f01、f02,L3C3 呈容性,f osc > f03,所以f03 < f osc < f01、f02。
(2) L2C2、L1C1若呈容性,f osc > f01、f02,L3C3 呈感性,f osc < f03,所以f03 > f osc > f01、f02。
第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子,自由电子和空穴,载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动,因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体,在它们的交界面上,上述两种运动达到动态平衡,就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管,加上正向偏压时形成扩散电流,电流与电压呈指数关系,加反向电压时,产生漂移电流,其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用,对发射极正向偏置集电极反向偏置时,从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合,形成基极电流B I ,而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ,体现出B I 对C I 的控制,可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
4.场效应管场效应管是电压控制器件,它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流,因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区(即截止区)、横流区(即线性区)和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握:1.熟悉下列定义、概念和原理:自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区,PN 结,耗尽层,导电沟道,二极管单向导电性,晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管,场效应管的外特性,主要参数的物理意义。
1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压,阻挡层,耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答:PN 结的形成过程:当两块半导体结合在一起时,P 区的空穴浓度高于N 区,于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散;同理,N 区的电子浓度高于P 区,电子越过交界面由N 区向P 区扩散。
多子由一区扩散到另一区时,形成另一区的少子并与该区的多子复合,因此,在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子,另一侧留下带正电荷的施主离子。
<第1章 半导体器件的特性知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子,自由电子和空穴,载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动,因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体,在它们的交界面上,上述两种运动达到动态平衡,就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管,加上正向偏压时形成扩散电流,电流与电压呈指数关系,加反向电压时,产生漂移电流,其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用,对发射极正向偏置集电极反向偏置时,从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合,形成基极电流B I ,而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ,体现出B I 对C I 的控制,可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
[4.场效应管场效应管是电压控制器件,它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流,因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区(即截止区)、横流区(即线性区)和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握:1.熟悉下列定义、概念和原理:自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区,PN 结,耗尽层,导电沟道,二极管单向导电性,晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管,场效应管的外特性,主要参数的物理意义。
习题与思考题详解|1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压,阻挡层,耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答:PN 结的形成过程:当两块半导体结合在一起时,P 区的空穴浓度高于N 区,于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散;同理,N 区的电子浓度高于P 区,电子越过交界面由N 区向P 区扩散。