什么是高频可调电容
我们先了解下什么是可调电容：
可调电容在实际应用中具有与固定电容相同的功能，但是他的灵活性在于可以调整容量大小，通过改变这一数据，来实现与电感等元件实现电路的共振。
然后在了解下高频电容：
高频电容指在高频率下附加电感小，谐振频率高，介质损耗小的电容器，如高频滤波用的CC1系列高频瓷片电容和云母电容。
那么我们就了解到高频可调电容应该是指，谐振频率高而且可以灵活的调整容量大小的电容器。
高频可调电容和低频可调电容有什么区别
任何制造出来的电容器都不是理想的电容器，都存在电介质损耗，电介质损耗小的电容器适用于高频电路，电介质损耗大的只能工作于低频，这就叫电容器的频率特性。
电容器频率特性是指电容器工作在交流电路(尤其在高频电路中)时,其电容量等参数将随着频率的变化而变化的特性。电容器在高频电路工作时,构成电容器材料的介电常数将随着工作电路频率的升高而减小。此时的电损耗也将增加。不同种类的电容器介电参数不一样，它们在很多情况下都不可互相替代。
电容器的工作原理
电容器有一个充放电的时间问题。当交流电的正半周，给电容器充电的瞬间，电路是有电流流过的，相当于通路，一旦电容器充电完毕，则电路就没有电流流过了，相当于断路。当交流电的负半周到来时，又将产生电流，先抵消掉原来充在电容上的那个相反的电荷，在继续充电至充满。
现在假设电容器需要的充电时间t一定，则当一个频率较高的交流电正半周结束时，假设电容器容量够大，还未充满电，负半周就到来了，则这电路会一直流着电流，相当于这电容器对这个高频的交流电来说，是通路的。
如果这个交流电的频率较低，正半周将电容器充满电荷以后，负半周仍未到来，则电流会在中途断流，则电容器对于这个低频的交流电来说，就不是完全通路了。
如果充电的时间相对于交流电的半周期来将，是有较大比例的，那么就可以这个电容器对这个频率的交流电来讲，还没有完全断路，只是有一定的阻抗。
如果充电的时间相对于那个频率的交流电的半周期来讲，是极短的，那么电容器就可以认为完全断路，没有电流流过。
按照电容器这种“通高阻低”特性，于是就有了低频可调电容与高频可调电容这样的区分。
高频链中高频变压器的分析与设计 文章作者：四川成都西南交通大学龙海峰郭世明江苏南京国电南京自动化股份有限公司呙道静文章类型：设计应用文章加入时间：2004年9月6日14:54 文章出处：电源技术应用 摘要：高频链逆变技术用高频变压器代替传统逆变器中笨重的工频变压器，大大减小了逆变器的体 积和重量。在高频链的硬件电路设计中，高频变压器是重要的一环。叙述了高频变压器的设计过程。 实验结果证明该设计满足要求。 关键词：高频链；高频变压器；逆变器 引言 MESPELAGE于1977年提出了高频链逆变技术的新概念[1]。高频链逆变技术与常规的逆变技术最 大的不同，在于利用高频变压器实现了输入与输出的电气隔离，减小了变压器的体积和重量。近年来， 高频链技术引起人们越来越多的兴趣。 1 概述 图1是传统的逆变器框图。其缺点是采用了笨重庞大的工频变压器和滤波电感，导致效率低，噪 音大，可靠性差。另外，谐波含量大，波形畸变严重，与要求的优质正弦波相差甚远。
图2所示为电压源高频链逆变器的框图，该方案是当今研究的最先进方案[2]，也是本文中采用的方案。采用此方案有其一系列的优点，诸如，以小型的高频变压器替代工频变压器；只有两级功率变换；正弦波质量高；控制灵活等。高频变压器是高频链的核心部件，肩负着隔离和传输功率的重任，其性能好坏直接决定逆变器的性能好坏。不合格的变压器温升高，效率低，漏感严重，输出波形畸变大，直接影响电路的稳定性和可靠性，甚至损坏开关器件，导致实验失败。 2 高频变压器的设计 设计高频变压器首先应该从磁芯开始。开关电源变压器磁芯多是在低磁场下使用的软磁材料，它有较高磁导率，低的矫顽力，高的电阻率。磁导率高，在一定线圈匝数时，通过不大的激磁电流就能承受较高的外加电压，因此，在输出一定功率要求下，可减轻磁芯体积。磁芯矫顽力低，磁滞面积小，则铁耗也少。高的电阻率，则涡流小，铁耗小。各种磁芯物理性能及价格比如表1所列。铁氧体材料是复合氧化物烧结体，电阻率很高，适合高频下使用，但Bs值比较小，常使用在开关电源中。本文采用的就是铁氧体材料。 表1 各种磁芯特性比较表
电容器检验标准 一：电容器的主要参数： 1：标称容量：是指标注在电容器上的电容量（其单位为微法/UF和皮法/PF）。 2：允许误差：是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大误差。（电解电容的误差较大，大于±10%） 3：额定电压：是指电容器在规定的条件下，能够长时间工作所受的最高工作电压（额定电压通常标注在电容器上）。 4：绝缘电阻：绝缘电阻越大，表明此电容的质量越好。 二：电容器的参数标注方法： 1直标法：电将电容器的主要参数（标称容量、额定电压和误差）直接标注在电容器上，常用于电解电容或是体积较大的无极性电容上。 2：文字符号标注法：是采用数字或是字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。 ①：数字标注法：常用3位有效数字表示电容器的容量，其中前二位数字表示为有效数字，第三位表示有多少个0(104表示10X10000PF). ②: 字母与数字混合标注法: 如(4P7表示4.7P F、G1表示100UF、M1表示 0.1UF) 三: 电容器的检测: 测试工具: 指针式万用表 1: 电解电容器的检测: ①: 正负极性的确定: 有极性的铝电解电容器外壳上通常都标有+(正极) 或-(负极),末剪脚的电容器,长脚为正极,短引脚为负极. ②: 1 uF与2.2uF的电解电容器用RX10K档，4.7- 22uF的电解电容器用RX1K档, 47- 220uF的电解电容器用RX100档.
3:测试方法: 1: 电解电容器的检测： ①:根据电解电容器上所标示的容量,将万用表置于合适的量程,将二表短接后调零.黑表接电解电容的正极,红表接其负极,电容器开始充电, 万用表指针缓慢向摆动,摆动到一定的角度后,(充电结束后)又会慢慢向左摆动(表针在向左摆动时不能摆动到无穷大的地方)指针向左摆动后所指示的电阻会大于500K,若电阻值小于100K,则此电容器不合格. ②: 将二表对调后测量,正常时表针应立即向右摆动后向左摆动(摆动的大小应大于第一次的大小),且反向电阻应大于正向电阻.若测量电容时表针不动或第二次测量时表针的摆动大小小于第一次测量时的大小,则此电容器不合格. ③: 若测量电解电容器的正反向电阻时阻值都为0,则此电容器不合格. 2: 小容量电容器的检测: ①：用万用表RX10K档测量其二端的电阻值应为无穷大，若测得一定的 电阻值或阻值接近0，则此电容器不合格。
高頻變壓器噪音與裂CORE現象改善專案報告 一、概述: 1.高頻變壓器噪音,指電源單體在正常工作狀況下,人耳能聽到的尖銳的“滋滋”聲.聲音的產生是 由物體的掁動引起的,我們所說的噪音,是指變壓器在正常工作過程中,線圈磁CORE及由線圈和磁CORE所組成的整個變壓器,發生頻率在20KHZ以下的掁動(人耳所能聽到的頻率範圍在 20KHZ以下).應該說高頻變壓器(特別是反馳式)在高頻方波電流的激勵下,線圈將會有電流通斷的變化,磁CORE中的磁場出在不停的進行勵磁消磁的變化,勢必有線圈的伸縮掁動和磁CORE 的伸縮掁動,但電源的正常工作頻率在60KHZ~100KHZ左右,此時掁動產生的聲音超出人耳的聽力範圍,人耳是聽不到的,但當電源在工作過程中有間歇式掁蕩產生時,會引起線圈磁CORE間歇式掁動,特別是此掁蕩頻率接近線圈與磁CORE所組成的整個變壓器的固有掁動頻率時,易引發共掁現象.,此時將引發人耳所能聽到的噪音現象. 2.高頻變壓器的裂CORE指變壓器生產過程中(特別是烘烤後,或冷熱沖擊試驗後)出現的磁CORE 破裂的現象,(如下圖),CORE的破裂肯定是由受力引起的,而此力的產生(通過實驗所得),主要來源於膠固化過程和膠與磁CORE的熱脹冷縮的系數不同而產生的應力引起的. 二、案例、實驗分析: 1.******單體之變壓器25383-0001I,初期出現較為嚴重的異音現象,原工法如下圖: 消除異音的方法主要從: 1>.平衡鐵損與銅損; 2>.使變壓器磁CORE工作在較寬較穩定的Bm範圍. 3>.充分含浸線圈. 4>.緊密粘固磁CORE. 5>.消除電源線路中的間歇掁蕩現象等方面,在線路不變動的情況下有效的解決噪音問題,主 要是使變壓器充分含浸和盡可能的使磁CORE粘接牢固. 實驗一: A. 改變點膠工法,看磁CORE的粘合程度對異音現象的影響用不同的點膠工法做 25383-00001I變壓器4EA,工法如下: a.原工法,即兩邊夾紙片,中柱不點膠,異音現象嚴重. b.中柱塗白膠,兩邊夾紙片,邊柱四點固定,無明顯異音現象. c.中柱不塗膠,兩邊柱夾紙片,塗大格膠,有輕微異音. d.中柱點白膠,兩邊柱夾紙片,塗大格膠,無明顯異音. 由以上實驗可判定,異音現象與磁CORE中柱是否塗膠,即兩磁CORE是否緊密固定有較大關系,所以對點膠工法做如下改變. 通過做如上改變,********單體異音現象基本消除,但中柱所點膠在烘烤固化過程中將很大的應力作用在磁CORE中柱部分產品出現裂CORE現象.
陶瓷电容器简介及使用注意事项 1.分类 1类多层瓷介电容器，温度稳定性好，材料C0G或NP0（注意C0G里面的0是代表零，NP0里面的0也是代表零，不是英文字母O），随温度变化是0，偏差是±30ppm/℃、±0.3%或±0.05pF，这类电容量较小，耐压较低，主要用于滤波器线路的谐振回路中，但其中损耗小，绝缘电阻较高，制造误差J=±5% G=±2% F=±1%，执行标准：GB/T20141-2007 2类多层瓷介电容器，温度稳定性差，但容量大、耐压高， 例如：X7R 在-55℃～到+125℃内温度偏移±15%，X5R在-55℃～到+85℃内温度偏移也是±15%，Y5V在-30℃～到+85℃内温度偏移+22%～-82%，Z5U在+10℃～+85℃内温度偏移+22%～-56%，生产误差：K=±10%、M=±20%。 注意：生产电容器时产生的误差与温度偏差是不同的概念。 2类多层瓷介电容器主要用于旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中，执行标准：GB/T20142-2007 2.在使用贴片电容器的PCB设计中，用于波峰焊的焊盘尺寸与用于回流焊的 焊盘尺寸不同，因为焊料的量的大小会影响零件的机械应力，从而导致电容器破碎或开裂。 3.在PCB设计时巧用适当多的阻焊层将2个或以上电容器焊盘隔开。 4.在靠近分板线附近，电容器要平行排列，即长边与分板线平行，减少分板 时的裂缝。 5.自动贴片机装配SMD时，适当的部位支撑PCB是完全必要的，单面板时和 双面板时支撑都要考虑两面SMD的裂缝。
6.在波峰焊工艺中，粘着胶的选用和点胶位置及份量直接影响SMD焊接后的 性能稳定性，胶的份量以不能接触PCB中焊盘为准。 7.焊接中使用助焊剂： 7.1如果助焊剂中有卤化物多或使用了高酸性的助焊剂，那么焊接后过多 的残留物会腐蚀电容器端头电极或降解电容器表面的绝缘。 7.2回流焊中如果使用了过多的助焊剂，助焊剂大量的雾气会射到电容器 上，可能影响电容器的可焊性。 7.3水溶助焊剂的残留物容易吸收空气中的水，在高湿条件下电容器表面 的残留物会导致电容器绝缘性能下降，并影响电容器的可靠性，所以，当选用了水溶性助焊剂时，要特别注意清洗方法和所使用的机器的清洗力。 7.4处理贴好电容器的板时，过程中温差不能超过100℃，否则会引起裂缝。 8. 焊料的使用量为电容器厚度的1/2或1/3. 9. 使用烙铁焊接时，烙铁头的顶尖直径最大为1.0mm，烙铁头尖顶不能直接 碰到电容器上，要接触在线路板上，加锡在线路板与电容器之间。 10. 在搬运和生产过程中，电容器包装箱应避免激烈碰撞，从0.5米或以上 高度落下的单个电容器可能会产生电容器瓷体破损或微裂，应不能在使用。 11. 储存条件： 温度范围：-10℃～+40℃ 湿度范围：小于70%（相对湿度） 存储期：半年 如果超过了6个月（从电容器发货之日算起），在使用电容器之前要对其进行可焊性检验，同时高介电常数的电容器的容量也会随时间的推移
绕组高频效应及其对损耗的影响 1.集肤效应 1.1集肤效应的原理 图1.1表示了集肤效应的产生过程。图中给出的是载流导体纵向的剖面图，当导体流过电流（如图中箭头方向）时，由右手螺旋法则可知，产生的感应磁动势为逆时针方向，产生进入和离开剖面的磁力线。如果导体中的电流增加，则由于电磁感应效应，导体中产生如图所示方向的涡流。由图可知：涡流的方向加大了导体表面的电流，抵消了中心线电流，这样作用的结果是电流向导体表面聚集，故称为集肤效应。在此引进一个集肤深度〈skin depth〉的概念，此深度的电流密度大小恰好为表面电流密度大小的1/e倍： 一般用集肤深度Δ来表示集肤效应，其表达式为： (1.1) 其中：γ为导体的电导率，μ为导体的磁导率，f为工作频率。 图1.1.集肤效应产生过程示意图 图1.2.高频导体电路密度分布图
高频时的导体电流密度分布情形，大致如图1.2所示，由表面向中心处的电流密度逐渐减小。 由上图及式1.1可知，当频率愈高时，临界深度将会愈小，结果造成等效阻值上升。因此在高频时，电阻大小随着频率而变的情形，就必须加以考虑进去。 1.2影响及应用 在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外，为了削弱趋肤效应，在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来代替同样截面积的粗导线，这种多股线束称为辫线。在工业应用方面，利用趋肤效应可以对金属进行表面淬火。 考虑到交流电的集肤效应，为了有效地利用导体材料和便于散热，发电厂的大电流母线常做成槽形或菱形母线；另外，在高压输配电线路中，利用钢芯铝绞线代替铝绞线，这样既节省了铝导线，又增加了导线的机械强度，这些都是利用了集肤效应这个原理。 集肤效应是在讯号线里最基本的失真作用过程之一，也有可能是最容意被忽略误解的。与一般讯号线的夸大宣传所言,集肤效应并不会改变所有的高频讯号,并且不会造成任何相关动能的损失。正好相反，集肤效应会因传导体的不同成分，在传递高频讯号时有不连贯的现象。同样地，在陈旧的线束传导体上，集肤效应助长讯号电流在多条线束上的交互跳动，对于声音造成刺耳的记号。 2邻近效应 图2.1表示了邻近效应的产生过程。A、B两导体流过相同方向的电流IA和IB，当电流按图中箭头方向突增时，导体A产生的突变磁通ΦA-B在导体B中产生涡流，使其下表面的电流增大，上表面的电流减少。同样导体B产生的突变磁通ΦB-A在导体A中产生涡流，使其上表面的电流增大，下表面的电流减少。这个现象就是导体之间的邻近效应。 当流过导体的电流相同，导体之间的距离一定时，如果导体之间的相对面积不同，邻近效应使得导体有效截面面积不同。研究表明:导体的相对面积越大则导体有效截面越大，损耗相对较小。
陶瓷电容器的特性及选用 陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右，但由于许多人对其特性了解不足导致在使用上缺乏应有的重视。为达到部品使用的规范化和标准化要求，下面对陶瓷电容器的特性及我司使用中需要注意的事项做一概况说明： 一、陶瓷电容器特性分类： 陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用。陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器（1KV DC以上）和低压瓷介电容器（500V DC以下），现分述如下： 1．高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器） 该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压），目前我司常用的温度特性组别有CH（NP0）和SL 组，其常规容量范围对应如下： 表中温度系数α C =1/C（C 2 -C 1 /t 2 -t 1 ）X106（PPM/°C），是指在允许温度范围内，温度每变 化1°C，电容量的相对变化率。由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材
料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。因此当需要更高容量值的电容时，则只能在下面介绍的2类瓷介电容中寻找。 2、低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器） 该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压），其常用温度特性组别和常规容量范围对应如下： 中2R组为低损耗电容，由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。 对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器（亦称半导体瓷介电容器），例如：我司大量使用的26-ABC104-ZFX，但该类电容温度特性更差，绝缘电阻较低，只是因高介电材料，体积可以做得很小。因此只适用要求较低的工作电路。如选用较大容量电容，而对容量和温度特性又有较高使用要求，则应选用27类有机薄膜电容器。 3、交流瓷介电容器 根据交流电源的安全性使用要求，在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器，亦称Y电容，按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列，其用途和特性分类如下：
高频开关电源变压器的动态测试 （JP2581B＋JP619B材料功耗测量系统应用笔记之一） 1 引言 目前，对高频开关电源变压器电磁参数‘测试’大约使用两种方法：一种是用LCR表测量一些基本电磁参数，例如，开关电源变压器初次级电感、漏感、分布电容、绕组直流电阻以及匝比、相位等，我们称这种测试方法为’静态’测试；一种是将开关电源变压器放到主机上考核其工作情况，对已经定型生产的开关电源变压器，为考核外购磁芯质量，通过测量变压器工作温升判断磁芯的损耗比较直观简便。前一种方法因在弱场、低频低磁感应强度（例如Bm<0.25mT、f=1kHz）下测量，由于磁性材料特性的非线性、不可逆和对温度敏感，其在强场下工作与在弱场情况下工作电磁特性有很大不同。弱场下测量结果不能反映磁性器件工作在强场下的情况；后一种方法虽随主机在强场下应用，但不能得到被测器件电磁参数。磁芯损耗需要专用仪器才能测量。 高频开关电源变压器的上述测试分析现状影响了此类器件的开发和生产。 需要开发一种仪器或测试系统，这种测试系统能够模拟实际工作条件，完成对高频开关电源变压器主要电磁参数分析，例如，各种负载（包括满载和空载）情况下变压器初级复数阻抗z、有效初级电感L，通过功率Pth、功率损耗PT、传输效率η以及在指定频率下磁芯的传输功率密度等，我们称这种模拟实际工作条件的测试为‘动态’测试。作为磁性器件综合测试系统，还要求具有对磁芯材料功率损耗分析功能。在电磁机器进一步小型化、高频化和采用高密度组装情况下对器件进行‘动态’分析，对加速象高频开关电源之类的电磁器件开发、提高器件质量显得特别重要。 2 测试系统简介 JP2581B＋JP619B材料功耗及器件功率测量系统是一种交流电压、电流和功率精密测量装置。其主要测量功能、指标和测量精度非常适用于磁性材料和磁性器件（例如，开关电源变压器）研究开发和磁芯产品快速检测。该系统配套完整，自成体系，无需用户增加额外投资，系统主要测试功能如下： 1、软磁材料及器件交流功率损耗（总功耗PL , 质量比功耗 Pcm , 体积比功耗 Pcv）测量; 2、磁性材料振幅磁导率μa测量; 3、磁芯（有效）振幅磁导率(μa)e测量; 磁芯因素(AL)e.测量 以上测量均符合IEC367--1（或GB9632--88）标准中推荐的测量方法。 4、电感、电容及组成器件（例如，开关电源变压器）等效电磁参数的动态测量和分析; 5、由测量结果分析器件下列参数： z |z| Ls Rs Lp Rp C Q D。 测试系统具有如下使用、操作特点：
常见的变压器骨架规格 海宁市鼎盛电子元件厂 专业生产变压器骨架:EE10、EE13、EE16、EE19、EE20、EE22、EE25、EE28、EE30、EE33.EC 型骨架:EC22、EC25、EC28/28、EC28/34、EC35、UF型骨架:UF9.8、UF10.5、UF16、EFD 型骨架:EFD15、EFD20、EFD25、EFD2025塑料骨架，立式PQ等。 UU9.8
EF20 to West rear, to County Shen Liqun report guerrillas breakout Hou of action situation, boat via Zhejiang wuxing daughter town Shi, six people has a NI surname "spies" (enemy) midway tuogu landing tipsters, away from small town three in Xu, was day Elves Li Taishan Department captured, five people all killed, broken corpse sank Yu River in the. On January 18, 1943, when the Japanese army militiamen arrested 53 people in Wuzhen, transferred to the tomb of the former Japanese military
police command (in the "Tai" Jiang Yuan), the 28th in Shenyang North of jade bang massacred them. Hu Maosheng knife wounds woke up in the middle of them, crawling out from the dead, in the tomb of Gao Changhai residents, saved by bing. Such as Hu Maosheng, Gao Changhai is a witness to this tragedy. (B) in memory of "massacre" Xu Youyong yan tomb is the copper law. Copper originally was called Luo yan Tomb, because Eastern Han dynasty distinguished prose poems my father yan Tan bogey was buried in the town's water. Has a long history here, cultural atmosphere, and there are many old houses, and left many people with lofty ideals. Business flourished here, is the hub of four townships of agricultural and sideline products, wine culture has a long history. The outskirts of the town has left, "Huang Chi", originally Yue water hides
《光纤连接器检验技术标准》 一、外观检验： 二、组装性能： 2.1插芯：突出长度正常，弹性良好，有明显倒角，表面无任何脏污、缺陷及其他不良。2.2散件：各散件与适配器之间配合良好，无松脱现象，机械性能良好，有良好的活动性，表面无任何脏污、缺陷、破损、裂痕，颜色与产品要求相符，同批次产品无色差。 2.3压接：对光缆外皮及凯夫拉线的压接固定要牢固，压接金属件具有规则的压痕，无破损、弯曲，挤压光缆等不良。 三、端面标准： 根据附录1《光纤连接器端面检验规范》检验。 四、插损、回损技术标准： 五、端面几何形状（3D）标准：
六、合格品标识： 合格产品标识包括：出厂编号（每个产品对应唯一的出厂编号，由生产任务计划号加流水号组成）、型号规格、条码标签（根据客户要求可选）、产品说明书（根据客户要求可选）、3D 报告（根据客户要求可选）、环保标识（根据客户要求可选）、插/回损测试数据等。 七、产品包装： 7.1产品基本包装是：将光纤连接器盘绕成15-18cm直径的圈，连接头两端用扎带固定于线圈的对称中部，根据产品的不同型号扎紧方式有“8”和“1”字型扎法，以不松脱为原则，不能在光缆上勒出痕迹，0.9光缆使用蛇形管绑扎。特殊型号产品可根据相应《包装作业指导书》进行操作。将绑扎好的连接器头朝下放入对应已贴好标识的包装袋中封好袋口，并将包装袋中的空气尽量排除但不能将连接器挤压变形。 7.2基本包装完成后以整数为单位装入包装箱内，包装箱内部用卡板或气泡袋或珍珠棉或其他防挤压保护辅料隔开，特殊型号产品可根据相应《包装作业指导书》进行操作。包装箱外贴上装箱清单和其他产品标识后封箱打包并放置到指定成品区。 八、各零部件技术标准： 8.1插芯： 8.1.1产品符合以下标准： YDT 1198-2002 《光纤活动连接器插针体技术要求》 Telcordia GR-326-CORE 8.1.2详细技术要求见附录2《常规插芯技术标准》。 8.2光纤/光缆： 8.2.1产品符合以下标准： YDT 1258.1-2003 《室内光缆系列第一部分总则》 YDT 1258.2-2003 《室内光缆系列第二部分单芯光缆》 YDT 1258.3-2003 《室内光缆系列第三部分双芯光缆》 YDT 1258.4-2005 《室内光缆系列第四部分多芯光缆》 YDT 1258.5-2005 《室内光缆系列第五部分光纤带光缆》 YDT 1258.3-2009 《室内光缆系列第3部分：房屋布线用单芯和双芯光缆》 YDT 908-2000 《光缆型号命名方法》 8.2.2性能、尺寸、材质、颜色、环保等符合国家相关行业标准。产品颜色在同一批次的同一规格型号上必须保持一致。
电容器应用发展趋势 电容器是电子电路中的基本元件之一，有重要而广泛的用途。按应用分类，大多数电容器常分为四种类型：交流耦合，包括旁路（通交流隔直流）；去耦（滤除交流信号或滤除叠加在直流信号上的高频信号或滤除电源、基准电源和信号电路中的低频成分）；有源或无源RC滤波或选频网络；模拟积分器或采样保持电路（捕获和存储电荷）。 现在高速高密度已成为电子产品的重要发展趋势之一。与传统的PCB设计相比，高速高密度PCB设计面临不少新挑战，对所使用的电容器提出很多新要求，很多传统的电容器已不能用于高速高密度PCB。本文结合高速高密度PCB的基本特点，分析了电容器在高频应用时 主要寄生参数及其影响，指出了需要纠正或放弃的一些传统认识或做法，总结了适用于高 速高密度PCB的电容器的基本特点，介绍了适用于高速高密度PCB的电容器的若干新进展。 大量的理论研究和实践都表明，高速电路必须按高频电路来设计。对高速高密度PCB中使用的电容器，基本要求是高频性能好和占用空间小。实际电容器都有寄生参数。对高速 高密度PCB中使用的电容器，寄生参数的影响尤为重要，很多考虑都是从减小寄生参数的影响出发的。 然而，研究表明：电容器在高频应用时，自谐振频率不仅与其自身的寄生电感有关， 而且还与PCB上过孔的寄生电感、电容器与其它元件（如芯片）的连接导线（包括印制导线）的寄生电感等都有关系。如果不注意到这一点，查资料或自己估算的自谐振频率可能 与实际情况相去甚远。另外，在高频应用时，集肤效应和分布参数使连接导线的电阻明显 变大，这部分电阻实际上相当于电容器等效串联电阻的一部分，应一并加以考虑。 2 适用于高速高密度PCB 的电容器的基本特点 在高速高密度PCB设计中，虽然不同的具体应用对电容器的具体要求不尽相同，但大 多要求电容器具有以下基本特点。 ? 2.1 片式化 ?片式电容器的寄生电感几乎为零，总的电感可以减小到元件本身的电感，通常只是传统电容器寄生电感的1/3~1/5，自谐振频率可达同样容量的带引线电容器的2倍（也有资 料说可达10倍）。所以，高速高密度PCB中使用的电容器，几乎都选择片式电容器。 ? 2.2 微型化 ?片式电容器的封装尺寸由1206、0805 向0603、0402、0201 等发展、主流已由0603 过渡到0402。Murata Manufacturing 公司已经生产出 01005 的微型电容器［8］。微型化不仅满足了高密度的需要，而且可以减小寄生参数和分布参数的影响。 ? 2.3 高频化 ?许多现代电子产品的速度越来越高，计算机的时钟频率提高到几百兆赫乃至千兆赫，无绳电话的频率从45MHz 提高到2400MHZ，数字无线传输的频率达到2GHZ以上。因而信号及其高次谐波引起的噪声也相应地出现在更高的频率范围，相应地对电容器的高频性能 提出越来越高的要求。Vishay Intertechnology 公司的基于硅片的表面贴装RF 电容器的 自谐振频率已达13GHZ[9]。微型化的片式微波单层瓷介电容器（SLC）的自谐振频率已达 50GHZ[10]。 2 多功能化
摘要：反激变换器的高频运行表明功率变压器寄生参数对变换器的性能影响很大。变压器的寄生参数主要是漏感和分布电容，而设计过程中往往很少考虑分布电容。该文给出了适用于工程分析的变压器高频简化模型，分析高频高压场合变压器寄生参数对反激变换器的影响。继而给出寄生参数的确定方法，并基于此分析，提出控制寄生参数的工程方法，研究不同的绕组绕制方法和绕组位置布局对分布电容大小的影响，并通过实验验证了文中分析的正确性及抑制方法的实用性。 关键词：电力电子；分布电容；反激变换器；变压器；高频高压 0 引言 单端反激变换器具有拓扑结构简单，输入输出隔离，升降压范围宽，易于实现多路输出等优点，在中小功率场合具有一定优势，特别适合作为电子设备机内辅助电源的拓扑结构。变压器作为反激变换器中的关键部件，对变换器的整机性能有着很大影响。随着变换器小型化的发展趋势，需要进一步提高变换器的开关频率以减小变压器等磁性元件的体积、重量[1-3]。但高频化的同时，变压器的寄生参数对变换器工作的影响却不容忽视[4-12]。变压器的寄生参数主要是漏感和分布电容。以往，设计者在设计反激变压器时，往往只对变压器的漏感加以重视。然而，在高压小功率场合，变压器分布电容对反激变换器的运行特性及整机效率会有很大影响，不可忽视[8-13]。对设计者而言，正确的理解这些寄生参数对反激变换器的影响，同时掌握合理控制寄生参数的方法，对设计出性能良好的变压器，进而保证反激变换器高性能的实现颇为重要。为此，文中首先给出变压器寄生参数对反激变换器的影响分析，同时给出这些寄生参数的确定方法，并对变压器的不同绕法以及绕组布局对分布电容的影响进行了研究，对绕组分布电容及绕组间分布电容产生的影响作了分析，最后进行了实验验证。1 变压器寄生参数对反激变换器的影响如图1，给出考虑寄生参数后的高压输入低压输出RCD 箝位反激变换器拓扑。其中，Ll、Lm 分别表示原边漏感和磁化电感，C11 为原边绕组分布电容，C13、C24 表示原边与副边绕组不同接线端之间的分布电容。根据反激变换器的工作原理，反激变压器铁心工作于单向磁化状态，且需要一定的储能能力。为防止铁心饱和，通常在变压器磁路中留有较大气隙，但这会使得变压器有较大漏磁，造成较大的漏感。当功率开关管关断时，由于漏感的存 在，会在开关管上激起很高的电压尖峰[12-14]。漏感能量吸收方法有多种，图1 电路是采用RCD 箝位
2019 年 中国陶瓷电容器行业概览
| 电子制造系列行业概览 报告摘要 中国陶瓷电容器行业属技术密集型、资金密集型行业，技术壁垒高，行业内参与者数量少，市场集中度较高。得益于国家科技政策 扶持及下游消费电子、工业领域、军事领域需求的快速增长，陶瓷电容器行业发展迅速，部分本土龙头企业技术水平同国际企业差距不断缩小。预计未来陶瓷电容器行业产能将不断扩大，国产替代进口速度有望加快，行业将迎来新一波强周期，预计在2023 年行业整体市 场规模将达到287.9 亿元。 热点一：汽车智能化和电动化带动行业规模扩大 新能源汽车陶瓷电容器用量远高于普通燃油汽车。随着车联网、无人驾驶、新能源汽车技术的不断发展，汽车电动化和智能化程度提升，汽车电子在整车成本中的占比持续提升，中国汽车电子整体市场规模不断扩大，前景广阔。 热点二：国产替代进口速度加快 中国国产陶瓷电容器逐渐替代进口陶瓷电容器的速度将会加快受益于两方面因素影响：一是日本村田、TDK 、太阳诱电等厂商进行战略调整，将逐渐退出中低端陶瓷电容器市场，为中国企业提供发展机遇；二是受中美贸易战影响，下游整机厂商对重要部件的国产化采购将会大幅增加。 热点三：行业产能扩张趋势明显 5G、物联网、电动汽车等新成长领域有望带来无源电子元器件需求量大幅增加，为陶瓷电容器生产企业带来新机遇，陶瓷电容器行业将迎来新一轮强周期的发展契机。中国本土企业加紧进行产能扩建，抢占新机遇，国际龙头企业在新领域扩产趋势明显。
目录 1 名词解释 (6) 2中国陶瓷电容器行业市场综述 (9) 2.1陶瓷电容器的定义与分类 (9) 2.2中国陶瓷电容器发展历程 (11) 2.3中国陶瓷电容器行业产业链分析 (14) 2.3.1上游分析 (15) 2.3.2中游分析 (17) 2.3.3下游分析 (17) 2.4中国陶瓷电容器行业市场规模 (18) 3中国陶瓷电容器行业驱动因素分析 (19) 3.1消费电子升级带动行业发展 (19) 3.2汽车电动化和智能化带动行业规模扩大 (22) 3.3技术升级促进行业持续发展 (24) 4中国陶瓷电容器行业制约因素分析 (25) 4.1产品结构落后制约行业向高附加值转变 (25) 4.2行业人才缺乏制约持续发展 (26) 5中国陶瓷电容器行业政策分析 (27) 3
摘要：阐述了高频开关电源热设计的一般原则，着重分析了开关电源散热器的热结构设计。 关键词：高频开关电源；热设计；散热器 1 引言 电子产品对工作温度一般均有严格的要求。电源设备内部过高的温升将会导致对温度敏感的半导体器件、电解电容等元器件的失效。当温度超过一定值时，失效率呈指数规律增加。有统计资料表明，电子元器件温度每升高2℃，可靠性下降10％；温升50℃时的寿命只有温升为25℃时的1/6。所以电子设备均会遇到控制整个机箱及内部元器件温升的要求，这就是电子设备的热设计。而高频开关电源这一类拥有大功率发热器件的设备，温度更是影响其可靠性的最重要的因素，为此对整体的热设计有严格要求。完整的热设计包括两方面：如何控制热源的发热量；如何将热源产生的热量散出去。最终目的是如何将达到热平衡后的电子设备温度控制在允许范围以内。 2 发热控制设计 开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管（如MOSFET、IGBT、GTR、SCR等），大功率二极管（如超快恢复二极管、肖特基二极管等），高频变压器、滤波电感等磁性元件以及假负载等。针对每一种发热元器件均有不同的控制发热量的方法。 2.1 减少功率开关的发热量 开关管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减少它的发热量，不仅可以提高开关管自身的可靠性，而且也可以降低整机温度，提高整机效率和平均无故障时间（MTBF）。开关管在正常工作时，呈开通、关断两种状态，所产生的损耗可细分成两种临界状态产生的损耗和导通状态产生的损耗。其中导通状态的损耗由开关管本身的通态电阻决定。可以通过选择低通态电阻的开关管来减少这种损耗。MOSFET的通态电阻较IGBT的大，但它的工作频率高，因此仍是开关电源设计的首选器件。现在IR公司新推出的IRL3713系列HEXFET(六角形场效应晶体管)功率MOSFET已将通态电阻做到3mΩ，从而使这些器件具有更低的传导损失、栅电荷和开关损耗。美国APT公司也有类似的产品。开通和关断两种临界状态的损耗也可通过选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。但更为重要的则是通过设计更优的控制方式和缓冲技术来减少损耗，这种方法在开关频率越高时越能体现出优势来。如各种软开关技术，能让开关管在零电压、零电流状态下开通或关断，从而大大减少了这两种状态产生的损耗。而一些生产厂家从成本上考虑仍采用硬开关技术，则可以通过各种类型的缓冲技术来减少开关管的损耗，提高其可靠性。 2.2 减少功率二极管的发热量 高频开关电源中，功率二极管的应用有多处，所选用的种类也不同。对于将输入50Hz交流电整流成直流电的功率二极管以及缓冲电路中的快恢复二极管，一般情况下均不会有更优的控制技术来减少损耗，只能通过选择高品质的器件，如采用导通压降更低的肖特基二极管或关断速度更快且软恢复的超快恢复二极管，来减少损耗，降低发热量。高频变压器二次侧的整流电路还可以采用同步整流方式，进一步减少整流压降损耗和发热量，但它们均会增加成本。所以生产厂家如何掌握性能与成本之间的平衡，达到性价比最高是个很值得研究的问题。 2.3 减少高频变压器与滤波电感等磁性元件的发热
电解电容与陶瓷电容：两种电容的不同作用 电解电容与陶瓷电容一般用在IC的电源与地之间,起滤波作用，陶瓷电容单独使用去耦作用，它的使用一般在IC中会有说明，其电解值的大小与IC所需电流大小有关,陶瓷取0.01uf。 电解电容 陶瓷电容 ? 如果我要用别的电容替代某个电容的时候，是必须容量和耐压值都要满足吗有的时候，发现很难两全其美。这时候能不能舍弃其中之一呢
滤波电容范围太广了，这里简单说说电源旁路(去藕)电容。 滤波电容的选择要看你是用在局部电源还是全局电源。对局部电源来说就是要起到瞬态供电的作用。为什么要加电容来供电呢是因为器件对电流的需求随着驱动的需求快。 基于以上的理论，计算电容量就要按照电容能提供电流变化的能量去计算。选择电容的种类，就需要按照它的寄生电感去考虑--也就是寄生电感要小于电源路径的分布电感。 讨论问题必须从本质上出发。首先，可能都知道电容对直流是起隔离作用的，而电感器的作用则相反。所有的都是基于基本原理的。那这时，电容就有了最常见的两个作用。一是用于极间隔离直流，有人也叫作耦合电容，因为它隔离了直流，但要通过交流信号。直流的通路局限在几级间，这样可以简化工作点很复杂的计算，二是滤波。基本上就是这两种。作为耦合，对电容的数值要求不严，只要其阻抗不要太大，从而对信号衰减过大即可。但对于后者，就要求从滤波器的角度出发来考虑，比如输入端的电源滤波，既要求滤除低频(如有工频引起的)噪声，又要滤除高频噪声，故就需要同时使用大电容和小电容。有人会说，有了大电容，还要小的干什么这是因为大的电容，由于极板和引脚端大，导致电感也大，故对高频不起作用。而小电容则刚好相反。巨细据此可以确定电容量。而对于耐压，任何时候都必须满足，否则，就会爆炸，即使对于非电解电容，有时不爆炸，其性能也有所下降。讲起来，太多了，先谈这么多。 电解电容的作用和使用注意事项 一、电解电容在电路中的作用 1，滤波作用，在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中，为了防止电路各部分供电电压因负载变化而产生变化，所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有数十至数百微法的电解电容.由于大容量的电解电容一般具有一定的电感，对高频及脉冲干扰信号不能有效地滤除，故在其两端并联了一只容量为0.001--0.lpF的电容，以滤除高频及脉冲干扰. 2，耦合作用：在低频信号的传递与放大过程中，为防止前后两级电路的静态工作点相互影响，常采用电容藕合.为了防止信号中韵低频分量损失过大，一般总采用容量较大的电解电容。 二、电解电容的判断方法
陶瓷电容的检验标准 1 目的 为了控制陶瓷电容的品质，满足LED产品的制作要求，参照国家有关部门标准，特规定了陶瓷电容检验的技术要求、检验方法、抽样方案及判定标准、标志、标签及贮存，并对其质量验收作明确的规定。 2 范围 供应商所提供陶瓷电容的检验、超期贮存的陶瓷电容的复检，均适用此规范。 3 引用标准 GB/T2828.1-2003计数抽样检验程序第一部份：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T2829-2002 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验) 4 定义 4.1 严重缺陷(CR)：该缺陷最终产生一个标识不正确的产品或不能使用。 4.2 主要缺陷(MA)：该缺陷使得存在较大的缺陷，容易造成抱怨。 4.3 次要缺陷(MI)：该缺陷使得在外观上影响美观。 5 技术要求与检验方法 5.1外观 5.1.1MLCC外观检验标准： 项目1：端头露瓷 缺陷描述： ①端电极破损见到瓷体端部，暴露面积直径≥0.1mm；②端电极破损暴露面积直径。接受标准： ① 0 收 1 退 ②可接受 项目2：端头不一
缺陷描述： ①两端头的宽度相差＜1/3；②两端头的宽度不一致，一端宽度≤另一端宽度的 1/2 接受标准： ①可接受 ② 0 收 1 退 项目3：端头脱落 缺陷描述：端头电极脱落接受标准：0 收 1 退 项目4：无端头 缺陷描述： 瓷体端部没有包封端电极接受标准：0 收 1 退 项目5：端头延伸 缺陷描述： ①端头表面的 Ni 或 Sn 金属向中央靠拢,两端瓷体间距<1/4 芯片长度；②端头表面的 Ni 或 Sn 金属稍向中央靠拢。接受标准： ① 0 收 1 退 ②可接受
2019年多层陶瓷电容器MLCC行业分析报告 2019年7月
目录 一、MLCC：当前产量最大、发展最快的片式元器件之一 (5) 1、MLCC小型化、大容量、高压化及高频化是大趋势 (5) 2、MLCC产业链涵盖自上游陶瓷介电粉末、电极金属至下游消费电子、工业 等诸多领域 (6) 3、MLCC是当前产量最大、发展最快的片式元器件之一 (7) 二、军工MLCC上市企业多自产+代理商业模式，市场空间广 (8) 1、自产自销+代理销售为国内军工MLCC上市企业主要商业模式 (8) 2、行业景气度持续上升，看好国防、5G、汽车电子的应用前景 (10) （1）自产军用：国防信息化加速建设推动市场需求长期稳增长 (11) （2）自产民用&代理：成长性>周期性，5G、汽车电子未来可期 (12) （3）MLCC有望替代其他电容器，助整体市场规模进一步提升 (17) 三、军工MLCC上市企业，高毛利、稳格局、业绩存提升空间 (18) 1、国内军用近三分天下，鸿远电子、火炬电子、宏明电子居前列 (18) 2、军品业务高毛利率，具有可持续性并存在继续提升空间 (19) 四、巨头短期难被超越，以军为主、把握需求扩张品类是方向 (23) 1、全球MLCC巨头垄断优势：掌握核心陶瓷技术、供货快速响应 (23) （1）对电子陶瓷材料的理解是MLCC巨头村田等的核心竞争力 (24) （2）强大的制造能力及独特的供货体系是获取市场份额的关键 (27) 2、寡头垄断维系动力：高研发投入、产能扩张及贴近客户需求 (28) 3、巨头启示：坚持军用产品发展，把握需求变化实现品类扩张 (32) （1）直道超车，发挥壁垒优势，重研发、结合智能制造扩大利润空间 (33) （2）弯道超车，发挥核心技术优势、把握并购机遇实现军品品类扩张与集成化拓展 (36)
变压器的分类及特点 时间:2013-06-22 09:27来源:作者: （1）分类 变压器按工作频率可分为低频变压器、中频变压器和高频变压器。 变压器按磁芯材料不同，可分为高频、低频和整体磁芯三种。 高频磁芯是铁粉磁芯，主要用于高频变压器，具有高导磁率的特性，使用频率一般在1~200kHz。低频磁芯是硅钢片，磁通密度一般在6000~16000，主要用于低频变压器；根据硅钢片的形状不同可分为EI（壳型、日型）、UI、口型和C型，几种常见的硅钢片形状如图7所示。
图7 几种常见的硅钢片形状
整体磁芯分为三种类型，即环形磁芯（T CORE）、棒状铁芯（R CORE）和鼓形铁芯（DR CORE），这三种磁芯的外形如图8所示。 图8 三种整体磁芯外形 （2）低频变压器 低频变压器用来传输信号电压和信号功率，还可实现电路之间的阻抗匹配，对直流电具有隔离作用。低频变压器又可分为音频变压器和电源变压器两种；音频变压器又分为级间耦合变压器、输人变压器和输出变压器，其外形均与电源变压器相似。
音频变压器的主要作用是实现阻抗变换、耦合信号以及将信号倒相等。因为只有在电路阻抗匹配的情况下，音频信号的传输损耗及其失真才能降到最小。 （a）级间耦合变压器。级间耦合变压器用在两级音频放大电路之间，作为耦合元件，将前级放大电路的输出信号传送至后一级，并做适当的阻抗变换。 （b）输入变压器。在早期的半导体收音机中，音频推动级和功率放大级之间使用的变压器为输人变压器，起信号耦合、传输作用，也称为推动变压器。 输人变压器有单端输人式和推挽输入式。若推动电路为单端电路，则输人变压器为单端输人式；若推动电路为推挽电路，则输入变压器为推挽输入式。 （c）输出变压器。输出变压器接在功率放大器的输出电路与扬声器之间，主要起信号传输和阻抗匹配的作用。输出变压器也分为单端输出变压器和推挽输出变压器两种。 （d）电源变压器。电源变压器的作用是将50Hz、220V交流电压升高或降低，变成所需的各种交流电压。按其变换电压的形式，可分为升压变压器、降压变压器和隔离变压器等；按其形状构造，可分为长方体或环形（俗称环牛）等。 常见的低频变压器外形如图9所示。