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长鑫内存命名规则一、命名规则的重要性人类的记忆宝藏就像是一座珍贵的图书馆，而命名规则就是保护这座宝藏的关键。
长鑫内存作为一家专业的内存生产厂商，深知命名规则的重要性。
只有通过合理的命名规则，才能使记忆宝藏更加井然有序，便于人们快速索引和查找。
二、命名规则的基本原则长鑫内存命名规则遵循以下原则：一是简约明了，避免过于复杂的命名方式，使人们能够迅速理解和记忆。
二是准确无误，每个命名都要准确反映其所代表的含义，避免歧义或误导的信息。
三是规范统一，同一类型的内存应采用一致的命名方式，以便于用户辨识和选择。
三、内存型号的命名规则长鑫内存根据内存的特性和用途，采用了一套统一的命名规则。
以DDR4内存为例，命名规则如下：1. 内存种类：以字母D开头表示DDR（Double Data Rate）内存。
2. 内存代数：紧接着内存种类的是代数标识，如DDR4表示第四代DDR内存。
3. 内存频率：接下来是内存的频率标识，以频率数字表示，如DDR4-2400表示频率为2400MHz的DDR4内存。
4. 内存容量：再之后是内存的容量标识，以容量数字和单位表示，如DDR4-2400 8GB表示容量为8GB的DDR4内存。
通过以上规则，长鑫内存能够提供丰富多样的内存产品，满足不同用户的需求。
四、命名规则的优势长鑫内存的命名规则具有以下优势：一是简洁明了，用户可以迅速理解内存的特性和用途。
二是规范统一，便于用户选择和购买合适的内存产品。
三是便于升级，用户可以根据自身需求选择适合的内存型号进行升级。
五、命名规则的应用范围长鑫内存的命名规则不仅适用于DDR内存，还适用于其他类型的内存产品，如DDR3、DDR2等。
无论是桌面电脑、笔记本电脑还是服务器，都可以根据长鑫内存的命名规则选择适合的内存产品。
六、命名规则的持续优化长鑫内存致力于不断优化命名规则，以提供更加便捷和准确的内存选择方案。
同时，长鑫内存也鼓励用户提出宝贵的建议和意见，共同完善命名规则，为用户提供更好的产品和服务。
2012年最新内存命名规则三星内存目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。
2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。
第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。
5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。
封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。
6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。
内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。
请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。
sram命名规则SRAM，即静态随机存储器，是计算机内存中常用的一种存储器类型。
为了在设计和开发SRAM芯片时方便标识、管理和调用其各个元件，通常使用一定的命名规则进行命名。
下面将围绕SRAM命名规则作一详细介绍。
一、SRAM的命名规则SRAM的命名规则通常是由以下形式组成：1、芯片家族名称：SRAM的命名通常以其所属的芯片家族名称开头，如ISSI、Cypress、Micron、Samsung等。
2、存储器类型：SRAM的存储器类型通常包括两种，分别是异步SRAM和同步SRAM。
异步SRAM的芯片通常以AS为前缀，而同步SRAM的芯片通常以SS为前缀。
3、存储容量：SRAM的存储容量通常是以位数为单位进行命名的，如1Mb、2Mb、4Mb等。
4、工艺节点：SRAM芯片的工艺节点通常也是一种命名规则，如40nm、28nm、16nm等。
5、封装类型：SRAM芯片的封装类型是指芯片的外部外包装类型，通常以CSP、BGA、TSOP等封装类型进行命名。
二、SRAM的应用场景SRAM广泛应用于计算机、服务器、移动设备、通信设备、汽车电子、工业控制等领域。
我们在使用电脑或手机时，常常都要用到SRAM实现各种数据的读写操作。
在嵌入式系统设计中，SRAM也是必不可少的存储器之一，它可以存储各种程序数据、系统配置信息、运行状态等。
三、SRAM的优缺点SRAM虽然可以作为一种高速存储器，但是它也有着一些不足之处：1、功耗较高：由于SRAM每个存储器单元中需要包含大量的晶体管，因此在工作时其功耗较大。
2、成本较高：SRAM的生产工艺相对复杂，需要大量的工序和精密设备，因此成本相对比DRAM、NOR Flash等存储器要高。
3、寿命较短：SRAM由于是静态存储器，需要不断的刷新以保持存储数据，因此其寿命相对比DRAM要短。
四、总结SRAM是常见的存储器类型之一，其命名规则既是一种标识和管理工具，也是一种规范和标准。
虽然SRAM存储速度快、读取效率高等优点，但是在功耗、成本和寿命等方面还存在一些不足之处。
常用内存命名规则常见内存芯片命名2010-06-08 21:13:23| 分类：个人日记| 标签：|字号大中小订阅三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C 为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等）今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 01 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 5 16 17 18K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
镁光内存命名规则
镁光内存命名规则是指在使用镁光内存产品时，对于不同型号和容量的内存条进行命名和区分的规则。
1. 型号命名规则
镁光内存的型号命名由公司名称、内存类型、容量和频率组成。
例如，DDR4 8GB 2400MHz的型号为MAG4R8GB2400。
其中，MAG表示镁光内存，4表示DDR4内存类型，8GB表示容量为8GB，2400表示频率为2400MHz。
不同内存类型和容量组合会有不同的型号命名。
2. 容量命名规则
镁光内存的容量命名规则采用二进制计算方式，即1GB=1024MB，1MB=1024KB。
例如，8GB内存条的实际容量为8192MB，16GB内存条的实际容量为16384MB。
3. 频率命名规则
镁光内存的频率命名规则表示内存条的传输速率，单位为MHz。
例如，2400MHz的内存条传输速率为2400兆赫。
总之，了解镁光内存的命名规则有助于用户正确选择和使用内存产品，提高计算机性能和稳定性。
- 1 -。
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits （兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
长鑫内存命名规则长鑫内存命名规则：赋予记忆以独特命名的艺术记忆是一种神奇的能力，它让我们能够回忆起过去的事情，感受到那些美好或者痛苦的经历。
而长鑫内存，作为一家专业的内存产品制造商，深知记忆的重要性。
为了让每个产品都能有一个独特的标识，他们制定了一套独特的命名规则。
这些命名规则并不是简单的数字或者字母的组合，而是有着深意的名字。
每个产品的命名都经过精心的考虑和设计，以使其与众不同。
比如，他们的一款高速内存条被命名为“飞燕”。
这是因为飞燕象征着速度和灵敏，正好与该产品的特点相符。
每当用户使用这款内存条时，他们就仿佛能感受到飞燕的疾飞，享受到极速的体验。
还有一款内存条被命名为“星辰”。
星辰代表着无尽的可能和辉煌的未来。
这款内存条的命名意味着它能带给用户无限的创造力和发展空间，让他们的计算机系统在星辰的指引下实现更多梦想。
除了内存条，长鑫内存还有各种其他产品，如固态硬盘、闪存卡等。
每个产品都有独特的命名，与其特点相契合。
长鑫内存的命名规则不仅仅是为了区分产品，更是为了让用户在使用产品时能够感受到独特的情感。
这种情感不仅来自于产品本身的性能，更来自于产品背后的故事和寓意。
这些独特的命名规则，让长鑫内存的产品不再只是冰冷的硬件，而是拥有灵魂和情感的存在。
它们不仅仅是为了满足用户的需求，更是为了让用户感受到一种独特的体验，让他们在使用产品的过程中能够感受到快乐和满足。
长鑫内存的命名规则，是一种艺术。
它不仅仅是为了命名产品，更是为了创造一种情感共鸣，让用户与产品之间建立起一种特殊的联系。
无论是在工作还是娱乐中，长鑫内存的产品都能带给用户独特的体验，让他们的记忆更加鲜活而深刻。
长鑫内存，通过独特的命名规则，赋予记忆以独特的艺术品质。
让我们在使用产品的同时，也能感受到一种美好的情感，让我们的记忆更加丰富多彩。
让我们相信，长鑫内存的产品将会给我们带来更多的惊喜和快乐。
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。
下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。
该内存支持ECC功能。
所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
西门子内存颗粒目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。
编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。
其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB （兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为： 128Mbits（兆数位）× 8 片/8=128MB （兆字节）。
Kingmax内存颗粒Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。
并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。
Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。
在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间× 4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间× 8位数据宽度；KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间× 4位数据宽度；KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间× 8位数据宽度；KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间× 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：-7A——PC133 /CL=2；-7——PC133 /CL=3；-8A——PC100/ CL=2；-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
HYUNDAI（现代）现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mmTSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns 〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100LGS内存颗粒:LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。
LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。
其中10K是非PC100规格的，速度极慢。
7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。
而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。
现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。
而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：GM72V XX XX X 1 X X T XXGM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：7.5：7.5ns［133MHz］8：8ns［125MHz］7K：10ns［PC-100 CL2或3］7J：10ns［100MHz］10K：10ns［100MHz］12：12ns［83MHz］15：15ns［66MHz］高士达（LGS）SDRAM内存芯片的识别一、高士达SDRAM内存芯片编号识别GM 72 X X XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如下：1：PREFIX OF LGS（LGS产品的前缀）MEMORY IC的前缀2：FAMILY（内存种类）72:SDRAM3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工艺和电压)V:CMOS(3.3V)4：DENSITY＆REFRESH（内存密度和刷新）16:16M,4K Ref17:16M,2K Ref28:128M,4K Ref55:256M,16K Ref56:256M,8K Ref57:256M,4K Ref64:64M,16K Ref65:64M,8K Ref66:64M,4K Ref5：DATA WIDTH（数据带宽）4:×48:×816:×1632:×326：BANK（芯片组成）1:1 BANK2:2 BANK4:4 BANK8:8 BANK7：I/O INTERFACE（I/O界面）1:LVTTL8：REVISION NO.（修正版本）BLANK:ORIGINALA:FIRSTB:SECONDC:THIRDD:FOURTHE:FIFTHF:SIXTH9：POWER（功率）Blank:STANDARDL:LOW－POWER10：PACKAGE（IC封装）T:TSOP(NORMAL)R:TSOP(REVERSE)I:BLPK:TSOLS:STACK11：SPEED（速度）6:150MHz7:143MHz74:135MHz75:133MHz8:125MHz7K:(PC100,2－2－2)＊7J:(PC100,3－2－2)＊＊10K:(PC66)＊＊＊10J:(PC66)＊＊＊＊12:83MHz15:66MHzNote（注释）:＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。
