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第1章经常使用半导体器件之马矢奏春创作自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”暗示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才干包管其R大的特点。
( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻GS会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。
试问：(1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∴45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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?电子技术根底?习题答案(模拟局部) 半导体二极管半导体三极管放大电路根底负反应放大电路与根本运算电路线性集成电路的应用集成模拟乘法器及其应用...
技术根底
?电子技术根底?习题答案〔模拟局部〕
第一章半导体二极管
第二章半导体三极管第三章放大电路根底
第四章负反应放大电路与根本运算电路
第五章线性集成电路的应用
第六章集成模拟乘法器及其应用
第七章信号产生电路
第八章直流稳压电源
?电子技术根底?习题〔数字局部〕第一章绪论
第二章逻辑代数根底
第三章逻辑门电路
第四章集成触发器
第五章脉冲信号的产生和整形
第六章组合逻辑电路
第七章时序逻辑电路
第八章数模和模数转换器。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。
它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。
《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。
首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。
半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。
例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。
再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。
”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。
在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。
“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。
”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。
还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。
”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。
三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。
“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。
”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。
判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。
又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。
模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元部分习题参考答案第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答2-1填空题1. _半导体、绝缘体_2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。
3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。
4. __高于_。
5. _正向_ 、 _反向击穿_6.单向导电性_、__最大整流电流__、_最高反向工作电压。
7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。
_点接触型的、平面型的_。
9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。
10. _反向特性区_、 _几乎不变_。
11. _左移__ 、 _下移_。
12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。
13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。
14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。
15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。
16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。
2-2 选择题1. C2. B3. C4.B5. A6. B7. A8. A9.B 10.A 11. B 12.C2-3 判断题1.√2.√3.×4. ×5.√6.×2-4 解：，，，，，。
2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD1、VD4导通，VD2、VD3截止，。
2-6 解：2-8 解：1) ，，。
2），。
2-11解：1）2）；3）；4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。
或，相当于半波整流滤波（无电容）。
2-12 解：第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题3-1填空题1. ___PNP___和___NPN__。
2. __两__ __双极__3.发射_，___集电__。
4.__100___，___120___。
5. ___0.98mA___， ___49___。
6. ___放大__ 。
7.__饱和___。
___正向__， ___正向___。
8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。
9. __发射__，__集电__， ___-0.7V___。
10. __PNP___， ___锗___。
11. __增加__， __增加__， __减小__。
12 __左__， __上___， __大__。
13. 查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。
14. __100__。
15. __交、直流__， __交流__。
16. __截止___， __顶部__，__小__。
17. _饱和__， __底部__， __大__。
18. __温度升高__。
19. __共射__， __共集和共基__。
20. __共基__， __共集___， __共射_。
21. _稳定静态工作点_。
22. _阻容耦合_、__直接耦合__、__变压器耦合__。
23. _直流__， _交流_。
24. __大__， __窄__。
3-2选择题1. A2.B3. A4. D5. B6. C7. B8. A9. A 10. C 11. B 12. C 13. B14. D 15. A 16. A 17. C 18. C 19. B 20. A 21. B 22. A B C 23. A 24. B 25.C 26. B 27. A3-3判断题1.×2.× 3× 4.√ 5. × 6.√ 7.× 8.× 9.× 10. √11.× 12.×3-4解：1)a)、d）是NPN型，b)、c)、e)是PNP型； 2）a)、c)、d）是硅管，b)、e)是P锗管；3）a)、b)是放大状态，d）是饱和状态，e)是截止状态，c)是已经损坏，b、e极开路。
3-5解：（a）不能。
因为输入信号被短路，（b）可能。
（c）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（d）不能。
因为输出信号被短路，恒为零。
3-6解：图(a) ，，图(b)和图(c) ，，。
图(d) ，，，，饱和状态。
图(e) ，，，，3-7解：图(a)的输出波形说明输出电压的正半周导致失真，其原因是静态工作点偏低所引起的失真，是截止失真，解决办法是将静态工作点上移，即将基极的直流电流调大即可。
图(b)与图(a)恰好相反，是由于静态工作点偏高引起的饱和失真，故解决办法是减小基极的静态电流，使静态工作点下移。
图(c)中输出电压的正、负半周都出现失真，说明输入信号过大导致输出幅度过大而引起得失真，若无法减小输入信号得情况下，只能调整放大电路的放大倍数，减小放大倍数可以是更换放大倍数较小的三极管或调整负载电阻（如）等手段。
3-8解：1) ； 2）3-9解：3-10解：1) ，2）3)4)5) 微变等效电路6），，3-11解：1) ，，，2) 微变等效电路3) ，，其中4），，3-12解：1) ，，，，2）微变等效电路同上题4)（略）3），，其中4) ，3-13解：1) ，，2），其中，3）4) ()，() 3-14解：1)2) ，。
3)，3-15解：1) ，，，，，2)，3)，，4) ，5) ，，总体减小20%左右。
3-173-18解：第四章场效应晶体管及其基本放大电路思考题与习题4-1 填空题1. __金属__、__氧化物__、__半导体__。
2. __N沟道__、__P沟道__ 、__增强型__、__耗尽型__。
3.__场效应管__，___双极型晶体管__，__场效应管__。
4. __1__， _单极型晶体管__。
5. __N沟道增强型__，___P沟道增强型___。
6. __P沟道耗尽型___，__N沟道耗尽型__。
7. __N__、___耗尽型__， __4mA__，__-4V__。
8. __P___， __增强__， __-2V__。
9. _3__。
10. _耗尽__4-2 选择题1. B2. B3. A4. B5. A6. B7. A4-7 解：（1 ，，。
（2），，其中，4-9 解：，，第五章集成运算放大器及其应用思考题与习题答案5-1 填空题（1）高多直接输入级中间级输出级偏置电路（2）温度补偿差动放大差动放大（3）差模共模（4）共模抑制差模放大（5）强（6）弱（7）0 （8）(虚断) (虚短)（9）(虚断)(10) 外电路的参数（11）1 2 5-2 选择题(1)C (2)A (3)A D (4)A (5)B (6)C (7)B(8)B (9)B5-3 判断题(1) ╳ (2) ╳ (3) √ (4) √ (5) √ (6) ╳5-4解：5-5解：5-6解：5-9解：5-10解：5-12解：5-13解：a)b)5-14解：a)b) 5-19解：1）2）第6章负反馈放大电路思考题与习题答案6-1 填空题（1）输出（2）正反馈负反馈负反馈正反馈（3）电压串联电压并联电流串联电流并联（4）电压电流（5）增大减小（6）电压电流（7）放大倍数（8）5 0.04 （9）输入端的连接方式瞬时极性法（10）增大减小（11）约为100 （12）基本放大电路反馈网络（13） 16-2 选择题（1）A (2)B (3)A (4)D (5)B (6)D (7)A (8)D6-3 判断题(1)╳ (2)√ (3) )√ (4) ╳ (5) ╳ (6) ╳ (7) ╳(8) √ (9) √6-4a)负反馈交流 b) 负反馈交流 c) 正反馈交流 d) 负反馈交流e) 负反馈交直流6-5a)负反馈 b) 负反馈 c) 负反馈6-6a)电流并联交流负反馈b) 电压串联交直流负反馈c)电流并联交直流负反馈d)电流串联交直流负反馈e)电压串联交直流负反馈6-7a)当m点接a点时:有反馈，电压串联正反馈，输出电压不是12V就是-12V当m点接b点时: 有反馈，电压并联负反馈，输出电压为-4.5V当m点接地时：无反馈，输出电压-12Vb)当m点接a点时:有反馈，电压并联正反馈，输出电压不是12V就是-12V当m点接b点时: 有反馈，电压串联负反馈，输出电压为5V当m点接地时：无反馈，输出电压+12V6-10解：图a)：图b)：第七章功率放大电路思考题与习题解答7-1填空题（1） _A（甲）__、__B（乙）_、__AB（甲乙）_。
（2）效率、 78.5% 、交越，AB 。
（3）、、。
（4） 4W 。
7-2 选择题（1） D （2） D （3） C （4） D （5） C （6） C7-3判断题（1）√（2）×（3）√（4）×（5）×（6）√7-4解：（1）（2）（3）7-8解：（1）V1、V3构成NPN型复合管；V2、V4构成PNP型复合管；两复合管构成互补对称电路。
（2）（3）交越失真第八章有源滤波器思考题与习题解答8-1填空题（1）带通（2）时间常数、-3 （3）-20 dB 、 -40 dB 、高（4）低通（5）高通（6）低通、 200、 2008-2 选择题（1）A （2）C （3）B （4）C8-3判断题（1）×（2）×（3）√8-5 解：（a）是二阶低通滤波器（b）是一阶高通滤波器（c）是二阶带通滤波器。
8-6 解：，8-7解：(1) 电路为二阶压控型低通有源滤波器LPF；(2)(3) (4) 。
第9章波形发生和交换电路习题解答9-1 填空题（1）电阻、电感、电容。
（2）放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节。
（3）稳定振幅、改善波形。
9-2 选择题（1）___B__（2）__D__（3）__B____D___ （4）__C__（5）__C__（6） _A__，_B__ ，__C__ （7）__B__， _A__， C__。
（8）__B__。
9-3 解：（a）不能（b）能（c）不能（d）能(e) 不能（f）能解：（1）上“－”下“＋”，此电路为文氏RC电桥正弦波振荡电路。
（2）电路无负反馈，输出会发生严重失真，输出几乎为方波。
（3）为零。
（4）电路不能振荡，输出基本为零。
（5）电路无负反馈，输出会发生严重失真，输出几乎为方波。
9-6解： (1)RP=3.55KΩ (2)f0=159H Z9-7解：（a）不能（b）能（c）能（d）不能 (e) 不能（f）不能（g）不能第十章功率放大电路思考题与习题解答10-1 填空题（1）调整管、比较放大、基准电压和取样电路。
（2 ） 0.02 。
（3）放大状态，开关状态。
（4） V1R1、R2、R3R、VD ， V2、Rc，R0、V3；，。
10-2 选择题（1） C （2） A 。
（3） A（4） 1） C 2） B 3） E 4） F 5） A 6） D（5） B解 (1) （2）10-510-810-10解：（1）V2和R3电路组成限流型过流保护电路（2）（3）。
