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集成电路工作原理
集成电路是将多个电子器件和元件集成在一块半导体材料上，通过布线和各种连接方式相互连接组合而成的电路，它是现代电子技术的基础。
集成电路通过在半导体晶片上制作不同的电子器件，如晶体管、二极管、电阻器、电容器等，然后将它们连接在一起形成完整的电路。
这些器件和元件通过微细的金属线或多层金属层电路互连起来，从而实现复杂的功能。
集成电路的工作原理可以大致分为三个步骤：制作、封装和测试。
首先，制作集成电路需要通过光刻等工艺将电子器件和元件制作在半导体晶片上。
这一步骤涉及使用特殊的光刻机、化学溶液和掩模等工具进行精细的加工，将电子器件的结构和形状准确地制作在半导体晶片的表面上。
然后，经过制作完成的半导体晶片需要进行封装。
封装是将半导体晶片用外壳保护起来，并通过金属引脚连接到外部电路中。
这一过程包括将半导体晶片倒装封装或芯片封装到保护盒中，并通过焊接或其他连接方式将引脚与晶片内的金属线连接起来，形成完整的芯片。
最后，封装完成的集成电路需要进行测试以确保其正常工作。
测试目的是检测芯片是否存在制造缺陷、故障或其他问题。
测试包括电学测试、功能测试和可靠性测试等，通过这些测试，
确认集成电路的质量和性能是否符合要求。
总的来说，集成电路利用半导体材料和微细制造工艺将多个电子器件和元件集成在一起，通过连线互连形成完整电路，能够实现复杂的功能。
制作、封装和测试是集成电路工作的三个主要步骤，每一步都需要高度的精确性和技术要求，以确保集成电路的质量和性能。
CMP工作原理详解1. 概述CMP（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一种集成电路制造工艺，用于制造大规模集成电路（VLSI）的互补金属氧化物半导体器件。
CMP工艺是目前最常用和成熟的半导体制造工艺之一，广泛应用于处理器、存储器、通信芯片等领域。
本文将详细解释CMP工作原理的基本原理，包括CMP工艺的步骤、CMP机理以及相关设备和材料。
2. CMP工艺步骤CMP工艺通常包括以下步骤：2.1 表面准备CMP工艺开始前，需要对晶圆表面进行准备，以去除残留物、平整表面并提供良好的衬底。
这一步通常包括化学清洗和机械抛光等操作。
2.2 涂覆在CMP工艺中，需要在晶圆表面涂覆一层薄膜，通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等技术。
这一层薄膜可以作为CMP过程中的衬底，保护晶圆表面。
2.3 机械抛光机械抛光是CMP工艺的核心步骤，通过旋转的抛光盘和抛光液，将晶圆表面的材料进行抛光，以达到平整的效果。
抛光液通常包括磨料、腐蚀剂和缓冲液等成分。
抛光盘和晶圆之间的压力和速度可以调节，以控制抛光过程中的材料去除速率。
2.4 清洗和检测抛光后的晶圆需要进行清洗，以去除抛光液和残留物。
清洗通常使用化学溶液和超纯水等。
清洗后，需要对晶圆进行检测，以评估CMP工艺的效果和质量。
3. CMP机理CMP工艺的核心机理涉及磨料、腐蚀剂、缓冲液等多个方面。
3.1 磨料磨料是CMP过程中用于去除晶圆表面材料的重要组成部分。
磨料通常是固体颗粒，可以是氧化铝、二氧化硅等硬度较高的材料。
这些颗粒在抛光过程中与晶圆表面发生摩擦和磨损，去除表面材料。
3.2 腐蚀剂腐蚀剂是CMP过程中用于溶解晶圆表面材料的化学物质。
腐蚀剂可以与晶圆表面的材料发生化学反应，使其溶解或转化为易于去除的物质。
腐蚀剂的选择和浓度对CMP过程的效果有重要影响。
3.3 缓冲液缓冲液是用于调节CMP过程中pH值和离子浓度的溶液。
集成电路的基本原理和工作原理集成电路是指通过将多个电子元件（如晶体管、电容器、电阻器等）和互连结构（如金属导线、逻辑门等）集成到单个芯片上，形成一个完整的电路系统。
它是现代电子技术的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统和各种电子设备中。
本文将介绍集成电路的基本原理和工作原理。
一、集成电路的基本原理集成电路的基本原理是将多个电子元件集成到单个芯片上，并通过金属导线将这些元件互连起来，形成一个完整的电路系统。
通过集成电路的制造工艺，可以将电子元件和互连结构制造到芯片的表面上，从而实现芯片的压缩和轻量化。
常见的集成电路包括数字集成电路（Digital Integrated Circuit，简称DIC）、模拟集成电路（Analog Integrated Circuit，简称AIC）和混合集成电路（Mixed Integrated Circuit，简称MIC）等。
集成电路的基本原理包括以下几个关键要素：1. 材料选择：集成电路芯片的制造材料通常选择硅材料，因为硅材料具有良好的电子特性和热特性，并且易于形成晶体结构。
2. 晶圆制备：集成电路芯片的制造过程通常从硅晶圆开始。
首先，将硅材料熔化，然后通过拉伸和旋转等方法制备成硅晶圆。
3. 掩膜制备：将硅晶圆表面涂覆上光感光阻，并通过光刻机在光感光阻表面形成图案。
然后使用化学溶液将未曝光的部分去除，得到掩膜图案。
4. 传输掩膜：将掩膜图案转移到硅晶圆上，通过掩膜上沉积或蚀刻等方法，在硅晶圆表面形成金属或电子元件。
5. 互连结构制备：通过金属导线、硅氧化物和金属隔离层等材料，形成元件之间的互连结构，实现元件之间的电连接。
6. 封装测试：将芯片放置在封装材料中，通过引脚等结构与外部电路连接，然后进行测试和封装。
集成电路的基本原理通过以上几个关键步骤实现电子元件和互连结构的制备和组装，最终形成一个完整的电路系统。
二、集成电路的工作原理集成电路的工作原理是指通过控制电流和电压在电路系统中的分布和变化，从而实现电子元件的工作和电路系统的功能。
集成电路的工作原理集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是由许多电子元件（如晶体管、电阻、电容等）以微型化的形式集成在一个芯片上的电子电路。
它是电子技术领域的重要成果，广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视等。
集成电路的工作原理基本上可以用“半导体材料的PN结”的工作原理来解释。
PN结是指由P型半导体与N型半导体相接构成的结。
在PN结的两侧，由于P型半导体中的电子集中，形成带正电荷的区域，称为“P区”；而N型半导体中电子较多，形成带负电荷的区域，称为“N区”。
PN结两侧电荷的不平衡会形成电势差，使电子从N区向P区移动，空穴从P区向N区移动。
这种电子和空穴的移动形成了一个载流子的流动，即电流的产生。
在集成电路中，一般通过掺杂等工艺制造出P区和N区，形成PN结。
此外，还需要添加金属接触点，使外部电源可以接入，以控制电流的流动方向和大小。
这样，当外部电源加上正向电压时，即使PN结两侧电势差增大，使电子从N区向P区移动，空穴从P区向N区移动。
通过控制电源的电压，可以控制电流的大小。
集成电路的工作原理是依托于晶体管的工作原理，晶体管是能控制电流的一个重要电子元件。
晶体管可以根据输入信号的强弱来控制输出电流的大小。
在集成电路中，晶体管被大量应用，形成了各种不同的逻辑门，如与门、或门、非门等。
通过将许多逻辑门相互连接，可以构成更加复杂的电路，实现各种不同的功能。
集成电路的工作原理还包括数字信号和模拟信号的处理。
数字信号是用离散的数值来表示信息的信号，而模拟信号是用连续的数值来表示信息的信号。
集成电路可以将输入的模拟信号转换为数字信号，通过逻辑电路进行处理，再将数字信号转换为输出的模拟信号。
这样，可以实现各种复杂的信号处理功能。
总之，集成电路的工作原理是基于PN结和晶体管的工作原理。
通过控制电源的电压和控制信号的输入，实现了电子元件之间的相互作用，从而实现各种功能。
集成电路的微型化、高集成度、可靠性高等特点，使得它成为现代电子技术的基础和核心。
集成电路制造工艺原理课程集成电路制造工艺原理是现代集成电路技术的基础课程之一。
在这门课程中，学生将学习到有关集成电路的制造工艺和原理。
本文将介绍一些与该课程相关的关键知识点。
首先，介绍集成电路制造工艺的基本概念。
集成电路制造工艺是指将微纳米级的材料进行加工和制造，以制造出微小而复杂的电路结构。
它涉及到多个步骤，包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、离子注入和金属蒸镀等。
的晶圆制备是集成电路制造的第一步，它是指将硅片加工成适合集成电路制造的形状和尺寸。
这一步骤通常包括切割、抛光和清洗等操作。
与此同时，晶圆的质量和纯度也是非常重要的，因为它们将直接影响到后续制造步骤的效果。
光刻是集成电路制造中一项非常重要的步骤。
它通过使用特殊的光刻胶和光刻机，将电路图案记录在晶圆表面上。
光刻胶是一种特殊的材料，可以在光照后形成图案，并保护晶圆表面。
光刻机则是用来控制光照的设备，它可以精确地记录电路图案。
薄膜沉积是另一个重要的制造步骤。
它通过使用特殊的化学气相沉积设备，将薄膜材料沉积在晶圆表面上。
薄膜材料可以是金属、半导体或绝缘体等。
这些薄膜将用于构建电路的不同部分，例如导线、晶体管和电容器等。
离子注入是通过将特定的离子注入晶圆表面来改变其电子结构和电学特性的过程。
这种技术被广泛应用于控制电导率和电阻等参数的调整。
通过控制离子注入的能量和浓度，可以改变晶圆的电子特性，从而实现不同的电路功能。
金属蒸镀是为了形成导线和连接器等电路元件而进行的步骤。
它通过在晶圆表面上蒸发金属材料，然后再通过化学反应固定在晶圆表面上。
这样可以形成电路连接所需的导线和连接器。
除了以上这些步骤外，还有一些其他的关键步骤，比如晶圆测试和封装等。
晶圆测试是在制造过程中对晶圆的质量进行测试和评估，以确保其符合设计参数。
而封装是将芯片封装进塑料或陶瓷外壳中，以保护芯片并方便安装。
这些步骤都是集成电路制造中不可或缺的环节。
综上所述，集成电路制造工艺原理课程涵盖了许多关键的知识点，包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、离子注入和金属蒸镀等。
集成电路的制造原理在我写作之前，首先需要说明的是，集成电路（Integrated Circuit，简称IC）的制造原理涉及的内容较为专业和复杂，需要一定的背景知识才能深入理解。
在这篇文章中，我将尽力以通俗易懂的方式来介绍集成电路的制造原理，但仍建议读者具备一些基本的电子学知识。
一、什么是集成电路集成电路是指将数百甚至数百万个电子元件，如晶体管、电容器和电阻等，以一种特殊工艺进行设计、制造和封装在一个芯片上的电子装置。
它具有体积小、功耗低、重量轻和可靠性高的特点，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
二、集成电路的分类根据集成度的不同，集成电路可以分为三个主要类别：小规模集成电路（Small Scale Integration，SSI），中规模集成电路（Medium Scale Integration，MSI）和大规模集成电路（Large Scale Integration，LSI）。
1. 小规模集成电路小规模集成电路通常由几个晶体管、几十个二极管和一些被动元件组成。
它们的主要特点是元件的数目较少，功耗较高，用途相对较简单。
典型的应用包括简单的逻辑门电路或门电路。
2. 中规模集成电路中规模集成电路通常由数十个晶体管和几百个二极管组成。
相比小规模集成电路，中规模集成电路的功能更加复杂，功耗更低。
广泛应用于模拟电路、计算器和数字显示屏等设备。
3. 大规模集成电路大规模集成电路是指由数百万个晶体管和数千个二极管组成的集成电路。
它们的特点是保存了大量的电子元件，具有复杂的功能，可以实现各种复杂的计算和控制任务。
大规模集成电路广泛应用于计算机芯片、微处理器和存储器等。
三、集成电路的制造原理虽然集成电路的制造原理非常复杂，但可以简单地概括为以下几个主要步骤：晶圆制备、光刻、掺杂、沉积、蚀刻和封装。
1. 晶圆制备集成电路的制造通常是在硅晶片（晶圆）上进行。
晶圆制备一般包括了晶片生长、切割和抛光等工艺。
具体过程中，硅材料通过高温熔融并结晶，形成具有特定厚度和纯度的硅片。
集成电路基本原理与工艺技术作为现代电子技术的核心和基础，集成电路在各个领域中都发挥着重要作用。
它将数百万个晶体管、电阻、电容和其他被制造在单一芯片上的元件组合起来，实现高度集成和功能复杂化。
本文将介绍集成电路的基本原理和工艺技术，以及其在现代社会中的应用。
一、集成电路的基本原理集成电路是由大量的电子元件组成的电路，其基本构造单位是晶体管。
晶体管是现代电子技术的核心元件，通过控制电流的流动，实现信号的放大、开关和逻辑运算等功能。
在集成电路中，晶体管的尺寸变得非常小，同时集成更多的晶体管，从而提高集成电路的性能和功能。
二、集成电路的工艺技术集成电路的制造过程主要包括晶体管的制备、电路的图形化、电路的制造和封装测试等环节。
首先，晶体管的制备是整个集成电路制造过程的关键步骤。
它通常采用硅片作为基底，通过化学气相沉积等技术将不同类型的杂质掺入硅片中，形成PN结构的晶体管。
制备过程需要高温和高真空条件下进行，确保晶体管的高质量和稳定性。
其次，电路的图形化是将设计好的电路图形转化为硅片上的实际电路布局的过程。
这一步骤采用光刻技术，将电路图形按照一定比例缩小，并通过掩膜制作成好多层图形，形成电路的布局。
接下来是电路的制造过程，主要包括薄膜沉积、电路的形成和金属的连接等步骤。
在薄膜沉积过程中，通过化学气相沉积等技术在硅片表面形成绝缘层和导电层。
然后，通过光刻和蚀刻等工艺，在导电层上形成电路的布线连接，并形成所需的电路结构。
最后，需要对制造好的集成电路进行封装和测试。
封装是将硅片封装在塑料或陶瓷芯片上，并连接外部引脚，保护和固定集成电路。
测试是通过特定的测试设备对集成电路的性能和功能进行测试，确保其质量和可靠性。
三、集成电路的应用由于集成电路具有高度集成和功能复杂化的特点，因此在各个领域中都有广泛的应用。
在通信领域，集成电路被广泛用于移动通信、卫星通信和光纤通信等设备中，实现信号的处理、传输和调制解调等功能。
它不仅实现了通信设备的小型化，还提高了通信质量和传输速度。
集成电路制造工艺原理课程总体介绍：1．课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。
本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。
本课程开课时间暂定在第五学期。
2．参考教材：《半导体器件工艺原理》国防工业出版社华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》（上、下册）国防工业出版社成都电讯工程学院编著《半导体器件工艺原理》上海科技出版社《半导体器件制造工艺》上海科技出版社《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》电子工业出版社3．目前实际教学学时数：课内课时54学时4．教学内容简介：本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的，与微电子技术相关的器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理和技术；介绍了与光电子技术相关的器件（发光器件和激光器件）、集成电路（光集成电路）的制造工艺原理，主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技术。
5．教学课时安排：(按54学时)课程介绍及绪论2学时第一章衬底材料及衬底制备6学时第二章外延工艺8学时第三章氧化工艺7学时第四章掺杂工艺12学时第五章光刻工艺3学时第六章制版工艺3学时第七章隔离工艺3学时第八章表面钝化工艺5学时第九章表面内电极与互连3学时第十章器件组装2学课程教案:课程介绍及序论（2学时）内容：课程介绍：1 教学内容1.1与微电子技术相关的器件、集成电路的制造工艺原理1.2 与光电子技术相关的器件、集成电路的制造1.3 参考教材2教学课时安排3学习要求序论：课程内容：1半导体技术概况1.1 半导体器件制造技术1.1.1 半导体器件制造的工艺设计1.1.2 工艺制造1.1.3 工艺分析1.1.4 质量控制1.2 半导体器件制造的关键问题1.2.1 工艺改革和新工艺的应用1.2.2 环境条件改革和工艺条件优化1.2.3 注重情报和产品结构的及时调整1.2.4 工业化生产2典型硅外延平面器件管芯制造工艺流程及讨论2.1 常规npn外延平面管管芯制造工艺流程2.2 典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程2.3 两工艺流程的讨论2.3.1 有关说明2.3.2 两工艺流程的区别及原因课程重点：介绍了与电子科学与技术中的两个专业方向（微电子技术方向和光电子技术方向）相关的制造业，指明该制造业是社会的基础工业、是现代化的基础工业，是国家远景规划中置于首位发展的工业。
介绍了与微电子技术方向相关的分离器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理的内容，指明微电子技术从某种意义上是指大规模集成电路和超大规模集成电路的制造技术。
由于集成电路的制造技术是由分离器件的制造技术发展起来的，则从制造工艺上看，两种工艺流程中绝大多数制造工艺是相通的，但集成电路制造技术中包含了分离器件制造所没有的特殊工艺。
介绍了与光电子技术方向相关的分离器件、集成电路的制造工艺原理的内容。
指明这些器件（发光器件和激光器件）和集成电路（光集成电路）多是由化合物半导体为基础材料的，最常用和最典型的是砷化镓材料，本课程简单介绍了砷化镓材料及其制造器件时相关的工艺技术与原理。
在课程介绍中，指出了集成电路制造工艺原理的内容是随着半导体器件制造工艺技术发展而发展的、是随着电子行业对半导体器件性能不断提高的要求（小型化、微型化、集成化、以及高频特性、功率特性、放大特性的提高）而不断充实的。
综观其发展历程，由四十年代末的合金工艺原理到五十年代初的合金扩散工艺原理，又由于硅平面工艺的出现而发展为硅平面工艺原理、继而发展为硅外延平面工艺原理，硅外延平面工艺是集成电路制造的基础工艺；在制造分离器件和集成电路时，为提高器件和集成电路的可靠性、稳定性，引入了若干有实效的保护器件表面的工艺，则加入了表面钝化工艺原理的内容；在制造集成电路时，为实现集成电路中各元器件间的电性隔离，引入了隔离墙的制造，则又加入了隔离工艺原理的内容。
因此，集成电路工艺原理=硅外延平面工艺原理+表面钝化工艺原理+隔离工艺原理，而大规模至甚大规模集成电路的制造工艺，只不过是在掺杂技术、光刻技术（制版技术）、电极制造技术方面进行了技术改进而已。
介绍了半导体技术概况，指出半导体技术是由工艺设计、工艺制造、工艺分析和质量控制四部分构成。
工艺设计包含工艺参数设计、工艺流程设计和工艺条件设计三部分内容，其设计过程是：由器件的电学参数（分离器件电学参数和集成电路功能参数）参照工艺水平进行结构参数的设计；然后进行理论验算（结构参数能否达到器件的电学参数的要求）；验算合格，依据工艺原理和原有工艺数据进行工艺设计。
工艺制造包含工艺程序实施、工艺设备、工艺改革三部分内容。
工艺分析包含原始材料分析、外延片质量分析、各工序片子参数分析和工艺条件分析等四部分内容，工艺分析的目的是为了工艺改进。
质量控制包含分离器件和集成电路的失效机理研究、可靠性分析和工艺参数控制自动化三部分内容。
在介绍、讨论、分析的基础上，指明了半导体器件制造中要注意的几个关键问题。
介绍了以典型硅外延平面工艺为基础的常规npn外延平面管管芯制造工艺流程和典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程，并分析了两种工艺的共同处和不同处。
课程难点：半导体器件制造的工艺设计所涉及的三部分内容中工艺参数设计所包含的具体内容；工艺流程设计包含的具体内容；工艺条件设计包含的具体内内容。
工艺制造涉及的具体内容，工艺线流程与各工序操作流程的区别。
半导体器件制造的工艺分析所涉及的四部分内容，进行原始材料分析、外延片质量分析、各工序片子参数分析、工艺条件分析的意义何在；如何对应器件的不合格性能参数，通过上述四项分析进行工艺改进，从而得到合格性能参数。
半导体器件制造的质量控制须做哪些工作，为什么说通过质量控制，器件生产厂家可提高经济效益、可提高自身产品的竞争能力、可提高产品的信誉度。
什么是工艺改革和新工艺的应用？什么是环境条件改革和工艺条件优化？为什么要注重情报和及时调整产品结构？什么是工业化大生产？这些问题为什么会成为半导体器件制造中的关键问题？为什么说半导体器件制造有冗长的工艺流程？十几步的分离器件制造工艺流程与二十几步的集成电路制造工艺流程有什么区别？集成电路制造比分离器件制造多出了隔离制作和埋层制作，各自有哪几步工艺构成？各起到什么作用？基本概念：1 半导体器件-由半导体材料制成的分离器件和半导体集成电路。
2半导体分离器件-各种晶体三极管；各种晶体二极管；各种晶体可控硅。
3 半导体集成电路-以半导体（硅）单晶为基片，以外延平面工艺为基础工艺，将构成电路的各元器件制作于同一基片上，布线连接构成的功能电路。
4 晶体三极管的电学参数-指放大倍数、结的击穿电压、管子的工作电压、工作频率、工作功率、噪声系数等。
5晶体三极管的结构参数-包括所用材料、电性区各层结构参数、器件芯片尺寸、外延层结构参数和工艺片厚度等。
6硅平面工艺-指由热氧化工艺、光刻工艺和扩散工艺为基础工艺构成的近平面加工工艺。
7硅外延平面工艺-外延工艺+硅平面工艺构成的器件制造工艺。
基本要求：要求学生了解本课程的性质，知道学好集成电路制造工艺原理对学习专业课的重要性。
掌握半导体器件制造技术中所涉及的四部分内容。
了解工艺设计所涉及的三部分内容中工艺参数设计所包含的具体内容；工艺流程设计包含的具体内容；工艺条件设计包含的具体内内容。
了解工艺制造涉及的具体内容，知道工艺线流程与各工序操作流程的区别是什么。
了解半导体器件制造的工艺分析所涉及的四个分析内容，知道进行原始材料分析、外延片质量分析、各工序片子参数分析、工艺条件分析的指导意义；能够对应器件的不合格性能参数，通过上述四项分析进行工艺改进，从而得到合格性能参数。
知道半导体器件制造的质量控制须做哪些工作，能清楚知道通过质量控制，器件生产厂家可提高经济效益、可提高自身产品的竞争能力、可提高产品的信誉度的原因。
知道什么是工艺改革和新工艺的应用？什么是环境条件改革和工艺条件优化？为什么要注重情报和及时调整产品结构？什么是工业化大生产？清楚这些问题为什么会成为半导体器件制造中的关键问题？了解半导体器件制造有冗长的工艺流程，分离器件制造工艺至少有十几步的工艺流程，集成电路制造工艺至少有二十几步的制造工艺流程。
知道集成电路制造比分离器件制造多出了隔离制作和埋层制作两大部分，知道制作隔离区的目的何在？制作埋层区的目的何在？清楚隔离制作有哪几步工艺构成？知道隔离氧化、隔离光刻和隔离扩散工艺各自达到什目的；清楚埋层制作有哪几步工艺构成？知道埋层氧化、埋层光刻和埋层扩散工艺各自达到什目的。
绪论作业：思考题：2个第一章衬底材料及衬底制备(6学时)§1.1 衬底半导体材料3学时课程内容：1 常用半导体材料及其特点1.1常用半导体材料1.1.1元素半导体材料1.1.2化合物半导体材料1.2硅材料的特点1.2.1价格低、纯度高1.2.2 制成的器件能工作在较高温度下1.2.3 电阻率选择范围宽1.2.4 其特有的硅外延平面工艺1.3砷化镓材料的特点1.3.1 载流子的低场迁移率高1.3.2 禁带宽度更大1.3.3 能带结构更接近跃迁型2 硅、砷化镓的晶体结构及单晶硅体2.1 硅的晶体结构及特点2.1.1 硅的金刚石型晶胞结构2.1.2 硅原子沿〈111〉向的排列规律2.2 砷化镓的晶体结构及特点2.2.1 砷化镓的闪锌矿型晶胞结构2.2.2 砷化镓的〈111〉向六棱柱晶胞2.2.3 砷化镓的〈111〉向特点2.3 硅、砷化镓晶体的制备方法2.3.1 硅单晶体的制备方法2.3.2 砷化镓晶体的制备方法2.4 单晶硅体2.4.1 单晶硅体呈圆柱状2.4.2 单晶硅体上具有生长晶棱3 硅衬底材料的选择3.1 硅衬底材料的结构参数3.1.1 结晶质量3.1.2 生长晶向3.1.3 缺陷密度3.2 硅衬底材料的物理参数3.2.1 电阻率3.2.2 少数载流子寿命3.2.3 杂质（载流子）补偿度3.3 硅衬底材料的电性参数3.4 其它要注意的问题3.4.1 电阻率不均匀性问题3.4.2 重金属杂质和氧、碳含量问题课程重点: 本节主要介绍了半导体器件（半导体分离器件和半导体集成电路）制造中常用的半导体材料。
在硅、锗元素半导体材料中，普遍应用的是硅半导体材料；在锑化铟、磷化镓、磷化铟、砷化镓等化合物半导体材料中，最常应用的是砷化镓半导体材料。
分别介绍了硅半导体材料和砷化镓半导体材料各自的特点，相应的应用场合。
讨论了硅半导体材料和砷化镓半导体材料的晶体结构，从中可知，虽然硅晶体具有金刚石型晶胞结构，而砷化镓晶体具有闪锌矿型晶胞结构，但从晶胞的构成和某些性质有相似的地方，但应注意其性质上的根本区别。
