集成电路芯片封装技术-芯片互连技术
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芯片封装技术
芯片封装技术是一项科学技术,用于将集成电路连接在一起,以实现整个系统中各部件之间的正确通信。
它可以支持电路元件在成品系统中的互连、与环境之间的界面和故障检测和维护。
芯片封装技术被广泛应用于电子行业,是低成本大规模集成电路制造的基础。
芯片封装技术包括多项技术,主要由封装表面贴装技术、封装热接技术和封装互连技术组成。
封装表面贴装技术指将封装元器件表面连接在一起,它包括直接焊接、铜布网焊接和热接技术等;封装热接技术是将封装元件和PCB进行连接,其主要技术有热封技术和半封装技术;封装互连技术是将封装元件和其他集成电路元件互连,它主要包括DSBGA、PBGA、CSP、FC-BGA等。
芯片封装技术有助于工程师和研究人员更好地设计集成电路,改善准确性、效率和可靠性。
除了上述技术外,芯片封装技术还包括封装结构、有源和无源材料、封装工艺路线、封装设备和测试等技术。
它们能够满足集成电路的多样化需求,为电子产品的开发和制作提供技术支持。
UESTC-Ning Ning1Chapter 2Chip Level Interconnection宁宁芯片互连技术集成电路封装测试与可靠性UESTC-Ning Ning2Wafer InWafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆)Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬)Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型)Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装)典型的IC 封装工艺流程集成电路封装测试与可靠性UESTC-Ning Ning3⏹电子级硅所含的硅的纯度很高,可达99.9999 99999 %⏹中德电子材料公司制作的晶棒(长度达一公尺,重量超过一百公斤)UESTC-Ning Ning4Wafer Back Grinding⏹PurposeThe wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process.⏹Process Methods:1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光)UESTC-Ning Ning5旋转及振荡轴在旋转平盘上之晶圆下压力工作台仅在指示有晶圆期间才旋转Method:The wafer is first mounted on a backgrind tape and is then loaded to the backgrind machine coarse wheel . As the coarse grinding is completed, the wafer is transferred to a fine wheel for polishing .。
一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次根基之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;构造保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做煤斜;;用于去除焊盘外表氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡直。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有遮射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(MOdUIe)、⅛路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进展芯片处理时,首先进展在硅片正面切割一定深度切口再进展反面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料枯燥烧结的方法O15、芯片的外表组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连,包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
第二章集成电路芯片封装工艺流程传统封装与装配硅片测试和拣选引线键合分片塑料封装最终封装与测试贴片芯片封装技术工艺流程图硅片减薄硅片切割芯片贴装芯片互连打码上焊锡切筋成形去毛刺成型技术2.1 硅片减薄硅片尺寸较大,(6寸、8寸、12寸);硅片上电路层有效厚度300μm,加厚为700~900µm,因此,封装之前,要对硅片进行减薄。
减薄技术:研磨、化学机械抛光(CMP)、干式抛光、电化学腐蚀、等离子化学腐蚀等。
硅片减薄转动和摆动秆转动卡盘上的硅片向下施加力Figure 20.42.2 芯片切割(分片)减薄后的芯片贴在一个带有金属环的薄膜(蓝膜)上,送到划片机进行划片。
方式:手动操作(老式划片机);自动划片机(配备脉冲激光束或金刚石划片刀)。
划片工艺:采用DBG 、DBT技术。
分片硅片台锯刃Figure 20.52.3 芯片粘贴共晶粘贴法(Au-Si合金)焊接粘贴法(Pb-Sn合金焊接)环氧树脂粘结(重点)玻璃胶粘贴法贴装方式4种:装架芯片引线引线框架塑料DIPFigure 20.62.3.1 共晶粘贴法金—硅共晶(Au-Si)粘贴,在陶瓷封装中广泛应用。
利用金—硅合金,在高温时共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。
工艺方法—看下页图缺点:工艺温度高,生产效率低,不适应高速自动化生产。
只应用于大功率元件。
芯片粘结-Au-Si共晶贴片Silicon Gold film 金/硅共晶合金Al2O3 Figure 20.82.3.2 焊接粘贴法另一种利用合金反应进行芯片粘贴的方法。
优点:热传导性好,适合高功率器件的封装。
2.3.3 导电胶粘贴法也称环氧树脂粘结;优点:操作简单、成本低、大量用于塑料封装;缺点:热稳定性较差、易在高温下劣化、可靠性差。
芯片粘结-环氧树脂粘贴芯片环氧树脂引线框架Figure 20.7导电胶粘贴法工艺过程和导电胶材料涂布粘贴剂放芯片到粘贴剂上固化处理。
固化条件:150℃,1h 或(186℃,0.5h)三种导电胶材料配方:①各向同性②导电硅橡胶③各向异性导电聚合物导电胶功能:(形成化学结合、具有导电功能)2.3.4 玻璃胶粘贴法为低成本芯片粘贴材料,适用于低成本的陶瓷封装。
第一章集成电路芯片封装技术1. (P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。
广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。
2. 芯片封装实现的功能:1 传递电能,主要是指电源电压的分配和导通。
2 传递电路信号,主要是将电信号的延迟尽可能减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的IO接口引出的路径达到最短。
3 提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散出的问题。
4 结构保护与支持,主要是指芯片封装可为芯片和其他连接部件提供牢固可靠的机械支撑,并能适应各种工作环境和条件的变化。
3.在确定集成电路的封装要求时应注意以下儿个因素:1 成本2 外形与结构3 可靠性4 性能4.在选择具体的封装形式时,主要需要考虑4种设计参数:性能、尺寸、重量、可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术层次:第一层次(Level1或First Level):该层次又称为芯片层次的封装(Chip Level Packaging),是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架(Lead Frame)之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次组装进行连接的模块(组件Module)元件。
第二层次(Level2或Second Level:将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成个电路卡(Card〉的工艺.第三层次(Level3或Third Level):将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板(Board)上使之成为一个部件或子系(Subsystem)的工艺。
第四层次(Level4或Fourth Level)将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程。
在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺也称为零级层次(Level 0)的封装,6.封装的分类:按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类。
引线键合应用范围:低本钱、高靠得住、高产量等特点使得它成为芯片互连的主要工艺方式,用于下列封装::一、陶瓷和塑料BGA、单芯片或多芯片二、陶瓷和塑料(CerQuads and PQFPs)3、芯片尺寸封装(CSPs)4、板上芯片(COB)硅片的磨削与研磨:硅片的磨削与研磨是利用研磨膏和水等介质,在研磨轮的作用下进行的一种减薄工艺,在这种工艺中硅片的减薄是一种物理的进程。
硅片的应力消除:为了堆叠裸片,芯片的最终厚度必需要减少到了30μm乃至以下。
用于3D互连的铜制层需要进行无金属污染的自由接触处置。
应力消除加工方式,主要有以下4种。
硅片的抛光与等离子体侵蚀:研磨减薄工艺中,硅片的表面会在应力作用下产生细微的破坏,这些不完全平整的地方会大大降低硅片的机械强度,故在进行减薄以后一般需要提高硅片的抗折强度,降低外力对硅片的破坏作用。
在这个进程中,一般会用到干式抛光或等离子侵蚀。
干式抛光是指不利用水和研磨膏等介质,只利用干式抛光磨轮进行干式抛光的去除应力加工工艺。
等离子侵蚀方式是指利用氟类气体的等离子对工件进行侵蚀加工的去除应力加工工艺。
TAIKO工艺:在实际的工程应用中,TAIKO工艺也是用于增加硅片研磨后抗应力作用机械强度的一种方式。
在此工艺中对晶片进行研削时,将保留晶片外围的边缘部份(约3mm左右),只对圆内进行研削薄型化,通过导入这项技术,可实现降低薄型晶片的搬运风险和减少翘曲的作用,如图所示。
激光开槽加工:在高速电子元器件上慢慢被采用的低介电常数(Low-k)膜及铜质材料,由于难以利用普通的金刚石磨轮刀片进行切割加工,所以有时无法达到电子元件厂家所要求的加工标准。
为此,迪思科公司的工程师开发了可解决这种问题的加工应用技术。
减少应力对硅片的破坏作用先在切割道内切开2条细槽(开槽),然后再利用磨轮刀片在2条细槽的中间区域实施全切割加工。
通过采用该项加工工艺,能够提高生产效率,减少乃至解决因崩裂、分层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。