场效应管电机驱动-MOS管H桥原理

mos管驱动的全桥电路原理全桥电路是一种常用的电力电子转换电路，可以实现电压、电流的变换和控制。

在全桥电路中，MOS管是常用的开关元件。

本文将详细介绍mos管驱动的全桥电路原理。

全桥电路由四个MOS管组成，分别是上侧的两个开关管和下侧的两个开关管。

这四个MOS管可以分别控制电流的通断，通过合理的控制，可以实现对电压和电流的精确控制。

在全桥电路中，MOS管的驱动是至关重要的。

驱动电路的设计和实现可以有效地提高全桥电路的效率和性能。

我们来了解一下MOS管的基本原理。

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，由源极、漏极和栅极组成。

当栅极与源极之间的电压达到一定阈值时，MOS管就会导通，形成一条通路，电流可以流过。

在全桥电路中，MOS管的驱动电路通常采用半桥驱动或全桥驱动。

半桥驱动只需两个驱动信号，可以实现两个MOS管的控制，而全桥驱动则需要四个驱动信号，可以同时控制四个MOS管。

半桥驱动的原理是通过两个晶体管和两个电阻器组成的电路，通过控制晶体管的导通和截止，来实现对两个MOS管的控制。

当晶体管导通时，相应的MOS管导通，反之，MOS管截止。

通过调整晶体管的导通时间和截止时间，可以控制MOS管的导通和截止，从而实现对电流和电压的控制。

全桥驱动则采用更加复杂的电路设计。

它由四个晶体管和四个电阻器组成，每个MOS管都与一个晶体管和一个电阻器相连。

通过调整晶体管的导通时间和截止时间，可以实现对四个MOS管的分别控制。

全桥驱动可以实现更加精确的控制，提高电路的稳定性和效率。

在mos管驱动的全桥电路中，还需要考虑保护电路的设计。

由于MOS管是一种敏感的元件，容易受到过电压、过电流等因素的影响，因此需要设计相应的保护电路，以保证电路的安全和稳定运行。

mos管驱动的全桥电路是一种常用的电力电子转换电路，通过合理的驱动设计和实现，可以实现对电压和电流的精确控制。

在实际应用中，还需要考虑保护电路的设计，以确保电路的安全和稳定运行。

场效应管电机驱动M O S 管H 桥原理所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。

下图就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1 Q2与2个N型场效应管Q3 Q3组成，所以它叫P-NMO管H桥。

与非网模拟与电源技术社区桥臂上的4个场效应管相当于四个开关，P型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。

场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。

正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1置高电平(U=VCC、控制臂2置低电平(U=0时，Q1 Q4关闭，Q2 Q3导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。

设为电机正转与非网模拟与电源技术社区控制臂1置低电平、控制臂2置高电平时，Q2 Q3关闭，Q1、Q4导通，电机左端高电平,右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。

设为电机反转与非网模拟与电源技术社区当控制臂1、2均为低电平时，Q1、Q2导通，Q3 Q4关闭，电机两端均为高电平，电机不转；当控制臂1、2均为高电平时，Q1、Q2关闭，Q3 Q4导通，电机两端均为低电平，电机也不转，所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。

（另外还有4个N型场效应管的H桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883原理基本相似，不再赘述。

）下面是由与非门CD4011组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V,而我们小车使用的H桥的控制臂需要0V或7.2V电压才能使场效应管完全导通，PW输入0V或5V时,栅极驱动电路输出电压为0V或7.2V，前提是CD4011电源电压为7.2V。

切记！！故CD4011仅做“电压放大”之用。

之所以用两级与非门是为了与MC33886兼容与非网模拟与电源技术社区两者结合就是卜面的电调试时两个PW输入端其中一个接地，另一个悬空（上拉置1），电机转为正常。

n沟道MOS管设计H桥电路概述本文档将介绍n沟道M OS管设计H桥电路的相关知识和实际应用。

H桥电路是一种常用于电机驱动的电路结构，可以实现正反转和制动功能。

通过灵活地控制四个开关管的导通和截止状态，可以实现精确的电机控制。

在本文中，我们将探讨n沟道MO S管在设计H桥电路中的具体应用和相关技术要点。

1. n沟道M O S管简介n沟道M OS管是一种常见的场效应管，其特点是导电能力强，电流控制性能优秀。

在电机驱动中，n沟道M OS管常常用于控制电机的正反转、速度和制动等功能。

通过合理的设计和选型，n沟道M OS管可以实现高效的电能转换和精确的电机控制。

2. H桥电路概述H桥电路是由四个开关管以及与之配对的半桥驱动电路组成的电路结构。

通过改变四个开关管的导通和截止状态，可以改变电压施加在电机上的方向和大小，从而实现电机控制。

H桥电路主要包括上下半桥和驱动电路两部分，合理的设计和选型能保证电机工作的稳定性和效率。

2.1上下半桥结构H桥电路由两个相对的半桥组成，分别为上半桥和下半桥。

上半桥包括两个开关管，可以通过控制开关管的导通和截止状态来决定电压施加在电机上的方向和大小。

下半桥也包括两个开关管，通过与上半桥相反的导通和截止状态来实现电机的反向驱动。

2.2驱动电路H桥电路中的驱动电路负责控制开关管的导通和截止状态，进而实现电机的正反转、速度和制动等功能。

驱动电路需要提供合适的电压和电流信号，且具备耐压、耐流等特性，以确保稳定可靠的电机运行。

3. n沟道M O S管在H桥电路中的应用n沟道M OS管在H桥电路中起到关键作用，其优点包括低开关损耗、高开关速度、低驱动功率等。

虽然M OS管具有一定的导通电阻和漏电流，但在设计中可以通过合适的选型和辅助电路进行优化。

3.1开关管选型在选择n沟道MO S管时，需要考虑其耐压、导通电阻、开关速度等参数。

合适的选型能够满足电机工作的需求，并提高整体效率。

3.2驱动电路设计驱动电路设计要考虑到n沟道MO S管的特性，为其提供合适的电压和电流信号。

场效应管h桥电路（原创实用版）目录1.场效应管 h 桥电路的概述2.场效应管 h 桥电路的工作原理3.场效应管 h 桥电路的应用4.场效应管 h 桥电路的优缺点正文一、场效应管 h 桥电路的概述场效应管 H 桥电路，是一种常用的放大电路，它的主要构成部分是四个场效应管。

这种电路具有很好的电压放大特性，被广泛应用于各种电子设备中，如音频放大器、无线通信设备等。

二、场效应管 h 桥电路的工作原理场效应管 H 桥电路的工作原理主要基于场效应管的电压放大特性。

在电路中，四个场效应管分为两组，分别是输入端和输出端，每组各有两个场效应管。

输入端的两个场效应管分别接受输入信号，输出端的两个场效应管则提供放大后的信号输出。

当输入信号发生变化时，输入端的两个场效应管会根据输入信号的电压变化而开关，从而改变输出端的两个场效应管的导通状态。

这样就实现了对输入信号的放大。

三、场效应管 h 桥电路的应用场效应管 H 桥电路广泛应用于各种电子设备中，主要用于电压放大。

例如，在音频放大器中，场效应管 H 桥电路可以对音频信号进行放大，从而使音频信号能够驱动扬声器发出更大的声音。

在无线通信设备中，场效应管 H 桥电路可以用于放大信号，从而增强信号的传输距离。

四、场效应管 h 桥电路的优缺点场效应管 H 桥电路具有许多优点，例如，它的电压放大特性非常好，可以提供较大的电压增益。

此外，它还具有输入阻抗高、输出阻抗低等优点。

然而，场效应管 H 桥电路也存在一些缺点。

例如，它的电流放大能力较弱，不能提供较大的电流增益。

此外，它的制作工艺较为复杂，需要精确控制场效应管的尺寸和掺杂浓度等参数。

H桥电路的原理及应用介绍一、H桥电路原理H桥电路是一种常见的电子电路结构，因其形状类似于英文字母“H”，故得名为H桥。

H桥电路主要用于控制直流电机或其他电机的方向和速度。

它由四个开关器件（如晶体管或场效应管）组成，形成了一个H形的电路结构。

在H桥电路中，当两个开关器件处于导通状态，而另外两个处于截止状态时，电机就会正向旋转；反之，当另外两个开关器件导通时，电机就会反向旋转。

通过控制这四个开关器件的开关状态，可以控制电机的旋转方向和速度。

二、H桥电路结构典型的H桥电路结构如下图所示：图：H桥电路结构示意图在图中，当Q1和Q4导通，而Q2和Q3截止时，电流从左至右流过电机，使电机正向旋转；反之，当Q1和Q4截止，而Q2和Q3导通时，电流从右至左流过电机，使电机反向旋转。

三、H桥电路工作模式根据开关器件的控制方式，H桥电路有三种工作模式：双极性模式、单极性模式和斩波模式。

双极性模式：在这种模式下，电机在正转和反转时都以全速运行。

这种模式适用于需要高转矩的应用。

单极性模式：在这种模式下，电机只能在一个方向上全速运行，而在反方向上停止。

这种模式适用于需要快速反转的应用。

斩波模式：在这种模式下，电机的平均电压和电流被调节在一定的范围内。

这种模式适用于需要精确控制电机速度的应用。

四、H桥电路驱动方式H桥电路的驱动方式主要有两种：直接驱动和隔离驱动。

直接驱动：在这种方式下，控制信号直接驱动开关器件。

这种方式简单、成本低，但要求控制信号的电流驱动能力较强。

隔离驱动：在这种方式下，使用隔离器件（如光耦合器）将控制信号与开关器件隔离，以避免相互影响。

这种方式适用于高速、大功率应用。

五、H桥电路的应用领域H桥电路广泛应用于各种需要控制直流电机方向和速度的场合，如电动玩具、汽车电子、无人机等。

它还可以用于控制其他类型的负载，如电磁阀、加热器等。

六、H桥电路在电机控制中的应用在电机控制中，H桥电路主要用于直流电机的方向和速度控制。

mos管h桥电机驱动电路图 H桥是⼀个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。

4个三极管组成H的4条垂直腿，⽽电机就是H中的横杠（注意：图中只是简略⽰意图，⽽不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。

H桥驱动原理 1）电机驱动 电路⾸先，单⽚机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单⽚机普通做驱动信号，驱动⼤的功率管如Mos管，来产⽣⼤电流从⽽驱动电机，且占空⽐⼤⼩能够经过驱动芯⽚控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的⽬的。

电机驱动主要采⽤N沟道MOSFET构建H 桥驱动电路，H 桥是⼀个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名⽈“H 桥”。

4个开关组成H的4条垂直腿，⽽电机就是H中的横杠。

要使电机运转，必需使对⾓线上的⼀对开关导通，经过不同的电流⽅向来控制电机正反转，其连通电路如图所⽰。

2）H桥驱动原理 实践驱动电路中通常要⽤硬件电路便当地控制开关，电机驱动板主要采⽤两种驱动芯⽚，⼀种是全桥驱动HIP4082，⼀种是半桥驱动IR2104，半桥电路是两个MOS管组成的振荡，全桥电路是四个MOS管组成的振荡。

其中，IR2104型半桥驱动芯⽚能够驱动⾼端和低端两个N沟道MOSFET，能提供较⼤的栅极驱动电流，并具有硬件死区、硬件防同臂导通等功⽤。

运⽤两⽚IR2104型半桥驱动芯⽚能够组成完好的直流电机H桥式驱动电路，⽽且IR2104价钱低廉，功⽤完善，输出功率相对HIP4082较低，此计划采⽤较多。

另外，由于驱动电路可能会产⽣较⼤的回灌电流，为避免对单⽚机产⽣影响，最好⽤隔离芯⽚隔离，隔离芯⽚选取有很多⽅式，如2801等，这些芯⽚常做控制总线驱动器，作⽤是进步驱动才能，满⾜⼀定条件后，输出与输⼊相同，可停⽌数据单向传输，即单⽚机信号能够到驱动芯⽚，反过来不⾏。

mos管h桥电机驱动电路图 mos管H桥电路 图1中所⽰为⼀个典型的直流电机控制电路。

场效应管h桥电路摘要：1.场效应管简介2.H 桥电路的基本构成3.H 桥电路的工作原理4.H 桥电路的应用领域5.H 桥电路的优缺点正文：场效应管（FET）是一种半导体器件，具有很高的输入电阻和较低的噪声。

H 桥电路是一种用于控制电机、驱动器和其他负载的电路。

将场效应管应用于H 桥电路，可以实现更高效、更可靠的电机控制。

H 桥电路的基本构成包括四个场效应管，它们按照特定的方式连接。

具体而言，H 桥电路包括两个P 型场效应管（PMOS）和两个N 型场效应管（NMOS），它们分别位于电路的上下两层。

这些场效应管的源极和漏极相互连接，形成一个闭合的四端结构。

H 桥电路的工作原理如下：a.当控制信号使PMOS 导通时，电流可以通过PMOS 进入电路的下半部分；b.此时，NMOS 截止，电路的上半部分无电流通过；c.当控制信号使NMOS 导通时，电流可以通过NMOS 离开电路的下半部分；d.此时，PMOS 截止，电路的上半部分无电流通过。

通过这种工作方式，H 桥电路可以实现对电机等负载的正反转控制。

在实际应用中，H 桥电路可以根据不同的控制信号实现多种电机控制策略，例如速度控制、位置控制等。

H 桥电路在场效应管的驱动下具有很高的性能。

由于场效应管具有较低的导通电阻，因此可以实现较高的电流输出。

此外，场效应管具有较快的开关速度，可以减小电路中的电磁干扰。

这使得H 桥电路在需要高效、高可靠性电机控制的领域具有广泛的应用，例如电动汽车、机器人、航空航天等。

然而，H 桥电路也存在一些缺点。

首先，由于需要四个场效应管，其成本相对较高。

其次，在实际应用中，H 桥电路的设计和控制较为复杂，需要充分考虑电路参数、控制策略等多方面因素。

总之，场效应管H 桥电路是一种具有高效、高可靠性特性的电机控制电路。

mos管h桥半桥你有没有想过，电路里那些神奇的小东西，是怎么让我们的电器跑起来的？今天，咱们聊聊一个特别有意思的玩意儿——MOS管H桥半桥。

说起来，这个名字听着挺专业的，仿佛你要去攻读电气工程博士学位似的。

但是别怕，咱们就从头开始，慢慢地捋清楚，让你也能像我一样，一点不觉得陌生。

咱们得说说“MOS管”是个什么东东。

MOS管，全名金属氧化物半导体场效应晶体管，说白了，它就是电路中的“开关”。

它有个好处，就是控制电流特别精准，省电又高效，想让它通电还是断电，轻松得就像是换台遥控器那么简单。

你想想，如果你手上有这么一个神奇的开关，你是愿意一直按着它让电路“开”呢，还是一直让它“关”？嗯，答案应该是两者都可以对吧，谁不想自由切换一下呢！说到H桥，这又是啥意思呢？其实吧，H桥就是一种特殊的电路结构。

想象一下，电路里有四个开关，它们排列得像字母“H”一样，咱们称这种结构为“H桥”。

你可别小看这个H桥，它能让电流在电路中逆转，控制电动机的转向。

就像你开车时，踩油门让车前进，踩刹车让车倒退。

H桥就是给电动机装上了个“前进”和“倒退”的功能，让你可以随心所欲地调节。

为什么说是“半桥”呢？简单！就是H桥的其中一部分。

你知道的，H桥的四个开关，分成了两组，每组控制电流的流向。

一个“半桥”其实就是把H桥的一半拿走了，剩下的部分也能正常工作。

半桥电路在不少设备里用得特别广，尤其是一些小型的电动工具和驱动电路。

比如咱们平时玩的遥控车，那个车里的电动机，就是通过这种电路来控制的哦。

可别小看这个半桥电路，它的工作原理可是让人眼前一亮。

就拿四个开关来说，只有两组开关通过，电流才会流过电动机，进而让电动机转动。

而这些开关嘛，就是通过MOS管来控制的。

好比你家的灯开关，插座啥的，每按一次，电路就会接通或者断开，电动机也就“听话”了。

一个小小的开关，就能让一个大大机械动起来，不得不说，电路的魔力真是大得很。

对了，MOS管的好处不仅仅是控制电流，它的开关速度特别快。

h桥mos管沟道续流原理[h桥mos管沟道续流原理]引言：在电子领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常常见且重要的器件。

在许多应用中，H桥电路被广泛使用，其中MOSFET的沟道续流原理是其核心。

本文将详细介绍H桥MOSFET沟道续流原理，并逐步解释其工作过程。

第一部分：H桥电路的基本概念H桥电路是一种常见的电路配置，常用于电机驱动、电源逆变器等应用中。

它由四个开关器件（通常四个MOSFET）组成，形成一个类似字母"H"的形状。

其中，两个对角线上的MOSFET称为上桥臂，另外两个则是下桥臂。

通过适当地控制这四个MOSFET的导通与截止，可以实现对电流的双向控制，从而实现电机的正转、反转或制动等操作。

第二部分：MOSFET的基本结构和工作原理MOSFET是一种可以控制电流的器件，它由沟道和栅极组成。

栅极用于控制沟道的通断，沟道则实现电流的流动。

MOSFET的沟道分为两种类型：N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）。

N沟道MOSFET通常用于正向电流驱动，P沟道MOSFET则可用于负向电流驱动。

第三部分：H桥MOSFET沟道续流原理H桥MOSFET沟道续流是指电流在MOSFET的导通状态下，从一个桥臂流向另一个桥臂的现象。

这在电机反向转动或制动时是非常重要的。

以下将详细解释沟道续流的原理。

步骤一：正向电流驱动当控制H桥电路使得上桥臂MOSFET导通，而下桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是正向电流。

在这种情况下，上桥臂MOSFET的沟道中的电流开始流动，同时下桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。

电机将按照设定的方向正向转动。

步骤二：反向电流驱动当控制H桥电路使得下桥臂MOSFET导通，而上桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是反向电流。

这时，电流会沿着下桥臂MOSFET的沟道流动，同时上桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。

电机将按照设定的方向反向转动。

mos管的h桥mos管的h桥是一种常用的电路配置，用于控制直流电机的转向和速度。

h桥由四个电子开关组成，可以将直流电源的正负极接到电机的不同端口，从而改变电机的转向。

在这篇文章中，我们将探讨mos管的h桥的工作原理、应用以及优缺点。

让我们来了解一下mos管。

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管的简称，它由一个金属氧化层、一个过渡层和一个导电层组成。

MOS管具有低电流、高电压和高频率等特点，在电子设备中得到广泛应用。

mos管的h桥电路由四个mos管和四个二极管组成。

其中两个mos 管和两个二极管组成一个半桥，两个半桥并联形成完整的h桥。

这种电路配置可以实现电机的正转、反转以及制动等功能。

h桥的工作原理如下：当mos管1和mos管4导通时，电流从电源的正极进入电机的一个端口，然后经过电机流出另一个端口，再经过mos管2和mos管3回到电源的负极。

这样，电机就会按照某个方向旋转。

当mos管2和mos管3导通时，电机将按相反的方向旋转。

通过控制mos管的导通和截止，可以实现电机的正转、反转以及制动。

mos管的h桥广泛应用于电机控制领域。

例如，它可以用于电动车、机器人和工业自动化设备等。

在电动车中，h桥可以控制电机的转向和速度，从而实现车辆的前进、后退以及制动。

在机器人中，h 桥可以控制电机的转动，从而实现机器人的运动、抓取和举升等功能。

在工业自动化设备中，h桥可以控制电机的转速和负载，从而实现设备的精确控制和运动。

mos管的h桥具有一些优点和缺点。

首先，它具有较高的效率和较低的功耗，可以实现精确的电机控制。

其次，h桥可以实现电机的正转、反转和制动，具有较好的灵活性。

然而，h桥也存在一些缺点，例如，由于mos管的导通和截止需要一定的时间，所以在高速转向和频繁转向时可能会出现问题。

此外，h桥的设计和调试也相对复杂，需要考虑到电流、电压和温度等因素。

总结起来，mos管的h桥是一种常用的电路配置，用于控制直流电机的转向和速度。

h桥电机驱动电路H桥电机驱动电路H桥电机驱动电路是一种常用的电路设计，用于控制直流电机的运转方向和速度。

它通过使用四个电晶体来控制电机的正反转，并且可以通过改变电晶体的导通方式来控制电机的速度。

本文将详细介绍H桥电机驱动电路的工作原理、组成和应用。

1. 工作原理H桥电机驱动电路由四个电晶体组成，其中两个电晶体用于控制电机的正转，另外两个电晶体用于控制电机的反转。

当电机需要正转时，对应的两个电晶体导通，使电流流过电机，使其正转。

当电机需要反转时，其他两个电晶体导通，使电流流动方向相反，使电机反转。

为了控制电机的速度，可以通过改变电晶体的导通方式来改变电机的驱动电流。

常见的方法是使用PWM (Pulse Width Modulation) 技术，在一个周期内改变电晶体导通的时间比例，从而改变电机的转速。

较短的导通时间比例会使电机转速增加，而较长的导通时间比例会使电机转速降低。

2. 组成H桥电机驱动电路由以下几个主要组成部分构成：2.1 电源电源提供所需的电压和电流，以驱动电机正常运行。

通常使用直流电源作为电机的电源，其电压根据电机的驱动要求而定。

2.2 控制信号输入端H桥电机驱动电路需要控制信号来控制电机的转向和速度。

这些控制信号通常来自于微控制器、单片机或其他控制设备。

控制信号输入端接收这些信号，并根据信号的不同导通对应的电晶体，从而控制电机的运行。

2.3 逻辑电路逻辑电路用于控制电晶体的导通和截止状态。

它接收控制信号，并根据信号的逻辑状态来控制电晶体的导通和截止。

2.4 电晶体H桥电机驱动电路使用四个电晶体，通常为MOSFET (金属氧化物半导体场效应管) 或者IGBT (绝缘栅双极性晶体管)。

这些电晶体用于控制电机的正反转和速度。

2.5 保护电路为了保护电机和电路，H桥电机驱动电路通常还会包含一些保护电路，例如过流保护、过温保护和反向电压保护等。

这些保护电路能够有效防止电机损坏和电路故障。

3. 应用H桥电机驱动电路广泛应用于各种领域和场合，例如机器人控制、汽车电动系统、工业自动化等。

场效应管h桥电路
【实用版】
目录
1.场效应管的基本概念
2.H 桥电路的结构和工作原理
3.场效应管 H 桥电路的特点和应用
正文
一、场效应管的基本概念
场效应管（Field Effect Transistor，简称 FET）是一种半导体器件，是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。

场效应管是三种主要的晶体管之一，另外两种是双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。

场效应管具有高输入电阻、低噪声和低功耗等特点，在电路设计中有着广泛的应用。

二、H 桥电路的结构和工作原理
H 桥电路，又称为双差分对电路，是一种常用的功率放大电路。

它由两个互补的差分对组成，可以实现直流电机的正反转控制。

H 桥电路的结构包括四个开关元件，通常由场效应管或晶体管构成。

H 桥电路的工作原理如下：
1.当输入信号加在 A、B 两点时，Q1 和 Q4 导通，Q2 和 Q3 截止。

此时，电流从电源正极经过 Q1、电机、Q4 流回电源负极，电机正转。

2.当输入信号加在 A、B 两点相反时，Q1 和 Q4 截止，Q2 和 Q3 导通。

此时，电流从电源正极经过 Q2、电机、Q3 流回电源负极，电机反转。

3.当输入信号从 A、B 两点移除时，Q1 和 Q4 截止，Q2 和 Q3 截止。

此时，电机无电流流过，停止转动。

三、场效应管 H 桥电路的特点和应用
采用场效应管作为开关元件的 H 桥电路具有以下特点：
1.场效应管具有较高的输入电阻，可以降低电路的干扰。

2.场效应管的功耗较低，可以提高电路的效率。

3.场效应管具有较大的信号传输能力，可以实现较大功率的控制。

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析 3.3 电机驱动模块设计3.3.1 H桥工作原理及驱动分析3.3.2 前级PWM信号和方向控制信号逻辑处理电路设计分析由于H桥控制MOS管的开关需要4路控制信号，对于由NMOS管组成H桥的一侧而言，一般情况下，上下两管共用一个控制信号，并且其中一只NMOS管的控制信号是将共用的控制信号反向得到的，如图3-7所示，74HC14的作用是将输入的控制信号反向作为下管的控制信号，从而保证上下两个MOS管不会同时导通,那么对于一个完整的H桥就要2路PWM信号来控制电机的速度和正反转，而且两路PWM信号还必须保证同步且极性相反，对于低端单片机而言这一点不是很容易做到。

图3-7 一般控制信号处理原理图本设计在上面所述的思想上做了改进和延伸，通过一路PWM信号、一路DIR方向控制信号、74HC00、74HC08数字芯片，实现四路控制信号的输出，上下两管的逻辑控制信号具有有互锁保护功能，从而保证同侧桥臂的上下NMOS管不会同时导通造成能量浪费甚至烧毁MOS管和电源。

如图3-8所示，HIN1、LIN1、HIN2、LIN2分别为两侧上下管的控制信号，HIN1、LIN1不能同时为1，HIN2、LIN2不能同时为1。

DIR=1时，电机正转，DIR=0时，电机反转。

当DIR=1正转时，LIN2恒为1，图3-9中Q3始终导通，HIN1、LIN1通过PWM 控制导通时间调节转速，当DIR=0反转时，LIN1恒为1，图3-9中Q4始终导通，HIN2、LIN2通过PWM控制导通时间调节转速。

DIR=0或1，两桥臂下管始终导通，这也为自举电容的快速充电提增加了一条回路，也就是说不管是正转还是反转，当上管关闭时两侧下管可同时提供充电回路，而不是单侧的下管，因为电机阻抗的存在，起主要充电作用的还是单侧的下管。

当PWMZ占空比为0时，LIN1、LIN2都为1时，两侧下管同时导通将电机两端接地，这样可以实现电机快速制动。

场效应管电机驱动-MOS管H桥原理时间:2010-09-16 来源: 作者:Liang110034@126 点击：1641 字体大小:【大中小】所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。

下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS 管H 桥。

桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关，P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。

场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。

正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1 置高电平（U=VCC）、控制臂2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭，Q2、Q3 导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。

设为电机正转。

控制臂1 置低电平、控制臂2 置高电平时，Q2、Q3 关闭，Q1、Q4 导通，电机左端高电平，右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。

设为电机反转。

当控制臂1、2 均为低电平时，Q1、Q2 导通，Q3、Q4 关闭，电机两端均为高电平，电机不转；当控制臂1、2 均为高电平时，Q1、Q2 关闭，Q3、Q4 导通，电机两端均为低电平，电机也不转，所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H 桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。

（另外还有4 个N 型场效应管的H 桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883，原理基本相似，不再赘述。

）下面是由与非门CD4011 组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V，而我们小车使用的H 桥的控制臂需要0V 或7.2V 电压才能使场效应管完全导通， PWM 输入0V 或5V时，栅极驱动电路输出电压为0V 或7.2V，前提是CD4011 电源电压为7.2V。

切记！！故CD4011 仅做“电压放大”之用。

MOS H桥电路原理1. 引言MOS H桥电路是一种常用的电子开关电路，主要用于控制直流电机的转向和速度。

它由四个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成，可以实现正转、反转和制动等功能。

本文将详细介绍MOS H桥电路的基本原理、工作方式以及应用。

2. MOSFET简介在了解MOS H桥电路之前，首先需要了解MOSFET的基本原理。

MOSFET是一种三端可控硅，由源极（S）、栅极（G）和漏极（D）组成。

栅极与源极之间通过一个氧化层隔离，形成栅氧化物层。

根据栅极与源极之间的电压变化，可以控制漏极与源极之间的导通状态。

MOSFET有两种工作模式：增强型和耗尽型。

增强型MOSFET在栅极-源极间施加正向偏置时导通，耗尽型MOSFET在栅极-源极间施加负向偏置时导通。

3. MOS H桥电路结构3.1 基本结构MOS H桥电路由四个MOSFET组成，分别命名为Q1、Q2、Q3和Q4。

这四个MOSFET 分别连接在直流电源和负载之间，形成一个桥式结构。

其中，Q1和Q2被连接在一起，称为上半桥；Q3和Q4被连接在一起，称为下半桥。

Vcc│Q1│────┼───────┌────┴────┐Vout1 │ │ Vout2│ 负载│GND ──┼────┬────┼─── GND│ Q3 │└────┬────┘Q43.2 工作原理当控制信号输入时，可以通过控制上半桥的导通与否以及下半桥的导通与否来实现对负载的正转、反转和制动。

•正转：使得上半桥导通，下半桥断开。

•反转：使得上半桥断开，下半桥导通。

•制动：使得上下半桥同时导通或同时断开。

具体来说，在正转时，将控制信号分别施加到Q1和Q4的栅极上，并将Q2和Q3的栅极接地。

这样，Q1和Q4导通，形成一条通路，电流从Vcc流向负载，实现正转。

反转时，将控制信号分别施加到Q2和Q3的栅极上，并将Q1和Q4的栅极接地。

这样，Q2和Q3导通，形成一条通路，电流从负载流向GND，实现反转。

场效应管（Field-Effect Transistor，FET）H桥电路是一种常用于控制电机或其他负载的电路配置，它使用四个场效应管来实现正反转和速度控制。

H桥电路通常用于驱动直流电机，可以改变电机的方向和速度，因此在机器人、电动车、工业自动化等领域广泛应用。

下面是一个简单的FET H桥电路示意图：```Vcc|||/ \\ /|||----------------------- Motor| |M1 M2(FET1) (FET2)| ||-----------------------|| |/ \ / \\ / \ /| |||M3 M4(FET3) (FET4)| ||-----------------------|| |/ \ / \\ / \ /||GND```上述电路中：- Vcc 是电源供应电压，通常为直流电压。

- M1、M2、M3 和M4 是场效应管，用于控制电机的正反转和速度。

- 电机是要驱动的负载。

- GND 是电路的接地。

H桥电路的工作原理如下：- 当FET1 和FET4 被打开，FET2 和FET3 被关闭时，电流从Vcc 流经电机，使电机正转。

- 当FET2 和FET3 被打开，FET1 和FET4 被关闭时，电流反向流经电机，使电机反转。

- 通过调整FET1、FET2、FET3 和FET4 的开关状态和占空比，可以控制电机的速度。

需要注意的是，H桥电路的设计需要考虑到场效应管的额定电流和电压以及电机的负载要求，以确保电路正常工作且稳定。

此外，还需要合适的驱动电路来控制场效应管的开关状态，通常使用微控制器或专用的驱动器芯片。

在设计和使用H桥电路时，务必谨慎，以避免电路故障和损坏。

12vmos管 h 桥电路12V电源桥电路是一种常见的电子电路，用于将交流电转换成直流电。

它由四个MOS管组成，通常被称为H桥电路。

本文将介绍H 桥电路的原理、特点以及在实际应用中的使用。

H桥电路的原理是利用四个MOS管的开关动作，实现对电流的正反向控制。

在正常工作状态下，两个对角线上的MOS管是导通的，而另外两个则是断开的。

这样，当输入交流电通过两个导通的MOS 管时，就会形成一个电流路径，使得直流电源的正负极分别与交流电的两个极性相连。

当交流电的极性改变时，只需切换导通的MOS 管，就可以实现电流的反向流动，从而将交流电转换成直流电。

H桥电路的特点之一是可以实现双向电流控制。

通过切换MOS管的导通状态，可以控制电流的正反向流动。

这使得H桥电路在很多应用中非常有用，如电动汽车、电机驱动、直流电机的速度和方向控制等。

H桥电路的另一个特点是可以实现电流的调节。

通过控制导通的MOS管的占空比，可以调节电流的大小。

这使得H桥电路在一些需要精确控制电流的应用中非常重要，如电动汽车的加速和减速、电机的转速控制等。

在实际应用中，H桥电路有一些注意事项。

首先，为了保护MOS 管和其他电路元件，通常会加入反向电压保护二极管，防止电流倒流。

其次，为了防止MOS管同时导通而短路电源，需要合理设计控制信号的顺序和时序。

此外，为了提高效率和减小功耗，还可以加入PWM调制技术，通过调节脉宽比来控制电流的大小。

12V的H桥电路是一种常见的电子电路，可以将交流电转换成直流电，并实现双向电流控制和电流的调节。

在实际应用中，我们需要合理设计和控制H桥电路，以满足特定的需求。

希望本文对H桥电路的原理和应用有所了解，对读者在电子电路设计和控制方面有所帮助。