原生多晶硅采购标准

多晶硅行业准入条件为深入贯彻落实科学发展观，规范和引导多晶硅行业健康发展，坚决抑制行业重复建设和产能过剩，根据国家有关法律法规和产业政策，按照优化布局、调整结构、节约能源、降低消耗、保护环境、安全生产的原则，特制订多晶硅行业准入条件。

一、项目建设条件和生产布局（一）多晶硅项目应当符合国家产业政策、用地政策及行业发展规划，新建和改扩建项目投资中最低资本金比例不得低于30%。

严格控制在能源短缺、电价较高的地区新建多晶硅项目，对缺乏综合配套、安全卫生和环保不达标的多晶硅项目不予核准或备案。

（二）在依法设立的基本农田保护区、自然保护区、风景名胜区、饮用水水源保护区，居民集中区、疗养地、食品生产地等环境条件要求高的区域周边1000米内或国家、地方规划的重点生态功能区的敏感区域内，不得新建多晶硅项目。

已在上述区域内投产运营的多晶硅项目要根据该区域有关规划，依法通过搬迁、转停产等方式逐步退出。

（三）在政府投资项目核准新目录出台前，新建多晶硅项目原则上不再批准。

但对加强技术创新、促进节能环保等确有必要建设的项目，报国务院投资主管部门组织论证和核准。

二、生产规模与技术设备（一）太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年，半导体级多晶硅项目规模大于1000吨/年。

（二）多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小、节能环保的工艺设备以及安全设施，主要工段、设备参数应能实现连续流程在线检测。

三、资源回收利用及能耗（一）新建多晶硅项目生产占地面积小于6公顷/千吨。

现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则。

（二）太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60千瓦时/千克。

（三）半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克，半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克。

（四）还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%。

（五）引导、支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营，支持节能环保太阳能级多晶硅技术研发，降低成本。

精心整理
原生多晶硅采购规范
一、产品名称：太阳能级原生多晶硅原料
二、规格：
纯度：≥99.9999%
颗粒状硅料粒度范围为1 mm～3mm
破碎的块状多晶具有无规则的形状和随机的尺寸分布，即线型尺寸最小为3mm，最大可达
六、
多晶硅中碳浓度测量按GB/T1558测试。

多晶硅断面夹层检验按GB/T4061测试。

多晶硅中的Ⅲ-Ⅴ族杂质含量按照SEMIMF1389或SEMIMF1630测试。

我方对产品检验根据以上标准执行，如有技术指标不符合表1中的，则加倍取样抽检复检，对复验结果仍不合格的产品，应直接判定为不合格。

应该拒收
七、来料时候厂家需要提供出货质量证明书或者出货检验合格证
产品应贮存在清洁、干燥环境中。

每批产品应附有质量证明书（合格证），注明：
供方名称；
产品毛重、净重；
各项检验结果及检验部门印记；
出厂日期。

包装袋：免洗多晶包装内外层必须是双层免洗袋包装。

行业标准《再生硅料》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项目的与意义近年来光伏产业快速发展，年均复合增长率超过25%。

截止2023年末光伏新增装机已突破250GW。

光伏各环节产能同样在快速扩张，2023年底多晶硅产能突破125万吨，产量突破90万吨；硅片产能突破600GW,产量突破300GW。

由于光伏组件大多为单晶硅组件，其硅基材（即单晶硅片）是直拉法生长的单晶圆棒经过切方、线切割后产出的硅片。

因此在硅片生产过程中会产出极大的次级品或副产物，比如直拉法单晶硅棒生产过程中由于尺寸、电性能指标等不合格产生的次级品、圆棒切方后留下的边皮料、线切割环节产生的厚片等。

这些次级品或副产物经过一定处理可从新用于直拉法单晶硅生产，因此被称为“再生硅料”。

考虑直拉法单晶硅片生产的成品率损失、圆棒至方棒的切除损失、破碎损失、切片损失等，2023年底硅片企业所产生的再生硅料在25万吨以上。

再生硅料产出巨大且品类复杂，因此有必要建立合理标准，规范其的使用。

通过利用该部分硅料，可降低企业原料成本及产业链综合成本，提升资源及能源利用率。

针对再生硅料的相关标准为YS/T840-2012《再生硅料分类和技术条件》，经过多年的发展，光伏行业取得了长足的技术进步，多晶硅杂质含量、电池/组件技术路线及对单晶硅片电性能指标的要求亦有了明显差异，原标准对再生硅料的等级划分、技术要求已无法满足市场的实际需求，无法指导企业的生产和销售。

通过对此标准的修订，能够更加贴合市场实际情况，有效的指导国内厂商对再生硅料的分级和应用，降低企业原料成本及产业链综合成本，提升资源及能源利用率。

2.任务来源本标准修订需求源于近年来行业技术方向的巨大变化。

原标准形成时，硅基光伏路线为AI-BSF,电池转换效率普遍在18%以下。

由于AI-BSF结构的固有的界面高复合速率、P型基底制备N型结时的掺杂浓度及深度等缺陷的存在，加之彼时国内多晶硅产品杂质含量偏高，因此彼时硅基光伏对硅基材（即直拉法单晶硅片，下文简称单晶硅片）的要求不高。

附件：多晶硅行业准入条件为深入贯彻落实科学发展观，规范和引导多晶硅行业健康发展，坚决抑制行业重复建设和产能过剩，根据国家有关法律法规和产业政策，按照优化布局、调整结构、节约能源、降低消耗、保护环境、安全生产的原则，特制订多晶硅行业准入条件。

一、项目建设条件和生产布局（一）多晶硅项目应当符合国家产业政策、用地政策及行业发展规划，新建和改扩建项目投资中最低资本金比例不得低于30％。

严格控制在能源短缺、电价较高的地区新建多晶硅项目，对缺乏综合配套、安全卫生和环保不达标的多晶硅项目不予核准或备案。

（二）在依法设立的基本农田保护区、自然保护区、风景名胜区、饮用水水源保护区，居民集中区、疗养地、食品生产地等环境条件要求高的区域周边1000米内或国家、地方规划的重点生态功能区的敏感区域内，不得新建多晶硅项目。

已在上述区域内投产运营的多晶硅项目要根据该区域有关规划，依法通过搬迁、转停产等方式逐步退出。

（三）在政府投资项目核准新目录出台前，新建多晶硅项目原则上不再批准。

但对加强技术创新、促进节能环保等确有必要建设的项目，报国务院投资主管部门组织论证和核准。

二、生产规模与技术设备（一）太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年，半导体级多晶硅项目规模大于1000吨/年。

（二）多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小、节能环保的工艺设备以及安全设施，主要工段、设备参数应能实现连续流程在线检测。

三、资源回收利用及能耗（一）新建多晶硅项目生产占地面积小于6公顷/千吨。

现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则。

（二）太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60千瓦时/千克。

（三）半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克，半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克。

（四）还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于%、99%、99%。

（五）引导、支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营，支持节能环保太阳能级多晶硅技术研发，降低成本。

《太阳能级多晶硅》国家标准前言本标准是为习惯我国光伏产业日益进展的需要，在修改采纳SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国多晶硅生产、试验、使用的实际情形而制定的。

本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。

本标准考虑了目前市场上的大部分用于太阳能光伏产业的多晶硅料，包括：棒状料、块状料、颗粒料、粉状料等，按照不同种类的多晶硅加工、生产太阳能电池其转换率情形，将太阳能级多晶硅纯度分为三级。

与SEMI 16-1296相比增加了基体金属杂质内容。

本标准的术语与有关标准和谐一致。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、中国电子材料行业协会、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限公司。

太阳能级多晶硅1 范畴本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。

本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。

产品要紧用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。

2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。

凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓舞按照本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试直流两探针法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸取测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸取测量方法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 14264 半导体材料术语SEMI MF1389 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法SEMI MF1630 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1723 利用区熔生长和光谱法评判多晶硅产品规范SEMI MF1724 利用酸提取原子吸取光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法3 要求3.1分类产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，按照等级的差别分为三级。

太阳能级多晶硅光伏组件国标是指在太阳能光伏领域中，对于多晶硅光伏组件的产品规范和标准制定的国家标准。

太阳能光伏技术作为清洁能源的重要组成部分，对于光伏组件的质量和性能有着严格的要求，因此制定一套科学合理的国家标准对于行业发展和产品质量保障都具有重要意义。

一、多晶硅光伏组件国标是什么？多晶硅光伏组件国标是我国国家标准化管理委员会依据国家法律法规，针对太阳能光伏领域中的多晶硅光伏组件的设计、生产、检测和使用等方面的技术要求和规范，经过充分调研和讨论，由行业专家和相关企业共同制定的一套国家标准。

该标准主要包括多晶硅光伏组件的尺寸、电气特性、机械强度、耐候性等多个方面的技术要求和测试方法。

二、多晶硅光伏组件国标的重要性1. 促进光伏产业技术进步太阳能光伏技术是清洁能源领域的重要技术之一，而光伏组件是太阳能光伏发电系统中的核心部件。

多晶硅光伏组件国标的制定有助于规范行业内产品的质量和性能，促进光伏产业的技术进步，从而推动整个清洁能源产业的发展。

2. 提高产品质量和市场竞争力在市场经济条件下，产品质量是企业竞争力的核心。

制定多晶硅光伏组件国标能够统一产品的技术标准和质量要求，提高产品的一致性和可比性，有助于提升企业的产品质量和市场竞争力。

3. 保障用户权益和安全性光伏组件作为太阳能发电系统中的重要组成部分，直接关系到系统的发电效率和安全性。

多晶硅光伏组件国标的制定能够明确光伏产品的技术要求和性能指标，有效保障用户的权益和安全使用光伏产品。

三、多晶硅光伏组件国标的制定与应用1. 制定过程多晶硅光伏组件国标的制定是一个系统工程，一般由国家标准化管理委员会牵头，并组织专家和相关企业进行研究和讨论。

制定过程中需充分调研国内外相关行业标准和技术要求，并结合国内光伏产业的实际情况，制定适合国内市场需求和技术水平的多晶硅光伏组件国标。

2. 应用推广多晶硅光伏组件国标一旦制定完成，将通过国家标准化管理委员会正式发布和实施。

国内外半导体级多晶硅生产技术差距分析摘要：相较于国内已经发展较为成熟的光伏级多晶硅而言，半导体级多晶硅在纯度上达到11N(99.999999999%)-12N(99.9999999999%），因为下游集成电路行业制程的特殊需求，对于多晶硅原料中的施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度、氧浓度、基体和表面金属杂质浓度等关键指标要求严格，同时对产品的稳定性也提出了非常苛刻的要求，这主要体现在集成电路行业对每一种原材料长达一到三年的验证周期，这使得半导体级多晶硅从设计理念、装置建设、生产质量管理体系都体现出与其他行业截然不同的严谨的集成电路行业逻辑，能够与光伏级多晶硅明显区分。

关键词：半导体；多晶硅1 差距分析1.1 产品显性指标首先，在国内电子级多晶硅一级品的施主杂质含量为150ppta（规格限）、受主杂质含量为50ppta（规格限），而国外施主杂质的含量一般小于30ppta、受主杂质含量小于10ppta，这对于国内精馏塔的分离精度、分离效率及提纯工艺提出更高的要求。

此外，国内企业生产线的原料波动较大，原料物料运输管线材质等级低、检测仪器检测限高等问题，有时无法表明是否真正达到原料使用需求；在国外，作为半导体级多晶硅生产线，要求系统平稳，原料波动进行严格控制，基本上属于平稳曲线波动方式，不允许锯齿状的波动，剧烈的原料波动将会导致提纯系统中的杂质含量波动频繁、剧烈，而无法得到超高纯的三氯氢硅。

另外，半导体级多晶硅对碳含量的控制也十分严格，国标一级品的碳含量要求为80ppba，而国外至少要控制在20ppba以下。

在制造工序中，从还原车间产出的硅棒运转至后处理车间，工艺流程中涉及了破碎、筛分、酸洗、干燥及包装等工序。

这些工序中，硅料将与较多树脂类材料接触，若这些材料选择或表面杂质处理不当，会增加多晶硅的碳元素的增加。

此外，从氢化工序、精馏工序、还原工序到尾气回收工序，对于一切可能引入碳元素的材料均需全面识别其潜在失效的风险。

原辅材料检验流程一、检验对象：1.原料：原生多晶硅；2.辅助材料：石墨热系统，碳毡，石英坩埚，碳化硅，乙二醇，钢化玻璃，焊带，硅胶，铝合金边框，EVA胶，TPT背膜，石英砂，二、使用的仪器和量具：1．仪器：导电类型型号仪、四探针电阻率测试仪。

2. 量具：游标卡尺、直尺。

三、操作程序：1．多晶硅原料的检验：a) 接到采购部通知后，负责检验原生多晶硅原料的检验员带上必须的检验仪器和对应的检验报告，去货物到达点进行检验；b) 文件检查：检验员首先检查供应商是否有出厂合格文件提供。

c）表面检验：按照《多晶硅原料检验标准》上的标准执行。

d) 导电类型/电阻率：使用电阻率四探针测试仪测试。

e) 检验员在b)、c)、d)三项检验完后，将数据填写在《多晶硅原料检验报告》上，让采购员同时签字认可，合格的按《多晶硅原料检验报告》上所要求的部门分别递交到，由采购部入库；不合格的只将《多晶硅原料检验报告》递交给采购部。

2．辅助材料的检验：a) 接到采购部通知后，负责检验辅助材料的检验员带上必须的量具和对应的检验报告，去货物到达点进行检验，需要化学分析的要到实验室进行仪器的检验和分析；b) 文件检查：检验员首先检查供应商是否有出厂合格文件提供。

c) 表面检验：这几项石墨热系统，碳毡，石英坩埚需要用目视按照《每一种辅助材料检验标准》上的有关标准执行。

d) 尺寸检验：这几项石墨热系统，碳毡，石英坩埚需要用游标卡尺、直尺按照《每一种辅助材料检验标准》上的有关标准执行。

e) 检验员在b)、c)、d)三项检验完后，将数据填写在《辅助材料检验报告》上，让采购员同时签字认可，合格的按《辅助材料检验报告》上所要求的部门分别递交到，由采购部入库；不合格的只将《辅助材料检验报告》递交给采购部。

国家标准《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》（预审稿）编制说明一、工作简况1、立项目的及意义半导体材料（尤其是集成电路工业）是电子信息产业的基础和核心，是国民经济现代化与信息化建设的先导与支柱产业。

半导体硅单晶材料则是半导体工业的最重要的主体功能材料，至今全球信息产业使用的硅材料仍占半导体材料总量的95％以上，而且国际集成电路（IC）芯片及各类半导体器件的95％以上也是用硅片制造的。

高纯硅材料产业是重要的战略性新兴产业，符合国家的产业发展方向。

该标准项目是对高纯硅（单晶或多晶）材料中痕（微）量氧杂质进行准确地分析检测，为国内高纯硅材料的生产、质量判定及国际贸易提供技术支撑。

半导体产业的发展是建立在晶体硅材料的研究基础上，一般要求晶体的质量越高越好。

而硅晶体的质量与其中的杂质和缺陷相关。

氧是硅晶体中最主要的轻元素杂质，它们在器件制造过程中极易形成沉淀，导致器件性能的下降或失效。

氧在硅中大部分处于间隙位置，由氧形成的热施主会使得n型硅单晶样品电阻率下降，p型样品电阻率增加，而这些性质的变化影响硅片径向电阻率的均匀度，对电子器件的生产有着重要的影响，使电阻率热稳定性变差，器件成品率下降。

氧在硅中也有一些积极作用，氧含量达到一定浓度以上时，对硅单晶机械强度有增强作用，但这种增强作用只有氧处于溶解状态时才会产生，当氧沉淀时，不但不能增强反而会有所破坏。

氧在后期制造太阳能电池的过程中也容易引起沉淀或者和某些金属杂质结合在一起，形成新施主、电学中心等，使所制作的太阳能电池的性能不稳定，影响太阳能电池的转换效率和光衰减效率。

因此，准确地检测氧含量，对硅材料具有重要意义。

2、任务来源根据国家标准委《关于下达2014年第二批国家标准修订计划的通知》（国标委综合[2014] 89号）文件精神，由新特能源股份有限公司负责修订《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》，计划编号-T-469，计划完成时间为2017年。

3、编制单位简况新特能源股份有限公司，成立于2008年，主要推崇绿色制造、循环经济发展模式，在致力太阳能光伏产业链建设的基础上，从循环经济的减量化、再利用和循环使用原则出发，采用全闭环的多晶硅生产工艺。

多晶硅标准
多晶硅（Polycrystalline silicon）是一种晶体结构不完整的硅材料，由多个小晶体（晶粒）组成。

多晶硅是太阳能电池、集成电路等高技术领域的关键材料之一。

为了保证多晶硅材料的质量和性能，制定了一系列的标准和规范。

1. 多晶硅质量标准（GB/T 5420-2010）：该标准规定了多晶硅的分类、包装、标志、试样制备和性能测试等要求，对多晶硅的质检提供了参考依据。

2. 多晶硅材料及其中晶粒度测定方法（GB/T 6699-2017）：该标准规定了多晶硅材料的晶粒度测试方法，包括显微镜观察法和X射线衍射法等方法。

3. 太阳能电池用多晶硅片（GB/T 16532-2017）：该标准规定了太阳能电池用多晶硅片的分类、要求、检验方法等内容，包括外观、尺寸、电气性能等方面的要求。

4. 半导体级多晶硅材料（GB/T 16534-2017）：该标准规定了半导体级多晶硅材料的分类、要求、检验方法等内容，主要涉及杂质含量、电阻率、位错密度等方面的要求。

这些标准和规范旨在保证多晶硅材料的质量和稳定性，为相关行业的产品生产和质检提供统一的技术要求，促进多晶硅技术的发展和应用。

同时，这些标准也为消费者选择和购买多晶硅产品提供了参考依据。