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光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号：LW-BZ-009-A1版本：A/1版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制：日期:审核：日期：批准：日期:实施日期:发布日期:文件更改申请单硅片检验标准1目的规范多晶硅片检测标准。
2适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS20血阻率测试、少子寿命测试 WT-200Q3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUXCF,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即 a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即 z值）硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0 0.5mm长度0 1.5mmt不能崩透的缺损属于崩边c 缺口：光强430-650LUX,目光与硅片成30-45 ° ,距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口, 看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘 5mrmA内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞ 10个。
4 职责权限4.1技术部负责制定硅片检验标准；4.2质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5正文5.1表面质量表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4 （崩边），B7 （线痕）、B8 （厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。
5.2外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。
光伏硅片标准
光伏硅片的标准主要包括以下几个方面：
1. 尺寸标准：光伏硅片通常采用方形或圆形，其尺寸标准主要包括长度、宽度和厚度。
2. 电气性能标准：光伏硅片的电气性能主要包括开路电压、短路电流、最大功率点电压、最大功率点电流等。
3. 光学性能标准：光伏硅片的光学性能主要包括透光率、反射率、吸收率等，这些性能直接决定了硅片的光电转换效率。
4. 表面质量标准：光伏硅片的表面质量直接影响到光伏电池的能量转换效能。
表面缺陷、裂纹等都会降低硅片的光电转换效率。
5. 材料纯度标准：光伏硅片的材料纯度对于光电转换效率至关重要。
杂质的含量和分布会影响到硅片的电子传导和光吸收性能。
除了上述标准之外，还有一些特殊的标准，如抗剪切标准、耐热性标准、耐腐蚀性标准等，这些标准根据具体的应用需求而定，有助于确保光伏硅片在各种环境和工作条件下的性能稳定性和可靠性。
检验分类：1.正常晶 2.雪花晶 3.微晶 4.分布晶
定义：
正常晶——无典型分布晶、微晶、雪花晶和其他异常晶粒特征的正常多晶硅片。
雪花晶——除典型微晶、分布晶和正常晶外的所有多晶硅片。
包括典型雪花晶和除分布晶和微晶以外的所有非正常晶。
微晶——晶粒尺寸小于等于2mm，呈连续分布具有一定面积的晶体。
分布面积大于1cm2，不具有典型分布晶特征（如图所示）。
分布晶——大晶粒上分布的具有“圈点”特征的小晶粒（如图所示）。
检验流程：
关键点：
1.典型分布晶的特征——“圈点”特征小晶粒。
2.典型微晶特征——密集型连续分布的小晶粒，无典型分布晶特征。
3.对具有一定面积密集型小晶粒分布的多晶硅片要严格把握，尽量归入分布晶（具有典型分
布晶特征）或微晶中。
4.对于极度分散的非典型分布晶，不要归入分布晶。
可归入雪花晶。
典型微晶图
典型分布晶图
以每1000片计算，因原料问题造成的损失为：
1000*返工比例*返工成本+1000*返工比例*返工碎片率*硅片价格+1000*返工比例*降低的转换效率*电池价格/平均转化效率+1000*C级色斑比例*（A级片价格-C级片价格）+1000*B级色斑比例*（A级片价格-B级片价格）。
硅片进货检验规程
1、从仓库领取同一硅片供应商一定数量的硅片。
2、用“BD-86A型半导体电阻率测试仪”测出每片硅片的原始方块电阻，
并按照20 Ω/□一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
3、用测厚仪测出每片硅片的厚度并按20μm一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
4、在检测硅片方块电阻和厚度的同时，挑出外观不良的硅片另外存放。
（外观不良包括：裂纹、划痕、污垢、崩边、缺角、厚度不一、边距不一、形状不规则等）
5、检验结束后按要求填写好《硅片检验报告单》。
6、将检验好的硅片统一摆放的固定位置。
M2多晶硅片规格Specification for M2项目Items 规格Specification尺寸Wafer Size 125×125mm±0.5mm ；156×156mm±0.5mm厚度Thickness 190μm±19μm；156：219.2±0.5mm175.36±0.5mm对角线长度Diagonal 125:垂直度Edge Angle 90°±0.25°倒角角度45°±10°Bevel edge Angle倒角尺寸1.5±0.5mmChamfer LengthTTV ≤30μm翘曲度Bow/Warping ≤50μm微晶Micro-crystal ≤10pcs（个）/cm2线痕Saw marks ≤15μm表面Wafer Surface 表面无明显黑斑、污渍No stain, splash on surface obvious 裂纹Crack 无可视裂纹No crack visible with naked eyes孔洞Pine Hole 无孔洞No pin holeP型P-type(Boron Doped)导电类型Conductivity Type替位碳含量≤4×1017 at/cm3Cs Concentration间隙氧含量≤8×1017 at/cm3Oi Concentration电阻率Resistivity 1～3.0Ω·cm少子寿命Life Time ≥2μs (Brick硅块)崩边Chip None缺口Indentation NoneM3多晶硅片规格Specification for M3项目Items 规格Specification尺寸Wafer Size 125×125mm±0.5mm ；156×156mm±0.5mm厚度Thickness 190μm±19μm；156：219.2±0.5mm175.36±0.5mm对角线长度Diagonal 125:垂直度Edge Angle 90°±0.25°倒角角度45°±10°Bevel edge Angle倒角尺寸1.5±0.5mmChamfer LengthTTV ≤30μm翘曲度Bow/Warping ≤50μm微晶Micro-crystal ≤10pcs（个）/cm2线痕Saw marks ≤15μm表面Wafer Surface 表面无明显黑斑、污渍No stain, splash on surface obvious 裂纹Crack 无可视裂纹No crack visible with naked eyes孔洞Pine Hole 无孔洞No pin holeP型P-type(Boron Doped)导电类型Conductivity Type替位碳含量≤4×1017 at/cm3Cs Concentration间隙氧含量≤8×1017 at/cm3Oi Concentration电阻率Resistivity 1～3.0Ω·cm少子寿命Life Time ≥2μs (Brick硅块)崩边Chip None缺口Indentation None。
多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）；3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。
3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125⨯125；156⨯156；210⨯210。
5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个；5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。
无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm；5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。
5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。
soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。
1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。
二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。
2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。
2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。
三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。
3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。
四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。
4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。
4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。
五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。
5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。
5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。
六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。
6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。
6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。
七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。
7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。
7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。
八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。
8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
版本状态临时版文件名称硅片检验页码2/54.2.7 逐片计数该盒中合格片数量及各类不合格片数量，并核对总数与硅片外包装计数是否一致，如有缺片的现象则必须记录相对应的盒号、箱号、晶体编号以及对方检验员号。
4.2.8 把硅片整理整齐，重新放入泡沫盒内，最后在硅片两侧放入泡沫垫板保护，盖上泡沫盒，用封箱带把盒子封好，在盒子的上方记录包装内的实际数量，下半部分盖上自己的检验工号或在合格证上写上检验工号。
4.2.9 按4.2.1-4.2.8步骤对所有硅片进行检验。
4.3 厚度的检验IQC使用MS-203检测。
每片测量5点，分别为硅片四周5mm处四点及硅片中心一点，在硅片厚度测试记录表上记录所测量的数据。
计算出所有记录的平均值。
4.4 导电类型检验每箱中随机抽取5片已经过外观检验的硅片用P-N导电类型鉴别仪测试硅片的导电类型（P型、N型），填写于导电类型测试记录表上。
5片中有一片导电类型与送检类型不一致，该批片子均不合格。
4.5 电阻率测试使用MS-203测量电阻率。
将结果填写于硅片电阻率测试记录表内。
4.6 少子寿命测试碘酒钝化后大于30us。
4.7 小批量试制4.7.1经包装检查、性能检验合格或对本批物料存在异议的硅片在正式批量投产前，需要经过小批量试产以验证硅片的所有特性是否满足批量生产需要；小批试产由IQC检验员根据抽样原则抽取本批所要试产的硅片，独立的放置于原材料仓并告知仓库发料人员；4.7.2 IQC检验员准备好试产硅片后填写《硅片试制跟踪单》通知PMC备料料，工艺确定试制产线，生产部到仓库领取经IQC确认的试产片。
试生产的硅片须优先流转。
4.7.3 为确保数据的准确性，小批量试验制作过程中的印刷、烧结、测试分选必须单独进行。
4.7.4 测试原始数据的保存在指定文件夹中。
IQC检验员从此文件夹中复制数据。
IQC最终汇总本批试产数据，并填在《硅片试制跟踪单》中。
4.7.5试产结果判定4.7.5.1经试产判定合格的判本批硅片合格；4.7.5.2经试产判定不合格的需将相关的试产数据及其它情况材料提供给工艺技术部，由其评定是否可以通过调整工艺满足生产要求，如果可以通过工艺调整达到要求的，经工艺调整二次试制。
若合格，则判本批合格；4.7.5.3经试产判定不合格且工艺技术部判定无法工艺调整或投入成本过高者，判本批硅片不合格，由IQC 通知原料仓安排退货。
若第一次试制不合格，则进行第二次试制。
若第二次试制不合格，则由工艺、质量共同分析原因，决定是否进行第三次试制或直接退货。
4.7.5.4试制合格后,小批量发至产线生产,如发现小批量生产不合格,没有投产的硅片作退货处理.具体试制流程如下图:合格 合格 不合格 不合格合格不合格 合格不合格4.7.6抽样试制原则来料硅片数量200000PCS 以下抽1200PCS 试产，合格则余下全部投入生产。
来料硅片数量200000-400000PCS 抽2400PCS 试产，合格后小批量生产3万。
来料硅片数量400000万以上抽40000PCS 试产，合格后小批量生产6万。
4.7.7 不同生产批次分开试制。
版本状态 临时版 文件名称硅片检验页 码3/5第一次试制 小批量生产退货第二次试制 第三次试制 退货退货投入生产4.7.8 品质部原材料检验员填写硅片试制跟踪单。
生产开始试制时要通知生产及工艺人员，每一道工序结束后生产人员要签字确认,确保跟踪数据准确性。
生产中心负责全程的试制生产，工艺负责试制工艺方案的确定及异常处理，IQC负责试制的全程监督。
4.7.9 试制结束后，原材料质量将试制数据进行收集、处理，并及时将试制结果反馈至工艺，工艺根据试制结果判断来料是否异常，并签字确认试制结果。
4.8 合格的判定品质部根据硅片的检验及试制结果，判定该批次来料是否合格，并及时将结果反馈至PMC。
4.9 入库4.9.1将各类检验结果汇总，填写“检验报告单”，交主管签字后，把入库单和坏片、合格片同时交给仓库，由仓库管理人员进行当场核对。
5.检验标准5.1外观检验标准检验项目检验要求检测器具抽样方案外包装外包装完整，防摔、污、潮的措施完备目测外形尺寸125×125或156×156见方尺寸允许误差±0.5mm游标卡尺千分表平台硅片模板塞尺GB/T2828.1一般检验标准Ⅱ多晶硅片156mm×156mm对角线219.12mm 允许误差为±0.5mm ；单晶误差为±0.5mm所检每片硅片的平均厚度值：基本尺寸±20µm硅片（同一片厚度）TTV≤30µm两个边的垂直度90°±0.3°（硅片模板）硅片无目视翘曲（翘曲度≤50µm）倒圆角误差≤0.5mm外观检验表面：洁净无残留硅粉，无污染、色斑、颜色均匀一致，无目视可见破损及针孔油污：表面无明显黑斑、污渍目测抽样量：2%不合格比≤0.3%线痕深（高）度≤10/15µm，整个硅片最多一处线痕目测、千分表晶粒（多晶片）：≤10pcs/cm 直尺、目测硅片无可视裂纹、无应力、硅落。
目测版本状态临时版文件名称硅片检验页码4/5缺角：深度≤0.5mm,长度≤0.5mm,≤2处符合左侧标准的接受比率≤1%目测游标卡尺抽样量2%崩边：（亮点）深度≤0.5mm,长度≤1mm,≤2处；边缘边：深度≤0.5mm,一条边 不允许有“V ”字形缺口5.2试制标准试制检验单 晶 试制平均效率≥17.6%，综合碎片率≤2.%，低效片比例≤5%，良品率≥95%生产小批量试制多 晶试制平均效率≥16.4%，碎片率≤2 %，低效片比例≤5%，良品率≥95%低效片：多晶效率低于16%；单晶低于17%。
5.3 电性能检验标准项目 检验内容、要求检验方法（器具） 抽样方案 碳浓度 ≤5×1016/cm 3检查厂家出示的 材质报告 有争议时送第三方检测氧浓度 ≤1×1018/cm 3晶向 （100）±3°(单晶)检查厂家出示的 材质报告位错密度 3×103个/cm 2电阻率 要求符合以下范围：1～3Ω．cm 四探针测试仪GB/T2828.1一般检验标准Ⅱ 少子寿命（碘酒钝化） 单晶：≥35µs 多晶：≥30µs少子寿命仪 导电类型 P 型 导电型测试仪 扩散后开路电压 >630mvsunsvoc5.4注意5.4.1硅片检验结果只要其中任意一项达到不合格标准即判为不合格。
对于不合格信息，及时反馈采购部，由采购部门根据实际采购情况确定是否办理不合格品评审。
5.4.2 批量试制结果应在工艺稳定的条件下完成。
如有异常，需重新试制。
如因各类原因导致跟踪错误，需重新跟踪。
6. 引用文件7. 记录版本状态临时版 文件名称硅片检验 页 码5/5。
