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（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
电子技术习题册一、判断题（正确的在括号内打“√”，错误的打“X”）1. 半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）二、选择题1.PN结的最大特点是具有（）。
A. 导电性B.绝缘性C.单向导电性 2.半导体受光照，导电性能（）。
A. 增强B.减弱C.不变 3.最常用的半导体材料是（）。
A. 铜B.硅C.铝D. 锗一、判断题1. 二极管是线性元件。
（）2. 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。
（）3. 不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。
（） 4. 二极管具有单向导电性。
（）5. 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）6.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。
（） 7. 二极管加正向电压时一定导通。
（） 8. 二极管加反向电压时一定截止。
（） 9.有两个电极的元件都叫二极管。
（）10. 二极管一旦反向击穿就一定损坏。
（）11. 光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。
（） 12. 光电二极管可以作为电路通断和指示用。
（） 13. 发光二极管可以接收可见光线。
（）14. 若增大变容二极管两端的的反向电压，其接电容减小。
（）二、选择题1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始增加时，硅二极管（）。
A：立即导通B：到0.3V才开始导通C：超过死区电压时才开始导通 D：不导通 2.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A：基本正常 B：将被击穿C：将被烧坏 D：电流为03.当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）。
A：很小的电阻 B：很大的电阻 C：短路 D：电阻4.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）. A：约等于150V B：略大于150V C：等于75VD：等于300V5.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。
第2章 习题2.1.1 如右下图所示电路中，E 12V =， D 为硅二极管，R 10K =Ω，则二极管D 和和电阻R 上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？解： 二极管正偏导通:D U 0.7V ≈; R U 120.711.3V =-=D R 11.3I I 1.13mA 10===2.1.2 在下图中的各电路图中，i u 12sin t ω=V ，二极管D 的正向压降忽略不计。
试分别画出输出电压o u 的波形。
（a ） （b ） （c ）解：2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a ）和（b ）中的二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压AB U 。
设二极管是理想的。
(a) (b)解：(a) D 导通，AB U 6V =-； （b ）D1导通，D2截止；AB U 0V =；2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压Z U 6V =，输入电压i u 12sin t ω=V ，画出输出电压o u 波形图。
解：2.2.2在下图所示的(a)和（b ）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。
解：（a ）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。
(b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。
2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U 14V =，波动范围10%±；稳压管的稳定电压Z U 6V =，稳定电流Z I 5mA =，最大耗散功率ZM P 180mW =；限流电阻R 200Ω=；输出电流o I 20mA =。
（1）求I U 变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？解：输入电压波动范围：Imin I U 0.9U (0.914)V 12.6V ==⨯=Imax I U 1.1U (1.114)V 15.4V ==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为：Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== （1）Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=（2）如果负载电阻开路，即o I 0mA =，则稳压管中电流为限流电阻上的电流。
基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗 ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。
小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
电子技术习题3. 负反馈尽管使放大器的增益下降，但能提高增益的稳固性，扩展通频带，减小非线性失真，改变放大器的输入、输出电阻。
7. 负反馈对输出电阻的影响取决于输出端的反馈类型，电压负反馈能够减小输出电阻，电流负反馈能够增大输出电阻。
9. 将输出信号的一部分或者全部通过某种电路引回到输入端的过程称之反馈。
11. 负反馈对输入电阻的影响取决于输入端的反馈类型，串联负反馈能够增大输入电阻，并联负反馈能够减小输入电阻。
18. 温度升高时，二极管的导通电压减小，反向饱与电流增大。
22. 理想集成运放的开环差模电压增益为∞，差模输入电阻为∞，输出电阻为0，共模抑制比为∞。
24. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，电极3为基极， 1 为集电极，2为发射极，为PNP 型管。
26. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于放大状态。
29. 关于放大电路，若无反馈网络，称之开环放大电路；若存在反馈网络，则称之闭环放大电路。
31. 射极输出器的要紧特点是：电压放大倍数接近于1但小于1（或者 1）、输入电阻很大、输出电阻很小。
32. 纯净的具有晶体结构的半导体称之本证半导体，使用一定的工艺掺杂后的半导体称之杂质半导体。
50. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度增大，因而少子漂移而形成的反向电流减小，二极管反向伏安特性曲线下移。
51. 为提高放大电路的输入电阻，应引入交流串联负反馈，为提高放大电路的输出电阻，应引入交流电流负反馈。
52. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多子为自由电子，少子为空穴。
53. 与未加反馈时相比，如反馈的结果使净输入信号变小，则为负反馈，如反馈的结果使净输入信号变大，则为正反馈。
55. 串联负反馈在信号源内阻小时反馈效果显著；并联负反馈在信号源内阻大时反馈效果显著。
62. 引入正反馈可提高电路的增益，引入负反馈可提高电路增益的稳固性。
电子技术及实训习题库及参考答案一、单选题（共50题, 每题1分, 共50分）1、射极输出器的特点之一是, 具有(____)。
A.很大的输出电阻；B.很大的输入电阻；C.与共射极电路相同；D.输入、输出电阻均不发生变化正确答案: B2、单相桥式整流电路中, 负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。
A.全部电压；B.一半电压；C.三分之一电压；D.四分之一电压正确答案: A3、稳压二极管的动态电阻越小, 稳压性能（ )A.不稳定；B.越差；C.越好；D.不确定正确答案: C4、单相桥式整流电路中, 二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/2；B.1/5C.1/4；D.1/3；正确答案: A5.差模输入信号是(____)。
A.大小相反、极性相同B.大小相等、极性相同；C.大小相反、极性相反；D.大小相等、极性相反；正确答案: D6、稳压二极管是一个可逆击穿二极管, 稳压时其两端电压必须（）,它的稳压值Uz才有导通电流。
A.反偏；B.正偏；C、小于D.大于；正确答案: D7、工作在放大区的某三极管, 基极电流从20微安减小到10微安时, 集电极电流从1.5毫安变为1毫安, 其电流放大系数β约为(____)。
A.10；B、25C.100；D.50；正确答案: D8、在本征半导体中掺入适量的(____)价元素, 可以形成 N 型半导体。
A、7B、5；C、3；D、1；正确答案: B9、三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。
A.射极电流；B.集电极电流；C.工艺结构D.基极电流；正确答案: C10、三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的放大能力。
A.基, 集电；B.集电, 基C.集电, 发射；D.基, 发射；正确答案: B11、单相桥式整流中, 每个二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/4；B.1/3C.1/6；D.1/2；正确答案: D12.差模信号是大小（）的两个信号。
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电子基础习题电子基础习题第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中，能把所有可能条件组合及其结果——对应列出的表格称为真值表。
（√）2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。
（√）3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。
（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小。
（√）5、与非门的多余端不允许接地。
（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器。
（√）7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器。
（×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平，故输出为高电平。
（√）9、使用TTL数字集成电路时，电源电压极性不能接反，其额定值为5V。
（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。
（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的。
（√）12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号，应采用施密特触发器。
（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。
（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。
（√）15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
（√）16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
（√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。
（×）18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
（×）19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D )。
A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的。
A：存储电路B：门电路C：逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B )。
A：A•A＝A B：A＋1＝A C：A•l二A D：A+A=A 4、l+l+l+0•1＋1•1，若这是逻辑运算结果为( A )，若这是二进制算术运算结果为( D )。
A：l B： 2 C： 4 D：1005、(1011001)2=( C )10。
A：51 B：19 C：89 D：1316、(51)10二( A )2。
A：l10011 B：100110 C：l10001 D：100001 7、逻辑表达式A+AB等于( A )。
A： A B：l+A C：1+B D：B8、双稳态触发器触发脉冲过窄，将会使电路出现的后果是( C )。
A：空翻B：正常翻转C：触发而不翻转D：不定9、双稳态触发器原来处于“1”状态，想让它翻转为“0”态，可以采用触发方式是( A )。
A：单边触发B：多边触发C：计数触发D：负触发10、当( A )时，TTL与非门输出低电平。
A：Vi>Ut B.Vi<Ur C：Vi=Ur11、有一个TTL与非门，其输入端与地间并接一个电阻Ri，当Ri小于关门电阻ROFF时，此TTL与非门( B )，输出高电平。
A：开启B：关闭C：低电平D：高电平12、基本RS触发器改为同步RS触发器，主要解决了( B )问题。
A：输入端的约束B：RS端直接控制C：计数使用时发生空翻13、同步JK触发器改为主从JK触发器主要解决了( C )问题。
A：输入端约束B：输入端直接控制C：计数使用时发生空翻14、若要产生振荡频率高度稳定的矩形波，应采用( D )。
A：十进制计数器B：单稳态触发器C：施密特触发器D：石英晶体多谐振荡器15、将一个正弦波信号转换成同一频率的矩形波，应采用( C )。
A：十进制计数器B：单稳态触发器C：施密特触发器D：石英晶体多谐振荡器16、17化为二进制数为( A )。
A：10001 B：10101 c：10111 D：10010 17、用于把矩形波变为尖脉冲的电路是( C )。
A：R耦合电路B：RC耦合电路C：微分电路D：积分电路18、组合逻辑电路任何时刻的输出信号，与该时刻的输入信号( A )，与电路原来所处的状态( B )。
A：有关B：无关C：视情况而定19、若用与非门组成一个四位二进制译码器，则所需与门的个数为( B )。
A 8个B l6个 C. 32个 D.6420、耍把不规则的脉冲信号变换成等宽等幅的脉冲信号.应采用（ B ）.A .十进制计数器B . 单稳态触发器C 施密特触发器D. 石英晶体多谐振荡器21、一个有三个输入端的逻辑电路有（ A ）个可能的输入组合。
A 8 B. 4 C. 3 D.1222、组合逻辑电路的特点是（ A ）。
A .输出只取决于该时刻的输入 B. 具有记忆功能 C.输出不仅取决于该时刻的输入.而且与原来的状态有关23、在四变量逻辑表达式F＝AB＋C＋ABCD中，能称为最小项的是（ D ）。
A . ABC B. AB C.C D. ABCD24、译码器属于（ B ）电路，加法器属于（ B ）电路，寄存器属于（ A ）电路，计数器属于（ A ）电路。
A.时序B.组合 D.模拟25、两个二进制数10101与11101之和为（ B ）。
A.50B.110010C.1100100D.110001026、基本RS触发器，当R、S都是高电平时，该触发器具有（ C ）功能。
A.置0B.置1C.不定D.保持27、下一组数中，最大数为（ C ）。
A.（39）10B.（101101）2C.（2E）16D.（46）828、基本RS触发器有（ C ）个确定状态。
A.1B.2C.3D.429、正逻辑电路中的“1”表示（ A ）。
A.高电平B.低电平C.数字1D.低电压30、TTL电路是由( A )组成的逻辑电路。
A．双极型晶体管B．与非门C．或非门31．MOS管的栅极可与双极型三极管的( A )相对应。
A．基极B．集电极C．发射极32．晶体管有( B )。
A．三个PN结3个电极B．2个PN结三个电极C．三个。
PN结1个电极D．三个PN结2个电极33．主从J-K触发器有( D )个稳定状态。
A．1 B．2 C．3 D．434．当输入只要有一个高电平时输出为低电平，只有当输入全为低电平时输出才为高电平，具有此逻辑功能的电路为( A )。
A．或非门B．与非门C．与或非门D．异或门35．把一个频率为10KHz的矩形波变换成一个1KHz的矩形波应采用( A )。
A．十进制计数器B．单稳态触发器C．施密特触发器D．石英晶体多谐振荡器36．“异或”门电路的逻辑功能表达式是( D )。
A．Y= B．Y= C．Y= D．Y= B＋ A 37．(1011101)2=( B )10A.92B.93C.94D.95三、多项选择题1．对于TTL数字集成电路来说在使用中应注意到( A、B、D、E ) 。
A．电源电压极性不得接反，其额定值为5VB．与非门不使用的输入端接“1”．C．与非门输入端可以串有电阻器，但其值不应大于关门电阻D．三态门的输出端可以并接，但三态门的控制端所加的控制信号电平只能使其中一个门处于工作状态，而其它所有相并联的三态门均处于高阻状态E．或非门不使用的输入端接“O”2．八输入端的TTL或非门，在逻辑电路中使用时，其中有5个输入端是多余的，对多余的输入端应作如下处理，正确的方法有( A、D )。
A．将多余端与使用端连接在一起B．将多余端悬空C．将多余端通过一个电阻接工作电源D．将多余端接地E．将多余端直接接电源3．下列说法正确的为( C、D、E )。
A．对于低电平有效的TTL型主从RS触发器，具有约束条件RS=1B．RS触发器都可以用来组成移位寄存器C．将D触发器的端与D端连接就可构成T’触发器D．将主从RS触发器端与其中一个S端连接，Q端与其中一个R端连接，把其余的S端改为J,R端改为K就构成了主从JK触发器E.RS触发器当R= 时就构成D锁存器4.下列说法正确的为( B、D、E )。
A．TTL与非门输入端可以接任意电阻 B.TTL与非门输出端不能关联使用C．译码器、计数器、全加器、寄存器都是组合逻辑电路 D.N进制计数器可以实现N分频E．某一时刻编码器只能对一个输入信号进行编码5．将尖顶波变换成与之对应的等宽的脉冲应采用（D、B）。
A．单稳态触发器B．双稳态触发器D．施密特触发器E．RS触发器6．555集成定时器由（A、B、C、E)等部分组成。
A．电压比较器B．电压分压器 C.三极管开关输出缓冲器D．JK触发器E．基本RS触发器7．一个十位二进制加法计数器，在0．002秒内选通，假定初始状态为0，若计数脉冲频率为250KHZ，在选通脉冲终止时，计数器的输入脉冲为( B )个，计数终止时，计数器的输出状态为( D )。
A．250个B．500个C．750个D．0111110100 E．1111 101008．指出下列触发器中，哪些触发器具有翻转的逻辑功能( )。
A．JK触发器B．RS触发器C．T’触发器D．D触发器E．T 触发器9．荧光数码管的特点是( A、C、E )。
A．工作电压低，电流小B．字形清晰悦目C．运行稳定可靠，视距较大D．寿命长E．响应速度快lO．半导体数码显示器的特点是( B、C、D、E )。
A．运行稳定可靠，视距较大B．数字清晰悦目C．工作电压低，体积小D．寿命长E．响应速度快，运行可靠11．在异步计数器中，计数从0计到144时，需要多少个触发器( D、E )。
A．4个B．5个C．6个D．23个E．2×4个12．具有12个触发器个数的二进制异步计数器，它们具有以下哪几种状态( B、C、E )。
A．256种B．4096种C．1024×4种D．6536种 E.212种13．与非门其逻辑功能的特点是( A、B )。
A．当输入全为1，输出为0 B．只要输入有0，输出为lC．只有输入全为O，输出为1 D．只要输入有1，输出为014．或非门其逻辑功能的特点是( C、D )。
A．当输入全为1，输出为0 B．只要输入有0，输出为lC．只有输入全为0，输出为l D．只要输入有1，输出为0第二章集成运算放大器练习题一、判断题’(√)1．输入失调电压越小，说明集成运放的对称性越好。
j(×)2．选用运放时，希望输入偏置电流和输入失调电流越大越好。
{(×)3．集成运放若工作在线性状态，则反相输入端可按“虚地”处理。
’(×)4．运算放大器的输出电压在相位上与同相输入电压反相，与反相输入端的输入电压同相。
(√)5．集成运放工作在线性状态下，要实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止偏置电流带来的运算误差。
(√)6．在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
