移相全桥参数计算
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移相全桥mathcad计算以移相全桥mathcad计算为标题的文章移相全桥是一种常用的电路拓扑结构,用于产生正弦波信号或进行相位控制。
在电力电子、通信等领域中广泛应用。
本文将介绍如何利用Mathcad软件进行移相全桥的计算。
移相全桥电路由四个开关和一个负载组成,如图所示。
其中,开关S1和S2为上半桥,开关S3和S4为下半桥。
负载一侧接地。
通过控制开关的开关状态和占空比,可以实现对输出正弦波的频率和相位进行调控。
在Mathcad软件中,我们可以使用数值计算工具箱来进行移相全桥的计算。
首先,我们需要确定电路的参数,包括电压源的幅值和频率,负载的阻抗,以及开关的导通状态和占空比。
这些参数将直接影响到移相全桥电路的输出。
接下来,我们可以利用Mathcad软件中的数学函数和逻辑运算符来进行计算。
首先,我们可以使用正弦函数来表示电压源的波形。
然后,根据开关的导通状态和占空比,使用逻辑运算符进行判断和计算。
通过对上半桥和下半桥的开关状态进行控制,我们可以得到输出电压的波形和频率。
在计算过程中,我们还需要考虑到开关的导通和关断延迟时间、电感和电容的影响等因素。
这些因素会导致电路的输出波形出现畸变或相位偏移。
通过适当调整电路参数和控制策略,我们可以最小化这些干扰,实现精确的移相控制。
除了基本的计算,Mathcad还提供了绘图工具,可以将计算结果以图形的形式展示出来。
我们可以使用Mathcad的绘图功能,绘制移相全桥输出电压的波形图和相位图。
这样可以更直观地了解电路的工作状态和效果。
通过Mathcad软件进行移相全桥的计算,不仅可以方便快捷地得到计算结果,还可以进行参数优化和仿真分析。
Mathcad软件的强大功能和友好的界面,为电路设计和分析提供了有力的工具支持。
移相全桥是一种重要的电路拓扑结构,广泛应用于电力电子和通信领域。
利用Mathcad软件进行移相全桥的计算,可以帮助工程师快速准确地进行设计和分析。
通过合理选择参数和控制策略,可以实现对输出正弦波的频率和相位的精确控制。
1、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。
这是因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。
这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC28950移相全桥控制器,并基于典型值。
在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。
希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。
表 1 设计规范计算T1原边均方根电流(IPRMS):T1原边均方根电流(IPRMS1当能量被传递到次边T1原边均方根电流(IPRMS2)当转换器总T1原边均方根电流(IPRMS)此设计一个Vitec变压器被选中,型号75PR8107有一下规范测量漏原边漏感:变压器原边直流电阻:变压器副边直流电阻:估计转换损失(PT1)是铜损的两倍。
(注意:这只是一个估计,基于磁设计总损失可能会有所不同。
)计算剩余功率预算:5、QA, QB, QC, QD FET选择本设计以满足效率和电压要求, 20A 650 V,CoolMOS FETs英飞凌被选择Qa Qb Qc Qd场效应晶体管漏源电阻:场效应晶体管输出电容指定:电压drain-to-source(VdsQA),输出电容测量,数据表参数:计算平均输出电容[2]:QA场效应晶体管栅极电荷:ESR 31mΩ。
输出电容的数量:总的输出电容有效输出电容ESR:计算输出电容器损耗(PCOUT):重新计算剩余功率预算:9、选择QE and QF为设计选择FETs总是尝试和错误。
我们以满足电力需求的设计选择75 v,120A- FETs,从Fairchild,型号FDP032N08。
这些FETs的下面特征。
计算场效应晶体管平均输出电容(COSS_QE_AVG),基于数据表参数输出电容(COSS_SPEC)、从COSS_SPEC上测量的(Vds_spec)和最大的漏源电压在设计(VdsQE)将被应用到应用程序中的场效应晶体管。
1、2、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。
这是| |因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。
这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC2895移相全桥控制器,并基于典型值。
在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。
希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。
表1设计规范描述最小值典型值最大值输入电压370V390V410V输出电压11.4V12V12.6V 允许输出电压瞬变]600mV 加载步骤90%输出电压600W满负荷效率93%电感器切换频率200kHz3、功能示意图4、功率预算为满足效率的目标,一组功率预算需要设定。
^BUOGET =^OUT X 1 =45,2WV H J5、原边变压器计算T1变压器匝比(al):VREF GNUUPDOUTACQMP QUIT HIWTCUL L AB oyrr&1*DC LCD DUTE瞽QELEF OUTF TTTMiNl S-VNC Mmr GS15RSUV WC1□ cm ADELEF口-jWTF I s srrec估计场效应晶体管电压降(VRDSON ):V RDSON ~ 0*3 V基于最小指定的输入电压时 70%的占空比选择变压器。
基于平均输入电压计算典型工作周期(DTYP )("OUT 彳力整座N 0 66(V|N - 2 兀)输岀电感纹波电流设置为输岀电流的20%需要注意在选择变压器磁化电感的正确数值 (LMAG )。
下列方程计算主变压器器运行在电流型控制。
如果LMA 太小,磁化电流会导致变换器运行在电压模式控制代替 peak-current 模式这是因为磁化电流太大,它将作为PW 坡道淹没RS!的电流传感信号。
^2.76mH图2显示了 T1原边电流(IPRIMARY )和同步整流器Q 罰QF 电流对同步整流栅驱动电流的反应。
移相全桥变压器是一种用于电力传输和分配的变压器,其特点是在变压器的输出端通过移相操作调节电压水平。
计算移相全桥变压器需要考虑变压器的参数、负载情况、电源频率和功率因数等因素。
在计算中,需要确定变压器的额定容量、额定电压、额定电流等参数,并根据实际情况进行调整以满足负载需求。
此外,还需要考虑变压器的散热问题,以确保其运行温度不超过限制值。
最终的计算结果应包括变压器的电压比、输出电压、功率因数等指标。
移相全桥变换器设计一、设计要求输入电压:直流V in= 400V 考虑输入电压波动:385Vdc~415Vdc 输出电压:直流V out= 12V(稳压型)输出最大电流:I max=50 A整机效率:η≥90%输出最大功率:P o=600W开关频率:f=100kHz二、参数计算①输入电流有效值I in=P oη⁄V in=6000.9⁄400=1.67 A考虑安全裕量,选择600V/10A的开关管,型号FQPF10N60C。
②确定原副边匝比n:为了提高高频变压器的利用率,减小开关管电流,降低输出整流二极管承受的反向电压,从而减小损耗降低成本,高频变压器原副边匝比n要尽可能的取大一些;为了在规定的输入电压范围内能够得到输出所要求的电压,变压器的变比一般按最低输入电压V in(min)来进行计算。
考虑到移相控制方案存在变压器副边占空比丢失的现象,以及为防止共同导通,一般我们取变压器副边最大占空比是0.85,则可计算出副边电压V s:V s=V o+V D+V LfD sec (max)=12+1.5+0.50.85=16.47V其中V o=12V为输出电压,V D为整流二极管压降,取 1.5V,V Lf为输出滤波电感上的直流压降,取0.5V。
匝比n:n=N pN s=38516.47=23.27设计中取匝比n=23。
③确定匝数N p、N s变压器次级绕组匝数可由以下公式得出:N s=U s4f s B m A e=16.474×105×0.13×190×10−6=1.66取N s=2,本设计中,最大磁通密度B m=0.13T,磁芯选择PQ3535,A e= 190mm2。
变压器初级绕组匝数N p为:N p=nN s=23×2=46变压器副边带中心抽头,故匝数关系为:46 : 2 : 2。
④变压器原边绕组导线线径和股数由于导线存在肌肤效应,在选用绕组的导线线径是,一般要求导线线径小于两倍的穿透深度,穿透深度与温度频率有关,在常温下计算公式为∆=√2kωμγ(其中:μ为导线材料的磁导率,γ=1ρ)为材料的电导率,k为材料的电导率温度系数。
移相全桥隔直电容的计算公式移相全桥隔直电容在电力电子领域中可是个相当重要的角色,它的计算公式对于工程师和相关专业的学生来说,是必须要掌握的知识点。
咱们先来说说移相全桥电路,这玩意儿在电源转换领域那可是应用广泛。
比如说,电脑电源、通信电源,都能看到它的身影。
那为啥要用到隔直电容呢?这就好比在一条路上设置个关卡,防止一些不该过去的东西跑过去,保证电路的稳定和安全运行。
移相全桥隔直电容的计算公式,涉及到很多电路参数,像开关频率、变压器的漏感、最大占空比等等。
具体的公式是:C = (1 - D_max) ×(T_s / 2L_leak) 。
这里面,C 就是隔直电容的容值,D_max 是最大占空比,T_s 是开关周期,L_leak 是变压器的漏感。
我记得有一次,我在实验室里和几个学生一起做一个电源转换的项目。
当时我们就遇到了隔直电容取值的问题。
按照理论计算,我们选了一个电容值,结果电路运行起来不太稳定。
那可把我们急坏了,大家都抓耳挠腮的。
后来,我们一点点排查,发现是我们在计算变压器漏感的时候出现了误差。
经过重新测量和计算,调整了隔直电容的容值,电路终于正常工作了。
那一瞬间,大家都欢呼起来,那种成就感真是没得说。
通过这个小经历,我想跟大家说,公式虽然重要,但实际应用中的各种细节也不能忽略。
比如说,元件的实际参数可能和标称值有偏差,电路中的寄生参数也会影响结果。
所以,在使用移相全桥隔直电容的计算公式时,一定要结合实际情况,多做实验,多调试,才能得到理想的结果。
总之,掌握移相全桥隔直电容的计算公式是基础,但更关键的是要把理论和实践结合起来,这样才能在电力电子的世界里游刃有余。
希望大家在学习和工作中,都能顺利搞定这个小小的电容,让电路乖乖听话,为我们的生活带来更多的便利和惊喜!。
1、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。
这是因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。
这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC28950移相全桥控制器,并基于典型值。
在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。
希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。
表 1 设计规描述最小值典型值最大值输入电压370V 390V 410V输出电压11.4V 12V 12.6V允许输出电压瞬变600mV加载步骤90%输出电压600W满负荷效率93%电感器切换频率200kHz2、功能示意图3、功率预算为满足效率的目标,一组功率预算需要设定。
4、原边变压器计算T1变压器匝比(a1):估计场效应晶体管电压降(VRDSON):基于最小指定的输入电压时70%的占空比选择变压器。
基于平均输入电压计算典型工作周期(DTYP)输出电感纹波电流设置为输出电流的20%。
需要注意在选择变压器磁化电感的正确数值(LMAG)。
下列方程计算主变压器(T1)的最低磁化电感,确保变频器运行在电流型控制。
如果LMAG太小,磁化电流会导致变换器运行在电压模式控制代替peak-current模式。
这是因为磁化电流太大,它将作为PWM坡道淹没RS上的电流传感信号。
图2显示了T1原边电流(IPRIMARY)和同步整流器QE和QF电流对同步整流栅驱动电流的反应。
注意I(QE) I(QF)也是T1的次级绕组电流。
变量D是转换器占空比。
计算T1次级均方根电流(ISRMS):副边均方根电流(ISRMS1)当能量被传递到副边:副边均方根电流(ISRMS2),当电流通过变压器,QE QF开通副边均方根电流(ISRMS3)引起的负电流在对方绕组随心所欲的时期,请参阅图2。
副边总均方根电流(ISRMS):计算T1原边均方根电流(IPRMS):T1原边均方根电流(IPRMS1当能量被传递到次边T1原边均方根电流(IPRMS2)当转换器总T1原边均方根电流(IPRMS)此设计一个Vitec变压器被选中,型号75PR8107有一下规测量漏原边漏感:变压器原边直流电阻:变压器副边直流电阻:估计转换损失(PT1)是铜损的两倍。
基于移相全桥环路参数计算的研究功率变换器是应用电力电子器件将一种电能转变为另一种或多种形式电能的装置。
按转换电能的种类可分为四种类型:即:交流-直流变换AC-DC(整流)、直流-交流变换DC-AC(逆变)、直流-直流变换DC-DC(斩波)、交流-交流换AC-AC(交交变频)。
全桥移相软开关则属于直流变换器的一种。
在常规的DC-DCPWM变换器中,功率开关管在电压不为零时导通,在电流不为零时关断,处于强迫开关过程,这种开关过程又称为硬开关(hardswitching)过程。
在硬开关下工作的DC-DC PWM变换器,随着开关频率的上升,一方面开关管的开关损耗会成正比地上升,使电路的效率大大降低;另一方面,会产生严重的电磁干扰(EMI)噪声。
基于这样的问题,为了克服前述DC-DCPWM变换器在硬开关状态下工作的诸多问题,软开关技术得到了深入广泛的研究并在近些年得到了迅速发展。
1.软开关功率变换电路所谓软开关是指零电压开关ZVS(zero voltages witching)和零电流开关ZCS(zero current switehing)。
对于硬开关和软开关,一般的理解是:硬开关过程是通过突变的开关过程中断功率流完成能量的变换过程;而软开关过程是通过电感L和电容C的谐振,使开关器件中电流或(两端电压)按正弦或准正弦规律变化,当电流自然过零时,使器件关断,当电压下降到零时,使器件开通。
开关器件在零电压或零电流条件下完成导通与关断的过程,将使器件的开关损耗在理论上为零。
在ZVS-PWM变换器和ZCS-PWM变换器中,谐振电感串联在主功率回路中,因此电路中总是存在着很大的环流能量,这不可避免地增加了电路的导通损耗;另外,电感储能与输入电压和输出负载有很大关系,这使得电路的软开关条件极大地依赖于输入电源和输出负载的变化。
为了解决这些问题,零电压转换(ZVT)PWM变换器和零电流转换(ZCT)PWM变换器被提出。
3P3Z补偿器是一种经典的控制算法,用于系统的电压或电流控制。
而移相全桥则是一种特定的电力电子变换器拓扑结构。
在移相全桥中,通常通过调整两个桥臂的开关状态来实现对输出电压的控制。
而3P3Z补偿器可用于对输出电压进行精确的调节和稳定。
下面是一种基本的3P3Z补偿器算法示例:
1. 获取参考输入信号和反馈输出信号,并计算误差值:
error = 参考输入信号- 反馈输出信号
2. 计算比例项(P项):
P_term = 比例增益* error
3. 计算积分项(I项):
integral = 上次积分值+ 积分增益* error
I_term = 限制积分范围(integral)
4. 计算微分项(D项):
derivative = 当前误差- 上次误差
D_term = 微分增益* derivative
5. 计算控制输出:
control_output = P_term + I_term + D_term
6. 将控制输出作为参考输入,连接到移相全桥的控制端口,以实现对输出电压的调节。
在实际应用中,还可以根据系统特性和控制要求进行参数调整和优化,例如增益值、积分范围、微分时间常数等。
请注意,以上只是一个基本的3P3Z补偿器算法示例,实际应用中可能会有更复杂的实现方式和调节方法。
具体的算法设计需要结合具体的应用场景和需求进行。
1。
移相全桥参数计算 Prepared on 22 November 20201、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。
这是因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。
这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC28950移相全桥控制器,并基于典型值。
在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。
希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。
表1设计规范2、功能示意图3、功率预算为满足效率的目标,一组功率预算需要设定。
4、原边变压器计算T1变压器匝比(a1):估计场效应晶体管电压降(VRDSON):基于最小指定的输入电压时70%的占空比选择变压器。
基于平均输入电压计算典型工作周期(DTYP)输出电感纹波电流设置为输出电流的20%。
需要注意在选择变压器磁化电感的正确数值(LMAG)。
下列方程计算主变压器(T1)的最低磁化电感,确保变频器运行在电流型控制。
如果LMAG太小,磁化电流会导致变换器运行在电压模式控制代替peak-current模式。
这是因为磁化电流太大,它将作为PWM坡道淹没RS上的电流传感信号。
图2显示了T1原边电流(IPRIMARY)和同步整流器QE和QF电流对同步整流栅驱动电流的反应。
注意I(QE)I(QF)也是T1的次级绕组电流。
变量D是转换器占空比。
计算T1次级均方根电流(ISRMS):副边均方根电流(ISRMS1)当能量被传递到副边:副边均方根电流(ISRMS2),当电流通过变压器,QEQF开通副边均方根电流(ISRMS3)引起的负电流在对方绕组随心所欲的时期,请参阅图2。
副边总均方根电流(ISRMS):计算T1原边均方根电流(IPRMS):T1原边均方根电流(IPRMS1当能量被传递到次边T1原边均方根电流(IPRMS2)当转换器总T1原边均方根电流(IPRMS)此设计一个Vitec变压器被选中,型号75PR8107有一下规范测量漏原边漏感:变压器原边直流电阻:变压器副边直流电阻:估计转换损失(PT1)是铜损的两倍。
(注意:这只是一个估计,基于磁设计总损失可能会有所不同。
)计算剩余功率预算:5、QA,QB,QC,QDFET选择本设计以满足效率和电压要求,20A650V,CoolMOSFETs英飞凌被选择QaQbQcQd场效应晶体管漏源电阻:场效应晶体管输出电容指定:电压drain-to-source(VdsQA),输出电容测量,数据表参数:计算平均输出电容[2]:QA场效应晶体管栅极电荷:激活栅场效应晶体管的门级电压:计算Qa损失基于Rds和门QA重新计算功率预算:6、选择LS计算(LS)是基于实现零电压所需的能量切换。
这个电感需要能够消耗的能量开关的寄生电容节点。
以下方程选择LS实现零电压在100%负荷降至50%负荷的基础上初级场效应晶体管的平均总输出电容开关节点。
注意:可能比估计的有更多的寄生电容在开关节点,LS估计可能需要调整根据实际寄生电容在最后的设计。
为此设计一个26-μHVitec感应器被选为60PR964零件号码。
有以下规格。
LS直流电阻:LS估计功率损耗(PLS)和调整剩余功率预算:7、LOUT选择电感器设计为电感纹波电流20%(ΔILOUT):计算输出电感均方根电流(ILOUT_RMS):Vitec电感器电子公司2-μH的电感,75PR108被选为这个设计。
电感器有以下规范。
输出电感的直流电阻:估计输出电感的损失(PLOUT),重新计算功率预算。
注意PLOUT是估计的电感器铜损的两倍的损失。
注意基于磁生产可能会有所不同。
建议最好仔细检查磁与磁生产损失。
8、输出电容C输出电容器选择基于稳态和瞬态(VTRAN)负载要求。
L改变满载电流的90%的时间负载瞬变期间,大部分的电流会立即通过电容器等效串联电阻(ESRCOUT)。
下面的方程用于选择ESRCOUT和COUT,基于90%电流的负载。
选择ESR容许瞬变电压的90%(VTRAN),当输出电容(COUT)由VTRAN的10%所选择。
选择所需的输出电容也是前计算输出电容器均方根电流(ICOUT_RMS)。
满足我们的设计要求5个1500-μf,铝电解电容器的选择从曼联Chemi-Con设计,零件号EKY-160ELL152MJ30S。
这些电容器的ESR31mΩ。
输出电容的数量:总的输出电容有效输出电容ESR:计算输出电容器损耗(PCOUT):重新计算剩余功率预算:9、选择QEandQF为设计选择FETs总是尝试和错误。
我们以满足电力需求的设计选择75v,120A-FETs,从Fairchild,型号FDP032N08。
这些FETs的下面特征。
计算场效应晶体管平均输出电容(COSS_QE_AVG),基于数据表参数输出电容(COSS_SPEC)、从COSS_SPEC上测量的(Vds_spec)和最大的漏源电压在设计(VdsQE)将被应用到应用程序中的场效应晶体管。
当QEQF关断时,电压场效应晶体管的电压:测试数据表上从场效应晶体管输出电容上指定的电压:从场效应晶体管数据表上制定的输出电容:QEQF上平均输出电容QEQF均方根电流为了估计场效应晶体管开关损耗场效应,晶体管的Vg和Qg曲线数据表需要研究。
首先是millerplateau开始时的gatecharge需要确定(QEMILLER_MIN)结束时的gatecharge(QEMILLER_MAX)为了给定的VDS。
这个FETs设计是为了驱动UCC27324的4-A(IP)门限驱动电流估计场效应晶体管Vds上升和下降时间:估计QEQF的损失重新计算功率预算10、输入电容(C)如果这个转换器是设计用来390v输入,通常由PFC的输出增加pre-regulator。
选择的输入电容通常是基于交通阻塞和纹波的要求。
注意:实现零电压所需的延迟时间可以作为一种责任周期夹(DCLAMP)。
计算槽频率:预计延迟时间:有效工作周期夹(DCLAMP):V是最低输入电压当转换器仍然可以保持输出调节。
转换器的输入电压只会拉低电压不足或line-drop条件,如果在这转换器是PFCpre-regulator后。
C计算基于一种稳态周期循环计算高频输入电容器均方根电流(ICINRMS)。
为满足该设计的输入电容和均方根电流要求,我们选择330-μf电容器从松下EETHC2W331EA这个电容器高频(ESRCIN)150mΩ,这是测量阻抗分析仪在120Hz和200Hz下测量的。
计算C功率损耗重新计算剩余功率预算:有大约的功率预算离开电流传感网络,和偏置控制设备和所有电阻支持控制装置。
11、设置电流传感网络CT,R,R,D为这个设计有一个选择的CT的100:1比率(a2)在VINMIN下计算一般峰值电流(IP1):原边电流峰值:峰值电流达到上限时的电压计算电流检测电阻(RS)并且预留200mV斜坡补偿:选择一个标准电阻RS:对RS估计功率损耗:计算DA上的最大反向电压(VDA)估计达功率损耗(PDA):计算RS重置电阻器RRE:电阻器RRE用于重置当前变压器CT。
电阻器RLF和电容器CLF形成一个低通滤波器对当前信号(引脚15)。
对于这个设计我们选择以下值。
这个过滤器频率极低(fLFP)在482千赫。
这应该工作大多数应用程序但也许适合个体的布局调整和EMI的设计。
UCC28950VREF输出(引脚1)需要高频旁路电容滤除高频噪音。
这个引脚需要至少1μF高频旁路电容(CBP1)。
请参考图1适当的位置。
电压放大器参考电压(引脚2,EA+)可以设置与分压器(RA,RB),这个设计实例我们要设置误差放大器参考电压(V1).选择一个标准电阻RB值,然后计算电阻RA值。
设置电压放大器参考电压:分压器由电阻器RC和RI选择,设置直流输出电压(电压输出)引脚3(EA)。
选择一个标准电阻器RC:计算R1然后选择一个标准的电阻:补偿反馈回路可以通过适当选择反馈组件(RF、CZ和CP)。
这些组件被放置尽可能接近UCC28950引脚3和4。
计算负载阻抗负载(RLOAD):10%控制输出传递函数近似(GCO(f))作为频率的函数:双极GCO频率(f):补偿电压回路2型反馈网络。
下面的传递函数补偿增益作为频率的函数(GC(f))。
请参阅图1为组件的位置。
计算电压回路反馈电阻器(RF)基于交叉电压(fC)循环在第10个双极频率(fPP)。
选择一个标准电阻RF。
计算反馈电容器(CZ)在交叉点的移相。
选择一个设计标准电容值。
在2被FC的地方放置一个极点选择一个设计标准电容值。
环路增益作为频率的函数,以dB的形式。
环路增益和相位图形检查循环稳定性理论循环。
(图4)得了在约的阶段大于90度。
注意:明智的做法是检查你的循环稳定性和瞬态测试和/或最终设计网络分析仪和调整补偿(GC(f))必要的反馈。
限制在上升期间启动UCC28950有软启动功能(引脚5),应用程序设置软启动时间15ms(tSS)。
选择一个标准电容器的设计。
本应用笔记提供了一个固定延迟方法实现零电压从100%负荷降至50%负载。
当转换器操作低于50%加载转换器将在山谷切换操作。
为了实现零电压切换开关节点上QBd的FETsQA的开机(tABSET)延迟,初步制定和QB 需要基于LS和理论开关节点之间的交互电容。
下面的方程用于设置tABSET最初。
将LS设置输出电容的两倍计算槽频率:设置初始tABSET延迟时间,适当调整计划。
注意:方程的因素来源于实证测试数据,可能会有所不同基于个人设计差异。
形成的电阻分压器RDA1RDA2决定tABSET,tCDSETUCC28950的延迟范围。
选择一个标准RDA1电阻值。
注意:tABSET之间可以编程30ns-1000ns。
电压的ADLE输入UCC28950(VADEL)需要设置RDA2基于以下条件。
如果tABSET>155ns设置VADEL=,tABSET155ns和1000ns之间可以编程:如果tABSET≤155ns设置VADEL=,tABSET可以编程29ns-155ns:基于VADEL选择、计算RDA2:选择最接近标准RDA2电阻值:重新计算VADEL基于电阻分压器的选择:电阻器RDELAB由tABSET决定选择一个标准电阻的值设计:一旦你已经启动并运行原型建议你微调tABSET光负荷的峰谷之间的共振LS和开关节点电容。
在这个设计延迟设定在10%负载。
请参考图5。
最初的起点QC和QD打开延误(tCDSET)应该最初设置为相同的延迟,QA和QB打开延迟(引脚6)。
以下方程程序QC和QD接通延迟(tCDSET),通过适当选择电阻RDELCD(引脚7)。
电阻R由t决定选择一个标准电阻器的设计:一旦你已经启动并运行原型建议微调tCDSET光负载。