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单晶车间操作工考核试卷
一、填空题：（每空2分）
1、晶体分为（）和（）。
2、半导体分为（）和（）。
3、在锗和硅中掺入磷、砷、锑等V族元素时，这些（）在锗硅中提供（）作用，施主杂质和（）杂质相区别为施主杂质以（）导电为主而（）杂质以（）导电为主。
4、6.5英寸晶体收尾要求长度（），收尾完成后按（），下降（）后确认停炉。
5、超过300mm断棱后调整（）到（）使其自动上升。
6、熔料过程中注意观察炉内（）若无异常塌料后给定（）为（）并做好相应记录。
升埚位时应注意不要使（）接触到（）。
二、简述题：（每题10分）
1、简述拆装炉对拉制单晶硅棒的影响？
2、简述如何控制氧碳含量？
3、怎样才能排除位错？
4、简述断棱的原因？
5、单晶炉控制系统有那些？
6、简述开炉前检查内容？。
新能源证书考试题及答案一、单项选择题1. 新能源是指那些在现代能源体系中新近开发或正在研究开发中的能源，以下不属于新能源的是（）。
A. 太阳能B. 风能C. 核能D. 煤炭答案：D2. 太阳能光伏发电系统中，将太阳能转化为电能的设备是（）。
A. 光伏电池B. 逆变器C. 储能电池D. 充电器答案：A3. 以下哪种能源不属于可再生能源（）。
A. 地热能B. 潮汐能C. 生物质能D. 天然气答案：D4. 风能发电中，风轮转动的速度与风速的关系是（）。
A. 风速越快，风轮转动越慢B. 风速越快，风轮转动越快C. 风速越快，风轮转动越慢D. 风速与风轮转动速度无关答案：B5. 在新能源汽车中，以下哪种电池技术是当前最为成熟和广泛应用的（）。
A. 铅酸电池B. 镍氢电池C. 锂电池D. 燃料电池答案：C二、多项选择题6. 新能源技术的发展对以下哪些方面有积极影响（）。
A. 环境保护B. 能源安全C. 经济发展D. 社会稳定答案：ABC7. 以下哪些因素会影响太阳能光伏发电效率（）。
A. 太阳辐射强度B. 光伏电池的温度C. 光伏电池的朝向D. 光伏电池的清洁程度答案：ABCD8. 以下哪些是新能源汽车的优点（）。
A. 减少温室气体排放B. 降低对石油的依赖C. 提高能源效率D. 增加噪音污染答案：ABC9. 以下哪些是生物质能源的优点（）。
A. 可再生B. 清洁C. 碳中性D. 易于储存和运输答案：ABC10. 以下哪些是地热能利用的方式（）。
A. 地热发电B. 地热供暖C. 地热制冷D. 地热农业答案：ABCD三、判断题11. 核能是一种清洁能源，因为它不会产生二氧化碳排放。
（）答案：错误12. 所有的可再生能源都是清洁能源。
（）答案：错误13. 锂电池是新能源汽车中唯一可用的电池类型。
（）答案：错误14. 风能是一种间歇性能源，因此不适合作为主要能源供应。
（）答案：错误15. 生物质能源的利用不会导致土地资源的浪费。
单晶车间技能操作试题共3页（第1页）姓名____________一．填空题（每空1分）共20分1.引晶时拉速的最佳范围________2.晶体发白或变色的原因________3.坩埚变形的原因有____________,____________,_____________4.转肩的最大拉速应控制在__________以内5.导致液面抖动的原因除气流、机械原因外有__________,___________________,_____________,______________6.放肩时出现形状不规则的主要原因_____________7.导致晶棒扭曲的主要原因有_________,___________,___________8.等径过程中液面突然上下跳动的原因_____________9.引晶的目的____________,_______________10.检漏要求_______分钟以上，漏气率_______Pa以内为合格二．选择题（每题1分）共10分1.单晶体通常有_____的几何形状A 规则B 不规则2.硅料有______的熔点A 固定B 不固定3.一般在P型单晶生产中，通常以参______为主A 磷B 锑C 硼D 铝共3页（第2页）4.在生产P型单晶中，其电阻率一般在______A 3~6ΩcmB 0.5~3Ωcm5.单晶生长的晶向有________A 122B 511C 100D 1016.拉晶过程中向炉内通入的气体是_______A 氧气B 氩气C 氢气7.单晶收尾的目的_______A 减少锅底料B 防止位错反延C 使晶棒美观8.三半锅的作用_______A 加热石英埚B 支撑石英埚9.单晶炉内的压力为_______A 正压B 负压10.单晶棒的正常电阻_______-A 头高尾低B 尾高头低C 头尾一样三．问答题（共70分）1.本车间现用热场的石墨件名称？（20分）答：2．等径过程中突然停电如何处理？（10分）答：3.造成漏硅的原因有那些？（10分）答：4.拆炉时发现炉内氧化严重的原因有那些？（10分）答：5.清炉时需要清理拿些地方？（10分）答：6.那些原因会导致喷硅？（10分）答：。
单晶华耀学徒考试试题
1.取晶棒时只要使晶棒接触晶棒车即可,不能完全承重于晶棒车上,以免造成籽晶绳弯曲. (×)
2.原料是不能受到污染的,所以炉内的石墨件和炉筒,炉盖一定
要打扫干净,至于炉体外表面,因为不会与原料有接触,所以可以不用打扫. ( ×)
3.因为在加热过程中加热器是震动的,所以要将加热器螺丝拧的很紧,防止因为加热器震动造成加热器螺丝松动脱落,导致打火.
( ×)
4.在整个等径过程中,埚随比是不变的,只有在拉制8寸和6.5寸调换的时候需要更改. ( ×)
5.晶棒完全入架后,按住籽晶,用钳子将籽晶从细颈处剪断后,应稳定重锤. ( √)
6.在单晶生长过程中如果出现断棱需要回溶处理的,为节省时间,可以将功率开到最大,以最快的速度回溶.只要在回溶过程中注意不
要发生跳料即可. ( ×)
7.用专用工具装好托杆后,一定要拧紧托杆螺丝,防止因松动造
成液面晃动. ( √)
8.在取晶棒时,为避免籽晶太热,烫坏手指,可以带上隔热手套后直接捏住籽晶. ( ×)
9.如果确定温度合适,籽晶可以不用预热,直接浸入硅液面内进
行引晶. ( ×)。
单晶炉安全操作要点试题一、填空题（每空3分，共30分）1 在任何有源的地方，都要提高警惕; [单选题]答案:氩气(正确答案)2 剪提渣盖、拆炉、拆取晶体时，要戴上高温手套，注意防止、、、 [单选题]答案:烫伤、划伤、碰伤(正确答案)3 晶体出炉后按指定地点摆放，在晶体旁边放置“ ”标牌，冷却小时左右，拿走标牌并用泡沫塑料将晶体头部细颈剪断处护住，防止人员身体被细颈断口划伤; [单选题]答案:小心烫伤、3(正确答案)4 操作工在搬运晶棒时，做好防护，禁止多晶棒且超过纸箱高度; [单选题] 答案:直立(正确答案)5三不违是指、、。
[单选题]答案:不违章指挥、不违章作业、不违反劳动纪律(正确答案)二、选择题（每题4分，共20分）1氩气的密度（）空气密度; [单选题]A.>;(正确答案)B.<;C.=;2剪渣盖时用手钳夹住靠近晶体肩部（）mm之内的细颈剪断; [单选题]A.30B.20C.10(正确答案)3剪渣时主操操作过程中注意面部距渣盖大于（）mm; [单选题]A.100B.200C.300(正确答案)4.运输晶棒的安全防护的是（）A 送棒人员在运输晶棒时，晶棒肩部细晶处必须做好防护;(正确答案)B在运送晶棒时，送棒人员操作AGV小车要注意周围员工安全，运送时要把AGV 小车放置在重心位置，保证晶棒运输车上升高度一致，避免晶棒运输车辆侧翻;(正确答案)C 无特殊送棒要求，晶棒运输车需要放置两个晶棒（单排晶棒运输车除外）;(正确答案)D晶棒有吊多晶部分，敲掉多晶部分到多晶送棒箱内，然后晶棒运输人员方可送棒。
(正确答案)5.酒精使用注意事项的是（）A 使用酒精时，要戴上一次性手套，并注意防止溅入眼内;(正确答案)B酒精是易燃物，应安全使用和妥善保管，防止发生火灾;(正确答案)C使用的酒精喷壶上张贴“酒精”字样，保证酒精使用安全。
(正确答案)三、判断题（每题3分，共30分）1人员可直接接触液氩，防止冻伤（液氩温度为-185.7℃）; [判断题]错(正确答案)2禁止人员在有可能存在氩气的密封环境滞留; [判断题]对(正确答案)错3任何情况禁止赤手触碰晶体; [判断题]对(正确答案)错4合盖时可清理密封圈甚至炉内; [判断题]对错(正确答案)5.晶棒在旋开的副室中，人员严禁站在副室下方; [判断题]对(正确答案)错6旋开副室，剪渣后使用压缩空气对隔离阀仓进行清理; [判断题]对(正确答案)错7晶棒有吊多晶部分，无需敲掉多晶部分到即可送棒; [判断题]对错(正确答案)8车间内严禁人为致使氩气外泄操作，如用氩气吹扫炉膛等; [判断题]对(正确答案)错9氩气对人体无直接危害，但是大量吸入会造成人体缺氧窒息; [判断题] 对(正确答案)错10“违章不一定出事，出事不一定伤人，伤人不一定伤我”; [判断题]对错(正确答案)四、简答题（每题20分，共20分）1.简述保护自己免受伤害的有效措施。
考试时间：90分钟考试方式：闭卷一、填空：（共17题，每空0.5分，共20分，将答案写在横线上）1.光伏系统是将转化为的太阳能发电系统。
2.太阳能级多晶硅的纯度要求远不及电子级多晶硅，一般认为个9就可以满足要求。
3.晶体硅太阳电池生产流程为：、扩散、后清洗、、、测试、分选包装。
4.硅片在切割的过程中所造成的损伤层约__ 。
5.扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结，采用作为扩散源，提供磷原子。
磷扩散的扩散机制是。
6.写出镀减反射膜的反应方程式：。
7.进入车间须穿、、、头发长的要将其放入帽子或衣服中。
8.扩散过程中应用气体有____ __ 、___ ___ 、____ ___9.检测方块电阻用到____ ___仪器，测试时扩散面向____ __。
10.扩散方块电阻不均匀度___ ___，同一硅片扩散方块电阻不均匀度____ __。
11.PECVD用仪器来检测其质量的好坏。
12.Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，表面呈现的理想颜色是。
13.丝网印刷线从前到后依次印刷、和；14.烧结的目的：15.烧结炉分为、、、四个阶段16.标准测试条件要求光强、温度、光谱分布。
17.太阳电池I-V测试参数有（写出6个）：、、、、、、。
二、选择题：（共15题，每题2分，共30分）1、清洗车间所涉及的化学品有（）。
A 氢氧化钠B 氢氟酸C 盐酸D 硝酸2、磷硅玻璃是由（）组成。
A CF4B SiO2C 磷D SiF43、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（）A 并联电阻B 开路电压C 短路电流D 串联电阻4、下列方程式中属于刻蚀工艺的是（）A SiF4+2HF→H2[SiF6]B CF4+SiO2→Si F4+CO2↑C CF4+SiO2 +O2→ SiF4+CO2↑D SiO2+4HF→SiF4+2H2O5、单晶绒面呈（）形。
A 三角形B 金字塔形C 圆形D 正方形6、扩散洁净度要求是______。
单晶炉技能考试题及答案一、单选题（每题2分，共10题）1. 单晶炉的工作原理是基于哪种效应？A. 热膨胀效应B. 热传导效应C. 热辐射效应D. 热对流效应答案：C2. 单晶炉中使用的石英坩埚的主要材料是什么？A. 石英砂B. 石英玻璃C. 石英晶体D. 石英纤维答案：B3. 单晶生长过程中，晶体生长速率的控制因素是什么？A. 温度B. 拉速C. 压力D. 磁场答案：B4. 在单晶炉操作中，以下哪个参数是不需要控制的？A. 温度B. 压力C. 拉速D. 湿度5. 单晶炉中，晶体生长的起始材料是什么？A. 多晶硅B. 单晶硅C. 硅片D. 硅粉答案：A6. 单晶炉中，晶体生长的方向通常是什么？A. 垂直向上B. 水平向右C. 垂直向下D. 水平向左答案：C7. 单晶炉操作中，晶体生长的终止条件是什么？A. 达到预定长度B. 达到预定重量C. 达到预定直径D. 达到预定时间答案：A8. 单晶炉中，晶体生长过程中，以下哪个因素会影响晶体质量？A. 温度波动B. 拉速变化C. 磁场强度D. 所有以上因素答案：D9. 单晶炉操作中，晶体生长完成后，需要进行哪一步操作？B. 切割C. 抛光D. 清洗答案：A10. 单晶炉中，晶体生长过程中，以下哪个参数是不需要监测的？A. 温度B. 拉速C. 压力D. 晶体直径答案：C二、判断题（每题2分，共5题）1. 单晶炉中，晶体生长过程中，温度的控制是至关重要的。
（对）2. 单晶炉操作中，晶体生长速率越快，晶体质量越好。
（错）3. 单晶炉中，晶体生长完成后，不需要进行冷却过程。
（错）4. 单晶炉操作中，晶体生长的终止条件是达到预定时间。
（错）5. 单晶炉中，晶体生长过程中，磁场强度对晶体质量没有影响。
（错）三、简答题（每题5分，共2题）1. 简述单晶炉操作中，晶体生长过程中温度控制的重要性。
答：在单晶炉操作中，晶体生长过程中温度控制至关重要，因为温度直接影响晶体的生长速率和晶体质量。
1、清扫石墨器件：清扫热场时必须在清扫，加热器清理不净、废弃孔清扫不彻底、热场不对称可能造成的隐患分别为：2装料前必须对石英塔埸进行：,杂质点的要求：, 封闭气泡的要求为：石英坍蜗安装要平衡，否则可能造成：。
3、等径：等径过程中应时常观察炉内单晶生长情况，每隔15分钟,确认有无异常，每一个小时O4、停炉冷却后缓慢，调节蜗转为0,关蜗转，温度控制推出自动，关闭功率顺序为：—加大Ar气流量至真空压力,冷却,缓慢调节晶转为0,关闭晶转。
7、简述单晶炉的操作工艺流程答案1.清扫室内；加热器清扫不干净会造成：挥发物迅速扩散，严重影响原材料的质量；废弃孔清扫不净会造成单晶晃或挥发物大量想副室挥发；热场不对称会造成单晶晃, 晶晃碰导流筒。
2.检查；目视可见的，在塔埸本体内的杂质点，直径在0.5mm〜1.5之mm间的，数量〈2个；封闭气泡直径＜0. 2mm忽略不计，直径在0. 2mm〜0. 5mm之间的，数量〈6个，直径在0.5mm〜1.5mm的，数量〈2个，直径＞1. 5mm的不允许出现；因石英塔埸变形而导致液面抖动3.对炉内巡视一次；做一次拉晶记录4.先降功率至拉晶功率的20%, 20分钟后关闭加热电源；1500-2000P&； 4个小时5.带防滑手套，两个人共同搬运；对木托做加固防护处理，用缠绕膜对晶棒进行固定6.每5炉清洗一次；油位观察窗的1/3-1/2位置7.工艺流程：作业准备一热态检漏一取单晶和籽晶一石墨件取出冷却一真空过滤器清洗一真空泵油检查更换一石墨件清洗一单晶炉室清洗一石墨件安装一石英址埸安装一硅料安装一籽晶安装一抽空、检漏一充氧气、升功率、熔料一引晶、缩颈、放肩、转肩一等径生长一收尾一降功率、停炉冷却明天下午就要考试了〜除了咱们本岗位的知识之外，还有一些员工手册上的内容，大家注意以下几点内容，好好备考，预祝大家取得好成绩〜〜〜再重复一下时间地点：时间：明天下午13:30地点：办公楼五层MBA培训室烦请各位主管及领班将每位同事都通知到位，除了当班IPQA之外，其余人员均要参加考试，莫误莫误!!!宿舍管理目的基本要求值日制度员工有权就餐厅卫生条件、饭菜质量价格方面问题提出疑问建议意见员工洗浴时应当自觉刷K O O O O O O O公司秘密的分级分为绝密机密秘密员工守则有热爱公司爱岗敬业遵守道德光明磊落注重仪表守法守纪守时守信请假制度公司招聘渠道企业内部培训形式企业愿景、宗旨、精神使命5S定义叙述其要领部分公司社会保险有哪些？工伤认定程序员工就餐卡意识及工资卡遗失处理流程%1.简答题、填空题1.依照我司《供应商管理程序》，进行供应商现场审核时需要进行哪些审核项目？物料质量管理；工序质量控制；不合格品的控制；量具管理与计量。
新能源考试题+参考答案一、单选题（共82题，每题1分，共82分）1. 电动汽车用驱动电机系统驱动电机定子绕组对机壳的冷态绝缘电阻值应大于20MΩ;定子绕组对机壳的热态绝缘电阻值应不低于()。
A、0.38MΩB、20MΩC、0.12MΩD、0.24MΩ正确答案：A2. 以下电池中不作为电动汽车动力电池的是( )。
A、超级电容B、燃料电池C、锌银电池D、磷酸铁锂电池正确答案：C3. 普低钢焊接时,应避免采用( )。
A、焊前预热B、大热输入及单道焊C、碱性焊条D、焊后缓冷正确答案：B4. 若无特殊规定,驱动电机及驱动电机控制器应能承受(40±2)℃,相对湿度为( ),48h 的恒定湿热试验,驱动电机及驱动电机控制器应无明显的外表质量变坏及影响正常工作的锈蚀现象。
A、80%-85%B、85%-90%C、70%-75%D、90%-95%正确答案：D5. 蓄电池辅助装置是蓄电池正常工作所需要的( )、温控系统部件等。
A、托架B、传感器C、导线D、BMS正确答案：A6. 纯电动汽车的驱动方式中,( )方式应是未来纯电动汽车驱动系统的发展方向。
A、电机-驱动桥组合式驱动系统布置B、双电机驱动C、轮毂电机独立驱动D、电机-驱动桥整体式驱动系统布置正确答案：C7. 自动驾驶领域常利用()实现车辆定位。
A、卡尔曼滤波器综合卫星定位系统和惯性导航系统B、惯性导航系统C、卫星定位系统D、视觉传感器正确答案：A8. 下列不属于智能网联汽车车辆关键技术的是()。
A、智能决策技术B、环境感知技术C、控制执行技术D、高精定位技术正确答案：D9. 电机从静止状态加速到工作转速的整个过程称为起动,包括通电、最初起动和(),必要时还包括与电源同步的过程。
A、减速过程B、励磁过程C、稳定过程D、加速过程正确答案：D10. 电动汽车充电插座传导连接到电网,应有一个端子将电平台与电网的接地部分连接,这是充电枪()端子。
A、CPB、PEC、S+D、S-正确答案：B11. 电压贬值的额定防护有四个等级:CAT(种类)Ⅰ、CATⅡ、CATⅢ、CATⅣ,其中( )直接连接到配电设备的大型用电设备(固定设备)的一次线路及配电设备到插座之间的电力线路。
单晶理论考试及答案一、单晶理论考试简介单晶理论考试是针对材料科学与工程领域的一项重要考试，旨在检验学生对单晶理论的了解程度和应用能力。
通过这项考试，考官能够评估学生对单晶材料的结构、性质和应用等方面的掌握情况。
在实际工程项目中，单晶材料的应用广泛且重要，因此对于从事相关工作的学生来说，掌握单晶理论知识是非常必要的。
二、考试内容概述单晶理论考试内容主要涵盖以下方面：1. 单晶结构考生需要了解单晶的结构特点，包括晶胞、晶格参数、晶面和晶轴的概念，并能够通过晶胞参数计算晶体的密度和晶面间距等。
2. 单晶缺陷在单晶理论考试中，考生需要掌握单晶的常见缺陷类型，如点缺陷、线缺陷和面缺陷等，并能够判断缺陷对材料性能的影响。
3. 单晶生长考生需要了解单晶生长的基本原理和方法，例如溶液法、气相传输法和拉伸法等，并能够分析不同生长方法对单晶质量和晶体缺陷的影响。
4. 单晶性能对于单晶材料的性能评价是单晶理论考试中的重要部分。
考生需要了解单晶的热力学性质、力学性质和电学性质等方面的知识，并能够分析单晶结构对这些性质的影响。
5. 单晶应用考生需要了解单晶材料在工程领域中的应用情况，例如单晶的电子器件、光学器件和热电器件等方面的应用，并能够分析单晶结构对应用性能的影响。
三、考试准备和备考建议1. 学习教材和参考书在备考过程中，考生可以结合教材和参考书进行学习。
推荐的教材包括《单晶材料学》、《单晶生长理论与技术》等。
参考书方面，可以选择与单晶理论相关的学术论文或专业杂志文章进行阅读，以扩大知识面和提高综合应用能力。
2. 制定学习计划备考单晶理论考试需要有一个明确的学习计划。
考生可以根据考试内容和自己的时间安排，合理划分学习任务和时间。
同时，制定计划时要充分考虑到课堂学习、复习和练习等环节，综合提高理论和实践能力。
3. 做题训练和模拟考试做题训练是备考过程中的关键环节。
考生可以通过习题集、试题库等资源进行题目练习，加强对知识点的记忆和理解。
单晶学徒试题
一、员工基本素养（10分）
1、仪容仪表要做到整洁，头发不遮眼不染色露双耳，且每天上班要穿和。
2、上下班要准时并打，工作中对领导的下达的指令做到令必行，禁，尊重领
导，见到公司领导要主动打招呼。
3、请假必须写请假条，并须经过车间主管，工作中必须要尽力为公司创造，
减少浪费和，节约成本。
4、平时日常生活中要爱护公司财物，要勤俭，避免奢侈浪费。
养成良好的生活习惯。
5、每次开会或则集体活动，要做到准时参加，遵守纪律，不大声喧哗，手机调至，
公众场合不能抽。
二、判断题（对打勾，错打叉并在错误的地方用下划线标出，如一元钱等于十角，等于五十
分，每题1分，标出错误地方另加一分，总分15分）
1、我们公司所拉制的单晶是P型单晶，所使用掺杂剂（母合金）是磷，在硅晶体中磷属于
受主杂质，P型半导体的少数载流子是空穴。
（）2、半导体的电学特性有；压敏性，热敏性，光敏性。
热敏性是指半导体在受热后电
阻随温度升高而迅速减小；光敏性是指半导体在光照下电阻大为变大．（）3、实际正常拉制单晶时必须是单核成晶，且以外加入晶种做为基底，生成非自发晶核，熔
体中存在两个以上晶核，晶体就不成单晶，如在拉制硅单晶时，坩埚边结晶掉渣变多晶就属于这种情况。
（）4、硅几乎不溶所有的酸，包括氢氟酸，但硅能溶解在氢氟酸和浓硝酸的混合溶液中，硝酸
起氧化作用，而氢氟酸则起络合剂作用，常温下硅也不和碱反应。
（）5、一定的热场中，强迫对流越强则能使自然对流抑制到较小程度，使单晶生长界面平坦，
生长稳定，生长的单晶质量高。
（）6、单晶冷却过程位错过成：单晶和熔硅脱离接触，进行冷却。
单晶冷却时，晶体表面和中
心由于收缩率不同产生很大的应力，同时晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力，这些应力都足以使单晶界面生成新位错，所以在拉制无位错单晶过程中我们必须收尾且尽量收尖。
（）7、提高硅单晶寿命主要是拉晶过程中防止深能级杂质污染，避免铜、铁等金属和多晶硅接
触，尽量不采用钼保温罩，多晶硅和石英坩埚含深能级杂质尽量少。
拉晶的保护气氛的纯度尽量高，消除单晶的结构缺陷，无位错单晶尽量消除杂质条纹和旋涡条纹，这样都能提高硅单晶寿命。
（）
8、单晶硅棒中氧含量一般是头高尾低，碳含量一般是尾高头低。
（）
9、适合拉制<100>晶向单晶的热场用来拉<111>晶向单晶，一般说来，晶体很难拉成单晶，
即使拉成单晶，单晶缺陷也较多。
硅单晶各晶面之间的间距是不同的，各晶面上的原子密度也不同。
（100）的面间距小于（110）的面间距，（111）的面间距最大；所以，（100）的面密度小于（110）的面密度，（111）的面密度最大。
因此，直拉法生长单晶硅的热场，
沿[111]晶向生长的纵向温度梯度大于沿[110]晶向生长的纵向温度梯度，沿[100]晶向生长的纵向温度梯度最小。
（）10、目前常用的制备高纯水的方法主要有：自来水→蒸馏水→离子交换和自来水→电渗析→
离子交换二种方法。
我们公司用的主要是：自来水→蒸馏水→离子交换。
（）
三、填空题（每个空格1分，总分55分）
1、晶体与非晶体主要有哪三个方面的区别：，，。
2、元素周期表中，以下元素排列分别是第几位：硼磷硅碳。
3、晶体中有无限多在空间按一定规律分布的格点，称为空间点阵。
组成空间点阵最基本的
单元叫。
它能反映整个晶体的性质。
其在空间重复排列起来就得到整个晶体。
不同的晶体，其基本单元型式不同。
4、热系统包括密封环、上下保温盖、内外导流筒、电极护套、托杆护套、上中下保温
筒、、、、、、炉底上压片、石墨电极及石墨毡。
5、直拉法生产硅单晶工艺尽管种类繁多，但大体可分为：真空工艺、气氛工艺和减压拉晶
工艺，我们公司用的拉晶工艺属于，它的工艺特点是易于成晶，炉膛干净，单晶参数易于控制，生产比较稳定。
缺点是消耗大量高纯氩气，生产成本相对提高。
6、地球上含量前三的分别是，，。
硅是构成矿石和岩石的主要元素。
在自然界中无游离态硅，主要以硅酸盐和硅石（主要成分是二氧化硅）的形式存在。
7、硅一般是银灰色的固体，带有金属光泽，质硬且脆，切割时易碎裂。
硅比重较小，固态
密度为克/厘米3，液态时克/厘米3，熔点，沸点，硅单晶的结构与金刚石完全相似，
8、合格的籽晶必须要符合三点：，，。
9、物质内部原子或分子的热运动称为。
由于固相中的杂质原子扩散速度很小
浓度高速缓慢，先凝固的与后凝固的固相杂质浓度不同，晶体中各种杂质浓度不再均匀分布，有的地方杂质浓度低，有些地方杂质浓度高，这种由杂质偏析引起的现象叫。
10、晶体生长过程中主要通过哪三种方式进行热输送：，，。
其中高温时热量以为主进行热传输。
溶体里热量以为主传输。
11、石英坩埚中的熔硅流动有两种类型：一是由温度梯度形成叫，其是由
于熔体内部各点温度不同，因而比重不同，在浮力作用下形成；二是晶体、坩埚旋转千万叫，其则由于晶体和坩埚转动，在熔体粘滞度作用下，熔体随晶体和坩埚转动，因离心力作用向坩埚壁方向流动。
12、根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小，可分为以下四类，
，。
其中位错属于缺陷。
旋涡条纹和杂质条纹和孔晶属于缺陷。
13、籽晶的位错来源是由于籽晶表面损伤、机械磨损裂痕等使籽晶表面晶格受到破坏形成位
错或籽晶本身有位错，籽晶与熔硅接触时受到强烈的热冲击，熔接后的籽晶位错密度一般都在数量级，熔硅温度较低，籽晶和熔硅熔接不好也会产生位错，熔硅表面有浮渣，浮渣附着在籽晶表面，使单晶产生不同取向，同样可以产生位错14、单晶生长中位错来源：一是如果受到机械震动，产生应力而产生位错；二是
单晶内部如果径向温度梯度较大，单晶各微区的热膨胀率不同。
晶体表面温度低，膨胀率小，中间温度高，膨胀率大。
因此单晶表面受到扩张的应力，内部受到压缩应力而产生应力也会产生位错产生和进行增殖；三是熔硅温度的起伏和单晶生长速率的起伏，可以引起结晶界面上原子振动的变化，使原子排列偏离点阵，产生晶格畸变，形成位错也可能使单晶偏离生长取向产生位错。
四是硅单晶内杂质浓度过高，形成杂质析出也容易产生位错
15、单晶硅中的碳和氧的来源主要：多晶硅、，。
16、不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为半导体。
17、我们现在拉制的单晶是P型，头部电阻控制范围是，晶向是。
如果我们正常情况下P型母合金掺的越多电阻则会相应的变。
18、拉晶过程中，捡漏要求真空漏速在内才算达标。
1KG硅料拉制单晶标准直径
150mm的能拉mm，拉制标准直径165mm的能拉mm。
19、1英寸= 毫米，20寸石英埚拉标准8寸单晶我们起始埚根应该给。
20、制造单晶的主要方法有：直拉发法（CZ法）、悬浮区熔法（区熔法、FZ法）、基座法、
片状单晶生长法（EFG法）、蹼状单晶生长法、气相生长法、铸锭法、液相外延生长法。
我们公司现在所用的方法是属于，其制造单晶硅时，原料易被坩埚污染，硅单晶纯度降低，拉制的硅单晶电阻率大于50欧姆·厘米，质量很难控制。
四、问答题（每题10分，总分20分，答案写背面）
1、写出平时容易出5个事故，并简述下如何避免这些事故发生。
1、由于我们这工作有很多的特殊性，如果你成为正式操作工你认为如何才能把工作做好？。
