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晶闸管对触发电路的要求触发脉冲的作用各种电力电子器件的门极或控制极的控制电路都应提供符合一定要求的触发脉冲。
对于晶闸管的触发脉冲来说,其主要作用是决定晶闸管的导通时刻，同时还应提供相应的门极触发电压和门极触发电流。
触发脉冲除了包括脉冲的电压和电流参数外，还应有脉冲的陡度和后沿波形，脉冲的相序和相角以及与主电路的同步关系,同时还须考虑门控电路与主电路的绝缘隔离问题和抗干扰、防止误触发问题.由于晶闸管是半控型器件,管子导通后即失去控制作用，为了减少门极损耗，故门极输出不用直流而用单脉冲或双脉冲，有时还采用由许多单脉冲组成的脉冲列，以代替宽脉冲。
触发脉冲参数要求触发脉冲的主要参数有触发电流、脉冲宽度等，具体要求如下: （1)触发电流-—晶闸管是电流控制型器件，只有在门极里注入一定幅值的触发电流时才能触发导通。
由于晶闸管伏安特性的分散性,以及触发电压和触发电流随温度变化的特性，所以触发电路所提供的触发电压和触发电流应大于产品目录所提供的可触发电压和可触发电流，从而保证晶闸管的可靠触发,但不得超过规定的门极最大允许触发电压和最大允许触发电流。
实际触发电流可整定为3~5倍的额定触发电流。
（2）触发脉冲宽度--触发脉冲的宽度应能保证使晶闸管的阳极电流上升到大于擎住电流。
由于晶闸管的开通过程只有几微秒，但并不意味着几微秒后它已能维持导通。
若在触发脉冲消失时，阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管将不能维持导通而关断。
因此对脉冲宽度有一定要求，它和变流装置的负载性质及主电路的形式有关。
（3）强触发脉冲-—触发脉冲前沿越陡,越有利于并联或串联晶闸管的同时触发导通。
因此在有并联或串联晶闸管时,要求触发脉冲前沿陡度大于或等于10V/uS,通常采取强触发脉冲的形式。
另外,强触发脉冲还可以提高晶闸管承受di/dt的能力。
（4)触发功率——触发脉冲要有足够的输出功率，并能方便地获得多个输出脉冲，每相中多个脉冲的前沿陡度不要相差太大。
CBB规范可控硅驱动线路(VER: V1.0)拟制：辉时间：2010- 4-15批准：波时间：2010- 4-15文件评优级别：□A优秀□B良好□C一般1 功能介绍本电路为可控硅门极触发电路，SCRDRV为控制信号，当SCRDRV信号为高电平时，光耦PC1导通，CN1两端为高电平，SCRDRV信号为低电平时光耦PC1截止，CN1两端为低电平。
本电路的关键在于电路的输出信号能保证可控硅可靠触发。
2 详细原理图3 器件功能♦限流电阻R1、R2、R3，当SCRDRV信号为高电平时，限制流过光耦PC1的原边电流,以防止PC1因过流而可能损坏；♦光耦PC1，实现电气隔离，同时起信号传输作用；♦开关管Q1, 通过控制Q1的开通与关断控制光耦PC1的导通与截止；♦R6的作用是确保没有输入信号时Q1处于截止，R5的作用是限制基极电流。
♦稳压二极管Z1，电压箝位，防止可控硅门极电压过高；♦R10,R11为限流电阻，限制流过可控硅门极的电流，并起到分压作用。
♦Q2为PNP型晶体管，起放大作用。
♦Q3,Q4为对管，推挽输出，起功率放大作用。
♦LED1为发光二极管，当光耦导通时点亮LED1，光耦截止时熄灭LED1，起指示作用。
4 参数计算♦光耦PC1及R1,R2,R3的选取：流过光耦副边电流为（8V-0.6V-0.3V）/4.7K=1.5mA，选型号为PS2501的光耦，其Ic=50mA，If=80mA，Vfmax=1.2V，CTR的范围为200%-400%。
R1,R2的大小应时SCRDRV信号为高电平时光耦饱和导通， R1和R2选510Ω并联，此时光耦原边电流约为（5-1.2-0.3）/255=13.8mA，R1、R2功率约等于(0.0138/2)2*510=0.02W，选1\10W的电阻，满足降额要求，R3取2K,流过R3电流约为1.2V/2K=0.6mA♦R4,LED1的选取：按发光管通过1mA的电流计算，若Q1的饱和压降为0.5V，LED1的正向压降为1V，则通过LED1的电流为（5V-1V-0.5V）/R4=1mA，计算出的R4=3.5K，实际可以使流过的电流稍微大一点，选2K的电阻。
门极驱动板原理说明香港地铁门极驱动板主要为逆变器IGBT模块提供各IGBT管的门极驱动电路，并为IGBT管提供故障检测功能。
该板由三相完全相同的电路组成（R相，S相，T相），每一相有A、B两路分别对应每一相的上管与下管。
下面取其中一相（T相）进行说明：T相电路主要由三个功能块构成：1. 门极驱动板电源电路；为门极驱动提供电源。
2. 门极驱动板脉冲分配电路；控制T相上管与下管的开通关断时间，死区时间及最小导通时间等。
3. 门极驱动板故障检测电路。
当某管通过电流过大时能及时检测到，并采取对该管的保护措施。
下面分别对以上三个功能进行详细描述：1.门极驱动板电源电路门极驱动板电源电路主要为IGBT管提供+15V及-6V的门极导通，关断电源，同时也为门极驱动板上各芯片提供工作电源。
该板通过变压器T21及T22实现高压端与低压端的隔离，其中变压器T21的次边电路为TB管提供电源，变压器T22的次边电路为TA管提供电源。
由于变压器T21的次边电路与变压器T22的次边电路完全相同，所以就以变压器T21的原边及次边电路为例进行说明：1.1 门极驱动板变压器T21的原边端电路（即低电压端电路）该电路如图1所示：图1该电路主要由PWM 控制器D15，场效应管驱动器N13及场效应管V10,V11构成，为变压器次边提供电源。
当D15芯片(PWM 控制器)的15脚输入+15V 电压时，此芯片开始工作，在其输出口11脚（OUTA ）与14脚(OUTB)产生如图2所示电压波形：图2电容C123，C124上的电压通过变压器T21，T22的原边及场效应管V11放电。
当OUTB(D15-14)脚输出高电平时, 场效应管驱动器 N13-5脚输出低电平，场效应管V10导通；此时OUTA(D15-11)脚输出低电平，场效应管V11关断。
15V 电压通过场效应管V10，变压器T21，T22的原边对电容C123,C124进行充电。
OUTA 与OUTB 间的死区时间T 用于防止场效应管V10，V11的同时导通。
可控硅阻容触发电路适用于中容量可控硅的触发可控硅阻容触发电路是一种常用于控制可控硅工作状态的电路。
它由一个电阻和一个电容组成，通过改变电阻和电容的数值以及连接方式，可以实现对可控硅的触发和控制。
本文将对可控硅阻容触发电路的原理、应用和设计进行详细介绍。
可控硅是一种具有单向导通特性的半导体器件，其工作状态是通过控制它的触发电流而实现的。
可控硅有多种触发方式，其中常用的有门极触发、负极触发和阻容触发。
相比较其他触发方式，阻容触发电路具有简单、稳定、成本低等优点，因此在中容量可控硅的触发中被广泛应用。
可控硅阻容触发电路的原理相对简单。
当一个可控硅与电源正极相连时，需要通过触发电流来使可控硅导通。
而阻容触发电路则通过改变电阻和电容的数值以及连接方式，来实现触发电流的控制。
阻容触发电路的基本原理如下：当触发电路中的电容电压低于可控硅的触发电压时，电路处于触发状态；当电容电压高于可控硅的触发电压时，电路处于停止触发状态。
具体来说，阻容触发电路通过调整电阻和电容的数值和连接方式，使电容电压在可控硅所需触发电压附近波动。
具体设计可控硅阻容触发电路时，需要考虑以下几个方面：1.电阻和电容的选择：根据可控硅的规格和参数选择合适的电阻和电容。
电阻和电容的数值决定了电容电压波动的速度和幅度，需根据实际需求进行选择。
2.连接方式：电阻和电容可以采用串联或并联的方式连接，不同的连接方式会影响电路的工作特性。
串联连接可以提高电路的稳定性和减小电容电压波动幅度，而并联连接则有助于提高电路的触发速度。
3.触发电压的控制：通过改变电阻和电容的数值和连接方式，可以实现对触发电压的控制。
通过调整电路中的电阻和电容的数值，可以使电容电压在可控硅所需的触发电压附近波动，从而实现可控硅的触发。
可控硅阻容触发电路在实际应用中有广泛的用途。
其中，常见的应用包括电力电子变换器、交流调压、直流调压、电力系统谐波治理等。
在这些应用中，可控硅阻容触发电路可以实现对可控硅的触发和控制，从而实现对电力电子器件的工作状态的控制和调节。
可控硅触发器原理可控硅触发器，又称为晶闸管，是一种半导体器件，具有双向导通特性。
它是由四层P-N结构组成的，具有三个引线，阳极、阴极和门极。
可控硅触发器的原理是基于P-N结和电流控制的特性，通过控制门极电流来实现对其导通和关断的控制。
在可控硅触发器的工作过程中，当门极电流大于一定的触发电流（也称为门极触发电流）时，可控硅触发器将导通，形成低阻态；当门极电流小于触发电流时，可控硅触发器将关断，形成高阻态。
这种通过门极电流来控制器件导通和关断的特性，使得可控硅触发器在电力控制和电能转换领域有着广泛的应用。
可控硅触发器具有很高的导通能力和耐压能力，能够承受较大的电流和电压，因此被广泛应用于各种电力控制设备中，如交流调压器、交流调速器、交流变频器等。
同时，可控硅触发器还具有响应速度快、动态特性好、寿命长等优点，使得它成为了电力控制领域中不可或缺的器件之一。
在实际的电路设计中，可控硅触发器的原理不仅仅是简单的导通和关断，还涉及到触发角、触发方式、触发电路等方面的内容。
触发角是指可控硅触发器在每个交流周期内的工作时间，它决定了器件的导通角度和导通时间，直接影响着电路的输出波形和性能。
触发方式有正半波触发、负半波触发和全波触发等多种方式，不同的触发方式适用于不同的电路需求。
触发电路则是指用来产生门极触发电流的电路，通常包括触发脉冲发生器、隔离放大器、触发变压器等部分。
总的来说，可控硅触发器是一种重要的电力控制器件，其原理基于P-N结和电流控制特性。
在实际应用中，需要根据具体的电路需求来选择合适的触发方式和触发电路，以实现对电力的有效控制和转换。
可控硅触发器的特点是导通能力强、耐压能力高、响应速度快、寿命长，因此在电力控制领域有着广泛的应用前景。
典型全控型器件的介绍班级学号 :姓名日期一．门极可关断晶闸管1.1门极可关断晶闸管的简介门极可关断晶闸管简称GTO,是一种全控型的晶闸管。
其主要特点为，当栅极加负向触发信号时晶闸管能自行关断，保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。
GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。
目前，GTO 已达到3000A、4500V的容量。
大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
1.2门极可关断晶闸管的结构和工作原理GTO是PNPN四层半导体结构，外部引出阳极，阴极和门极，是多元件的功率集成器件，内部由许多的GTO元的阳极和门极并联在一起。
其工作原理可用双晶体管来分析P1N1P1和N1P2N2构成的两个晶体管V1,V2分别具有共基极电流增益α1和α2，普通的晶体管分析，α1+α2=1是器件的临界导电条件，当α1+α2>1时2，当α1+α2<1时不能维持饱和导通而关断。
1.3 GTO的驱动方式及频率当信号要求可关断晶闸管导通时，驱动电路提供上升率足够大的正栅极脉冲电流（其幅度视晶闸管容量不同在0.1到几安培范围内），其正栅极脉冲宽度应保证门极关断晶闸管可靠导通。
当信号要求门极关断晶闸管关断时，驱动电路提供上升率足够大的负栅极脉冲电流，脉冲幅度要求大于可关断晶闸管阳极电流的五分之一，脉冲宽度应大于可关断晶闸管的关断时间和尾部时间。
根据对驱动门极关断晶闸管的特性、容量、应用场合、电路电压、工作频率、可靠性要求和性价比等方面的不同要求，有多种形式的栅极驱动电路。
1.4存在的问题及其最新的发展GTO在使用中，导通时的管压降较大，增加了通态损耗。
对关断负脉冲的要求较高，门极触发电路需要严格设计，否则易在关断过程中烧毁管子。
门极电流应大于元件的擎住电流IL;正负触发脉冲其前沿要陡，后沿要平缓，中小功率电路上升沿小于0.5μs ，大功率电路小于1μs ；门极电路电阻要小，以减小脉冲源内阻由于多元集成，对制造工艺提出极高的要求，它要求必须保持所有GTO元特性一致，开通或关断速度不一致，会使GTO元因电流过大而损坏。
晶闸管的门极触发电路在由晶闸管构成的整流电路中，晶闸管门极触发电路的作用通常是根据直流控制电压的大小决定触发角a的大小，从而起到调节整流输出电压的作用。
因为不同的触发角对应于不同的电源电压的相位，改变触发角即是移动触发脉冲所对应的相位，因此晶闸管的门极触发电路通常都是通过移相的方法来实现的。
<?XML:NAMESPACE PREFIX = O />垂直移相原理在晶闸管移相触发电路中，一般都把同步电压与直流控制电压叠加起来，用改变直流控制电压的大小来改变触发电路翻转的时刻，即触发脉冲的输出时刻，以达到移相的目的，这种移相方法称为垂直移相。
采用垂直移相时，其信号叠加的方法可以分为串联与并联两种，如图1（a）（b）所示。
图1串联垂直移相方法是将各信号的电压通过串联方式综合，从而作为晶体管的基极控制信号。
当串联信号电压过零时，晶体管状态翻转，这一瞬间就是产生触发，产的时刻。
因此触发时刻由同步信号与控制电压的交点决定，当控制电压垂直移动时，交点所对应的相位在水平变化，达到移相的目的。
如图1（c）所示。
在串联移相方法中，各输入信号相互影响较小，但要求各信号源的内阻要小，且各信号源必须是独立的，不能有公共接地点，因此实现起来比较麻烦。
并联垂直移相方法是对各信号的电流进行综合，实现比较方便。
但为了在调整时互不影响，信号源必须具有较大的内阻，因此要求输入信号有一定功率，以保证综合后的精度。
目前应用较普遍的是并联移相方式。
正弦波同步触发电路图2是常用的同步电压为正弦波的移相触发电路，一个周期能发出一个脉冲，适用于三相全控桥式电路，或用于大电感负载时的可控整流电路。
图2上图所示的同步电压为正弦波的触发移相电路共由四个环节组成：同步移相环节、脉冲形成环节、功率放大环节、脉冲输出环节。
同步移相环节的作用是使触发脉冲与主电路中各晶闸管的阳极电压建立一定的相位关系。
通过同步电压与直流控制电压的交点的改变决定不同的触发脉冲起始时刻。
单相桥式全控整流电路基本工作原理该电路的基本工作原理如下：1.开通晶闸管：当输入交流电信号通过变压器降压后，将其接入晶闸管的两个交流输入端，晶闸管的门极接入触发控制电路。
在晶闸管通态分析中，容易发现当控制电路输出触发信号时，晶闸管正向导通，出现一个正导通的主电路。
此时，电流会通过晶闸管并进入负载电路。
2.关断晶闸管：在晶闸管正向导通后，电池使负载电路到负电压，负载电路从正向导通瞬间开始以反向电压工作，并保持该反向电压直到接下来正向导通的晶闸管。
3.换流：当正向导通的晶闸管关闭后，由于变压器的储能作用，晶闸管的另一对形成了正导通的主电路。
同样，电流会通过晶闸管并进入负载电路。
通过四个晶闸管的交替工作，即实现了电流的不间断输出，并将交流电信号变换为直流电信号。
4.触发控制：晶闸管的触发控制电路可以通过改变晶闸管的触发脉冲的时间、幅度和频率，来实现对晶闸管导通的控制。
具体来说，控制电路可以感知输入交流电信号的特性，并产生与之匹配的触发电压和触发时间，以确保晶闸管在合适的时机导通，并实现需求的电流输出。
5.平滑滤波：为了减小输出直流电的波动，通常在单相桥式全控整流电路的输出端串联一个滤波电路，通过电感和电容元件对输出电流进行平滑滤波，使得输出电流更加稳定。
-输出电流可以通过控制晶闸管的触发角度和宽度来实现对电路负载的精确控制。
-该电路可以实现电压和电流的双向控制，适用于多种应用场景，如交流调压、变频调速和直流供电等。
-由于使用了可控硅元件，电路具有较高的效率和可靠性。
需要注意的是，单相桥式全控整流电路在实际使用中需要根据具体需求来选择合适的晶闸管和控制电路参数，以实现期望的工作效果。
此外，由于晶闸管具有半导体器件的特性，需要采取一定的保护措施，以防止过流和过压等情况的发生。
可控硅控制方式和触发方式一、引言可控硅（thyristor）是一种常用的电子器件，广泛应用于电力电子领域。
可控硅具有导通后能够保持导通状态的特性，适用于需要控制电流的应用场景。
本文将介绍可控硅的控制方式和触发方式。
二、可控硅的控制方式可控硅的控制方式主要包括触发控制、门极控制和自触发控制三种方式。
1. 触发控制触发控制是通过施加一个较高电压来激发可控硅的导通。
触发控制方式可以分为以下几种：（1）正脉冲触发：在可控硅的门极上施加一个正脉冲电压，使得可控硅导通。
（2）负脉冲触发：在可控硅的门极上施加一个负脉冲电压，使得可控硅导通。
（3）单脉冲触发：在可控硅的门极上施加一个脉冲电压，使得可控硅导通。
触发控制方式具有触发电压低、触发电流小的特点，适用于对触发电路要求较高的场合。
2. 门极控制门极控制是通过改变可控硅的门极电压来控制导通状态。
门极控制方式可以分为以下几种：（1）恒流源控制：通过一个恒流源来控制可控硅的导通电流，实现对电流的精确控制。
（2）恒压源控制：通过一个恒压源来控制可控硅的导通电压，实现对电压的精确控制。
门极控制方式具有控制精度高、控制稳定性好的特点，适用于对控制精度要求较高的场合。
3. 自触发控制自触发控制是通过改变可控硅两端的电压或电流来实现导通。
自触发控制方式可以分为以下几种：（1）交流电压自触发：在交流电压周期性变化的过程中，当电压达到一定阈值时，可控硅会自动导通。
（2）直流电压自触发：在直流电压施加的过程中，当电压达到一定阈值时，可控硅会自动导通。
自触发控制方式具有结构简单、控制方便的特点，适用于一些简单的控制场合。
三、可控硅的触发方式可控硅的触发方式主要包括电流触发和电压触发两种方式。
1. 电流触发电流触发是指在可控硅的门极上施加一个电流脉冲，使得可控硅导通。
电流触发方式可以分为以下几种：（1）阻容触发：通过串联一个电阻和电容，当电容充电至一定电压时，通过电阻放电产生一个电流脉冲，触发可控硅导通。
思考题和习题1. 单相全控桥式整流电路带大电感负载，U2=220V，R d=4Ω，计算α=60︒时，整流输出电压U d、电流平均值I d。
如果负载端并接续流二极管，其U d和I d又为多少？并求流过晶闸管和续流二极管的平均电流和有效值电流，画出这两种情况的电压和电流波形。
解：(1) 因为电路带大电感负载，所以电流连续。
整流输出电压U d = 0.9U2cosα =0.9220cosα⨯⨯= 99V；电流平均值I d = U d/R d = 24.75A；流过晶闸管的平均电流I dVT = 12I d = 12.375A；流过晶闸管的有效电流I VT = 12I d = 17.50A。
(2) 若负载端并接续流二极管，则整流输出电压U d = 0.9U21cos2α+=1cos600.92202+⨯⨯= 148.5V；电流平均值I d = U d/R d = 37.125A；流过晶闸管的平均电流I dVT = 2παπ-I d = 32πππ-I d = 12.375A ；流过晶闸管的有效电流I VT =2παπ-I d = 21.43A ； 流过续流二极管的平均电流I dVDR = απI d = 13I d = 12.375A ；流过续流二极管的有效电流I VDR =απI d = 21.43A 。
2. 单相全控桥式整流电路，U 2=200V ，R d =2Ω，电感L 极大，反电动势E =100V ， 当α=45︒时，试求：(1)画出u d 、i d 、i VT1、i 2和u VT1的波形。
(2)计算整流输出电压U d 、电流平均值I d 、晶闸管电流的平均值I dVT 和有效 值I VT 以及变压器二次电流有效值I 2。
(3)按2倍裕量确定晶闸管的额定电流。
解：(1)(2) 整流输出电压U d = 0.9U 2cos α = 127.28V ； 电流平均值 I d =d dU ER -=13.64A ； 晶闸管电流的平均值I dVT = d2I =6.82A ； 晶闸管电流的有效值I VT =d2； 变压器二次电流有效值I 2 = I d = 13.64A 。
晶闸管触发电路的基本要求晶闸管触发电路的基本要求要使晶闸管由关断转为导通，必须具备一定的外界条件，即晶闸管阳极加正向电压的同时门极也施加正的控制信号。
当晶闸管导通后控制信号就不起作用了，直到电源过零时，其阳极电流小于维持电流，晶闸管便自行关断。
由于晶闸管导通后，门极就失去控制作用，因此对晶闸管的控制实际上就是提供一个有一定宽度的门极控制咏冲去触发晶闸管，使之导通。
门极控制电路常常称为触发电路。
对晶闸管触发电路的基本要求是: 1.触发信号可以是交流、直流或脉冲t触发信号只能在门极为正、阴极为负时起作用。
为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式.常见的触发信号波形如图3-15所示， 2.触发脉冲应有足够的功率。
触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发电流。
因为晶闸管的特性有较大的分散性，且特性随温度而变化，故在设计触发电路时，触发信号的功率应留有裕量，保证晶閜管可靠触发，当然被发信号也不能超过门极的极限参数值(一般VCm<10V,IGM<10A). 3.触发脉冲的移相范围应能满足变流装置的要求。
触发脉冲的移相范围与主电路型式、负载性质及变流装置的用途有关,例如，三相半波整流电路，在电咀性负载时，要求移相范围为150?; 而三相桥式全控整流电路，电阻负载时要求移相范围为120?.若三相全控桥工作于整流或逆变状态并对电感负栽供电，则要求移相范围为0〜180?.在实际应用中，为了装置的正常工作，有时还要有αmin和βmin 的限制，故实际范围小于180?. 4.触发脉冲的宽度和陡度.触发脉冲的宽度一般应保证晶闸管阳极电流在脉冲消失前能达到擎住电流，使晶闸管能保持通态，这是最小的允许宽度。
脉冲宽度还与负载性质与主电路型式有关.例如，对于单相整流电路，电阻性负载时要求脉宽大于10us.电感性负载时要求脉宽大于100us。
对干三相全控桥式电路.采用单脉冲触发时脉宽应为60?〜120?采用双脉冲触发时脉宽10?左右即可。
电⼒电⼦技术试题（⼀）电⼒电⼦技术试题（⼀）第1章绪论习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦技术是使⽤________器件对电能进⾏________的技术。
2. 电能变换的含义是在输⼊与输出之间，将________、________、________、________、________中的⼀项以上加以改变。
3. 电⼒变换的四⼤类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提⾼电能变换的效率，所以器件只能⼯作在________状态，这样才能降低________。
5. 电⼒电⼦器件按照其控制通断的能⼒可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电⼒电⼦技术的研究内容包括两⼤分⽀:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括⽤电⼒电⼦器件构成_____________电路和对其进⾏控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电⼒电⼦技术是应⽤在________领域的电⼦技术。
9.电⼒电⼦技术是⼀门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
第2部分:简答题1. 什么是电⼒电⼦技术,2. 电能变换电路的有什么特点,机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关,3. 电⼒变换电路包括哪⼏⼤类,第2章电⼒电⼦器件概述习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦器件是直接⽤于电路中，实现电能的变换或控制的电⼦器件。
2. 主电路是在电⽓设备或电⼒系统中，直接承担的电路。
3.处理信息的电⼦器件⼀般⼯作于放⼤状态，⽽电⼒电⼦器件⼀般⼯作在状态。
4. 电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由、、、四部分组成。
5. 按照器件能够被控制的程度，电⼒电⼦器件可分为以下三类: 、和。
6(按照驱动电路信号的性质，电⼒电⼦器件可分为以下分为两类:和。
晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路1、晶闸管对触发电路的基本要求①触发信号可以是沟通、直流或脉冲，为了减小门极的损耗，触发信号常采纳脉冲形式。
②触发脉冲应有足够的功率。
触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发电流。
③触发脉冲应有足够的宽度和陡度。
触发脉冲的宽度一般应保证晶闸管阳极电流在脉冲消逝前能达到擎住电流，使晶闸管导通，这是最小的允许宽度。
一般触发脉冲前沿陡度大于10V/μs或800mA/μs。
④触发脉冲的移相范围应能满意变换器的要求。
例如，三相半波整流电路，在电阻性负载时，要求移相范围为150°；而三相桥式全控整流电路，电阻负载时移相范围为120°。
2、触发电路的型式触发电路可分为模拟式和数字式两种，阻容移相桥、单结晶体管触发电路、锯齿波移相电路和正弦波移相电路均属于模拟式触发电路；而用数字规律电路乃至于微处理器掌握的移相电路则属于数字式触发电路。
3、爱护电路(1)晶闸管的缓冲电路常采纳在晶闸管的阴阳极并联RC缓冲器，用来防止晶闸管两端过大的du/dt造成晶闸管的误触发，其中电阻R也能减小晶闸管开通时电容C的放电电流。
(2)晶闸管的爱护晶闸管在使用时，因电路中电感的存在而导致换相过程产生Ldi/dt,又因容性的存在或设备自身运行中消失短路、过载等故障，所以其过电压、过电流爱护显得尤为重要。
晶闸管的派生器件双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor）是一对反并联联接的一般晶闸管的集成。
有两个主电极T1和T2，一个门极G。
在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。
不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。
逆导晶闸管：是将晶闸管和整流管制作在同一管芯上的集成元件。
具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。
光控晶闸管：利用肯定波长的光照信号掌握的开关器件。
其结构也是由P1N1P2N2四层构成。
晶闸管驱动设计原理
晶闸管，也被称为可控硅整流器，是一种半导体器件，其工作原理基于控制栅极电流来控制整个器件的导通。
当栅极电流超过一个阈值值时，晶闸管从关断状态切换到导通状态。
一旦晶闸管导通，它将保持导通状态，直到电流降至零或通过外部控制断开。
晶闸管的驱动控制电路通常又称为触发电路，其主要作用是产生符合要求的门极触发脉冲，以保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。
其中一种常见的驱动电路设计是锯齿波同步触发电路，这种电路的移相原理是将锯齿波电压与直流控制电压UC叠加，使锯齿波可以垂直上下移动。
这样，锯齿波形斜面对应的电压值就能控制形成脉冲的晶体管开通时刻，即改变晶闸管的导通时间。
在设计晶闸管驱动电路时，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路，以达到参数最佳配合。
同时，需要注意的是，由于晶闸管电路通常用于高功率应用，因此在设计过程中需要确保所有组件都有足够的额定值。
