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讨论:
共振条件: 0 / H0 = / (2 ) (1)对于同一种核 ,磁旋比 为定值, H0变,射频频率变。 (2)不同原子核,磁旋比 不同,产生共振的条件不同,需要 的磁场强度H0和射频频率不同。 (3) 固定H0 ,改变(扫频) ,不同原子核在不同频率处发 生共振。也可固定 ,改变H0 (扫场)。扫场方式应用较多。
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由于屏蔽常数很小,不同化学环境的氢核的共振频 率相差很少,习惯上用核共振频率的相对差值来表 示化学位移,符号为δ,单位为ppm
若固定磁场强度H0,扫频:
(pp ) m 试 标 样 标 准 准 160 标 准 160
若固定照射频率0 ,扫场:
(pp)m H标准 H试样 160
H标准
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例:
若磁场强度1.4092T;温度300K;则高低能态的1H核数比:
n e 0.99999 高
6.62 3 31.1034 14 .2 3.68 18 1020 8 3 13.400092
n低
低能态的核数仅比高能态核数多十万分之一
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当高能态核数等于低 能态核数,不会再有 射频吸收,NMR信 号消失,此谓饱和。
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相对标准:A.四甲基硅烷 Si(CH3)4 (TMS) B.以重水为溶剂的样品,因TMS不溶于水, 可采用4,4-二甲基-4-硅代戊磺酸钠(DSS)
与裸露的氢核相比,TMS的化学位移最大,但规定 TMS=0
为什么用TMS作为基准? a. 12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰; b.屏蔽强烈,位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭; c.化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。
1/2, 3/2, 5/2… I=1/2, 1H, 13C, 15N I=3/2, 1B, 79Br