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汽车零部件BCI试验中测试线束的TLM法模型分析王振龙;刘世勋【摘要】随着新能源汽车的发展,车厂越来越重视汽车零部件的电磁兼容测试.大电流注入(BCI)测试作为汽车零部件电磁兼容抗扰度实验中的一项重要测试项目,也逐渐受到重视.采用传输线矩阵的方法(TLM)对被测试样品的线束进行建模和研究,并对骚扰源集总的表面电流、骚扰特性进行了仿真,全面了解和掌握该试验的传导特性,为企业设计和制造汽车零部件产品提供了有力的理论基础.【期刊名称】《电气开关》【年(卷),期】2018(056)006【总页数】3页(P43-44,47)【关键词】大电流注入;电磁兼容;汽车零部件【作者】王振龙;刘世勋【作者单位】中认(沈阳)北方实验室有限公司,辽宁沈阳 110141;中认(沈阳)北方实验室有限公司,辽宁沈阳 110141【正文语种】中文【中图分类】TM131 引言随着全球经济和科技的高速发展，人们对汽油煤炭等传统能源的需求日益增加，导致传统能源的损耗速度过快，对环境的影响日趋严重，其中最受人们关注的问题之一就是二氧化碳的排放。
出于对经济、环境等多方面的因素，各国开始大力发展新能源汽车。
随着汽车工业的高速发展，汽车电子零部件的可靠性问题就显得举足轻重，这影响汽车行驶的安全性能。
但机动车电子部件的可靠性，特别是如何保证整车所集成的各种功能能够在恶劣的电磁干扰中维持正常工作，满足电磁兼容就成为了至关重要的问题，这就凸现了机动车零部件电磁兼容试验的重要性。
在对机动车零部件进行EMC抗干扰测试中，大电流注入(BCI)抗干扰测试作为一个比较经典的测试方法，一直被各大汽车企业作为规范广泛采用。
其优点在于良好的测试重复性，在能够达到较严酷的测试强度的同时，无需破坏线束结构等。
2 大电流注入(BCI) [2]大电流注入为零部件国际标准ISO 11452-4中所规定的电磁抗扰度试验项目，目前标准中规定了“替代法”和“闭环法”两种试验方法。
ctlm传输线模型接触电阻ctlm传输线模型是一种用于分析传输线上电信号传输过程的模型。
在这个模型中，接触电阻是一个重要的参数，它对传输线的性能和信号质量起着关键的影响。
接触电阻是指传输线两端连接器的接触部分的电阻。
在实际的传输线中，由于连接器的制造精度和使用环境等因素的影响，连接器的接触电阻往往不为零。
接触电阻会引起能量的损耗和信号的衰减，从而影响传输线上的信号传输质量。
接触电阻的大小取决于连接器的材料、制造工艺和连接质量等因素。
一般来说，好的连接器应具有低接触电阻，以减小能量损耗和信号衰减。
常见的连接器有BNC、SMA、N型等，它们在接触电阻方面的性能各有差异。
接触电阻的影响主要表现在两个方面。
首先，接触电阻会引起传输线上信号的反射和衰减。
当信号从源端进入传输线时，部分信号会因为接触电阻的存在而反射回源端，导致信号的幅度和相位发生变化。
同时，接触电阻还会使信号在传输过程中发生衰减，降低信号的功率和质量。
接触电阻还会对传输线的阻抗匹配产生影响。
传输线的阻抗匹配是指传输线的特性阻抗与信号源和负载的阻抗之间的匹配程度。
接触电阻的存在会导致传输线的实际阻抗与特性阻抗之间存在差异，降低阻抗匹配的质量，引起信号的反射和衰减。
为了减小接触电阻的影响，可以采取一些措施。
首先，选择质量好、接触电阻小的连接器。
其次，加强连接器的维护和保养，定期清洁和检查连接器的接触部分，确保连接的稳定性和良好的接触质量。
此外，还可以采用一些补偿和校准技术，如使用补偿电路和校准仪器等，来消除接触电阻的影响。
接触电阻是ctlm传输线模型中一个重要的参数，它对传输线的性能和信号质量有着关键的影响。
了解和控制接触电阻的大小和影响，对提高传输线的性能和信号质量具有重要意义。
通过选择合适的连接器、加强连接器的维护和保养，并采用补偿和校准技术等措施，可以有效减小接触电阻的影响，提高传输线的性能和信号质量。
p—GaAs基欧姆接触快速退火的研究为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能，对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。
使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃～460℃快速退火温度和40s～80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究，并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。
结果表明：为了与n-GaAs快速退火温度相兼容，Ti/Pt/Au/p-GaAs在420℃快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91×10-5？赘·cm2。
标签：p-GaAs基；欧姆接触；快速退火引言随着半导体材料器件在生活中的广泛应用，以提高对半导体器件制作工艺的要求，针对欧姆接触的低阻性也随之提高。
因此，我们采用以p型GaAs为衬底材料制作欧姆接触，对工艺中快速热退火（RTP）的时间及温度进行了优化。
1 测量方法实验采用的测量方法是矩形传输线模型（Rectangular transimission line model，TLM）法，如图1所示。
将一个宽度为W’的长方形测量样品，分别做成6不等距（距离分别为2um、3um、4um、8um、16um、32um）的，长度为W=100um的长方形金属化接触电极（与台面边缘间隔为？啄=5um）。
图1 矩形传输线模型通电流前把测量样品进行台面腐蚀处理，以使它和周围不实现电流流通。
测量时，分别在不同距离之间的长方形电极上通恒定电流I，并测量得到一一对应的电压V，最后得出总电阻Rtot。
测量的电阻由两个欧姆接触电阻与接触之间的导电层串联电阻构成。
根据该模型的等效电路和推算可得（1）式中，RC为总接触电阻，RS为欧姆接触之间的半导体薄层电阻。
理论上Rtot-ln曲线为一条直线，因此可用作图法求得接触电阻率。
根据实验数据用拟合法作出Rtot-ln曲线，如图2所示，从直线中可以得到RS、RC，最后再代入公式？籽c=（R■■·W2）/Rs得到？籽c[1-2]。
常用接触电阻的测试方法
接触电阻的测试方法主要有以下几种：
电桥法：利用电桥平衡原理，通过调节电桥的电阻值，使得电桥两端电压为零，从而得到接触电阻的值。
这种方法适用于小电阻值的测量，具有测量精度高的优点。
电流法：利用一定大小的电流通过被测接触电阻，通过测量电压和电流值，计算出接触电阻的大小。
这种方法适用于大电阻值的测量，具有测量范围广的优点。
矩形传输线模型（TLM）：这是一种应用广泛的接触电阻率测量方法，通过实验方法来测量
出接触电阻后再求得接触电阻率。
兆欧表、万用表、数字式欧姆表及伏安法、电压比较法等：在测量精度要求不高时，常采用
这些方法来测量接触电阻。
请注意，每种方法都有其适用的范围和限制，在实际应用中应根据具体情况选择合适的方法。
同时，为了获得更精准的测量结果，应遵循相关注意事项，例如使指针指示值尽可能
落到刻度的中段位置等。
GaN 材料的欧姆接触研究进展摘要：III-V 族GaN 基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。
低阻欧姆接触是提高GaN 基器件光电性能的关键。
金属/GaN 界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能和可靠性的一个问题。
对于各种应用来说，GaN 的欧姆接触需要得到改进。
通过对相关文献的归纳分析，本文主要介绍了近年来在改进n-GaN 和p-GaN 工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。
关键词：GaN;欧姆接触0 引 言近年来，氮化镓（GaN ）因其在紫外探测器、发光二极管（LED ）、高温大功率器件和高频微波器件等领域的广泛应用前景而备受关注。
实现金属与GaN 间的欧姆接触是器件制备工艺中的一个重要问题。
作为宽带隙材料代表的GaN 具有优异的物理和化学性质,如击穿场强高,热导率大,电子饱和漂移速度快,化学稳定性好等,在蓝绿光LEDs,蓝光LDs,紫外探测器及高温、微波大功率器件领域具有诱人的应用前景。
近年来GaN 基器件的研究取得了巨大进展,但仍面临许多难题,其中获得良好欧姆接触是制备高性能GaN 基器件的关键之一,特别是大工作电流密度的半导体激光器及高温大功率器件更需要良好的欧姆接触。
欧姆接触是接触电阻很低的结，它不产生明显的附加阻抗，结的两边都能形成电流，也不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。
本文主要介绍了2006年以来部分期刊文献中有关n-GaN 和p-GaN 器件欧姆接触研究的进展。
1 欧姆接触原理及评价方法低阻的欧姆接触是实现高质量器件的基础。
根据金属-半导体接触理论,对于低掺杂浓度的金属-半导体接触,电流输运由热离子发射决定,比接触电阻为:KTq T qA K Bn c Φ•=ex p *ρ式中:K 为玻尔兹曼常数,q 为电子电荷,A*为有效里查逊常数,ΦBn 为势垒高度,T 为温度。
对于较高掺杂的接触,此时耗尽层很薄,电流输运由载流子的隧穿决定,比接触电阻为⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛Φoo Bn E q exp ∝c ρ，m N qh s d επ4E oo =，式中s ε为半导体介电常数，m 为电子有效质量，d N 为掺杂浓度，h 为普朗克常量。
cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别CST中的"hexahedral tlm" 和 "hexahedral" 都是用于建模和求解电磁问题的技术，但具体存在以下区别：1. 定义和模型类型：CST中的"hexahedral tlm"是指六面体时域局部模型（TL – Transmission Line Matrix），它使用基于时域电磁传输线理论的局部电路模型进行求解。
而"hexahedral"则是指六面体有限元模型，它使用基于有限元分析的方法进行求解。
2. 求解方法："hexahedral tlm"使用局部电路模型进行求解，通过对相邻网格元素之间的电流和电压进行建模，从而获得全局的电磁场分布。
而"hexahedral"使用有限元分析方法，通过离散化整个模型并建立节点和单元之间的关系来求解电磁场。
3. 精度和适用范围：由于"hexahedral tlm"使用时域电路模型求解，其精度通常相较于有限元方法较低。
但"hexahedral tlm"适用于一些对快速求解和大规模问题的模拟，例如高频电磁场分析和脉冲响应分析等。
4. 计算效率：由于"hexahedral tlm"使用局部电路模型进行求解，它通常要比有限元方法快速得多。
这使得它在一些大规模问题的模拟中具有更高的计算效率。
综上所述，"hexahedral tlm"和"hexahedral"在求解电磁问题时采用不同的数值方法和模型类型，分别适用于不同的精度和计算效率要求。
选择哪种方法取决于具体的应用需求和模型特点。
tlm接触电阻率
TLM接触电阻率是指使用TLM测试方法测量得到的接触电阻率。
TLM是传输线模型法的缩写，是一种用于测量晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率的方法。
TLM接触电阻率测试仪是一款紧凑型仪器，可以测量成品太阳能电池的接触电阻率、手指线电阻、手指宽度和手指高度，或者测试结构。
通过在所有轴上电动化，可以通过按一个按钮来创建所有这些方法的地图。
此外，TLM测试仪还具有以下功能：
- 自动位置校正以获得最佳接触质量。
- 盖子关闭时自动启动。
- 自动采样编号。
- 软件探头识别。
- 精确的导航与欢乐棒和显微镜相机。
- 通过点击图像来探测定位和重新测量单点。
- 一个样品上多个TLM测试图案的批处理模式。
- 序列模式，通过按一个按钮来测量接触电阻率和手指几何图形的映射。
TLM接触电阻率测试方法具有快速、高质量、低成本等优点，在晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试中得到了广泛应用。
目录摘要 (2)Abstract (3)1 绪论 (4)1.1研究背景及意义 (4)1.2国内外发展概况 (5)1.3本文的主要工作 (6)2 微带天线的基本理论和分析方法 (7)2.1 微带天线的辐射机理 (7)2.2微带天线的分析方法 (8)2.2.1传输线模型理论 (9)2.2.2 全波分析理论 (11)2.3微带天线的馈电方式 (12)2.3.1微带线馈电 (12)2.3.2同轴线馈电 (12)2.3.3口径（缝隙）耦合馈电 (13)2.4本章小结 (13)3宽带双频双极化微带天线单元的设计 (14)3.1天线单元的结构 (14)3.2天线单元的设计 (15)3.2.1介质基片的选择 (16)3.2.2天线单元各参数的确定 (16)3.3天线单元的仿真结果 (17)3.4本章小结 (18)4 结束语 (19)参考文献 (20)致谢 (22)ku波段双频微带天线的设计摘要本文的主要工作是Ku波段宽带双频双极化微带天线研究。
在微带天线的基本理论和分析方法的基础上，对微带天线的技术进行了深入的研究，设计了3种不同结构的Ku波段宽带双频微带天线单元，并完成了实验验证。
依据传输线模型理论并结合软件仿真分析了3种不同结构的天线单元在天线的带宽、隔离度和增益等性能方面的差异，并作了比较，得出了性能最佳的一种天线单元结构形式。
最后，对全文的研究工作加以总结，并提出本文进一步的研究设想。
关键词：Ku波段；双频；传输线模型；微带天线AbstractIn this paper, broadband dual-frequency and dual-polarized microstrip antenna at Ku band is described. Three kind s o f wideband dual-frequency and dual-polarized microstrip antenna element are proposed and their experimental verifications are completed which based o n the classical theory and a deeper stud y on broadband, dual-frequency and dual-polarization technique of microstrip antenna. From the transmission-line mode theory and simulative results, he bandwidth, isolation and gain characteristics of a microstrip patch element with various structures are analyzed in detail and compared, and an antenna element with the best performance is adopted. Based on the element described, four-element linear array and planar array is designed which adopted anti-phase feeding and dislocation anti-phase feeding technique, respectively. In addition, the technique of anti-phase feeding which suppresscross-polarized is further studied by using the even/odd theoretical analysis. Finally, we summarize the research of the paper with an outlook for the further researches. Key words: Ku band; dual-frequency; dual-polarized; microstrip antenna1 绪论1.1研究背景及意义近年来，随着卫星通信技术的发展和卫星通信业务及卫星移动通信的迅猛增长，以往的微波较低频段(300MHz-10GHz)已经变得拥挤不堪，因此卫星通信中开始使用Ku波段甚至Ka波段的通信以满足大信息量的需求。
cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别CST中Hexahedral TLM与Hexahedral方法的区别在电磁场仿真软件CST中，有两种常用的三维网格建模方法，分别是Hexahedral TLM和Hexahedral方法。
虽然它们都是用来进行三维电磁场仿真和计算的，但在实际使用中有一些区别。
本文将介绍CST中Hexahedral TLM与Hexahedral方法的区别。
首先，Hexahedral TLM（Transmission Line Matrix）是一种用于电磁场的传输线矩阵方法。
它主要适用于计算电磁波在电磁结构中的传输和传播过程。
它采用了传输线矩阵的概念，将结构分成若干个Lumped结点，并通过传输线模型模拟电磁波的传输过程。
这种方法适用于较大规模的电磁结构，可以快速计算电磁波的传播特性。
与其他方法相比，Hexahedral TLM更适合计算稳态的问题。
而Hexahedral方法则是一种传统的有限元方法。
它将结构分成一系列的小单元（六面体单元），通过求解有限元方程组来计算电场和磁场的分布。
Hexahedral方法具有很高的精度和灵活性，适用于计算各种复杂结构中的电磁场分布和耦合问题。
它可以处理各种频率范围内的问题，从低频到高频都可以有效计算。
然而，由于Hexahedral方法需要构建完整的有限元网格，所以在处理大型电磁结构时计算速度可能会慢一些。
此外，Hexahedral TLM和Hexahedral方法在网格划分上也有不同。
Hexahedral TLM使用的是规则网格，即网格单元的形状和尺寸都是一样的。
这使得计算过程更加简单和高效。
而Hexahedral方法则可以使用非结构的网格，对不同形状和尺寸的结构都可以进行建模。
这使得Hexahedral方法在处理复杂结构时更加灵活，能够更好地适应实际需求。
在CST中，选择使用Hexahedral TLM还是Hexahedral方法，取决于具体的仿真需求和计算要求。
