下载文档原格式
在自动化密集的的场合会有很多被控元件如继电器，微型电机，风机，电磁阀，空调，水处理等元件及设备，这些设备通常由CPU 所集中控制，由于控制系统不能直接驱动被控元件，这需要由功率电路来扩展输出电流以满足被控元件的电流，电压。
ULN2XXXX 高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件，由于这类器件功能强、应用范围语广。
因此，许多公司都生产高压大电流达林顿晶体管阵列产品，从而形成了各种系列产品。
原理：LN2003也是一个7路反向器电路，即当输入端为高电平时ULN2003输出端为低电平，当输入端为低电平时ULN2003输出端为高电平，继电器得电吸合。
如图九所示 功能特点： 高电压输出50V 输出钳位二极管输入兼容各种类型的逻辑电路 应用继电器驱动器ULN200X 逻辑图DISSIPATION RATING TABLE 耗散评级表 PACKAGE 封装 TA=25℃ POWER RATING 额定功率 DERATING FACTOR ABOVE 功耗系数 TA=25℃ TA=85℃ POWER RATING 额定功率 D 950 mW 838电子 7.6 mW/℃ 494 mW N1150 mW9.2 mW/℃598 mWPARAMETER 参数测试图TEST CONDITIONS 测试条件ULN2001A ULN2002A单位最小 典型 最大 最小 典型 最大 -VI(on) On-state input voltage 输入电压6 VCE=2V, IC =300mA- -- -- 13 VVCE(sat)Collector-emitter saturationvoltage 集电极-发射极饱和电压5 II=250μA,IC=100mA-0.9 1.1 - 0.9 1.1 VII=350μA, IC=200mA -1 1.3 - 11.3 II=500μA, IC=350mA -1.2 1.6 - 1.2 1.6 VF Clamp forward voltage 正向钳位电压8 IF = 350mA - 1.7 2 - 1.7 2 VICEXCollector cutoff current 集电极截止电流1 VCE = 50V, II = 0 - - 50 - - 50 μA 2VCE=50V,TA= II=0-100 --100 -另有说明）图一ULN2001A内部电路图图二ULN2002A内部电路图图三ULN2003A ULN2004A ULQ2003A ULQ2004A内部电路图-图1 ICEX测试电路图2 ICEX测试电路图3 ICEX测试电路图4ICEX测试电路图5 hFE, VCE(sat)测试电路图6 VI(on) 测试电路-图四参数测量信息应用电路：图五MOS管加载到输入端图六TTL电路到输入端图七冲区高电流负载图八使用上拉电阻提高驱动电流图九 实际应用的UL2003电路图absolute maximum ratings at=25℃ free-air temperature (unless otherwise noted)†绝对最大额定值at=25℃Collector-emitter voltage 集电极-发射极电压50 V Clamp diode reverse voltage 钳位二极管的反向电压（见注1 ） 50 V Input voltage, VI (see Note 1) 输入电压30 V Peak collector current (see Figures 14 and 15)峰值集电极电流 500 mA Output clamp current, IOK .输出钳位电流 500 mA Total emitter-terminal current 共发射极端子电流 –2.5 AContinuous total power dissipation . 连续总功耗See Dissipation Rating Table Package thermal impedance, θJA 封装热阻(see Note2):D package73℃/W N package67℃/W NS package 64℃/W Operating free-air temperature range, TA 自由空气的温度范围内ULN200xA –20℃ to 70℃ ULQ200xA–40℃ to 85℃ Lead temperature 1.6mm(1/16inch)from case for 10 seconds 260℃Storage temperature range, Tstg 储存温度范围 –65℃ to 150℃经常在以下电路中使用，作为： 1、显示驱动 2、继电器驱动 3、照明灯驱动4、电磁阀驱动5、伺服电机、步进电机驱动等电路中。
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I F(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 150 300 A I F(RMS) 方均根电流150 471 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 150 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM150 5 mA I FSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 150 12.50 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 150 797 103A 2SV FO 门槛电压 0.75 V r F 斜率电阻150 0.55 m Ω V FM 通态峰值电压 I TM =900A25 1.2 1.3 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.130 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.04 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t 质量700gOutlineM300\M300S特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻典型应用：■变频器■交直流电机控制I F(A V) 300A V DRM /V RRM 600~1800V I FSM 12.50 KA I 2t 797 103A 2S中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M300风冷型 M300S 水冷型使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小典型最大I F(A V)通态平均电流180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃150250A I F(RMS)方均根电流150392A V DRM V RRM 断态重复峰值电压反向重复峰值电压V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM =V DRM &V RRM +200V15060016002200V I DRM I RRM 断态重复峰值电流反向重复峰值电流V DM =V DRM V RM =V RRM1505mA I FSM 通态不重复浪涌电流10ms 底宽，正弦半波15011.0KAI 2t 浪涌电流平均时间积V R =0.6V RRM150617103A 2SV FO 门槛电压0.75V R F 斜率电阻1500.76m ΩV FM 通态峰值电压I TM =750A251.21.3V R th(j-c)热阻抗（结至壳）180°正弦半波，单面散热0.14℃/W R th(c-h)热阻抗（结至散）180°正弦半波，单面散热0.08℃/W V iso 绝缘电压50HZ，R.M.S ，t=1minI iso :1mA(max)2500V F m 安装扭矩（M5）安装扭矩（M6）与散热器固定4.0±15%5.0±15%N ·m N ·m T sbg 储存温度-40125℃W t 质量（约）700gOutlineM353attribute data■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘■优良的温度特性和功率循环能力■国际标准封装■符合CE、Rohs 认证typical application■光伏发电防反应用■交直流电机控制■电机软启动■各种整流电源I F(AV)250A V DRM /V RRM 600~2200V I FSM 11.0KA I 2t617103A 2S`、Install Size Diagram:matters needing attention:1、模块实际负载电流大于5A时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。
光伏电站防反二极管的典型应用一、引言集中式并网光伏电站是利用荒漠，集中建设大型光伏电站，发电直接并入公共电网，接入高压输电系统供给远距离负荷。
防反二极管在集中式并网光伏电站建设中，不可或缺的原因，主要是集中式光伏电站发展初期重点考虑系统运行的稳定性和可靠性等因素;随着集中式光伏电站建设规模的增大，节约成本成为集中式光伏电站建设的重点考虑问题。
二、防反二极管的作用利用二极管的单向导电性，在每个组串的正极串联一个防反二极管。
主要作用是：防止因光伏组件正负极反接导致的电流反灌而烧毁光伏组件;防止光伏组件方阵各支路之间存在压差而产生电流倒送，即环流;当所在组串出现故障时，作为一个断开点，与系统有效隔离，在保护故障组串的同时，为检修提供方便。
三、防反二极管的选型大电流的二极管主要有整流二极管和肖特基二极管。
这两种二极管的正向导通压降分别是：肖特基二极管约1.2V、大容量整流二极管约0.8V。
在通过相同电流的情况下，肖特基二极管的导通损耗大于整流二极管。
因此，集中式光伏电站建设中普遍采用大容量整流二极管。
选用大容量整流二极管主要考虑以下两方面：最大耐压和最大整流电流。
器件的最大耐压必须大于系统设计电压的1.5倍，最大电流值必须大于系统设计最大电流的2倍。
目前市场上大部分汇流箱、直流柜、逆变器等光伏设备上的防反二极管采用浙江柳晶整流器有限生产的光伏防反二极管产品，光伏设备比较常用的防反二极管型号有：MDK55A1600V MD55A1600V MDA55A1600V MD25A1600V MDK25A1600VMDA25A1600V MDK26A1600V MDK160A1600V MD300A1600V MDK300A1600VMDA300A1600V MDA500A1600V MD500A1600V MDK500A1600V等，柳晶目前采用的3D三维技术，还可以免费提供样品、3D三维图纸、技术资料、光盘、目录本等资料，可最大限度满足可以设计汇流箱、直流柜的需要。
uln2003a 原理电路
ULN2003A是一种继电器驱动器，具有7个NPN电流放大器和内部抵消二极管。
它被广泛应用于许多电子设备中，用于驱动继电器、步进电机和其他高电流负载。
ULN2003A的原理电路如下：
- ULN2003A内部包含7个独立的NPN电流放大器，每个放大器具有电流放大功能。
它可以通过输入控制信号来控制相应的输出端。
- ULN2003A还具有7个内部的抵消二极管，这些二极管用于提供反向电压保护，确保在继电器或其他高电流负载关闭时不会损坏器件。
- ULN2003A的输入控制信号经过减压，通过输入端的电阻分压，以达到输入电平要求，从而控制驱动器的输出。
- ULN2003A的输出可以通过外部的继电器或其他高电流负载来提供驱动能力。
ULN2003A原理电路的一般应用如下：
- 用于驱动继电器：ULN2003A的输出可以用来驱动继电器的线圈，从而控制继电器的开关。
这在许多电子设备和系统中广泛应用，例如用于自动控制、电压保护等。
- 用于驱动步进电机：ULN2003A的输出可以通过连接到步进电机的驱动线圈，从而实现对步进电机的控制和驱动。
这在许多精密仪器、机器人等应用中常见。
- 用于驱动其他高电流负载：ULN2003A的输出可用于驱动其他高电流负载，如电磁阀、电动门等。
它提供了足够的驱动能力，以满足这些负载的控制要求。
ULN2003A具有高电压和高电流驱动能力、低电平输入电流要求和内部抵消二极管等特点，使其成为一种理想的继电器驱动器。
防倒流二级管工作原理
防倒流二极管的工作原理基于二极管的单向导电性。
当电流通过二极管时，电流只能在一个方向上流动。
具体来说，当二极管处于正向偏置时，电流可以流动；而处于反向偏置时，电流几乎无法流动。
正向偏置时，二极管内部的P型半导体和N型半导体产生电场，空穴（P型半导体）向N型半导体方向移动，自由电子（N型半导体）向P型半导体方向移动。
由于浓度梯度的存在，空穴和自由电子最终会相遇并复合，形成正向电流。
反向偏置时，由于反向电压的作用，空穴和自由电子的扩散被阻止，二极管内部形成一个高电场区域。
在高电场区域中，空穴和自由电子被推向禁带区域，使得P-N结的耗尽层变得更宽。
由于禁带区域几乎没有载流子，所以在反向偏置下，二极管的电流非常小，几乎可以忽略不计。
防倒流二极管的作用就是利用二极管的这种单向导电性，将电流限制在一个方向上，防止电流逆向流动。
这种特性使得防倒流二极管在各种电路中都有广泛的应用，如电源供应、信号处理、电机控制等。
MDK55MD55参 数 值 符号 参 数 测 试 条 件结温T j (°C) 最小 典型最大 单位I F(AV) 正向平均电流 180°正弦半波, 50Hz 单面散热, T c =100°C 150 55 A I F (RMS) 方均根电流15086 A V RRM 反向重复峰值电压 V RRM tp=10ms V RSM = V RRM +200V 150 600 3600 V I RRM 反向重复峰值电流 V RM = V RRM150 10 mA I FSM 正向不重复浪涌电流 1.30 KA I 2t 浪涌电流平方时间积 10ms 底宽,正弦半波, V R =0.6V RRM 150 8.6 A 2s*103V FO 门槛电压 0.85 V r F 斜率电阻150 3.76 m Ω V FM 正向峰值电压 I FM =170A25 V R th(j-c) 热阻抗(结至壳) 180°正弦半波,单面散热 0.68 °C /W R th(c-h) 热阻抗(壳至散) 180°正弦半波, 单面散热0.2 °C /W V iso 绝缘电压 50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max) 3600 V 安装扭矩(M5) 4 N ·m F m 安装扭矩(M6) 6 N ·m T stg 贮存温度 -40 125 °C W t质量115gI F(AV) 55A RRM 600~3600V FSM 1.3 KA 2t 8.6 103A 2S西瑪華晶科技（深圳）有限公司防反专用二极管0.80Fig.1 正向伏安特性曲线Fig.2 瞬态热阻抗曲线Fig.5最大正向功耗与平均电流的关系曲线Fig.6管壳温度与正向平均电流的关系曲线Fig.4管壳温度与正向平均电流的关系曲线Fig.3最大正向功耗与平均电流的关系曲线西瑪華晶科技（深圳）有限公司MDK55MD55 防反专用二极管外形图:Fig.7 正向浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线西瑪華晶科技（深圳）有限公司MDK55MD55 防反专用二极管。
