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OHTCOMTechnology Ltd.nRF51822 Application KitnRF51822User Guide v1.3Copyright © 2013 Ohtcom Technology. All rights reserved.1 介绍nRF51822 Bluetooth® low energy/2.4 GHz Application Kit (AK II) 提供了一整套的测试和应用nRF51822的解决方案。
nRF51822是nRF51 系列中的一员，它是一个超低功耗（ultra-low power），单片系统 (SoC) 的2.4 GHz 无线通信解决方案.1.1 最小系统要求•nRFgo Studio v1.14 或更高版本•Windows XP or Windows 71.2 外部资源•Keil MDK-ARM Lite v4.54或更高版本https:///demo/eval/arm.htm•J-Link Software v4.52b或更高版本/jlink-software.html1.3 Writing conventions这篇用户指南遵从了一些排版规则，这样能够使文章更加连贯，更加易于阅读。
以下是使用到的协作约定：:•命令使用Lucida Console.•芯片管脚使用Consolas.•文件名和用户接口使用bold.•内部关联采用斜体并使用semi-bold.1.4 Application kit 发布说明2 套件内容nRF51822 Application Kit 的硬件资料以及相关软件和文档。
可以从https:///overheat1984/nRF51822_STUDY处下载。
2.1 nRF51822 Application Kit硬件Figure 1 nRF51822 硬件2.2 可下载的资源nRF51822 Application Kit 包括固件程序，文档，硬件原理图等。
符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小典型最大I F(A V)通态平均电流180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃150250A I F(RMS)方均根电流150392A V DRM V RRM 断态重复峰值电压反向重复峰值电压V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM =V DRM &V RRM +200V15060016002200V I DRM I RRM 断态重复峰值电流反向重复峰值电流V DM =V DRM V RM =V RRM1505mA I FSM 通态不重复浪涌电流10ms 底宽，正弦半波15011.0KAI 2t 浪涌电流平均时间积V R =0.6V RRM150617103A 2SV FO 门槛电压0.75V R F 斜率电阻1500.76m ΩV FM 通态峰值电压I TM =750A251.21.3V R th(j-c)热阻抗（结至壳）180°正弦半波，单面散热0.14℃/W R th(c-h)热阻抗（结至散）180°正弦半波，单面散热0.08℃/W V iso 绝缘电压50HZ，R.M.S ，t=1minI iso :1mA(max)2500V F m 安装扭矩（M5）安装扭矩（M6）与散热器固定4.0±15%5.0±15%N ·m N ·m T sbg 储存温度-40125℃W t 质量（约）700gOutlineM353attribute data■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘■优良的温度特性和功率循环能力■国际标准封装■符合CE、Rohs 认证typical application■光伏发电防反应用■交直流电机控制■电机软启动■各种整流电源I F(AV)250A V DRM /V RRM 600~2200V I FSM 11.0KA I 2t617103A 2S`、Install Size Diagram:matters needing attention:1、模块实际负载电流大于5A时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。
符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小典型最大I F(AV)通态平均电流180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃16040A I F(RMS)方均根电流16061A V DRM V RRM 断态重复峰值电压反向重复峰值电压V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM =V DRM &V RRM +200V16060016002200V I DRM I RRM 断态重复峰值电流反向重复峰值电流V DM =V DRM V RM =V RRM1605mA I FSM 通态不重复浪涌电流10ms 底宽，正弦半波160 1.30KAI2t 浪涌电流平均时间积V R =0.6V RRM1600.86103A 2SV FO 门槛电压0.75V r F 斜率电阻1602.50m ΩV F 通态压降I=12A250.760.80V R th(j-c)热阻抗（结至壳）180°正弦半波，单面散热0.57℃/W R th(c-h)热阻抗（结至散）180°正弦半波，单面散热0.20℃/W V iso绝缘电压50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max)3100VF m 安装扭矩（M5）安装扭矩（M6） 2.03.0N ·m N ·mT sbg 储存温度-40125℃W t 质量90gOutlineM220模块典型电路电联结形式（右图）A K 模块外型图、安装图使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：二极管为-40℃∽160℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷；当应用于实际负载电流大于40A的设备时，一般都需要选择强迫风冷设计。
光伏电站防反二极管的典型应用一、引言集中式并网光伏电站是利用荒漠，集中建设大型光伏电站，发电直接并入公共电网，接入高压输电系统供给远距离负荷。
防反二极管在集中式并网光伏电站建设中，不可或缺的原因，主要是集中式光伏电站发展初期重点考虑系统运行的稳定性和可靠性等因素;随着集中式光伏电站建设规模的增大，节约成本成为集中式光伏电站建设的重点考虑问题。
二、防反二极管的作用利用二极管的单向导电性，在每个组串的正极串联一个防反二极管。
主要作用是：防止因光伏组件正负极反接导致的电流反灌而烧毁光伏组件;防止光伏组件方阵各支路之间存在压差而产生电流倒送，即环流;当所在组串出现故障时，作为一个断开点，与系统有效隔离，在保护故障组串的同时，为检修提供方便。
三、防反二极管的选型大电流的二极管主要有整流二极管和肖特基二极管。
这两种二极管的正向导通压降分别是：肖特基二极管约1.2V、大容量整流二极管约0.8V。
在通过相同电流的情况下，肖特基二极管的导通损耗大于整流二极管。
因此，集中式光伏电站建设中普遍采用大容量整流二极管。
选用大容量整流二极管主要考虑以下两方面：最大耐压和最大整流电流。
器件的最大耐压必须大于系统设计电压的1.5倍，最大电流值必须大于系统设计最大电流的2倍。
目前市场上大部分汇流箱、直流柜、逆变器等光伏设备上的防反二极管采用浙江柳晶整流器有限生产的光伏防反二极管产品，光伏设备比较常用的防反二极管型号有：MDK55A1600V MD55A1600V MDA55A1600V MD25A1600V MDK25A1600VMDA25A1600V MDK26A1600V MDK160A1600V MD300A1600V MDK300A1600VMDA300A1600V MDA500A1600V MD500A1600V MDK500A1600V等，柳晶目前采用的3D三维技术，还可以免费提供样品、3D三维图纸、技术资料、光盘、目录本等资料，可最大限度满足可以设计汇流箱、直流柜的需要。
MDK55MD55参 数 值 符号 参 数 测 试 条 件结温T j (°C) 最小 典型最大 单位I F(AV) 正向平均电流 180°正弦半波, 50Hz 单面散热, T c =100°C 150 55 A I F (RMS) 方均根电流15086 A V RRM 反向重复峰值电压 V RRM tp=10ms V RSM = V RRM +200V 150 600 3600 V I RRM 反向重复峰值电流 V RM = V RRM150 10 mA I FSM 正向不重复浪涌电流 1.30 KA I 2t 浪涌电流平方时间积 10ms 底宽,正弦半波, V R =0.6V RRM 150 8.6 A 2s*103V FO 门槛电压 0.85 V r F 斜率电阻150 3.76 m Ω V FM 正向峰值电压 I FM =170A25 V R th(j-c) 热阻抗(结至壳) 180°正弦半波,单面散热 0.68 °C /W R th(c-h) 热阻抗(壳至散) 180°正弦半波, 单面散热0.2 °C /W V iso 绝缘电压 50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max) 3600 V 安装扭矩(M5) 4 N ·m F m 安装扭矩(M6) 6 N ·m T stg 贮存温度 -40 125 °C W t质量115gI F(AV) 55A RRM 600~3600V FSM 1.3 KA 2t 8.6 103A 2S西瑪華晶科技（深圳）有限公司防反专用二极管0.80Fig.1 正向伏安特性曲线Fig.2 瞬态热阻抗曲线Fig.5最大正向功耗与平均电流的关系曲线Fig.6管壳温度与正向平均电流的关系曲线Fig.4管壳温度与正向平均电流的关系曲线Fig.3最大正向功耗与平均电流的关系曲线西瑪華晶科技（深圳）有限公司MDK55MD55 防反专用二极管外形图:Fig.7 正向浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线西瑪華晶科技（深圳）有限公司MDK55MD55 防反专用二极管。
锂电池反向保护电路锂电池反向保护电路是一种用于保护锂电池免受反向充电和过放电的电路。
当锂电池被错误地连接到一个反向电压源时，反向保护电路可以防止电流倒流，从而保护电池免受损坏。
以下是一种简单的锂电池反向保护电路的示例：1. 二极管 D1：这是一个防反二极管，用于防止电流从电池流向外部电路。
当电池极性正确时，二极管导通，电流可以正常流动。
当电池极性反向时，二极管截止，阻止电流倒流。
2. 保险丝 F1：这是一个可熔保险丝，用于在电路中发生短路或过流时提供保护。
如果电流超过保险丝的额定值，保险丝将熔断，切断电路，以防止电池或其他元件受到损坏。
3. MOSFET Q1：这是一个 N 沟道 MOSFET，用于控制电池的放电。
当栅极电压为高电平时，MOSFET 导通，允许电流从电池流向负载。
当栅极电压为低电平时，MOSFET 截止，阻止电流流动。
4. 控制电路：这部分电路用于控制 MOSFET 的栅极电压。
它可以包括一个比较器或其他逻辑电路，以检测电池电压是否低于一个设定的阈值。
当电池电压低于阈值时，控制电路将关闭 MOSFET，以防止电池过放电。
在正常工作情况下，当电池极性正确且电池电压高于阈值时，二极管 D1 导通，MOSFET Q1 也导通，电流可以从电池流向负载。
当电池极性反向或电池电压低于阈值时，二极管 D1 截止，MOSFET Q1 也截止，阻止电流流动，从而保护电池。
请注意，这只是一个简单的示例，实际的锂电池反向保护电路可能会根据具体的应用需求和电池特性进行调整和优化。
在设计和实施锂电池反向保护电路时，建议参考相关的电池保护芯片和电路设计文档，并遵循相关的安全标准和规范。
参 数 值 符号参 数测 试 条 件结温T j (°C) 最小 典型最大 单位I F(AV) 正向平均电流 180°正弦半波, 50Hz 单面散热, T c =100°C 150 26 A I F (RMS) 方均根电流15041 A V RRM 反向重复峰值电压 V RRM tp=10ms V RSM = V RRM +200V 150 600 3600 V I RRM 反向重复峰值电流 V RM = V RRM150 8 mA I FSM 正向不重复浪涌电流 0.65KAI 2t 浪涌电流平方时间积 10ms 底宽,正弦半波, V R =0.6V RRM 150 2.1 A 2s*103V FO 门槛电压 0.80 V r F 斜率电阻 150 9.80 m Ω V FM 正向峰值电压 I FM =80A25 VR th(j-c) 热阻抗(结至壳) 180°正弦半波,单面散热 1.300 °C /W R th(c-h) 热阻抗(壳至散) 180°正弦半波, 单面散热0.2 °C /W V iso 绝缘电压 50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max) 3600 V 安装扭矩(M5) 4 N ·m F m 安装扭矩(M6) 6 N ·m T stg贮存温度-40 125 °C W t 质量115gI F(AV) 26AV RRMI FSM 0.65 KA I 2t 2.1 103A 2S600~3600V 西瑪華晶科技（深圳）有限公司防反专用二极管0.80Fig.2 瞬态热阻抗曲线Fig.5最大正向功耗与平均电流的关系曲线Fig.6管壳温度与正向平均电流的关系曲线Fig.4管壳温度与正向平均电流的关系曲线正向平均电流I F(AV),A正向平均电流I F(AV),A101001000正向峰值电流I FM ,A西瑪華晶科技（深圳）有限公司MDK26MD26外形图:Fig.7 正向浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线西瑪華晶科技（深圳）有限公司MDK26MD26防反专用二极管。
