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第一章真空技术基础真空：指低于一个大气压的气体状态。
托(Torr) =1/760atm = 133.322Pa对真空的划分：1、粗真空：105－102Pa特性和大气差异不大，目的为获得压力差，不要求改变空间性质，真空浸渍工艺2、低真空：102－10-1Pa 1016~1013个/cm3动力学性质明显，粘滞流状态→分子流状态，对流消失，气体导电，真空热处理，真空冷冻脱水3、高真空：10-1－10-6Pa 1013~1010个/cm3气体分子自由程大于容器线度，直线飞行，热传导和内摩擦性质与压强无关，蒸镀4、超高真空：＜10-6Pa分子间碰撞极少，主要用途：得到纯净的气体，获得纯净的固体表面真空的获得：真空系统包括真空室、真空泵、真空计以及必要的管道、阀门和其他附属设备。
真空的测量热偶真空计：是利用低气压强下气体的热传导与压强有关的原理制成的真空计。
散热与气体压强相关加热丝的温度与气体压强相关用热偶测量加热丝的温度 压强20 ～10-3Torr热阻真空计：散热与气体压强相关加热丝的温度与气体压强相关加热丝的电阻与温度相关用平衡电桥测量加热丝的电阻 压强电离真空计：是利用气体分子电离的原理来测量真空度。
电离真空计用于高真空的测量热丝发射热电子热电子加速并电离气体，离子被离子收集极收集形成电流电流与压强成正比1 x 10-9 Torr to 10-11 Torr第二章真空蒸发镀膜法真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。
基本过程：（1）加热蒸发过程，凝聚相→气相该阶段的主要作用因素：饱和蒸气压（2）输运过程，气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运该阶段的主要作用因素：分子的平均自由程（工作气压），源—基距（3）基片表面的淀积过程，气相→固相凝聚→成核→核生长→连续薄膜饱和蒸气压：在一定温度下真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出的压力称为该物质的饱和蒸气压。
薄膜物理复习资料——特别鸣谢江流同学0绪论1. 薄膜的定义。
由原子、分子或离子沉积在基片上所形成的二维材料。
2. 薄膜的分类，从功能和应用领域、电导率、磁导率三个不同方面来分，可分为？按功能和应用领域分为：（1） 电学薄膜：导电、电阻、半导体、介电、压电、铁电、超导、光电、传感、磁电、光能、电光.（2） 光学薄膜:减反射、反射、分光滤光、光存储。
（3） 工程薄膜：耐腐蚀、防磨损、热传导、润滑.（4） 生物医学薄膜：抗菌杀毒、生物活性（5） 装饰包装薄膜：金、仿金TiN 、铝箔按电导率（σ)分有:（1） 金属薄膜（2)半导体薄膜（3)绝缘体薄膜（4）超导体薄膜(5)光电薄膜等 按磁导率（u ）分有：(1）磁性薄膜（2）非磁性薄膜1真空技术基础第一节真空的基本知识 1. 真空的定义，真空状态下的气体处于平衡时，描述气体性质的气体状态方程为?所谓真空是指低于一个大气压的气体空间P=nkT 或RT M m PV =2. 真空的单位有哪些？相互之间的换算关系为？帕斯卡(Pa ）托（Torr ）1Torr=133.322Pa毫米汞柱（mmHg ）1mmHg=133.322Pa巴（bar)1bar=Pa 5103. 真空度(或真空区域）的划分,及各区域真空的应用?粗真空105～102Pa 获得压力差低真空102~10—1Pa 真空热处理高真空10—1~10-6Pa 真空镀膜超高真空10-6~0Pa 表面研究4. 气体与蒸气的区分?对于每种气体都有一个特定的温度，高于此温度时，气体无论如何压缩都不会液化，这个温度称为该气体的临界温度。
利用临界温度来区分气体与蒸汽.温度高于临界温度的气态物质称为气体，低于临界温度的气态物质称为蒸汽第二节第三节真空的获得1. 前级泵、次级泵的概念？能使压力从一个大气压力开始变小,进行排气的泵常称为前级泵；另一些却只能从较低压力抽到更低压力，这些真空泵常称为次级泵主要真空泵的排气原理及工作范围?（见表1-3)第四节真空的测量常见的几种真空计的工作原理及测量范围?(表1-6）1.热偶真空计的工作原理？电离真空规的工作原理？热偶真空计是利用低压强下气体的热传导与压强有关的原理制成的真空计。
第一章 半导体物理基础能带：1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？1-2试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。
1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。
1-4、设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E v (k)分别为：2222100()()3C k k k E k m m -=＋和22221003()6v k k E k m m =－；m 0为电子惯性质量，1k a π=；a ＝0.314nm ，341.05410J s -=⨯⋅，3109.110m Kg -=⨯，191.610q C -=⨯。
试求：①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。
题解：1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。
1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。
温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。
反之，温度降低，将导致禁带变宽。
因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。
1-3、准粒子、荷正电：+q ； 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； 、E P =-E n （能量方向相反）、m P *=-m n *。
空穴的意义：引入空穴后，可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量空穴来描述，使问题简化。
1-4、①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝2023k m ＋2102()k k m -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝143k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min =2104k m ；由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0；并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝22106k m ；∴Eg ＝E min －E max ＝221012k m ＝222012m a π ＝23423110219(1.05410)129.110(3.1410) 1.610π----⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯＝0.64eV②导带底电子有效质量m n2222200022833C d E dk m m m =+=；∴ 22023/8C n d E m m dk == ③价带顶电子有效质量m ’ 22206V d E dk m =-，∴2'2021/6V n d E m m dk ==- 掺杂：2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？2-4、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？题解：2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。
真空相关•真空是指低于一个大气压的气体空间。
常用“真空度”度量。
真空度越高，压强越小。
“vacuum” = lower molecular density than in our atmosphere results in a lower pressure of gas.The vacuum degree is higher, the higher the vacuum degree, the smaller the pressure.•常用计量单位：Pa, Torr, mmHg, bar, atm.。
关系如下：•1mmHg=133.322Pa,•1 Torr=atm/760=133.322Pa≈1mmHg •1 bar=105Pa最可几度平均速度均方根速度v m= 2kT = 2RT = 1.41 RTMm Mv a=8kT=8RT= 1.59RTπm πM Mv r=3kT=3RT= 1.73RTm M M•平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程；其统计平均值成为平均自由程。
Mean free path: the distance between each molecule in a continuous twocollision is called a free path, and the average value of the system is amean free path.λ =kTπσ2 P2根据气体分子运动论，在气体压力为P时，单位时间内碰撞单位面积器壁上的分子数量，即碰撞分子流量（通量或蒸发速率）。
According to kinetic theory of gases, the gas pressure when P, the number of molecular collisions per unit time per unit area of the wall, ie, molecular collision flow (flux or evaporation rate).平均自由程与分子密度n和分子直径σ的平方成反比关系，平均自由程与压强成反比，与温度成正比。
第一章 半导体中的电子状态1. 如何表示晶胞中的几何元素？规定以阵胞的基矢群为坐标轴，即以阵胞的三个棱为坐标轴，并且以各自的棱长为单位，也称晶轴。
2. 什么是倒易点阵（倒格矢）？为什么要引入倒易点阵的概念？它有哪些基本性质？ 倒格子： 2311232()a a b a a a π⨯=⋅⨯3122312()a a b a a a π⨯=⋅⨯1233122()a a b a a a π⨯=⋅⨯倒格子空间实际上是波矢空间，用它可很方便地将周期性函数展开为傅里叶级数，而傅里叶级数是研究周期性函数的基本数学工具。
3. 波尔的氢原子理论基本假设是什么？（1）原子只能处在一系列不连续的稳定状态。
处在这些稳定状态的原子不辐射。
（2）原子吸收或发射光子的频率必须满足。
（3）电子与核之间的相互作用力主要是库仑力，万有引力相对很小，可忽略不计。
（4）电子轨道角动量满足：h m vr nn π== 1,2,3,24. 波尔氢原子理论基本结论是什么？ （1） 电子轨道方程：0224πεe r mv = （2） 电子第n 个无辐射轨道半径为：2022meh n r n πε= （3） 电子在第n 个无辐射轨道大巷的能量为：222042821hn me mv E n n ε== 5. 晶体中的电子状态与孤立原子中的电子状态有哪些不同？（1）与孤立原子不同，由于电子壳层的交迭，晶体中的电子不再属于某个原子，使得电子在整个晶体中运动，这样的运动称为电子共有化运动，这种运动只能在相似壳间进行，也只有在最外层的电子共有化运动才最为显著。
（2）孤立原子钟的电子运动状态由四个量子数决定，用非连续的能级描述电子的能量状态，在晶体中由于电子共有化运动使能级分裂为而成能带，用准连续的能带来描述电子的运动状态。
6. 硅、锗原子的电子结构特点是什么？硅电子排布：2262233221p s p s s锗电子排布：22106262244333221p s d p s p s s价电子有四个：2个s 电子，2个p 电子。
复习题：半导体物理学引言：半导体物理学是研究半导体材料的电学和光学性质的科学学科。
半导体材料由于其特殊的能带结构，介于导体和绝缘体之间。
在半导体物理学中，我们研究电子行为、能带理论、掺杂效应和半导体器件等方面的内容。
本文将通过一系列复习题来回顾半导体物理学的相关知识。
一、电子行为：1. 什么是载流子？在半导体中有哪两种类型的载流子？在半导体中，带有电荷的粒子称为载流子。
一种是带负电荷的电子，另一种是带正电荷的空穴。
2. 什么是能带？能带理论是用来描述什么的？能带是指具有一定能量范围的电子能级分布。
能带理论用于描述电子在半导体中的分布和运动行为。
3. 什么是禁带宽度？它对半导体的导电性质有什么影响？禁带宽度是指能带中能量差最小的范围，该范围内的能级没有允许态。
禁带宽度决定了半导体的导电性能。
能带中存在禁带宽度时，半导体表现出绝缘体的性质；当禁带宽度足够小的时候，允许电子状态穿越禁带，半导体表现出导体的性质。
二、掺杂效应：1. 什么是掺杂？常见的掺杂元素有哪些？掺杂是指向纯净的半导体中引入少量杂质元素，以改变半导体的导电性质。
常见的掺杂元素有磷、锑、硼等。
2. 控制掺杂浓度的方法有哪些？掺杂浓度可以通过掺杂杂质元素的量来控制。
掺杂浓度越高，半导体的导电性越强。
3. P型和N型半导体有什么区别？P型半导体是指通过掺杂三价元素使半导体中存在过剩的空穴，空穴是主要的载流子。
N型半导体是指通过掺杂五价元素使半导体中存在过剩的电子，电子是主要的载流子。
三、半导体器件：1. 什么是PN结？它的主要作用是什么？PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构。
PN结的主要作用是将半导体材料的导电性质从P型区域传导到N型区域，形成电子流和空穴流。
2. 什么是二极管？它的特点是什么？二极管是PN结的一种常见应用。
它具有单向导电性，允许电流从P区域流向N区域，而阻止电流从N区域流向P区域。
3. 什么是晶体管？它的工作原理是怎样的？晶体管是由三个掺杂不同类型的半导体构成的器件。
第一章真空技术1、真空的定义：真空是指在给定的空间内压力低于一个大气压的稀薄气体状态。
2、真空度：通常用压强为单位来描述“真空”状态下的气体稀薄程度——真空度。
（压强高则真空度低，压强低则真空度高）3、真空度单位：毫米汞柱（mmHg）托（Torr）帕斯卡（Pa）巴（bar）单位之间的换算：1 Pa =1 牛顿/米2=1 千克/米*秒2=10 达因/cm2=0.0075 Torr4、真空不同分区的特点：在气压高于10 Torr 的真空范围区域，气体性质和常压，气流特性也以分子间的碰撞为主;当压力渐渐减小，分子密度降低，平均自由程增加，分子间的碰撞开始减少；当达到高真空区域，真空特性以气体分子和真空器壁的碰撞为主；在超高真空区，气体分子在空间活动减少，而以在固体表面上吸附停留为主。
5、常用的真空泵：机械运动——机械泵、涡轮分子泵蒸气流喷射——扩散泵化学吸附——吸气剂泵：升华泵吸气剂离子泵：溅射离子泵6、一般机械泵的极限真空度为0.1Pa, 可以在大气中与大气相连工作。
7、扩散泵使用注意事项：A.扩散泵不能单独工作，一定要用机械泵作为前级泵，并使系统抽到0.1Pa 量级时才能启动扩散泵。
B.泵体要竖直，按规定量加油和选用加热电炉功率。
C.牢记先通冷却水，后加热。
结束时则应先停止加热，冷却一段时间后才能关闭。
8、常用真空计：热电偶真空计、电阻真空计、热阴极电离真空计、冷阴极电离真空计、电容薄膜真空计、压缩式真快计、压敏真空计（记住常用的三种即可以了）。
9、真空系统的质量：指系统真空度的好坏，特别是系统内所含水蒸气与油污染的程度。
10、真空镀膜的过程（大致了解见书18面）11、要保持较高真空度需要：A、减少蒸发分子与残余气体分子的碰撞；B、抑制它们之间的反应，减少对衬底表面的污染。
第二章蒸发技术1、物理气相沉积：指在一定的真空条件下，利用热蒸发或辉光放电或弧光放电等物理过程使材料沉积在衬底上的薄膜制备技术。
2、真空蒸发镀膜法（简称蒸镀）：指将固体材料置于高真空环境中加热，使之升华或蒸发并沉积在特定衬底上以获得薄膜的工艺方法。
3、真空蒸发所得到的薄膜，一般都是多晶膜或无定形膜，薄膜以岛状生长为主，历经成核和成膜两个过程。
4、真空蒸发多晶薄膜的结构和性质，与蒸发速度、衬底温度有密切关系。
5、饱和蒸气压：指在一定温度下，真空室中蒸发材料的蒸气在与固体或液体平衡过程中所表现出的压力就为该温度下的饱和蒸气压。
6、饱和蒸气压对温度有很强的依赖关系。
7、电子束蒸发法：指将蒸发材料置于水冷坩锅中，利用电子束进行直接加热，使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜的方法。
8、e形枪的特点及原理：第三章溅射技术1、溅射：指荷能粒子轰击固体表面，固体表面原子或分子获得入射粒子所携带的部分能量，从而使其射出的现象。
2、溅射过程是建立在气体辉光放电基础上的。
3、辉光放电：是指气体放电的一种类型，是一种稳定的自持放电，靠离子轰击阴极产生二次电子来维持。
4、级联碰撞理论：入射粒子在进入靶材的过程中与靶材原子发生弹性碰撞，入射离子的一部分动能会传给靶材原子，当后者的动能超过由其周围存在的其他靶材原子所形成的势垒（对于金属为5-10eV）时，这种原子会从晶格阵点被碰出，产生离子原位，并进一步和附近的靶材原子一次反复碰撞，产生所谓的级联碰撞。
5、等离子体：是一种自由电子和带电离子为主要成分的粒子集合体，其中带正电的粒子和带负电的粒子具有几乎相同的密度、整体呈现电中性的状态。
6、溅射阈：指入射离子使阴极靶产生溅射所需的最小能量。
7、溅射产额：又称为溅射率或溅射系数，表示正离子撞击阴极时，平均每个正离子能从阴极上打出的原子数。
8、原子溅射产额与入射离子的关系图的解释。
P399、提高溅射淀积率的最佳参数是：较高的阴极电压和电流密度、较重的惰性气体和较低的溅射气压。
提高沉积率的有效方法是改变电极配置和施加适当的磁场等。
10、三级溅射所谓的三级是指阴极，阳极和靶电极。
四级溅射是在三级溅射的基础上加上一个辅助电极。
11、射频溅射：又称高频溅射，是为直接溅射绝缘介质材料而设计的。
12、磁控溅射：指把磁控原理与普通的溅射技术相结合，利用磁场的特殊分布控制电场中的电子运动轨迹，以此改进溅射的工艺。
13、反应溅射（了解，见书上49面）14、离子镀膜技术：又称为离子镀，是指在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时，把蒸发物或其反应物沉积在衬底上。
离子镀技术是真空蒸发和溅射技术相结合的一种镀膜方法。
15、离子镀的优点：A膜层附着力强；B膜层沉积速率快；C膜层密度高；D绕镀性能好。
16、Zno薄膜的生长过程（了解，书59面）和生长的五个阶段（了解，书61面）17、对于溅射技术而言，影响薄膜结构和性能的两个关键参数是工作气体压强和生长速度。
第四章化学气相沉积外延生长，就是在一定条件下在单晶基片上生长一层单晶薄膜的过程，所生长的单晶薄膜成为外延层。
目前，制备半导体单晶外延薄膜的只要方法是化学气相沉积（简称CVD）。
所谓化学气相沉积，就是利用气态物质在固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。
平衡分压是最重要的热力学参数之一。
在CVD系统的化学反应中指的是在给定的温度和压强下处于一种暂时平衡状态时的各种气体（反应气体、生成气体）的分压。
在硅CVD外延生长中，多利用的基本热化学过程共有三个类型：歧化反应、还原反应、热解反应。
CVD的动力学分析：CVD过程包含两个主要步骤：气体由空间到沉底表面的质量输送；包含吸附和脱附作用的表面反应、表面扩散并结合到晶格中。
具体步骤可分为：1）反应气体和载气运送到薄膜生长室；2）反应气体扩散到基片沉底；3）反应气体吸附；4）发生物理、化学反应产生固体薄膜，同时生成一些化学副产物，这个过程包括固体原子沉积、表面扩散，并结合到晶格中去形成薄膜；5）反应副产物的解吸；6）反应副产物扩散到主气流；7）反应副产物排出系统。
速度边界层：边界层的厚度(δ)指的是气流速度由零增加到容器气流值的距离，也称为速度边界层（δv）。
质量边界层：在基座和沉底上方的薄层流体中，存在一个浓度梯度的区域，这个区域处于速度边界层内，流体的流动速度很慢，故反应剂的传输主要是由分子扩散的方式来实现，这样一个浓度梯度的薄层叫做扩散层或质量边界层（δc）。
温度边界层：对于发热的基座附近的流体，也存在着一个温度梯度急剧变化的薄层，在这里热传输也主要靠分子扩散而不是对流，这个薄层叫做温度边界层（δT）。
了解硅源(硅烷)的外延生长。
P81在CVD中，气相中发生的为均相的体反应，称为均匀成核；固体表面发生的为非均相的表面发应，称为非均匀成核。
掺杂：包括故意掺杂和非故意掺杂。
非故意掺杂的杂质可能来自于：1）沉底的固体扩散，即固体外扩散；2）沉底的蒸发，即气相自掺杂；3）反应器系统的污染，即系统外掺杂。
能量增强CVD技术主要有等离子增强和光增强两种工艺。
等离子体增强CVD(PECVD)的沉积温度较常压CVD外延工艺有很大的降低。
金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是采用金属有机物(MO)和氢化物作为晶体生长的原材料，以热分解反应的方式在沉底上进行气相外延，生长III-V族、II-V族等化合物半导体外延层。
以GaN为例了解MOCVD的成膜原理和反应过程。
P109选择外延是在沉底上限定区域内进行外延生长的一种技术。
对于硅外延生长而言，选择外延生长的一般模式为：以硅为沉底，用SiO2或Si3N4为掩膜，利用光刻技术开出窗口，窗口内硅单晶表面的生长是立即开始的，而在窗口外的掩膜上生长不能立即开始，只有在超过“成核”时间后才开始多晶生长，通过控制工艺，从而实现只在窗口内暴露出来的硅沉底上进行外延生长，这种方法称为差分外延生长。
第五章脉冲激光沉积脉冲激光沉积（简称PLD）的基本原理：PLD是一种真空物理沉积方法，当一束强的脉冲激光照射到靶材上时，靶表面材料就会被激光加热、熔化、气化直至变成等离子体，然后等离子体（通常在气氛气体中）从靶材向沉底传输，最后输运到衬底上的烧蚀物在沉底上凝聚，成核形成薄膜。
整个PLD过程可分为三个阶段：1）激光与靶材的作用阶段；2）烧蚀物（在气氛气体中）的传输阶段；3到达沉底上的烧蚀物在沉底上的成膜阶段。
颗粒物是限制PLD技术获得广泛应用的主要因素之一。
解决方案：1）使用高致密度的靶材；2)通过基于速率不同的机械屏蔽技术来减少颗粒物；3）实用新型的超快脉冲激光器。
第六章分子束外延分子束外延（简称MBE）是晶体薄膜的一种外延生长技术。
它是指在清洁的超高真空环境下，是具有一定热能的一种或几种分子（原子）束喷射到晶体衬底，在衬底表面发生反应的过程。
由于分子在“飞行”过程中几乎与环境无碰撞，以分子束的形式射向衬底，进行外延生长，故此得名。
分子束外延方法是属于真空蒸镀方法。
MBE的基本原理：在超高真空系统中相对的放置衬底和分子束源炉(喷射炉)，将组成化合物（如GaAs）的各种元素（Ga、As）和掺杂剂（如Si、Be等）分别放入不同的喷射炉内，加热使它们的分子或原子以一定的热运动速度和一定的束流强度比例喷射到加热的衬底表面上，与表面相互作用（包括在表面迁移、分解、吸附、脱附等）进行单晶薄膜的外延生长。
同质外延：指外延薄膜和衬底属于同一种物质。
分子束外延生长硅时，只有在清洁、平整有序的衬底表面，MBE才能有效发生。
Si表面清洁方法有：1)溅射清洁处理通过溅射、退火往返循环处理，可获得原子级的清洁表面。
优点：对表面污染不敏感，能够有效去除各种表面层，是一个物理过程。
缺点：溅射时引起的晶格残余损失不易恢复，想获得非常平整的表面有些困难。
2)热处理方法在超高真空腔内，对硅片高温退火处理，可获得清洁的表面。
优点：可获得非常高质量的清洁表面。
缺点：无法对目前使用的大直径硅片进行加热。
3）活性离子束法4）光学清洁处理。
硅的分子束外延是在非平衡态的生长，其生长模型为二维生长模型：即通过台阶沿表面传播实现外延生长。
对于一个清洁的表面，实际上也不是完全平整的，除了少量的缺陷外，表面上还存在着台阶和扭折。
因表面台阶和扭折的存在，半导体膜的外延生长分为两种方式：1）台阶流动方式；2）台面上二维成核方式。
硅的外延生长属于第一种情况。
当入射硅原子被吸附到硅片表面，它很容易向台阶边缘扩散，并形成台阶区域内原子的稳态分布。
硅分子束外延的生长速率是由原子到达衬底表面的速率和供给维持晶体生长的吸附原子的表面迁移率来决定的。
通常进行Si-MBE要求的生长温度为850-1100K，比化学气相沉积的温度（1250-1450K）要低得多。
当生长温度为790K或更高时，表面的原子迁移率很高，沉积的Si原子将很快地迁移至表面台阶边缘并固定下来，台阶密度保持不变，仅台阶边的表观位置向相反方向移动，这样生长过程恰似台阶在流动，因此这样生长称为“台阶流”模式。
