碳化硅器件及其应用
盛柏桢;程文芳
【期刊名称】《电子元器件应用》
【年(卷),期】2001(003)005
【摘要】作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展.与其它半导体材料相比,SiC独特的热特性和电特性,在功率和频率性能方面具有很高的品质因数.SiC还适应高温和辐射环境.本文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技术及其应用.
【总页数】6页(19-23,28)
【关键词】碳化硅;半导体器件
【作者】盛柏桢;程文芳
【作者单位】南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.2+4
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