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CMOS运放的仿真经验总结CMOS运放是一种常用的电路元件，可以在模拟电路中扮演放大、滤波、控制以及信号处理等重要角色。
在实际应用中，了解和掌握CMOS运放的仿真方法是十分重要的。
以下是我在进行CMOS运放仿真时的一些经验总结。
首先，在进行CMOS运放的仿真时，需要使用一款较为成熟且功能丰富的电路仿真软件，如Cadence、Pspice等。
这些软件提供了各种CMOS 运放模型，可以方便地进行仿真和分析。
在进行仿真前，需要确定仿真的目的和仿真电路的参数，包括工作电压、负载电阻、放大倍数等。
可以根据需要选择不同的CMOS运放电路结构，如共源共栅结构、共源共栅共排极结构等。
在进行仿真时，首先需要验证CMOS运放电路的基本工作电路，如差分输入、单端输出等。
可以通过给输入端施加电压、控制电流等方式，观察输出端的电压变化。
可以通过改变输入电压，观察输出电压的变化，从而确定CMOS运放的放大倍数和频率响应等参数。
在验证基本工作电路后，可以进行更复杂的功能仿真，如频率响应、相位响应、输入输出特性等。
可以使用正弦波输入信号，观察输出信号的波形变化。
可以根据需要选择不同的输入频率、幅值和相位，观察输出信号的变化。
在进行仿真时，需要注意电路中的最大功耗、最大温度、最大电流等参数是否处于允许的范围内。
如果超出了允许范围，需要优化电路结构或调整电路参数，以保证电路的可靠性和稳定性。
在进行仿真时，需要关注电路中的噪声和失调问题。
可以通过加入噪声源和失调源，观察输出信号的噪声和失调情况。
可以通过改变电路结构或优化电路参数，降低噪声和失调的影响。
最后，在进行仿真结果的分析时，需要综合考虑电路的性能、稳定性、可靠性等因素，进行全面评估。
可以比较不同电路结构的性能差异，选择最优的电路结构和参数。
总的来说，在进行CMOS运放的仿真时，需要系统地进行设计、验证和分析。
需要充分了解CMOS器件的特性和工作原理，合理选择电路结构和参数。
通过验算和优化，保证电路的性能和稳定性。
MOS放大电路设计仿真与实现实验报告实验报告：MOS放大电路设计、仿真与实现一、实验目的本实验的主要目的是通过设计、仿真和实现MOS放大电路来加深对MOSFET的理解，并熟悉模拟电路的设计过程。
二、实验原理MOSFET是一种主要由金属氧化物半导体场效应管构成的电流驱动元件。
与BJT相比，MOSFET具有输入阻抗高、功率损耗小、耐电压高、尺寸小等优点。
在MOS放大电路中，可以采用共源共源极放大电路、共栅共栅极放大电路等不同的电路结构。
三、实验步骤1.根据实验要求选择合适的电路结构，并计算所需材料参数（参考已知电流源和负载阻抗）。
2.选择合适的MOS管，并仿真验证其工作参数。
3.根据仿真结果确定电路的放大倍数、频率响应等。
4.根据电路需求，设计电流源电路和源极/栅极电路。
5.仿真整个电路的性能，并调整参数以优化电路性能。
6.根据仿真结果确定电路的工作参数，并进行电路的实现。
7.通过实验测量电路性能，验证仿真结果的正确性。
8.对实验结果进行分析，总结实验的过程和经验。
四、实验设备和材料1.计算机及电子仿真软件。
2.实验电路板。
3.集成电路元器件（MOSFET、电阻等）。
4.信号发生器。
5.示波器。
6.万用表等实验设备。
五、实验结果与分析通过仿真和实验，可以得到MOS放大电路的电压增益、输入输出阻抗、频率响应等参数。
根据实验结果，可以验证设计的合理性，并进行参数调整优化。
在实际应用中，MOS放大电路被广泛应用于音频放大器、功率放大器、运算放大器等场合。
因为MOSFET具有较大输入阻抗，所以MOS放大电路可以在输入端直接连接信号源，而不需要额外的输入电阻。
此外，MOS放大电路的功率损耗较小，适用于各种功率要求不同的应用场合。
六、实验心得通过设计、仿真和实现MOS放大电路的实验，我更加深入地理解了MOSFET的原理和应用。
在实验过程中，我通过不断调整电路参数和元器件选择，逐步提高了电路的性能。
通过与实验结果的对比，我发现仿真和实验结果基本吻合，验证了仿真的准确性。
使用2N7002完成电路设计已知参数：212.45,100/,0.000267TN n V V K mA V LAMBDA V-===，设计电路使Q 点的值2DQ I mA ≈，且Q 点位于饱和区中心，具有较大的对称输出电压摆幅。
如果较多未知数未确定，可以考虑将Vo 静态工作点设计于1V 。
4.1预习部分：根据电路要求，初步设计出电路，写出设计过程：R1 = 102.55 k Ω R2= 17.45 k Ω RE= 450 k Ω RD= 5.5k Ω V o= 1V验证仿真值和设计值是否一致？如果差别比较大，分析原因。
4.3 瞬态分析放大电路的增益Av=22.8741Mv/2Mv=11.444.4 使用交流仿真确定放大器的最大增益及通频带，需要抓出交流仿真时通频带的波形图①通频带波形图4.5 最大不失真对称摆幅仿真波形图输入信号峰峰值4.6 最坏情况分析，静态工作点可能的最大值和最小值，以及出现这种情况的条件输出的静态工作点标称值1.03841，最坏情况中为80.93199（最低方向），这样的情况发生在R1=101525Ω，R2=17624.5Ω，R3=445.5ΩRD=5555Ω输出的静态工作点标称值 1.03841，最坏情况中为 1.87746（最高方向），这样的情况发生在R1=103576Ω，R2=17275.5Ω，R3=454.5ΩRD=5445Ω4.7 ①Monte Carlo分析，静态工作点的分布情况，假如电路的静态工作点要求是-4V到4V，设计的电路的成品率为多少？(数据可以后面处理)成品率100%②Monte Carlo分析电路的交流小信号增益微电子器件与电路实验数据记录11分析结果显示，电路的最大增益的平均值为11.4423，标称值为11.4373。
virtuoso运放基础参数仿真方法Virtuoso is a type of operational amplifier, also known as op-amp, used in electronic circuits to amplify weak electric signals. It is essential to understand the basic parameters of the Virtuoso op-amp in order to effectively simulate its performance and behavior in various circuit designs.Virtuoso运放是一种运算放大器，也称为运放，用于电子电路中放大弱电信号。
在有效地模拟Virtuoso运放在各种电路设计中的性能和行为之前，了解其基本参数是至关重要的。
The first basic parameter to consider when simulating the Virtuoso op-amp is the open-loop gain, which is the gain of the amplifier when there is no feedback in the circuit. This parameter is crucial in determining the overall amplification capability of the op-amp and understanding its linear behavior. To simulate the open-loop gain, one can use SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) software to create a test circuit with the op-amp and measure the gain using the simulation results.模拟Virtuoso运放时首先要考虑的基本参数是开环增益，即在电路中没有反馈时放大器的增益。
西工大CMOS实验课8全差分运放的仿真方法一．Gm-Id 曲线仿真1.给定NMOS的宽长W=10um，L=0.5um，采用cis018.l库中model，仿真得到NMOS管的gm-Id曲线。
衬底电位0.仿真图如下：gm-Id曲线2.给定PMOS的宽长W=10um，L=0.5um，采用cis018.l库中model，仿真得到PMOS管的gm-Id曲线。
衬底电位3.3V。
仿真图如下：gm-Id曲线二．如图所示电路，采用cis018.l 库中model 设计 A VDD=1.65V ，A VSS=-1.65V VDDM=0，IDMP1=500uA IDMN1=IDMN2=50uA 问题：限制条件：Cin ≥5pF 1、写出正确的网表。
2、如何确定静态工作点？3、此电路如何实现将电流信号转换成电压信号？如何保证电路正常工作？4、仿真开环增益解：NOMS 的过驱动电压取0.3V ，PMOS 的过驱动电压取0.4V ，阈值电压均取0.7V ，因为()2n 21TH GS ox D V V L W C I -??=μ 50uA500uA 583.3,434.19-9e 9.314-e 85.8DMN2DMN1DMP1r o ro ===-=-=====I I I e C e C t t C ox P ox n ox oxox μμεεεε解得3.161633.91,29.8210321=?=??? ??=???=??? ??=??? ??=?MP MP MN MN MN MN L W L W L W L W L W L W ，1、网表如下：MP2 1 VB1 A VDD A VDD PCH3 L=1E-6 W=16.3E-6MN1 1 VB1 2 0 NCH3 L=1E-6 W=8.29E-6MP1 2 IN VDDM A VDD PCH3 L=1E-6 W=163E-6 M=40MN0 2 VB2 A VSS 0 NCH3 L=1E-6 W=91E-6MN2 A VDD 1 OUT 0 NCH3 L=1E-6 W=8.29E-6MN3 OUT VB3 A VSS 0 NCH3 L=1E-6 W=8.29E-6Cin如下：maximum nodal capacitance= 2.111E-11 on node0:vddmnodal capacitance tablenode = cap node =cap node=cap+0:1 = 95.3783f 0:2 = 5.6510p 0:avdd =14.5071p+0:avss = 509.1362f0:in=19.2273p 0:out=25.1917f+0:vb1 = 108.7357f 0:vb2= 390.2403f 0:vb3 = 34.5431f+0:vddm = 21.1067p2、确定静态工作点：通过改变Vin,观察V out的变化element 0:mp1 0:mn1 0:mn0 0:mp2 0:mn2 0:mn3 model 0:pch3.3 0:nch3.7 0:nch3.3 0:pch3.3 0:nch3.7 0:nch3.7 region Saturati Saturati Saturati Linear Saturati Saturatiid -482.1061u 72.3275u 554.4338u -72.6294u 86.6833u 86.6833u ibs 2.9120f -14.9024a -8.93E-20 8.78E-21 -14.9024a -1.50E-20 ibd 30.7536p -301.8432n -140.2780a 21.1317a -476.3502p -82.6879p vgs -1.5 1.2387 1.04 -1.65 1.6363 1.1 vds -1.239 2.7881 411.2525m -100.6906m 1.737 1.563vbs 1.65 -411.2525m 0 0 -1.563 0vth -1.38 997.1848m 823.4621m -706.0486m 1.3736 821.4963m vdsat -145.3641m 213.8544m 187.6576m -721.3657m 247.5361m 225.6300m vod -120.2468m 241.5627m 216.5379m -943.9514m 262.7101m 278.5037m beta 51.6352m 2.6402m 27.0295m 896.2115u 2.5508m 2.6651m gam eff 653.5583m 1.0839 1.0797 772.6100m 1.1167 1.0687 gm 5.7594m 488.1844u 4.1722m 68.2283u 532.9764u 517.9321u gds 6.1575u2.1537u 75.1740u 667.9622u3.0704u 1.7918u gmb 2.0017m 185.4162u 1.9434m 45.4014u 143.6472u 238.8658u cdtot 1.1392p4.1679f 51.4698f 36.6034f 4.1499f 4.5961f cgtot5.3266p 9.9288f 100.0161f 25.9245f 9.8013f 10.0505f cstot6.3843p 13.3144f 141.6930f 35.8585f 12.0378f 14.3840f cbtot 3.1052p 9.8270f 116.9513f 26.8457f 8.3305f 11.3597f cgs 4.7420p7.4805f 74.7973f 14.9395f 7.5125f 7.5479f cgd 387.1155f 1.4315f 14.5701f 11.8539f 1.4226f 1.4347f3、通过改变从端口VDDM输入的电流值，可以改变流过MN1中的电流，从而改变MN2的栅极电压，实现了改变输出电压的目的。
MOS管相关仿真实验报告
一．MOS管共源放大电路仿真（基本要求）
电路如右图所示，
注意：1）设置静态工作点时，调整电位器Rp，使Vd为5~6V.
2）仿真时输出端必须接负载，否则会报错（可以将阻值设为很大的值来仿真开路情况）
放大电路仿真验证设计与仿真要求
(1)电路图
(2)静态工作点:ID、VGs、Vs
得ID=1.34862mA，VGs=2.16362V，Vs=1.41740V
(3)输入、输出电压波形,并计算电压增益A
即得电压增益为Av=45.4773
(4)幅频响应曲线:db((vo)(vs:+),测中频增益、上限频率fH和下限频率fL
如图，由图可知，测得中频增益为45.5854，上限频率fH=797.844kHz，下限频率fL=33.4688Hz (5)相频响应曲线:Vp(Vo)-p(vs:+)或p(V(vo)/Vvs:+))
(6)输入电阻的频率响应:Ri—V(v(i))/I(Vs)
(7)输出电阻的频率响应:Ro—V(V(o))/I(Vs)
(8)非线性失真现象
1)将Rp调整为最大值,做静态分析和瞬态分析,记录静态工作点和波形。
静态分析如下
瞬态分析如下
2)将Rp调整为最小值(不能为0,0是非法值),再做静态分析和瞬态分析,记录静态工作点和波形。
(如果发现没有失真,可以增大输入信号幅值。
)
静态分析如下
瞬态分析如下
由于此时失真不明显，故将输入振幅调至9V得到波形如下
得到明显失真图像。
选做部分
二．MOS管特性曲线仿真任务一：MOSFET输出特性曲线仿真
任务二：MOSFET转移特性曲线仿真。
基本两级运放分析与仿真分析下图所示两级运放大的指标：偏置电流与功耗、开环增益、GBW与相位裕度、压摆率、Swing Range、噪声、工艺corner分析、温度特性分析等建立该放大器的网表文件存储在文件：中。
网表文件：*subckt opa.param rzv=1k ccv=1p clv=1p.subckt opa vip vin vo 0 vddm1 1 1 vdd vdd PENH w=12u l=2u m=2m2 vo1 1 vdd vdd PENH w=12u l=2u m=2m3 vo vo1 vdd vdd PENH w=12u l=0.6u m=8mu1 1 vin 2 0 NENH w=12u l=2u m=2mu2 vo1 vip 2 0 NENH w=12u l=2u m=2mu3 2 vb 0 0 NENH w=12u l=6u m=1mu4 vo vb 0 0 NENH w=12u l=6u m=8mu5 vb vb 0 0 NENH w=12u l=6u m=1rb vdd vb 100krz vo1 3 rzvcc 3 vo ccvcl vo 0 clvcb vb 0 10p.ends1.工作点分析由仿真结果查得电路的功耗是多少？各个mos管的工作区域，以及MOS管的漏极电流为多少？该放大器的偏置电流为多少？网表如下：*opa fivea.sp.options post=2.lib '/home/fzu/hspice/models/cz6h_v28.lib' TT.include "/home/fzu/example/zuoye/"xa1 vip vin vo 0 vdd opavdd vdd 0 5vin1 vin 0 dc 2.4876vip1 vip 0 dc 2.4876 ac 1 0.op.end（1）电路的功耗：电路功耗为1.7896mW（2）各个mos管的工作区域,MOS管的漏极电流,以及放大器的偏置电流：2.直流分析仿真该运放的输入输出特性曲线，求小信号增益、输出摆幅（output swing range）网表如下：*opa fiveb.sp.options post=2.lib '/home/fzu/hspice/models/cz6h_v28.lib' TT.include "/home/fzu/example/zuoye/"xa1 vip vin vo 0 vdd opavdd vdd 0 5vin1 vin 0 dc 2.4876vip1 vip 0 dc 2.4876 ac 1 0.dc vip1 2.484 2.491 0.0001.end（1）输入输出特性曲线、小信号增益（2）输出摆幅由输入输出特性曲线图可得输出摆幅为：4.9112V-0.01057V=4.90063V3.交流分析（调整管子尺寸使运放的增益大于60dB,调整补偿电容使相位裕度大于60）①在没有补偿电阻（Rz），补偿电容(Cc)为1pf的条件下求该放大器单位增益带宽（GWB）、相位裕度；网表如下：*opa fivec.sp.options post=2.lib '/home/fzu/hspice/models/cz6h_v28.lib' TT.include "/home/fzu/example/zuoye/".param rzv=0xa1 vip vin vo 0 vdd opavdd vdd 0 5vin1 vin 0 dc 2.4876vip1 vip 0 dc 2.4876 ac 1 0.ac dec 100 100 200meg.print ac vdb(vo) vp(vo).endList文件截图:由上图有，该放大器单位增益带宽（GWB）为：23.44229MHz,相位裕度为：180-110.3815=79.6185②分析没有补偿电阻，补偿电容在（0~5pf）变化的时候对GWB和相位裕度的影响；网表如下：*opa fivec.sp.options post=2.lib '/home/fzu/hspice/models/cz6h_v28.lib' TT.include "/home/fzu/example/zuoye/".param rzv=0xa1 vip vin vo 0 vdd opavdd vdd 0 5vin1 vin 0 dc 2.4876vip1 vip 0 dc 2.4876 ac 1 0.ac dec 100 10 200meg sweep ccv 0 5p 0.5p.print ac vdb(vo) vp(vo).endccv=0pf ccv=0.5pfccv=1pf ccv=1.5pfccv=2pf ccv=2.5pfccv=3pf ccv=3.5pfccv=4pf ccv=4.5pfccv=5pf由上知随着电容增大，单位增益带宽减小，相位裕度增大③分析补偿电阻在（0~2K）变化，补偿电容为1pf的时候对GWB和相位裕度的影响。
运算放大器的设计与仿真设计要求：1.增益稳定性：运算放大器的增益应该能够在所需的频率范围内保持稳定。
2.输入阻抗：运算放大器应具备较高的输入阻抗，以减少对输入信号的干扰。
3.输出阻抗：运算放大器应具备较低的输出阻抗，以减小对外界负载的影响。
4.带宽：运算放大器应具备较宽的带宽，以满足对高频信号的放大需求。
5.稳定性：运算放大器应具备较高的稳定性，以避免产生自激振荡或输入偏移。
电路结构：差分输入级：差分输入级是运算放大器的核心部分，用于接受差分输入信号。
它由两个差分对组成，每个差分对由两个晶体管连接而成。
差分输入级的输入阻抗较高，能够减小对输入信号的干扰，提高共模抑制比。
共模放大级：共模放大级用于放大输入信号的共模部分。
它由一对电流镜电路和一个差分放大电路组成。
共模放大级的放大倍数影响运算放大器的共模抑制比和输入选择性。
输出级：输出级用于提供对外的放大信号。
它由输入级的晶体管、电源和输出级负载组成。
输出级应具备较低的输出阻抗，以便与外界负载匹配。
参数选择：参数选择是运算放大器设计的重要环节。
下面是几个常见参数的选择方法：增益：增益可以根据具体应用需求来设定。
一般来说，增益越高，对输入信号的放大效果越好，但也容易引入噪声和干扰。
带宽：带宽取决于应用的特定频率范围。
选择较高的带宽可以满足对高频信号的放大需求，但也可能引入频率抖动和畸变。
输入阻抗：输入阻抗应根据信号源的特性来选择。
如果信号源的输出阻抗较高，则需要选择较低的输入阻抗以保证信号传输。
输出阻抗：输出阻抗应根据负载的特性来选择。
如果负载的输入阻抗较高，则需要选择较低的输出阻抗以提供足够的电流输出。
稳定性：稳定性可以通过选择合适的电容和电阻来提高。
一般来说，通过增加补偿电容和添加反馈电阻可以提高运算放大器的稳定性。
仿真：对于运算放大器的设计，可以使用电子设计自动化软件进行仿真验证。
主要包括以下步骤：1.输入基本电路参数，如晶体管的参数、电源电压等。
MOS 运算放大器仿真规范目 录224其它..................................................................223.3.4其它性能的仿真测试.. (22)3.3.3最坏情况仿真测试 (21)3.3.2极限参数仿真测试 (21)3.3.1工艺容差及温度特性的测试 (21)3.3运放其它特性参数仿真规范 (21)3.2.3瞬态参数仿真 (21)3.2.2交流参数仿真 (20)3.2.1直流参数仿真 (20)3.2跨导运放(OTA)性能参数仿真规范 (19)3.1.4瞬态参数仿真 (18)3.1.3交流参数仿真 (17)3.1.2共模输入范围的仿真 (16)3.1.1直流参数仿真 (16)3.1全差分运放性能参数仿真规范 (13)3.2.3瞬态参数仿真 (8)3.2.2交流参数仿真 (5)3.2.1直流参数仿真 (5)3.2双端输入、单端输出运放性能参数仿真规范 (5)3.1MOS 运算放大器技术指标总表 (5)3CMOS 运放仿真规范.......................................................42概述...................................................................41前言...................................................................4MOS 运放性能参数仿真规范..................................................表目录5表1 MOS 运算放大器技术指标总表.............................................图目录10图10 共模抑制比仿真电路...................................................10图9 闭环频响曲线.........................................................9图8 幅频、相频曲线图......................................................9图7 开环增益仿真电路......................................................8图6 输出摆幅与负载电阻的关系曲线............................................8图5 输出动态范围的仿真电路.................................................7图4 共模输入范围输出结果参考图..............................................7图3 共模电压输入范围的仿真电路..............................................6图2 Vos 温度特性参考图.....................................................6图1 输入失调电压仿真电路...................................................21图35 正向跨导幅频特性仿真电路..............................................20图34 全差分运放正向跨导和线性范围仿真电路...................................20图33 正向跨导和线性范围仿真电路............................................19图32 全差分运放转换速率仿真电路............................................19图31 全差分运放电源电压抑制比仿真电路.......................................18图30 全差分运放共模抑制比仿真电路..........................................18图29 全差分运放频率响应仿真电路............................................17图28 全差分运放输出动态范围仿真电路........................................17图27 全差分运放共模输入范围仿真电路........................................16图26 全差分运放失调电压仿真电路............................................16图25 THD 与输出信号幅度的关系..............................................16图24 THD 与频率的关系曲线.................................................15图23 建立时间曲线........................................................15图22 大信号瞬态响应曲线...................................................14图21 小信号瞬态响应曲线...................................................14图20 转换速率仿真电路.....................................................14图19 电路瞬态响应曲线示意图...............................................13图18 输出噪声频谱密度曲线.................................................13图17 噪声分析仿真电路.....................................................12图16 输出阻抗的频率曲线...................................................12图15 输出阻抗仿真电路.....................................................12图14 PSRR 温度曲线.......................................................11图13 PSRR 频率曲线.......................................................11图12 电源电压抑制比仿真电路...............................................10图11 CMRR 频率曲线.......................................................MOS运放性能参数仿真规范1前言为配合模拟电路的仿真流程，本文介绍了有关MOS运算放大器（包括OTA）的性能参数的定义及其仿真测试电路。
MOS运算放大器的仿真包括直流特性仿真、交流特性仿真、瞬态特性仿真、工艺容差仿真、温度特性仿真及极限（最坏情况〕仿真。
本文对上述各种类型的仿真方法逐一进行了详细介绍，在进行运放的仿真测试时可供选择参考。
2概述仿真是运放设计的一项重要内容，运放的仿真与运放的应用环境是不可分割的，在仿真之前一定要首先确定运放的实际负载，包括电阻、电容负载，还应包括电流源负载，只有负载确定之后，仿真出的结果才是有意义的；不同的应用场合对运放的性能指标要求也不一样，并不需要在任何时候都要将运放的所有指标都进行仿真，所以，在仿真之前要明确应该要仿真运放的哪几项指标，哪几项指标是可以不仿真的。
在仿真时，要对不同的指标分别建立仿真电路，这样有利于电路的检查；DC、AC分析是获得电路某一性能指标信息的一种手段，它需要一些相关的条件来支持，当我们忽略了某一条件或根本没有弄清还有哪些条件时，DC、AC分析的结果就可能与实际情况不一致，导致错误的发生。
瞬态仿真则是反映出电路工作的现象，只有瞬态仿真通过，才能说明电路具备了相应的能力。
如：我们在仿真运放的频率特性时，所设计的仿真电路是建立在输入源的输出电阻为零（或很小，几百ohm以下）的基础之上，此时仿真出的运放稳定性很好，但如果实际电路前级的输出电阻不为零（此时应考虑运放输入级的寄生电容），这时，在做实际电路的瞬态仿真时，会发现输出有较大的过冲，瞬态仿真必不可少！而且，每一个AC、DC分析结果都可以用瞬态仿真加以验证。
以下仿真电路，只画出了电阻、电容负载，没有给出电流源负载，在进行电路的仿真时，要根据实际情况，酌情考虑电流源负载的影响（实际上电路动态工作时，一定有输出电流）。
一般情况下，电阻、电容负载是相对于共模电压的（不是GND），不会引入静态电流，但在某些场合，如输出驱动电路，其电阻负载是对地的，此时会引入静态电流，这些东西在实际仿真时都是要考虑的。
3CMOS 运放仿真规范3.1MOS 运算放大器技术指标总表表1 MOS 运算放大器技术指标总表o C工作温度T A V 偏置端直流输入电压V BIV 差模输入电压范围V IDRmW 允许功耗P DV 电源电压VCC极限全功率带宽BW full总谐波失真THD建立时间T SV/µs 转换速率SR瞬态k Ω输出电阻R Ok Ω差模输入电阻R IDdB 共模抑制比CMRRdB 电源电压抑制比PSRRo C 相位裕度PMMHz 单位增益带宽GBWdB 开环增益A VO交流V 输出峰－峰电压V OPPmA 输出峰－峰电流I OPPµV/o C 输入失调电压温度系数αV OSmV 输入失调电压V OSV 共模输入范围ICMR1/V 跨导与偏置电流的比值g m /I biasV 线性输入范围V IDµS 正向跨导g mmA 电源电流I CC直流单位参数名称符号参数类别3.2双端输入、单端输出运放性能参数仿真规范3.2.1直流参数仿真3.2.1.1失调电压（voltage offset ）的仿真定义：实际运放中，当输入信号为零时，由于输入级的差分对不匹配及电路本身的偏差，使得输出不为零，而为一 较小值 ，该值为输出失调电压，折算到输入级即为输入失调电压（V OS ）。
