LED驱动芯片-74HC595中文资料

74HC595中文手册(手工翻译,可复制)

74HC595/74HCT595
它是带控制端的8位串行输入并行输入的移位寄存器，具有3态输出。

特点
➢8位串行输入
➢8位串行或并行输出
➢带有3态输出的存储寄存器
➢移位寄存器具有清零控制端
➢100MHz移位输出频率
➢输出能力：并行输出，总线驱动；串行输出，标准输出
应用
串行数据转并行
远程控制保持寄存器
相关描述
74HC/HCT595是高速硅栅CMOS元件与低功耗肖特基TTL引脚兼容。

它们符合JEDEC第7A号标准。

“595”是一个带存储器的8级串行移位寄存器，有3态输出。

移位寄存器以及存储寄存器有独立的时钟输入端。

当SH_CP端接收一个上跳沿时数据会发生移位。

当ST_CP端接收一个上跳沿时，移位寄存器中的数据将被送入存储寄存器。

当SH_CP端和ST_CP端短接时，移位寄存器当中所存储的数据将会永远比存储寄存器中的数据状态早一个时钟周期。

移位寄存器有一个串行输入（DS端）以及一个标准的串行级联输出端（Q7’）。

该芯片的8位移位寄存器有一个复位引脚（MR，低电平有效）。

存储寄存器有8条并行的3态总线连接至输出引脚。

只要芯片的输出使能引脚（OE）处于低电平，芯片就实时将存储寄存器中的数据输出至输出引脚。

595芯片中文资料

8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。

三态。

特点8位串行输入，8位串行或并行输出，存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力，并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据符号参数条件 TYP 单位HC HCt ，tPHL/tPLH 传输延时，SHcp到Q7’，STcp到Qn，MR到Q7’，CL=15pF，Vcc=5V，16，17，14， 21，20，19 Ns，Ns，Ns，fmax STcp到SHcp 最大时钟速度100，57 MHz，CL 输入电容Notes 1 3.5 ， 3.5 pFCPD Power dissipation capacitance per package. Notes2 115 130 pF，CPD决定动态的能耗，PD＝CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0)F1＝输入频率，CL＝输出电容 f0＝输出频率（MHz） Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述Q0…Q7 15， 1， 7 并行数据输出，GND 8 地，Q7’ 9 串行数据输出，MR 10 主复位（低电平），SHCP 11 移位寄存器时钟输入，STCP 12 存储寄存器时钟输入，OE 13 输出有效（低电平），DS 14 串行数据输入，VCC 16 电源功能表输入输出功能SHCP STCP OE MR DS Q7’ Qn× × L ↓ × L NC MR为低电平时紧紧影响移位寄存器× ↑ L L × L L 空移位寄存器到输出寄存器× × H L × L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态↑ × L H H Q6’ NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。

74HC595芯片中文资料

SHCP
11
移位寄存器时钟输入
STCP
12
存储寄存器时钟输入
OE
13
输出有效（低电平）
DS
14
串行数据输入
VCC
16
电源
输入
输出
功能
SHCP
STCP
OE
MR
DS
Q7’
Qn
×
×
L
↓
×
L
NC
MR为低电平时紧紧影响移位寄存器
×
↑
L
L
×
L
L
空移位寄存器到输出寄存器
×
×
H
L
×
L
Z
清空移位寄存器，并行输出为高阻状态
↑
×
L
H
H
Q6’
NC
逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。
×
↑
L
H
×
NC
Qn’
移位寄存器的内容到达保持寄存器并从并口输
↑
↑
LHΒιβλιοθήκη ×Q6’Qn’
移位寄存器内容移入，先前的移位寄存器的内容到达保持寄存器并输出
引脚说明 H＝高电平状态，L＝低电平状态，↑＝上升沿，↓＝下降沿，Z＝高阻， NC＝无变化，功能表：当MR为高电平，OE为低电平时，数据在SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口。
符号
引脚
描述
Q0…Q7
15， 1， 7
并行数据输出
GND
8
地
Q7’
9
串行数据输出
MR
10
主复位（低电平）

74HC595芯片资料53971

74HC595芯片资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。

三态。

特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据CPD决定动态的能耗，PD＝CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0)F1＝输入频率，CL＝输出电容f0＝输出频率（MHz）Vcc=电源电压功能表H＝高电平状态L＝低电平状态↑＝上升沿↓＝下降沿Z＝高阻NC＝无变化×＝无效当MR为高电平，OE为低电平时，数据在SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口。

/***************************************************************************************/ 给个74HC595的"慢动作"void WriteSIOByte(unsigned char val){unsigned char i;ACC = val;for (i = 8; i > 0; i --) {SRCLK = 0;//拉低74HC595时钟_rrca_();//右移一位数据SER = CY;//发送74HC595一位串行数据SRCLK = 1;//拉高74HC595时钟_nop_();//延时}SER = 1;//释放数据总线//以下3条指令若在多字节时,应该移入多字节全发送完后在执行此3条指令RCLK = 0;_nop_();//延时RCLK = 1;//打入并行数据}74ls595"速射"hotpowerfor(i = 0; i < buffsize; i ++){SBUF = siobuff[i];while(TI == 0);TI = 0;}RCLK = 0;_nop_();//延时RCLK = 1;//打入并行数据/************************************************************************/摘要：本文介绍了应用移位寄存器芯片74HC595实现LED动、静态显示的基本原理。

74HC595中文资料_数据手册_参数

输入引脚上的数据发生移位进入8位移位寄存器.重置（引脚10）低电平有效，异步，移位寄存器复位输入.一个该引脚上的低电平将复位该器件的移位寄存器部分不受影响.锁存时钟（引脚12）存储只锁要存. 8时位钟锁输存入器.从低到高的过渡该输入锁存移位寄存器数据.输出使能（引脚13）低电平有74hc595效输出使能.这个输入的低电平允许来自锁存器的数据将在输出端呈现.高在这个输入强制输出（Q A -Q H ）进入高阻状态.74hc595串行输出不受影响这个控制单元.产出 Q A - Q H （引脚 15，1，2，3，4，5，6，7）非反相的3态锁存器输出. SQ H （9号针）同相的串行数据输出.这是的输出 8位移位寄存器的第八级.这个输出没有具有三态能力.
onsemicom7功能表手术输入结果函数重启串行输入一个转移时钟闩时钟产量启用转移寄存器内容闩寄存器内容串行产量sqh平行输出大号大号大号将数据移入换档寄存器lh大号dsrsrn锁存寄存器保持不变不变sr移位寄存器内容数据lh逻辑电平低到高取决于复位和移位时钟输入lr保持不变从高到低取决于锁存时钟74hc595输入引脚说明inputsa引脚1474hc595串行数据输入
图 SERIAL数据 INPUT 14 11 10 12 13转移时钟重启 LATCH时钟 OUTPUT ENABLE转移寄存器 LATCH 15 1 2 3 4五 6 7 9 Q A Q B Q C Q D Q E Q F Q G Q H SQ H一个 V CC = PIN 16 GND = PIN 8平行数据产出 SERIAL数据 OUTPUT引脚分配 13 14 15 16 9 10 11 12五 4 3 2 1 8 7 6锁定时钟输出启用一CK Q E Q D Q C Q B GND Q H Q G Q F订购信息设备包运输 ? 74HC595DR2G SOIC-16 （无铅） 2500磁带和卷轴 74HC595DTR2G TSSOP-16 * 2500磁带和卷轴 ?有关磁带和卷轴规格的信息，包括零件方向和磁带尺寸，请参阅我们的74hc595磁带和卷轴包 74hc595装规格手册，BRD8011 / D. *该封装本身具有无铅功能.74HC595中文资料第3 页精选内容： 74HC595 3最大额定值符号参数值单元 V CC 直流电源电压（参考GND） - 0.5至+ 7.0 V V IN直流输入电压（参考GND） - 0.5至 V CC + 0.5 V V OUT直流输出电压（参考GND） - 0.5至V CC + 0.5 V 我在直流输入电流，每个引脚 ±20嘛我出去了直流输出电流，每个引脚 ±35嘛我 CC DC电源电流，V CC 和GND引脚 ±75嘛 P D.静止空气中的功率耗散， SOIC封装? TSSOP封装? 500 450毫瓦 T STG储存温度 - 65至+ 150 _C T L引线温度，距壳体1毫米，持续10 秒（SOIC或TSSOP封装） 260 _C74hc595强调超过最大额定值74hc595可能会损坏设备.最大额定值是压力仅限评级.不建议在推荐操作条件之上进行功能操作.长时间暴露在高于推荐操作条件的应力下可能会影响设备74hc595可靠性. ?降额 - SOIC封装： - 从65到125°C时为7 MW / _C TSSOP封装： - 从65_到125_C的6.1 MW / _C有关高频或高负载考虑事项，请参阅安森美半导体高速CMOS数据手册（DL129 / D）的第2章.推荐工作条件符号参数敏马克斯单元 V CC直流电源电压（参考GND） 2.0 6 V V IN ，V OUT 直流输入电压，输出电压（参考GND） 0 V CC V T A.工作温度，所有封装类型 - 55 + 125 _C T R ，T F输入上升和下降时间 V CC = 2.0 V （图1） V CC = 4.5V V CC = 6.0 V 0 0 0 1000 500 400 NS此设备包含保护防止损坏的电路由于高静态电压或电领域.但是，必须采取预防措施被采取以避免任何应用程序电压高于最大额定值这个高阻抗电路的电压 - CUIT. 为了正确的操作，V IN 和 V OUT 应该受到限制范围GND V（V IN 或V OUT ）V V CC .未使用的输入必须始终为绑定到适当的逻辑电压电平（例如，GND或V CC ）.未使用的输出必须保持打开状态.74HC595中文资料第1页精选内容：74HC595中文资料第7页精选内容： 74HC595 7功能表手术输入结果函数重启串行输入一个转移时钟闩时钟产量启用转移寄存器内容闩寄存器内容串行产量 SQ H平行输出 Q A - Q H复位移位寄存器大号 X X L，H， ↓ 大→号SR大N号+ 1üü大S号R Gü→将S数R 据H 移ü入移换74h档c5寄95存位器寄H存D器↑保持L，不H变，H↓X大L号，DH→，S↓R LA，; SHR，N↓ 大号 ü ü ü ü转移移位寄存器内容锁定寄存器 H X L，H，↓ ↑大号 ü SR N →LR N ü SR N锁存寄存器保持不变不变 X X X L，H，↓大号 * ü * ü启用并行输出 X X X X大号 * ** *启用强制输出为高阻抗状态 X X X X H * ** * ? SR =移位寄存器内容 D =数据（L，H）逻辑电平 ↑=低到高 * =取决于复位和移位时钟输入 LR =锁存寄存器内容 U =保持不变 ↓=从高到低 ** =取决于锁存时钟74hc595输入引脚说明 I1N4）PU7T4ShcA5（95串引行脚数据输入.该引脚上的数据被移入 8位串行移位寄存器.控制输入移位时钟（引脚11）移位寄存器时钟输入.从低到高的过渡该输74hc595入会导致串行

74hc595中文数据手册(datasheet)

IO=‐6.0mA 4.18 4.31
4.13
4.10
6.0
IO=‐7.8mA 5.68 5.8
5.63
5.60
VOL 输出低电平 2.0 VI=VIH IO=20μA
0.0 0.1
0.1
(SQH)
4.5 or VIL
0.0 0.1
0.1
0.1
V
0.1
6.0
0.0 0.1
0.1
0.1
4.5
IO=4.0mA
‐1‐
输入输出管脚电路：
CMOS 移位寄存器 74HC595
真值表：
输入管脚
SI SCK SCLR RCK OE
XX X X H
XX X X L
XX L L 上沿 H H 上沿 H X 下沿 H
XX X
XX X
时序图：
XX XX XX XX 上沿 X 下沿 X
输出管脚
QA—QH 输出高阻 QA—QH 输出有效值移位寄存器清零移位寄存器存储 L 移位寄存器存储 H 移位寄存器状态保持输出存储器锁存移位寄存器中的状态值输出存储器状态保持
‐3‐
CMOS 移位寄存器 74HC595
DC 电气特性：
类型参数定义测试条件
数值
单位
VCC
VIH 输入高电平 2.0 4.5 6.0
VIL 输入低电平 2.0
25℃
‐40℃—85℃ ‐55℃—125℃
Min Typ Max Min Max Min Max
1.46
1.46
1.46
V
3.23
3.23
管脚图：
管脚说明：
管脚编号管脚名
1、2、3、4、 QA—QH 5、6、7、15

74hc595资料

74HC595芯片中文资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。

三态。

特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据符号参数条件TYP单位HC HCtt PHL/t PLH传输延时SHcp到Q7’C L=15pFVcc=5V 161714212019NsNsNsC PD 决定动态的能耗，P D ＝C PD ×V CC ×f 1+∑(C L ×V CC 2×f 0)F 1＝输入频率，C L ＝输出电容 f 0＝输出频率（MHz ） Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述 Q0…Q7 15， 1， 7 并行数据输出 GND 8 地 Q7’ 9 串行数据输出 MR 10 主复位（低电平） SH CP 11 移位寄存器时钟输入 ST CP 12 存储寄存器时钟输入 OE 13 输出有效（低电平） D S 14 串行数据输入 V CC 16 电源功能表输入输出功能SH CP ST CP OE MR D S Q7’ Q n× × L ↓ × L NC MR 为低电平时紧紧影响移位寄存器× ↑ L L × L L 空移位寄存器到输出寄存器 × × H L × L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态↑ × L H H Q 6’ NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。

DP74HC595规格书(新版)

1
说明并行数据输出端
电源地串行数据输入端移位寄存器清零端
移位时钟存储时钟使能输出端串行数据输入端电源端
DP74HC595 LED 驱动芯片
输入及并行数据输出引脚电路
功能真值表
S
X
X
X
SCLR
功能
L
位移寄存器清“零”SDO=0
H
位移寄存器储存
H
存储位移寄存器的值
X
O1—O8 输出有效值
2
时序图
DP74HC595 LED 驱动芯片
3
扩展逻辑图
DP74HC595 LED 驱动芯片
推荐工作条件
符号 VCC VIN VOUT TA
Tstg
参数直流电源电压直流输入电压 DC 输出电压
工作温度存储温度
最小值
2.0 0 0 -40 -50
最大值
5.8 5.8 VCC +85 +150
特点
l 采用 CMOS 工艺 l 工作电压范围：3.0V—5.5V l 高速移位时钟频率 Fmax：25MHZ l 串行输出，可用于多个设备的级联 l ESD HBM>6KV
引脚图
引脚定义说明
引脚编号
1、2、3、4、5、6、7、15 8 9 10 11 12 13 14 16
符号
O1—O8 GND SDO SCLR SHC STC OE SDI VCC
DP74HC595 LED 驱动芯片
概述
DP74HC595 是一款高速 COMS 器件，74HC595 引脚兼容低功耗肖特基 TTL（LSTTL）系列。 DP74HC595 是 8 位串行移位寄存器，带有存储寄存器。移位寄存器和存储寄存器分别采用单独的时钟。在 SHC 的上升沿，数据发生移位，在 STC 的上升沿，数据从每个寄存器中传送到存储寄存器。如果两个时钟信号被绑定在一起，则移位寄存器将会一直领先存储寄存器一个时钟脉冲。位移寄存器带有一个串行输入（SDI）端和一个串行输出（SDO），用于控制下一级级联芯片。

LED驱动芯片-74HC595中文资料

功能特点
低静态电流：80 μA 低输入电流：1μA 8 位串入并出存储移位寄存器可清空工作频率高：最低 30MHz(5V) 封装形式： SOP16(74HC595M) 、 TSSOP16(74HC595V)
管脚排列图
管脚说明
序号 15，1～7
8，16 9 10 11 12 13 14
80
1.5
3.15
V
4.2
0.5
1.35
V
1.8
1.9
4.4
V
5.9
3.7
V 5.2
3.7 V
5.2
0.1
0.1
V
0.1
0.4 V
0.4
0.4 V
0.4
±1.0
μA
±10
μA
160
μA
Rev 2.1 2006-09-13 4/7
74HC595
AC 特性(VCC =5V，TA =25℃，tr=tf =6ns)
1.8
输出最小高电平电压
VIN = VIH or VIL ︱IOUT ︱≤20μA
2V 4.5V
2.0 4.5
1.9 4.4
6V
6
5.9
VIN = VIH or VIL
4.5V
4.2
3.98
VOH
QH
︱IOUT ︱≤4.0mA
︱IOUT ︱≤5.2mA 6V
5.2 5.48
QA 至 QH
VIN = VIH or VIL
Etek Microelectronics
74HC595
8 位带输出寄存的移位寄存器
概述
74HC595 是硅 CMOS 工艺集成的高速移位寄存器。是一种高抗干扰能力、低功耗的标准 CMOS 集成电路，具有 15 个 LS－TTL 门的驱动能力。该电路是带 8 个 D 触发存储器的 8 位串行输入，并行输出的移位寄存器。输出寄存器具有 8 位的 3 态输出。移位寄存器和输出寄存器的时钟分开且它们都是上升沿触发，移位寄存器有清零信号控制。提供串行输入、串行输出信号引脚。如果两个时钟接在一起，移位寄存器状态总是比存储寄存器快一个时钟。

74HC595芯片资料

74HC595芯片资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。

三态。

特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据CPD决定动态的能耗，PD＝CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0)F1＝输入频率，CL＝输出电容f0＝输出频率（MHz）Vcc=电源电压功能表H＝高电平状态L＝低电平状态↑＝上升沿↓＝下降沿Z＝高阻NC＝无变化×＝无效当MR为高电平，OE为低电平时，数据在SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口。

/***************************************************************************************/ 给个74HC595的"慢动作"void WriteSIOByte(unsigned char val){unsigned char i;ACC = val;for (i = 8; i > 0; i --) {SRCLK = 0;//拉低74HC595时钟_rrca_();//右移一位数据SER = CY;//发送74HC595一位串行数据SRCLK = 1;//拉高74HC595时钟_nop_();//延时}SER = 1;//释放数据总线//以下3条指令若在多字节时,应该移入多字节全发送完后在执行此3条指令RCLK = 0;_nop_();//延时RCLK = 1;//打入并行数据}74ls595"速射"hotpowerfor(i = 0; i < buffsize; i ++){SBUF = siobuff[i];while(TI == 0);TI = 0;}RCLK = 0;_nop_();//延时RCLK = 1;//打入并行数据/************************************************************************/摘要：本文介绍了应用移位寄存器芯片74HC595实现LED动、静态显示的基本原理。

74HC595资料

74HC595简单工作原理74HC595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。

74HC595各个引脚的功能：Q1~7是并行数据输出口，即储寄存器的数据输出口Q7'串行输出口，其应该接SPI总线的MISO接口STcp存储寄存器的时钟脉冲输入口SHcp移位寄存器的时钟脉冲输入口OE的非输出使能端MR的非芯片复位端Ds串行数据输入端程序说明：每当spi_shcp上升沿到来时,spi_ds引脚当前电平值在移位寄存器中左移一位，在下一个上升沿到来时移位寄存器中的所有位都会向左移一位，同时Q7'也会串行输出移位寄存器中高位的值，这样连续进行8次，就可以把数组中每一个数（8位的数）送到移位寄存器；然后当spi_stcp上升沿到来时，移位寄存器的值将会被锁存到锁存器里，并从Q1~Q7引脚输出;附子程序：voidhc595send_data(uint8data)//要传输的数据，建议用数组的方法来查询{uint8i;IO0CLR=spi_stcp;12脚for(i=0;i<8;i++){IO0CLR=spi_shcp;11脚if((data&0x80)!=0)IO0SET=spi_ds;elseIO0CLR=spi_ds;data<<=1;IO0SET=spi_shcp;}IO0SET=spi_stcp;}1引言单片机应用系统中使用的显示器主要有LED和LCD两种。

近年来也有用CRT显示的。

前者价格低廉，配置灵活，与单片机接口方便；后者可进行图形显示，但接口较复杂，成本也较高。

74hc595中文芯片手册

74HC5958位移位寄存器与输出锁存器功能描述这种高速移位寄存器采用先进的硅栅CMOS技术。

该装置具有高的抗干扰性和标准CMOS集成电路的低功率消耗，以及用于驱动15个LS-TTL负载的能力。

此装置包含馈送一个8位D型存储寄存器的8位串行入，并行出移位寄存器。

存储寄存器具有8 TRI-STA TEÉ输出。

提供了用于两个移位寄存器和存储寄存器独立的时钟。

移位寄存器有直接首要明确，串行输入和串行输出（标准）引脚级联。

两个移位寄存器和存储寄存器的使用正边沿触发的时钟。

如果两个时钟被连接在一起时，移位寄存器的状态将总是提前存储寄存器的一个时钟脉冲。

该54HC/74HC逻辑系列就是速度，功能和引脚输出与标准54LS/74LS逻辑系列兼容。

所有输入免受损害，由于静电放电由内部二极管钳位到VCC和地面。

产品特点1低静态电流：80 mA最大值（74HC系列）2低输入电流为1mA最大38位串行输入，并行出移位寄存器以存储4宽工作电压范围：2V±6V5级联6移位寄存器直接明确7保证移频率：DC至30兆赫第十三章：干燥通过本章的学习，应熟练掌握表示湿空气性质的参数，正确应用空气的H–I 图确定空气的状态点及其性质参数；熟练应用物料衡算及热量衡算解决干燥过程中的计算问题；了解干燥过程的平衡关系和速率特征及干燥时间的计算；了解干燥器的类型及强化干燥操作的基本方法。

二、本章思考题1、工业上常用的去湿方法有哪几种？态参数？11、当湿空气的总压变化时，湿空气H–I图上的各线将如何变化? 在t、H 相同的条件下，提高压力对干燥操作是否有利? 为什么?12、作为干燥介质的湿空气为什么要先经预热后再送入干燥器？13、采用一定湿度的热空气干燥湿物料，被除去的水分是结合水还是非结合水？为什么？14、干燥过程分哪几种阶段？它们有什么特征？15、什么叫临界含水量和平衡含水量？16、干燥时间包括几个部分？怎样计算？17、干燥哪一类物料用部分废气循环？废气的作用是什么？18、影响干燥操作的主要因素是什么？调节、控制时应注意哪些问题？三、例题例题13-1：已知湿空气的总压为101.3kN/m2 ,相对湿度为50%，干球温度为20o C。

74HC595D_最新中文版

高电平输出
4.5
（指 QA 到 QH 端） 6.0
4.5
Io=-20uA Io=-20uA Io=-6.0mA
6.0 Io=-7.8mA
2.0 Io=20uA
低电平输出
4.5
（指 QH’端的输出） 6.0
4.5
Io=20uA Io=20uA Io=6.0mA
6.0 Io=7.8mA
2.0 Io=20uA
6.0
2.0
(SCK-RCK)
tS
最小启动时间 4.5 50
6.0
2.0
(SCRL-RCK)
tS
最小启动时间 4.5 50
6.0
2.0
th
最小维持时间 4.5 50
6.0
2.0
tREM
最小复位时间 4.5 50
6.0
注: 启动时间指波形脉冲的启动时间.
6
13
20 75
6
15
6
13
25 50
5
10
4
9
13 G
15
1
2
3
4
5
6
7
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
*此逻辑图不用作估算传播延时时间.
第 3 页共 14 页
深圳市富满电子有限公司
SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.
74HC595(文件编号：S&CIC0501)
3 态 8 位移位寄存器
九、时序图
(注:)
三、产品应用
Ø LED广告显示屏，LED数码屏等。
四、输入输出等效电路

74HC595芯片资料

74HC595芯片资料74HC595是硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC 标准。

74HC595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能. 移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SHcp的上升沿输入到移位寄存器中,在STcp的上升沿输入到存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态.三态. 将串行输入的8位数字,转变为并行输出的8位数字，例如控制一个8位数码管，将不会有闪烁.特点：8位串行输入 /8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器（三态输出：就是具有高电平、低电平和高阻抗三种输出状态的门电路。

）可以直接清除 100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动；串行输出；标准中等规模集成电路595移位寄存器有一个串行移位输入(Ds)，和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出,当使能OE时（为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

符号引脚描述Q0…Q7 第15脚， 1, 7 并行数据输出GND 第8脚地Q7’ 第9脚串行数据输出MR 第10脚主复位（低电平)SHCP 第11脚移位寄存器时钟输入STCP 第12脚存储寄存器时钟输入OE 第13脚输出有效(低电平）DS 第14脚串行数据输入VCC 第16脚电源功能表H=高电平状态L=低电平状态↑=上升沿↓=下降沿Z=高阻NC=无变化×=无效74HC595 内含8 位串入、串/并出移位寄存器和8位三态输出锁存器.寄存器和锁存器分别有各自的时钟输入（SH_CP和 ST_CP），都是上升沿有效。

74hc595详解(符程序原理图)驱动8个 LED

74HC595芯片中文资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。

三态。

特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据符号参数条件TYP单位HC HCtt PHL/t PLH传输延时SHcp到Q7’STcp到Qn MR到Q7’C L=15pFVcc=5V161714212019NsNsNsf max STcp到SHcp最大时钟速度10057MHzC L输入电容Notes 1 3.53.5pF C PD Power dissipation Notes2 115 pFC PD 决定动态的能耗，P D ＝C PD ×V CC ×f 1+∑(C L ×V CC 2×f 0)F 1＝输入频率，C L ＝输出电容 f 0＝输出频率（MHz ） Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述 Q0…Q7 15， 1， 7 并行数据输出 GND 8 地Q7’ 9 串行数据输出 MR 10 主复位（低电平） SH CP11移位寄存器时钟输入ST CP12存储寄存器时钟输入OE13 输出有效（低电平） D S14串行数据输入capacitance per package.130V CC16 电源功能表输入输出功能SH CP ST CP OE MR D S Q7’Q n××L ↓×L NC MR为低电平时紧紧影响移位寄存器×↑L L ×L L 空移位寄存器到输出寄存器××H L ×L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态↑×L H H Q6’NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。

74HC595中文资料

概述：74HC595 是一款漏极开路输出的CMOS 移位寄存器，输出端口为可控的三态输出端，亦能串行输出控制下一级级联芯片。

特点：高速移位时钟频率Fmax>25MHz标准串行（SPI）接口CMOS 串行输出，可用于多个设备的级联低功耗：TA =25℃时，Icc=4μA（MAX）图2 74HC595逻辑图真值表：输入管脚输出管脚SI SCK SCLR RCK OEX X X X H QA—QH 输出高阻X X X X L QA—QH 输出有效值X X L X X 移位寄存器清零L 上沿H X X 移位寄存器存储LH 上沿H X X 移位寄存器存储HX 下沿H X X 移位寄存器状态保持X X X 上沿X 输出存储器锁存移位寄存器中的状态值X X X 下沿X 输出存储器状态保持引脚功能表：管脚编号管脚名管脚定义功能1、2、3、4、5、6、7、15QA—QH 三态输出管脚8 GND 电源地9 SQH 串行数据输出管脚10 SCLR 移位寄存器清零端11 SCK 数据输入时钟线12 RCK 输出存储器锁存时钟线13 OE 输出使能14 SI 数据线15 VCC 电源端图1 74HC595引脚图Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值参数数值Supply Voltage电源电压(VCC)−0.5 to +7.0VDC Input Voltage 直流输入电压(VIN)−1.5 to VCC +1.5V DC Output Voltage 直流输出电压(VOUT)−0.5 to VCC +0.5V Clamp Diode Current 钳位二极管电流(IIK, IOK)±20mADC Output Current直流输出电流，每个引脚（输出）±35mADC VCC or GND Current,per pin (ICC)±70mAStorage Temperature Range 储存温度范围(TSTG)−65℃ to +150℃Power Dissipation 功耗(PD)(Note 3)600mWS.O. Package only500mWLead Tem perature (TL) (Soldering 10 seconds)260℃Recommended Operating Conditions建议操作条件参数最小最大单位Supply Voltage电源电压(VCC)26v DC Input or Output Voltage(VIN, VOUT)输入输出电压0VCC V Operating Tem perature Range工作温度范围(TA)−40+85℃Input Rise or Fall Times 输入上升或下降时间(tr,tf) VCC = 2.0V-1000ns VCC = 4.5V-500ns VCC = 6.0V-400ns DC SPEC IFICATIONS直流电气规格Symbol 符号Parameter 参数Conditions 条件VCCTA=25℃TA=−40to85℃TA=−55to125℃UNIT单位典型Guaranteed Limits保证界限VIH Minimum HighLevel Input Voltage最大高电平输入电压-2.0V- 1.5 1.5 1.5V4.5V- 3.153.15 3.156.0V- 4.2 4.2 4.2VIL Maximum LOWLevel Input Voltage最大低电平输入电压-2.0V-0.50.50.5V4.5V- 1.351.35 1.356.0V- 1.8 1.8 1.8VOH Minimum HIGHLevel OutputVoltage最大高电平VIN=VIH orVIL|IOUT|≤20μA2.0V2.01.9 1.9 1.9V4.5V4.54.4 4.4 4.46.0V6.05.9 5.9 5.9输出电压Q'H VIN = VIH or VILV |IOUT| ≤4.0mA 4.5V 4.2 3.98 3.84 3.7|IOUT| ≤5.2mA 6.0V5.25.485.34 5.2QA thru QH VIN = VIH or VILV |IOUT| ≤6.0mA 4.5V 4.2 3.98 3.84 3.7IOUT| ≤ 7.8mA 6.0V5.75.485.34 5.2VOL Maximum LOWLevel OutputVoltage最大低电平输出电压VIN=VIH orVIL|IOUT| ≤20μA2.0V00.10.10.1V4.5V00.10.10.16.0V00.10.10.1Q'HVIN = VIH or VILV |IOUT| ≤ 4mA 4.5V 0.2 0.26 0.33 0.4|IOUT| ≤5.2mA 6.0V0.20.260.33 0.4QA thru QHVIN = VIH or VILV |IOUT| ≤6.0mA 4.5V 0.20.26 0.33 0.4|IOUT| ≤7.8mA 6.0V0.20.260.330.4IIN Maximum InputCurrent最大输入电流VIN=VCC orGND6.0V-±0.1±1.0±1.0μAIOZ Maximum 3-STATEOutput Leakage最大3态输出泄漏电流VOUT = VCC orGND G = VIH6.0V-±0.5±5.0±10μAICC MaximumQuiescent SupplyCurrent电源电流VIN=VCC orGND IOUT = 0μA6.0V-8.080160μA交流电气特性：Symbol 符号Parameter 参数Conditions条件典型GuaranteedLimitUNIT单位fMax最高工作频率-5030MHztPHL, tPLH Maximum Propagation Delay,最大传输延迟SCK to Q’ HCL = 45 pF1220nstPHL, tPLH Maximum Propagation Delay, 最大传输延迟RCK to QA thru QHCL = 45 pF1830nstPZH, tPZL Maximum Output Enable Tim e from G to QAthru QH 最大输出启用时间G to QA thru QHRL=1kΩCL=45pF1728nstPHZ, tPLZ Maximum Output Disable Tim e from G to QAthru QH最大输出禁用时间G to QA thru QHRL=1kΩCL=5pF1525nstS Minimum Setup Time from SER to SCK--20nstS Minimum Setup Time from SCLR to SCK--20ns tS Minimum Setup Time from SCK to RCK--40ns tH Minimum Hold Time from SER to SCK--0ns tW Minimum Pulse Width of SCK or RCK--16ns 交流电气特性：（续）Symbol 符号Parameter 参数Conditions条件VCCTA = 25℃TA =−40 to85℃TA =−55 to125℃UNIT单位典型Guaranteed Limits 保证界限fMax Maximum OperatingFrequency最高工作频率CL = 50 pF2.0V106 4.8 4.0MHz4.5V453024206.0V50352824tPHL, tPLH Maximum PropagationDelay from SCK to Q’ H最大传输延迟传播延迟CK to QCL = 50 pF 2.0V 58 210 265 315nsCL = 150 pF 2.0V83294367441CL = 50 pF 4.5V 14 42 53 63CL = 150 pF 4.5V17587488CL = 50 pF 6.0V 10 36 45 54CL = 150 pF 6.0V14506376tPHL, tPLH Maximum PropagationDelay from RCK to QA thruQHCK to QCK to Q最大传输延迟RCK to QA thru QHCKto QCK to QCL = 50 pF 2.0V 70 175 220 265nsCL = 150 pF 2.0V105245306368CL = 50 pF 4.5V 21 3544 53CL = 150 pF 4.5V28496174CL = 50 pF 6.0V 18 30 37 45CL = 150 pF 6.0V26425363tPHL, tPLH Maximum PropagationDelay from SCLR to Q’ H最大传输延迟to Q’ H-2.0V-175221261ns4.5V-3544526.0V-303744tPZH, tPZL Maximum Output Enablefrom G to QA thru QH最大输出启用RL=1kΩCL=50pF2.0V 75 175 220 265nsRL=1kΩCL=150pF2.0V100245306368CL= 50pF 4.5V 15 35 44 53CL = 150pF 4.5V20496174CL = 50 pF 6.0V13303745CL = 150 pF 6.0V17425363CPD Power DissipationCapacitance,G = VCC-90 ---pFG = GND150---OutputsEnabled (Note 6)功耗电容CIN Maximum InputCapacitance最大输入电容--5101010pFCOUT Maximum Output最大输出电容--15202020pF图3 74HC595 时序图图应用电路图：图4 87LPC76x与74HC595单片机构成的键盘显示电路图5。

74HC595_资料

0.10 0.21 0.22 2.00 0.10 0.10 0.10 0.33 0.33 2.00 4.50 6.00 ±1 ±5 ±80
3.80 5.20 3.80 5.20 -
0.00 0.11 0.13 1.90 4.25 5.72 0.00 0.00 0.00 0.17 0.18 1.90 4.40 5.90 4.25 5.72 -
*TA 为开放空间中的工作温度
-7-
2007 年 8 月, V1.00
M74HC595
具三态输出功能之 8 位串行输入、平行输出移位缓存器
VDD TA=25°C 极限值 TA=-40°C~85°C TA=-40°C~125°C 极限值极限值
时序特性要求
特性代表符号量测条件单位
2V
时钟频率
VDD VIN VOUT Q0 ~ Q7 源电流 Q0 ~ Q7灌电流 IOH IOL IOUT IIK IOK IDD IGND Tstg
7 -0.4~VDD+ 0.4 -0.4~VDD+ 0.4 35 45 ±25 ±20 ±20 70 180 -65~+150
V V V mA mA mA mA mA mA °C
20 55 58 18 9 8 18 9 8 15 7 6 18 9 8 10 6 5 10 6 5 3 3 3
18 50 52 23 11 9 23 11 9 20 9 7 23 11 9 15 8 6 15 8 6 3 3 3
15 45 46 28 13 10 28 13 10 25 11 8 28 13 10 20 10 7 20 10 7 3 3 3
2007 年 8 月, V1.00
M74HC595

74hc595中文资料

74HC595芯片是一种串入并出的芯片，在电子显示屏制作当中有广泛的应用。

74HC595是8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻、关、断状态.三态。

特点 8位串行输入 8位串行或并行输出存储状态寄存器,三种状态输出寄存器可以直接清除 100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出;标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换 Remote control holding register。

描述 595是告诉的硅结构的CMOS器件, 兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入,在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’），和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。

QH'：级联输出端。

我将它接下一个595的SI端。

74hc595中文资料 (2)

74HC595中文资料1. 引言74HC595是一款非常常用的串行输入并行输出（Serial-in Parallel-out）移位寄存器。

它具有广泛的应用场景，在数字电路设计、控制器和驱动器等领域发挥着重要作用。

本文将介绍74HC595的基本信息、功能特点、电气参数以及使用方法。

2. 产品概述74HC595是一款8位移位寄存器，它采用了串行输入、并行输出的方式。

它具有以下主要特点：•输入端采用串行方式，输出端采用并行方式。

•支持数据级联，可以通过多个74HC595进行级联扩展输出。

•内部集成串行至并行转换电路，具有较高的工作频率。

•采用CMOS技术，具有低功耗特点。

•提供了灵活的控制引脚，可根据需要进行编程。

3. 功能特点3.1 输入输出74HC595的输入端包括以下信号线：•SER（串行数据输入）：用于输入要移位的数据。

•SRCLK（移位寄存器时钟）：用于触发数据移位操作。

•RCLK（存储寄存器时钟）：用于将移位寄存器的数据更新到并行输出。

•OE（输出使能）：控制并行输出的使能与禁止。

输出端包括以下信号线：•Qa-Qh（并行输出）：共8个输出引脚，用于输出存储在移位寄存器中的数据。

3.2 数据级联74HC595支持数据级联，可以通过多个74HC595进行级联扩展输出。

在级联模式下，从第一个74HC595的SER引脚输入的数据，经过多级移位后，最终在最后一个74HC595的并行输出引脚上显示。

3.3 时序控制通过控制时钟信号的触发，可以实现74HC595的不同工作状态。

具体的时序控制包括以下几个方面：•数据移位时钟：通过SRCLK信号触发，将SER输入的数据逐位移入移位寄存器。

•数据存储时钟：通过RCLK信号触发，将移位寄存器中的数据存入存储器，并行输出。

•输出使能控制：通过OE信号控制，并行输出的使能与禁止。

4. 电气参数以下是74HC595的一些重要电气参数：•工作电源：2V至6V•工作电流：20mA（典型值）•运行频率：最高68MHz•静态电流：1μA（典型值）•输出电流：±35mA（典型值）•输入电压：-0.5V至VCC+0.5V需要注意的是，以上参数仅为一般情况下的典型值，具体的应用环境和使用条件可能会有所不同。

LED驱动芯片-74HC595中文资料

合集下载

74HC595中文手册(手工翻译,可复制)

595芯片中文资料

74HC595芯片中文资料

74HC595芯片资料53971

74HC595中文资料_数据手册_参数

74hc595中文数据手册(datasheet)

74hc595资料

DP74HC595规格书(新版)

LED驱动芯片-74HC595中文资料

74HC595芯片资料

74HC595资料

74hc595中文芯片手册

74HC595D_最新中文版

74HC595芯片资料

74hc595详解(符程序原理图)驱动8个 LED

74HC595中文资料

74HC595_资料

74hc595中文资料

74hc595中文资料 (2)

文档推荐

最新文档