西安电子科技大学2018年《电磁场与微波技术》考试大纲_西安电子科技大学考研论坛

目　录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。

西安电子科技大学2018考研大纲：半导体物理与器件物出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新!西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础“半导体物理与器件物理”(801)一、总体要求“半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。

“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。

重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。

“器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。

要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。

“半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。

二、各部分复习要点●“半导体物理”部分各章复习要点(一)半导体中的电子状态1.复习内容半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。

2.具体要求半导体中的电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴的概念回旋共振及其实验结果Si、Ge和典型化合物半导体的能带结构(二)半导体中杂志和缺陷能级1.复习内容元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。

西安电子科技大学2018考研大纲：602高等数出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：602高等数学，更多考研资讯请关注我们网站的更新!西安电子科技大学2018考研大纲：602高等数学602高等数学复习提纲一、课程考试内容1、函数与极限数列的极限，函数的极限，极限存在准则，两个重要极限，函数的连续性与间断点，连续函数的运算与初等函数的连续性，闭区间上连续函数的性质。

2、导数与微分导数概念，函数的四则运算求导法则，反函数的导数，复合函数求导法则，高阶导数，隐函数的导数，参数方程所确定的函数的导数，函数的微分。

3、中值定理与导数应用四大中值定理，洛必达法则，函数单调性的判别，函数的极值和最值，曲线的凹凸与拐点。

4、不定积分不定积分的概念与性质，换元积分法，分部积分法，几种特殊类型函数的积分。

5、定积分及其应用定积分的概念，定积分的性质和积分中值定理，微积分基本公式，定积分的换元法，定积分的分部积分法，广义积分;定积分的元素法，平面图形的面积和体积，平面曲线的弧长，功、水压力和引力。

6、空间解析几何与向量代数空间直角坐标系，向量及其加减法，向量与数的乘法，数量积和向量积;曲面及其方程，空间曲线及其方程，平面及其方程，空间直线及其方程，二次曲面。

7、多元函数微分法及其应用多元函数的基本概念，偏导数，全微分及其应用，多元复合函数的求导法则，隐函数的求导;微分法在几何上的应用，方向导数与梯度，多元函数的极值及其求法。

8、重积分二重积分的概念与性质，二重积分的计算方法;三重积分的概念及其计算法，重积分的应用。

9、曲线积分与曲面积分对弧长的曲线积分,对坐标的曲线积分,格林公式,平面上曲线积分与路径无关的条件,二元函数的全微分求积;对面积的曲面积分,对坐标的曲面积分,高斯公式，通量与散度,斯托克斯公式,环流量与旋度。

10、无穷级数常数项级数的概念和性质,常数项级数的审敛法;幂级数,函数展开成幂级数,傅里叶级数,正弦级数和余弦级数,周期为2l的周期函数的傅里叶级数。

西安电子科技大学2018考研大纲：844信号与系出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：844信号与系统，更多考研资讯请关注我们网站的更新!西安电子科技大学2018考研大纲：844信号与系统一、试卷满分及考试时间试卷满分为150分，考试时间为180分钟。

二、考试形式考试形式为闭卷、笔试。

三、试卷内容结构信号与系统基本概念约20%连续信号和连续系统分析约40%离散信号和离散系统分析约30%系统框图、流图和状态方程约10%四、试卷题型结构单项选择题12小题，每小题4分，共48分解答题(包括证明题)7小题，共102分五、参考书目吴大正等《信号与线性系统分析》(第四版)高等教育出版社，2005年王松林等《信号与线性系统分析(第4版)教学指导书》，高等教育出版社，2013年主要考试内容一、信号与系统的基本概念考试内容信号和系统的基本概念，信号的分类和基本运算，奇异信号的定义和基本性质，系统的方程、框图的表示方法，系统的性质及判定。

考试要求1.了解连续信号与离散信号的定义、表示式和波形。

2.掌握信号的基本运算，理解奇异函数及其性质。

3.了解信号的分类和系统的分类。

掌握系统的方程和框图描述方法，线性时不变系统的性质。

二、连续系统的时域分析考试内容主要考核连续系统的时域分析分析方法，包括利用微分方程和卷积积分两种方法，零输入响应、零状态响应和全响应、固有响应与强迫响应、稳态响应与暂态响应。

考试要求1.掌握连续系统的零输入响应、零状态响应和全响应的求解。

2.掌握连续系统的冲激响应和阶跃响应的求解。

3.理解卷积积分及其主要性质4.掌握利用卷积积分求解连续系统时域响应。

5.了解相关函数的基本概念理解连续系统固有响应与强迫响应、稳态响应与暂态响应的概念。

三、离散系统的时域分析考试内容主要考核离散系统的时域分析分析方法，包括利用差分方程和卷积和两种方法，离散系统的零输入响应、零状态响应和全响应、固有响应与强迫响应、稳态响应与暂态响应。

2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a 、b （a>b ），球心距为c （c<a-b ）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b 的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图 二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a ，外导体半径为b ，长度为L ，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在a r b ≤≤，0z L ≤≤区域内的电磁场为ˆsin ˆcos r A E e kz r B H e kz rθ==v v（1）确定A ，B 间的关系；（2）确定k ； （3）求r=a 及r=b 面上的s ρ，s J v 。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为(2)6ˆ3()(/)j x x y E e e V m π-=v试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb ，工作波长λ，写出TE 10波的导波波长λg 。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a ，外半径为b ，画出截面上TEM 波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z 0公式。

六、（15 分）观管Pin 管相当于归一化电阻1R 和2R （正向运用），商管间隔90θ=︒，求输入端匹配时的1R 和2R 的关系式。

第六题用图七、（15 分）矩形谐振腔（axbxc ）如图，画出TE 101模的电场和磁场分布，写出电场与磁场公式。

电磁场与微波技术课程考试大纲
《电磁场与微波技术》课程考试大纲
1
《电磁场与微波技术》课程考试大纲
基本要求
1. 系统地掌握电磁场与电磁波的基本概念,基本性质,基本规律;
2. 掌握求解电磁场与电磁波问题的基本方法;
3. 掌握传输线的一般理论和波导的有关知识.
4. 能解决一些简单的实际问题
基本内容
一,矢量分析与场论 (占分约4%)
熟悉重要的矢性函数的微分,导数及积分公式;理解场的基本概念;理解数量场(或标
量场)的方向导数和梯度的概念,理解矢量场的通量和散度的概念,理解矢量场的环量和旋
度的概念.
二,静电场 (占分约8%)
了解电场强度的矢量表示形式;掌握库仑定律;掌握真空中的高斯定理;理解电位的概
念;熟悉静电场力做功的特点;熟悉真空中静电场的基本方程;了解电介质的极化机制;熟
悉静电场的边界条件;了解。

2004年真题
59 西 安 电 子 科 技 大 学
2004年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目代码及名称 432电磁场与天线原理
考试时间 2004年1月23日下午（3小时）
答题要求：所以答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!
一、填空题（20分，每空2分。

注意：答案请写在答题纸上）
1、均匀无耗微波传输线特性阻抗为50Ω，如果终端负载为100Ω，则终端处的反射系数
为（ ），线上的驻波比为（ ）。

2、同轴线的基模为（ ），其截止波长为（ ）。

介质波导的基模为（ ）。

3、双口网络如果是无耗的，其S 矩阵应满足（ ），如果是互易的，则有( )。

其参数S 11的物理意义是（ ）。

4、圆柱谐振腔的长度为L ，横截面半径为R ，则当L<2.1R 时，（ ）是最低模式，
其谐振波长与L 和R 中的（ ）无关。

二、分析题：（10分）
如果一个双口元件的S 矩阵可以写为0010⎡⎤⎢⎥⎣⎦
，试分析其特性并指出是什么元件。

三、（20分）矩形波导尺寸为23m m×10mm，（1）当波长为20mm，35mm 时波导中能传输哪些
模？（2）为保证只传输TE 10波，其波长范围和频率范围应为多少？（3）计算λ=35.42mm 时，λg，β和波阻抗。

四、（15分）微波等效电路如图。

当端口“2”接匹配负载时，测得端口“1”的输入反射系数11j j -Γ=
+。

求：此网络的散射参数S 11和S 22。

2010年真题10 西安电子科技大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称 822电磁场与微波技术（A ）考试时间 2010年1月10日下午（3小时）答题要求：所以答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分）相对介电常数2r ε=的区域内电位()222r x y z φ=-+ (V)，求点（1，1，1）处的：1、电场强度E ；2、电荷密度ρ；3、电场能量密度w e 。

二、（15分）电场强度()()88(,)cos 31024sin 3102t t z t z ππππ=⨯--⨯-x y E r a a （mV/m ）的均匀平面电磁波在相对磁导率1r μ=的理想介质中传播，求：1、电磁波的极化状态；2，理想介质的波阻抗η；3、电磁波的相速度V p 。

三、（15分）磁场复矢量振幅()()()3418660j x z e ππ-+=-+i x y H r a a （mA/m ）的均匀平面电磁波由空气斜入射到海平面（z=0的平面），求：1、反射角θr ；2、入射波的电场复矢量振幅()i E r ；3、电磁波的频率f 。

四、（15分）电场复矢量振幅()10j z e π-=i x E r a (mV/m)的均匀平面电磁波由空气一侧垂直入射到相对介电常数 2.25r ε=，相对磁导率1r μ=的理想介质一侧，其界面为z=0平面，求：1、入射波磁场的瞬时值(),t i H r ；2、射波的振幅E r m ；3、透射波坡印廷（Poynting ）矢量的平均值S av (r ) 。

入射波的振幅反射波的振幅。

西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)1.如下图所示，半径分别为a、b(a＞b)，球心距为c(c＜a-b)的两球面间有密度为ρ的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。

（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(为了使用高斯定理，在半径为b的空腔内填充密度为+ρ的体电荷，在半径为a的空腔内填充密度为-ρ的体电荷。

这样，任意一点的电场就相当于带正电的大球体和一个带负电的小球体共同产生。

正、负带电体所产生的场分别用高斯定理来计算。

正电荷在空腔内产生的电场为：[*]负电荷在空腔内产生的电场为：[*]单位向量e r1、e r2分别以大、小球体球心坐标为坐标原点。

考虑到r1e r1-r2e r2=ce x，最后得到空腔内的电场为：[*])解析：二、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在a≤r≤b，0≤z≤L区域内的电磁场为：（分数：15.00）(1).确定A、B间的关系。

（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(由法拉第电磁感应公式[*]可得： [*] 比较可知[*]，又因为[*]，所以：[*] 其中，η是导体内介质的特性阻抗。

)解析：(2).确定k。

（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(因为同轴线两端用理性导体板短路，所以两端处即(z=0和z=L处)电场强度为0，则有[*]，所以：[*](m=1，2，3…))解析：(3).求r=a及r=b面上的ρs、J s。

⻄安电⼦科技⼤学2018考研⼤纲：822电磁场与微波技术 店铺考研⺴为⼤家提供⻄安电⼦科技⼤学2018考研⼤纲：822电磁场与微波技术，更多考研资讯请关注我们⺴站的更新! ⻄安电⼦科技⼤学2018考研⼤纲：822电磁场与微波技术 ⼀、总体要求 “电磁场与微波技术”要求考⽣熟练掌握“电磁场与电磁波”、“微波技术基础”和“天线原理”的基本概念、基本理论和分析⽅法，具备分析和解决相关问题的⼀定能⼒。

“电磁场与微波技术”由“电磁场与电磁波”、“微波技术基础”和“天线原理”三部分构成。

“电磁场与电磁波”部分所占⽐例为40%(60分)。

“微波技术基础”部分所占⽐例为30%(45分)。

“天线原理”部分所占⽐例为30%(45分)。

《电磁场与电磁波》要求学⽣准确、系统的掌握电磁场与电磁波的相关概念，深刻领会描述电磁场与电磁波的基本定理和定律，熟练掌握分析电磁场与电磁波问题的基本⽅法，了解电磁场数值⽅法及其专业软件，具有熟练运⽤“场”的⽅法分析和解决问题的能⼒。

“微波技术基础”要求学⽣系统掌握微波传输线理论及分析⽅法、各种类型的导波结构、微波⺴络与微波元件的基础知识、微波谐振腔理论，深刻领会描述微波技术的基本概念和定律，学会⽤“场”与“路”的⽅法分析、解决微波⼯程问题。

《天线原理》要求学⽣系统地掌握天线理论的基本概念、基本原理、定律和基本分析⽅法，以及⼀些典型天线的⼯作原理与设计思想，具有解决实际⼯程问题的能⼒以及进⾏创新性研究和解决复杂⼯程问题的能⼒。

“电磁场与电磁波”部分考查内容要点为： (⼀)静电场 基本要求 熟练掌握静电场的基本概念、静电场的基本⽅程、边界条件。

掌握静电场的计算⽅法、电场能量和电场⼒的计算，电容的求解⽅法。

(⼆)恒定电流的电场 基本要求 熟练掌握电流的分类、电流密度的定义和物理含义。

掌握电荷守恒定律、欧姆定律的微分形式、焦⽿定律、恒定电流场的基本⽅程和边界条件。

(三)恒定电流的磁场 基本要求 熟练掌握磁通连续性原理、安培环路定律、恒定磁场的基本⽅程、⽮量磁位和磁场的边界条件。