模拟电子电路第12章答案

智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案第一章1、电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。

A:对B:错答案: 对2、电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A:对B:错答案: 错3、第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。

A:对B:错答案: 错4、电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。

A:对B:错答案: 对5、电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A:对B:错答案: 对6、模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。

A:对B:错答案: 错7、计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A:对B:错答案: 错8、数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A:对B:错答案: 错9、含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A:对B:错答案: 对10、下列信号不属于模拟信号的是( )A:0~5V的电压信号B:20Hz~20kHz的音频信号C:4~20mA的电流信号D:灯的亮灭状态答案: 灯的亮灭状态第二章1、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A:对B:错答案: 错2、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系A:对B:错答案: 对3、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A:对B:错答案: 对4、理想运算放大器的两个重要结论是A:虚地与反相B:虚短与虚地C:虚短与虚断D:短路和断路答案: 虚短与虚断5、集成运放的线性和非线性应用电路都存在A:虚短B:虚地C:虚短与虚断D:虚断答案: 虚断6、如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A:＋UOMB:-UOMC:无穷大D:0答案:＋UOM,-UOM7、反相输入积分电路中的电容接在电路的A:反相输入端B:同相输入端C:反相端与输出端之间D:同相端与输出端之间答案: 反相端与输出端之间8、电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，则VO= A:-1VB:1VC:-2VD:2V答案:2V9、集成运放能处理A:交流信号B:直流信号C:交流和直流信号D:正弦信号答案: 交流和直流信号10、理想运算放大器的输出电阻Ro为A:零B:有限值C:无穷大D:不确定答案: 零第三章1、设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A:15VB:6.7VC:9.7VD:3V答案:B2、用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好A:正向电阻小反向电阻大B:正向电阻大反向电阻小C:正向电阻反向电阻都小D:正向电阻反向电阻都大答案:A3、如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A:击穿B:电流为0C:电流过大而使管子烧坏D:正常导通答案:C4、二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接，在外电路将( c )。

(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流5电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，则在电路中( b )。

(a)D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用，D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。

(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R =5k Ω，则电压表V 的读数约为( c )。

(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u O的最大值为( c )。

(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示，二极管为理想元件，u i =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压 u O 等于( b )。

(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想元件，则输出电压u O ＝( a )。

(a)0V (b)－6V (c)－18V0V3--11电路如图所示，设二极管D1，D2为理想元件，试计算电路中电流I1，I2的值。

23k+-答：D1导通、D2截止.所以：I1=（12V+3V）/ 3k=5mA I2=012电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压uO的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。

模拟电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新广州大学绪论单元测试1.在电子电路中将信号分为模拟信号和（）。

参考答案:数字信号2.（）是对模拟信号最基本的处理。

参考答案:滤波第一章测试1.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（）参考答案:错2.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）参考答案:对3.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）参考答案:错4.在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。

（）参考答案:对5.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

参考答案:变窄6.稳压管的稳压区是其工作在（）。

参考答案:反向击穿7.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

参考答案:前者正偏、后者反偏8.uGS=0V时，能工作在恒压区的场效应管有（）。

参考答案:耗尽型MOS管;结型管第二章测试1.某放大器电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）。

参考答案:4 K2.在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平失真，则这种失真是（）。

参考答案:截止失真3.在典型的稳定静态工作点电路中，稳定Q点采取的主要措施是（）。

参考答案:引入直流负反馈4.在晶体管构成的基本放大电路中，具有电压放大作用的电路是（）。

参考答案:基本共基放大电路;基本共射放大电路5.下面放大电路中，输入、输出电压波形具有反相关系的电路是（）。

参考答案:共射放大电路;共源放大电路6.放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比，因此它与静态工作点无关。

（）参考答案:错7.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）参考答案:对8.共发射极放大电路产生截止失真的原因是它的静态工作点设置的偏高。

（）参考答案:错9.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故与电路的静态工作点无关。

模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下齐鲁工业大学齐鲁工业大学第一章测试1.P型半导体是掺入三价元素形成的，多子是自由电子，少子是空穴。

（）A:对 B:错答案:错2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

A:杂质浓度 B:掺杂工艺 C:本征半导体 D:温度答案:杂质浓度3.PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

（）A:错 B:对答案:对4.稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

（）A:对 B:错答案:对5.空穴电流是由自由电子填补空位形成的。

（）A:错 B:对答案:错6.如图所示电路中，设二极管特性理想，则UO为（）。

A:－9V B:9V C:－12V D:12V答案:－9V7.如图所示，设二极管的导通电压U D＝0.7V，则U O＝（）V。

A:1.3V B:2V C:-2V D:0.7V答案:1.3V8.PN结正向偏置时，其内电场被（）。

A:削弱 B:增强 C:不变 D:不确定答案:削弱9.半导体二极管加正向电压时，有（）。

A:电流小电阻大 B:电流大电阻大 C:电流大电阻小 D:电流小电阻小答案:电流大电阻小10.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

（）A:对 B:错答案:错第二章测试1.某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b =0.5V，V c= 3.6V，试问该三极管是（）型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的（）。

（）A:b B:a C:NPN D:c E:PNP答案:NPN;c2.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结正偏。

（）A:对 B:错答案:错3.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。

（）A:增大 B:交越失真 C:截止失真 D:减小。

E:饱和失真答案:截止失真;减小。

4.在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态，共基组态的频率响应好。

《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ，　； 1.4.6 1A 3A ，　； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。

二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。

第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。

二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。

第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10，　，　； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 不变、增加、减少；3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21，阻抗，电流；3.4.15 1rad/s ，4；3.4.16 Ω10；3.4.17 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.18 P L 3U U =，P L I I =，超前。

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

第一章测试1.P型半导体带正电，N型半导体带负电。

A:对B:错答案:B2.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

A:错B:对答案:B3.由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。

A:错B:对答案:A4.PN结外加反向电压，当电压绝对值增大时，空间电荷区变窄。

A:对B:错答案:B5.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。

A:对B:错答案:A第二章测试1.二极管的伏安特性曲线既描述了二极管正向特性和反向特性，又描述了二极管的反向击穿特性。

A:对B:错答案:A2.稳压二级管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态A:错B:对答案:B3.稳压二极管不允许工作在正向导通状态A:对B:错答案:B4.二极管的在交流等效为一个小电阻。

A:对B:错答案:A5.所有的二极管正向导通后压降都为0.7V。

A:对B:错答案:B第三章测试1.三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。

A:对B:错答案:A2.测出某三极管的共基电流放大系数A:错B:对答案:A3.a小于1，表明该管子没有放大能力。

A:错B:对答案:A4.由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。

A:对B:错答案:A5.只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压vBE都为0.7V左右。

A:错B:对答案:A第四章测试1.三小信号模型是交流下用线性电路代替非线性伏安特性的过程A:错B:对答案:B2.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关A:对B:错答案:B3.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降A:对B:错答案:A4.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，输出电阻也减小A:错B:对答案:A5.共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大A:对B:错答案:B6.共集放大电路的电压放大倍数接近于1，与负载RL是否接通关系不大A:对B:错答案:A7.常用的稳定静态工作点的方法有直流负反馈法和温度补偿法A:对B:错答案:A8.共基极放大电路不具备电流放大能力A:错B:对答案:B第五章测试1.场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区A:错B:对答案:B2.N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正A:对B:错答案:A3.场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大A:错B:对答案:B4.场效应管是电压控制器件，iD=gmvGS这是个线性方程，所以它是线性器件A:错B:对答案:A5.结型场效应管和增强型绝缘栅型场效应管的转移特性中都有饱和漏极电流IDSSA:错B:对答案:A第六章测试1.场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大A:对B:错答案:A2.共漏放大电路电压放大倍数总是小于1A:对B:错答案:A3.场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQA:错B:对答案:A4.增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路A:对B:错答案:B5.共源放大电路不具备电压放大能力A:错B:对答案:A第七章测试1.如果要求各级静态工作点互不影响，可选用阻容耦合方式A:错B:对答案:B2.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式A:对B:错答案:B3.在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB、25dB、35dB，则三级放大电路总增益为80dB，折合为104倍A:错B:对答案:B4.单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半A:错B:对答案:B5.差分放大电路的输出信号电压值等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积。

第一章 电路的根本概念和根本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。

P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

此题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此P 1=-U 1×3= -〔-5〕×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ； P 3=U 3×〔-1〕=-3×〔-1〕=3W ； P 4=-U 4×〔-4〕=-〔-3〕×〔-4〕=-12W 。

元件2、4是电源，元件1、3是负载。

1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中，)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。

解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==-()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，I=2A ，求U ab 和P ab 。

解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中， I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。

解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，+U 4-题1.1图ba题1.3图+u L-1/题1.2图题1.4图U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。

1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区（b ）截止区（c ）放大区（d ）饱和区（e ）截止区（f ）临界饱和（g ）放大区（h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管（b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无（b ）不能正常放大（c ）有（d ）无（e ）有（f ）无（g ）无（h ）不能正常放大（i ）无2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =－51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。

③当R L =∞时，R i ≈282k Ω；当R L =1.2k Ω时，R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态（b ）共射组态（c ）共集组态（d ）共射组态（e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。

模拟电子技术（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院第一章测试1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。

（）A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:杂质半导体答案:P型半导体2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。

A:增大 B:不变C:无法确定 D:减小答案:减小3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

A:减小 B:增大 C:不变 D:无法确定答案:增大4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。

A:P沟道增强型 B:P沟道耗尽型 C:N沟道增强型 D:N沟道耗尽型答案:N沟道耗尽型5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A:P沟道增强型MOS管 B:N沟道耗尽型MOS管 C:结型场效应管 D:N沟道增强型MOS管答案:N沟道耗尽型MOS管;结型场效应管6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。

A:错 B:对答案:对7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。

（）A:错 B:对答案:对8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）A:对 B:错答案:对9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（）A:错 B:对答案:错10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。

A:发射结正偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结也正偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏答案:发射结正偏，集电结反偏第二章测试1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。

A:错 B:对答案:错2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

A:对 B:错答案:错3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；A:错 B:对答案:错4.放大电路的输出电阻与负载无关。

A:对 B:错答案:对5.下列哪种电路只放大电压不放大电流。

（）A:共集 B:两级共射 C:共射D:共基答案:共基6.为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）A:放大区B:饱和区 C:恒流区 D:截止区答案:恒流区7.计算如下电路的电压放大倍数（）A:200 B:-200 C:-125 D:125 答案:-2008.对放大电路的最基本的要求是（）A:输入电阻大 B:能够放大 C:输出电阻小 D:不失真答案:能够放大;不失真9.典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（）A:电源ＶＣＣ的取值； B:Re的直流负反馈的作用； C:旁路电容的影响；D:U BQ在温度变化时基本不变。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。

答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。

答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。

（）答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。

答案:发射结正偏，集电结反偏6.二极管具有（）导电特性。

答案:单向7.下图电路中，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，VCC＝15V， RL＝8Ω，电路的最大输出功率Pomax =（）W。

【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）。

答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易（）。

答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（）。

答案:共摸抑制比11.在下图中，所有二极管均为理想二极管，则Vo=（）V【图片】答案:-212.在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。

当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（）V。

【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下，有电流放大，但没有电压放大作用的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路，下列说法正确的是（）。

答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应小于10000。

（）答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。

（）答案:错误17.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。

模拟电子电路实验_东南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.要提高RC耦合三极管放大电路的上限截止频率，可以选用的方式为（）。

参考答案:选择高频三极管2.反相输入单门限电压比较器，当输入信号【图片】，参考电压【图片】时，输出端产生的方波周期为（）。

参考答案:1ms3.反相输入单门限电压比较器，当输入信号【图片】，参考电压【图片】时，输出端产生矩形波的占空比（）。

参考答案:>50%4.一般而言OCL电路的低频特性要好于OTL电路。

参考答案:正确5.施密特比较器与简单比较器相比可以有效地减小输入端噪声对电路的影响。

参考答案:正确6.在实验举例的方波产生电路中，如果R1=R2=R=10kΩ，C=0.1uF，则产生的方波周期约为（）。

参考答案:2.2mS7.在实验举例的方波产生电路中，如果运放的工作电源为+12V，输出端对接的稳压二极管稳压值为5V，则输出方波的电压幅值约为（）。

参考答案:+5.6V8.一个+12V电源供电的反相比例放大电路，设计的放大倍数为-10倍，当输入2V直流电压时，测量其输出电压值约为（）。

参考答案:-11V9.在实验举例的方波产生电路中，加大电位器阻值可以使输出方波的（）。

参考答案:周期变大，幅度不变10.在实验举例的方波产生电路中，如果减小同相端到地的电阻R1的阻值，可以使输出方波的（）。

参考答案:周期变小11.在实验举例的方波产生电路中，如果加大同相端到输出端的反馈电阻R2的阻值，则电容两端的充放电波形（）。

参考答案:周期变小，幅度变小12.矩形波产生电路输出波形的周期仅有RC充放电回路的时间常数确定。

参考答案:错误13.矩形波产生电路中的运算放大器是工作在非线性状态。

参考答案:正确14.在其他参数保持不变的前提下，矩形波产生电路中的电容越大，输出波形的周期也越大。

参考答案:正确15.实验举例电路中的矩形波输出幅度由运放的工作电源电压确定。

参考答案:错误16.利用同相端反馈电阻的改变可以调整输出矩形波的周期。

第1章常用半导体器件1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：C问题解析：2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：B问题解析：3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：C问题解析：4.电路如下列图，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。

答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：C问题解析：5.电路如下列图，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：D问题解析：6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：B问题解析：7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：B问题解析：8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. 〔已提交〕参考答案：A第2章基本放大电路1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。

模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。

oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。

（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。

（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。

（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。

画出o u 波形如图所示。

Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。

解：各电路图如图所示。

(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。

R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。

1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。

1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。