模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

E ） I R ：I R =100S 2 L ： |.：（1 • ：） R R四、电路如图T4.4所示。

第4章集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。

(1) 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (c )。

A •可获得很大的放大倍数B •可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2) 通用型集成运放适用于放大 (B )。

A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号(3) 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 (C )。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好(4) 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 (A )。

A.减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻(5) 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用(A )。

A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“用“X 表示判断结果。

(1) 运放的输入失调电压 U IO 是两输入端电位之差。

(X (2) 运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。

(V ) ⑶运放的共模抑制比 K CMR = 仝。

(V)A c(4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。

(V )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

(X三、电路如图T4.3所示，已知31 = 分析估算如下：二V cc -U BE 2 —U BE1 =IOO 」AR 解: 1 B22I B0 ■ - I B01 ：I R = ' I B0 I B2C2的值。

图 T4.31 C2八B2"2—I B0。

比较上两式，得1 C2图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放.... ）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻.... ）。

解：（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。

习题四4-1 电路如题图4-1所示，i (t )=10mA 、R =10k Ω、L =1mH 。

开关接在a 端为时已久，在t =0时开关由a 端投向b 端，求t ≥0时，u (t )、i R (t )和i L (t )，并绘出波形图。

解：本题是求零输入响应，即在开关处于a 时，主要是电感储能，当开关投向b 后，讨论由电感的储能所引起的响应。

所以对图(a)t ≥0时的电路可列出00≥=+t Ri dtdiL L L及 i L (0)=i (t )=10(mA ) 其解为：0)(1010)(710≥==--t mA e et i t tL τS R L 73310101010--=⨯==τ 则 0)(10010101010))(0()1)(0()(77101033≥-=⨯⨯⨯-=-=-==-----t V e e e LR Li e Li dt di L t u t ttL t L L L τττ 而 0)(10)()(710≥-=-=-t mA e t i t i t L R其波形图见图(b)、图(c)所示。

4-2 电路如题图4-2所示，开关接在a 端为时已久，在t =0时开关投向b 端，求3Ω电阻中的电流。

解：因为 )(623)0(V u c =⨯= （注意：当稳态以后电容为开路，所以流过1Ω和电容串联支路的电流为零，因此电容两端的电压就是并联支路2Ω支路两端的电压）当开关投向b 时电流的初始值为)(236)0()0(A R u i c ===S RC i 3130)(=⨯===∞τ，故根据三要素法得： 0)(2)(31≥=-t A e t i t4-3 电路如题图4-3所示，开关在t <0时一直打开，在t =0时突然闭合。

求u (t )的零输入响应和零状态响应。

解：因为u (t )=u c (t )，所以求出u c (t )即可。

方法一：直接用三要素法：（注意，开关闭合以后，时间常数由两个电阻并联后，再与电容构成RC 电路）L (t ) i (t L(a)10(b) (c) 题图4-1 习题4-1电路及波形图(t )题图4-2 习题4-2电路S C R 23)1//2(0=⨯==τ)(32)2//1(1)()(221)0(V u V u c c =⨯=∞=⨯= 所以)1(322)322(32))()0(()()(5.05.05.0≥-+=-+=∞-+∞=----t ee e eu u u t u tt t tc c c c 零状态响应零输入响应τ方法二：分别求出零输入响应和零状态响应（可以直接解微分方程，也可以直接利用结论）零输入响应：02)(215.05.00'≥=⨯==---t e V e eU u tt tc τ零状态响应：0))(1(32)1(11212)1(5.05.0"≥-=-⨯+⨯=-=---t V e e eRI u t t ts cτ4-4 电路如题图4-4所示，已知 ⎩⎨⎧≥<=010)(t t t u s 且u c (0)=5V 。

第四章习题与思考题♦♦习题4-1在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC为6V, R L为8 ◎，假设三极管的上&和管压降U CES = 1V,① 试估算电路的最大输出功率P om；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V和效率刀。

解：①(V CC -Ucem)2 (6 -1)2P om =^C——cem-=-———W ： 1.563W2R L 2 8如忽略U CES,则，退=互亚=2.25W2R L 2M82V CC 2 62FV QC-2-6-W ： 2.865W二R L二8= P m =1563 ：54.55%F V 2.865.., R E 2 25 一…如忽略U CES则。

=P m = 仝5定78.53%F V 2.865此题的意图是理解OCL互补对称放大电路的P om和P V的估算方法♦♦习题4-2在图P4-1所示的电路中：①三极管的最大功耗等于多少？②流过三极管的最大集电极电流等于多少？③三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少？④为了在负载上得到最大输出功率Pom,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？解：① P CM >0.2P o m =0.2 X2.25W =0.45WV CC 6 . .I CM .q=6A=0.75AR L 8③ u (BR)CEO 2V CC =2 6V = 12V④因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态 ，Au 上1,而略小于 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法♦. 习题4-3在图P4-3所示互补对称电路中，已知V CC 为6V, R L 为8 ◎，假设三极管的上&和管压降 U CES= 1V,①估算电路的最大输出功率 P om ； 62—=-6—W : 0.716W 2 R L 2 二 8U cem V CC 6：,2 ： 2，2V之 4.24V 。

② 估算电路中直流电源消耗的功率 P V 和效率刀。

大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章本文档是《大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如》第四章的答案总结。

本章主要讲述了模拟电路中的电源和放大器，其中包括电源电路、晶体管放大电路、运放放大器等内容。

通过学习本章，我们可以了解电源的概念和分类、晶体管的基本工作原理、放大器的基本设计与分析方法等。

以下是第四章的答案总结。

4.1 选择题1. 以下哪个不属于电源电路的分类？A. 线性电源B. 开关电源C. 斩波电源D. 数字电源正确答案：D2. 以下关于线性电源的说法正确的是？A. 输入电源和输出电源之间电压差不大B. 可以实现电压变换和电流放大C. 效率高，稳定性好D. 频率范围广正确答案：B3. 晶体管的三个电极分别为：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、集电极、放射极C. 发射极、基极、集电极D. 集电极、发射极、基极正确答案：A4. 以下哪个不是晶体管的工作区间？A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 前向偏置区正确答案：D5. 非饱和区的晶体管具有什么特性？A. 基极电流小，集电极电流接近最大值B. 基极电流大，集电极电流较小C. 基极电流接近最大值，集电极电流接近零D. 基极电流接近零，集电极电流接近最大值正确答案：D4.2 简答题1. 线性电源和开关电源有什么区别？线性电源是通过调整输入电源和输出电源之间的电压差来实现电压变换和电流放大的。

它的优点是稳定性好，频率范围广，但效率较低。

开关电源则是通过开关管的断续开关来实现电平变换，从而实现电压变换和电流放大。

它的优点是效率高，但稳定性较差，且频率范围比较窄。

2. 请简要说明晶体管的工作原理。

晶体管的三个电极分别为基极、发射极和集电极。

当给晶体管的基极-发射极之间施加正向电压时，使得基区变薄，电子从发射极流入基区，同时形成电子空穴对。

随着电子的注入，电子空穴对逐渐扩散到基区，最终达到发射区。

当注入的电子空穴对到达集电极，集电极就有大量电子空穴对的注入，形成集电流。

第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。

图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。

（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。

3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。

4．图解分析法适用于 大 信号情况。

5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。

（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变） （1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。

6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。

回答以下问题。

（1）这种失真是 B 失真。

（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。

（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。

R L图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。

（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。

（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。

习题4.1选择填空1、选用差分放大电路的原因是 A 。

A 、克服温漂B 、 提高输入电阻C 、稳定放入倍数2、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 B 。

A 、差模放大倍数数值增大 B 、抑制共模信号能力增强 C 、差模输入电阻增大3、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。

4、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2，差模输入电压为v id ，共模输入电压为v ic ，则当v i1=50mV ，v i2=50mV 时，v id =_0mV __，v ic =_50mV __；当v i1=50mV ，v i2=-50mV 时，v id =_100mA __，v ic =_0mA__；当v i1=50mV ，v i2=0V 时，v id =_50mV __，v ic =_25mA __。

5、电流源常用于放大电路，作为_A ___（A.有源负载，B.电源，C.信号源），使得放大倍数__A __（A.提高，B.稳定）。

6、电压放大电路主要研究的指标是 a 、 b 、 c ；功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、 f 、 g 、（a 电压放大倍数 b 输入电阻 c 输出电阻 d 输出功率 e 电源提供的功率 f 效率 g 管耗）7、功率放大电路中，___甲类____功率放大电路导通角最大；_____乙类___功率放大电路效率较高。

（甲类、乙类、甲乙类） 8、甲类功放效率低是因为 B 。

A 、只有一个功放管B 、 静态电流过大C 、管压降过大4.1对称差动放大电路如题图 4.1所示。

已知晶体管1T 和2T 的50=β，并设U BE (on )=0.7V,r bb ’=0,r ce =∞。

(1)求V 1和V 2的静态集电极电流I CQ 、U CQ 和晶体管的输入电阻r b’e 。

(2)求双端输出时的差模电压增益A ud ，差模输入电阻R id 和差模输出电阻R od 。

第1章常用半导体器件欧阳学文自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，GS则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3 解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。

求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，VCC=15V ，=100，UBE=0.7V 。

试问： (1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BEB b V U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

4.1已知某放大器的幅频特性如题图4」所示。

(1)试说明该放大器的中频增益、上限频率扁和下限频率九、通频带BW。

⑵当甘：=10sin(4;r -106K)+ 20sin(27r x 104t\tn V)和乞=10加(2”・5/X〃7)+20沏(2龙xlOh)(加7)时，输出信号有无失真？是何种性质的失真？分别说明之。

解:(1)由题图4.1可得:中频增益为40dB,即100倍，加“Hz,九=10Hz (在.力/和尢处，增益比中频增益卜降30dB), = 10")_ 10匕10&//z。

(2)当= 10-106t\m T)+ 20sin(27i x 104Z)(mT)llj",其中戶104Hz 的频率在屮频段，而/ =2X106/7Z的频率在高频段，可见输出信号要产牛失真，即高频失真。

当坷=10sm(17i-7)+ 20X 104t\mV)吋，.戶5Hz 的频率在低频段，＞104Hz 的频率在小频段，所以输出要产牛失真，即低频失真。

4.2某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。

设中频相移为零。

⑴写出AJjf)频率特性的表达式。

⑵求f=107Hz处的相移值。

(3)求下限频率纪的值。

⑷求fMOOHz处实际的dB值。

(5)求fMOHz和匸"Hz的相移值。

解：(1)'1'频放人倍数为1()3,高频有一个极点频率为105H Z , 一个零点频率为106H Z ,低频有 两个极点频率均为102H Z ,两个零点频率均为lOHzo 所以⑵f=107Hz 处的相移为零 （3） 九 «102/A/22 -1 = 155屁（4） 2018141^=54^（5） 如/削宓抢=—45。

A （#） = io 3（1-丿岁）"1 +丿缶） -耳4.3已知某晶体管电流放人倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出”的频率特性表（b题图4.3解：由0(e喲渐进波特图可知：00=100, co^=4Mrad/s 它是一个单极点系统，故相应的频率特性表达式为021001十丿——“0因为5 7蚀故co T=400Mrad/s.也可直接从其波特图根据兮的定义直接读出。

第1章 半导体二极管及其电路分析`1．1 某二极管在室温（300K ）下的反向饱和电流为0.1pA ，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V 之间变化时，二极管电流的变化范围。

解：由于 )1(−=TD U u S D eI i由题意知I S =0.1pA ，室温下U T ≈26mV ，故当U D =0.5V 时，得i D =0.1×10－12×（126500−e）A ≈22.5μA当U D =0.7V 时，得mA A ei D 3.49)1(101.02670012≈−××=−因此U D 在0.5~0.7V 之间变化时，i D 在22.5μA~49.3mA 之间变化。

1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U D(on) =0.7V ，试分别求出R 为1k Ω、4k Ω时，电路中电流I 1、I 2、I O 和输出电压U O 。

解：（1）R=1k Ω 假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 5.41119'−=+×−=可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V ，所以，二极管处于导通状态，故mAmA I I I mAmA I O 6.1)3.57.3(3.51212=+−=+===mAmA R U I VV U L O O O )9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(−−−−=−==−=−−= （2）R=4k Ω假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 8.11419'−=+−=× 可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以mAI I mA mA R U I VU U I o L O O O O 8.18.1)1/8.1(/8.102'1=−=−=−==−===1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压U AO 。

模拟电子技术基础胡宴如自测题答案模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。

1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。

A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。

A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。

、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=，试写出各电路的输出电压Uo值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—V＝V。

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，β=100，U BE=0.7V。

模拟电路课后第四章答案第四章习题解答4-1 如题4-1图所⽰MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-= 4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所⽰。

设漏极电流i D的实际⽅向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际⽅向是流进还是流出？答：（a ）P-JFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。

（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。

（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。

（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。

4-3 已知N 沟道EMOSFET 的µn C ox =100µA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ；（b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ；（c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ；（d ）V GS =V DS=5V 。

解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C µµ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于⾮饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mAV V V VI V mA th GS GSLWC D D S D S x o n 7.3118.052101.02221222=-?-??=--=µ（b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 72.08.02101.02221221=-=-?=µ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于⾮饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-?-??=--=µ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212=-=-?=µ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，µn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。

习题四解答4-1什么是反馈？什么是负反馈？怎样区分四种不同类的反馈？解：在电路中，反馈是指将输出量的一部分或全部通过反馈网络，用一定的方式送到输入回路，以影响输入电量的过程。

反馈的结果使得净输入电量减小则为负反馈。

在输出端，如果反馈信号是对输出电压取样，也就是说反馈信号与输出电压有关，则称为电压反馈；如果反馈信号是对输出电流取样，也就是说反馈信号与输出电流有关，则称为电流反馈。

在输入端，如果反馈到输入端的信号是以电压形式出现，与输入电压串联比较，则称为串联反馈；如果反馈到输入端的信号是以电流形式出现，与输入电流并联比较，则称为并联反馈。

因此，一共可分为四种不同类型的负反馈，即：1）电压串联负反馈，2）电压并联负反馈，3）电流并联负反馈，4）电流串联负反馈。

5）4-2负反馈对放大电路有哪些影响？在改善电路的某些性能时又付出了那些代价？解：负反馈能够提高增益的稳定性，减小非线性失真，抑制放大器内部的噪声，增大或减小输入、输出电阻等。

主要是以牺牲闭环增益为代价。

4-3试说明为了实现以下几个方面的要求，它们分别应采用何种负反馈？1）要求输入电阻大，输出电阻小；2）要求输入电阻大，输出电流稳定；3）电流源输入，要求输出电压稳定；4）电流源输入，要求输出电流稳定。

解：1）由于串联负反馈可以增大输入电阻，典雅负反馈可以减小输出电阻，所以，要使输入电阻大和输出电阻小，应采用电压串联负反馈；2）由于电流负反馈能够稳定输出电流，所以，要使输入电阻大，输出电流稳定，应采用串联电流负反馈；3）一个放大电路，要获得较大的增益，必须尽可能地从信号源获取信号，对于电流源输入，要使放大电路获取尽可能多的信号，必须是放大电路的输入电阻尽可能地减小，所以在输入端应采用并联负反馈，如果又要稳定输出电压，所以总体应采用并联电压负反馈；4）综合以上理由，在电流源输入情况下，要稳定输出电流，应采用并联电流负反馈。

4-4 对于图P4-1所示的反馈电路，试判定个电路给定反馈电路的反馈类型。

第4章习题1．概念题（1）在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是第1级，零漂最大的一级是最后1级。

（2）差分放大电路有 4 种输入输出连接方式，其差模电压增益与输出方式有关，与输入方式无关。

（3）集成运放是一种采用直接耦合方式的放大电路，所以低频性能好，其最大的问题是零漂大。

（4）一个带宽为0.1～10MHz的宽频带多级放大电路，应采用的耦合方式是（B、D ）。

A：阻容耦合B：直接耦合C：变压器耦合D：光电耦合（5）有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，R i=2kΩ，R o=3kΩ。

现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为（B，20dB+12dB=32dB ）。

A：40 dB B：32 dB C：16 dB D：160dB（6）放大电路中采用复合管的目的是（ C ）。

A：增加输入阻抗B：减小零点漂移C：提高电压或电流放大倍数（7）一般情况下，我们用输入短路，将测得的输出电压除以运放的增益的实验法测得输入失调电压U IO。

（8）双入双出的差分放大电路，其共模信号幅值不管多大都不会影响差模输出。

对吗？（不对）（9）共模信号和差模信号都可以是交流信号，也可以是直流信号。

对吗？（对）（10）对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射级电阻R e可一概视为短路。

对吗？（对）（11）有源负载可以增大放大电路的输出电流。

对吗？（不对）（12）电压输入输出型运放是用量最大的运放，因而产量大、价格低。

对吗？（对）（13）基本镜像恒流源的原理是两个三极管工作在同一条输出特性曲线上。

（14）在运放中恒流源的作用有提供静态工作电流或提供有源负载。

（15）由于频率特性好且易于集成，光电耦合具有很广阔的前景。

2 .如图4-63所示多级放大电路中，试判断各单级放大电路的类型及各级间的耦合方式。

解：（a）两级共射，阻容耦合（b）两级共射，直接耦合（c）共射-共集，直接耦合（d）共源-共射，阻容耦合（e）共射-共源-共射，阻容-变压器耦合3 .画出题2中各图微变等效电路，并写出A u、R i及R o的表达式。

第四章习题解答题 4-1 在图P4－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R =1MΩ(需外接)。

设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。

图 P4-14-1解：VT4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流为CC EE BE REF 15150.7μA 29.3μA 1V V U I R +-+-===C3REF 1=21βI I =+，β足够大，所以C3REF =29.3μA I I ≈VT1、VT2为差分对管，则有C1C2=14.7μAI I ≈题 4-2 在图P4-2中，三极管的β＝100,r be ＝10.3kΩ，V CC =V EE =15V ，R c =36kΩ，R e =27Ω，R =2.7kΩ，R w =100Ω，R w 的滑动端处于中点，负载电阻R L =18kΩ,估算：① 静态工作点； ② 差模电压放大倍数； ③ 差模输入电阻。

4-2解：WBQ BEQ EQ e EE 0(2)2R I R U I R V ---+=- ① EE BEQ BQ 33W e 150.72.6μA 1002.710(1100)(22710)(1)(2R )22V U I A R R β--==≈⨯++⨯+⨯⨯+++CQ BQ 100 2.6μA 260μA 0.26μA I I β≈=⨯=≈[]CQ CC CQ C 150.2636V 5.64V U V I R =-=-⨯=(对地) 63BQ BQ C 0(2.610 2.710)V 7mV U I R -=-=-⨯⨯⨯≈-② L c d 3W be 18//36//221004010010(1)_ 2.710.3(1100)22R R A R R r ββ-=-=-⨯≈-⨯++++++⨯③ W id be 2[(1)]2(2.710.31010.05)k 36k 2RR R r β=+++=⨯++⨯Ω=Ω本题的意图是掌握长尾式差分放大电路的静态和动态分析方法。