MOS管IPA60R380E6测试

GTM Electronics (Shanghai) Ltd.MOS測試原理解析By Antly_lawMOSFET-簡介►MOSFET定義及特點►MOSFET結構►MOSFET工作原理(NMOS)►MOSFET特性曲線(NMOS)►分立器件測試機►MOSFET的直流參數及測試目的►MOSFET的交流參數►MOSFET Related►廠內分析MOSFET異常方法►習題GDSMOSFET定義►MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.►MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

►MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等►特點：• 1.单极性器件(一种载流子导电)• 2.输入电阻高(107 ~1015 Ω，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015Ω)• 3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低MOSFET 結構►增強型NMOS 結構與符號;GP 型衬底(掺杂浓度低)N +N +S D B耗尽层•在一块掺杂浓度较低的P 型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d 和源极s 。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g 。

在衬底上也引出一个电极B ，这就构成了一个N 沟道增强型MOS 管。

MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。

它的栅极与其它电极间是绝缘的•符號如右SG DMOSFET 工作原理►增強型NMOS 工作原理;• A.当U GS = 0，DS 间为两个背对背的PN 结；•B.当0 < U GS < U GS (th )(开启电压)时，GB 间的垂直电场吸引P 区中电子形成离子区(耗尽层)；•C.当u GS ≥U GS (th )时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。

「分享」MOS场效应管工作原理及MOS管测试1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。

然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。

这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。

显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。

图1-1所示 A 、B分别是它的结构图和代表符号。

同用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。

下图所示分别是N沟道和P沟道MOS管道结构图和代表符号。

2、MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S 之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。

此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。

这就可以得出如下结论：1）MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。

2） MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。

3、MOS管的电压极性和符号规则上图是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中；表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。

上图是P沟道MOS管的符号。

MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作。

MOS管如何检测其是否烧坏了测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点，测试时选择欧姆R×10K档，这时电压可达10.5V，红笔是负电位，黑笔是正电位。

测试步骤：MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。

其步骤如下：1、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。

如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

2、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。

3、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。

4、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS完好。

論壇內見有燒友說MOS管不能用萬用表檢測，其實MOS管是可以用萬用表檢測的，MOS管的G（柵）極和D（漏）極S（源）極之間的電阻是無限大的，因此MOS管稱為絕緣柵型場效应管。

大家知道這個原理后就開始找G極，用表10K檔測3個極之間的電阻，再將表筆反過來再測一次就會得出一組數據，你會發現有一個極與其它極無論正反都是無限大的，這就是G極喇。

還有兩個極就好定了，MOS管內部D極與S極是有一個寄生2極管的，如果測到兩極之間正向導通時就把表筆反過來（這一步很重要），用一個手指按住G 極，另一只手指去觸摸另外一個極（這樣做是給MOS加一個偏壓），其中有一個極是會加上正向電壓使MOS觸發的，這個時候MOS就會導通，兩極之間電阻就會變得很小，這個極就是D極了，如果是手摸到紅筆使MOS導通的，這個就是P溝的，相反就是N溝的。

那么只剩下一個極就是S極了，好了3個極已經確了。

PS：1。

场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

如何测量场效应管的好坏万用表打到二极管档(蜂鸣档)对三极管测量时...首先我们要确定哪只脚是b极.于是用红表笔接触其中任意一只脚不动.用黑表笔去接触另外两只脚.如果能够测得两组相近且小于1的数字.说明此时红笔接触的就是b极.如果测得两组数字不相近..那说明此时红笔接触的不是b 极..应把红笔换一只脚..黑笔去测另外两只脚...直到找到b极为止...假设我们知道哪只脚是b 极...怎样去判断另外两只脚c极和e极呢？如下图:图中红笔为b极.黑笔在另外两脚分别没得两组相近的数据..其中有一组数据会稍微大一点...此脚即为e极.小的那脚则为c极....并且我们知道此管为NPN三极管.因为红笔在b 极!而对于PNP型三极管的测量方法也一样...只不过是黑表笔在b极..红笔接触另外两脚能测得两组相近的数据.,如下图:下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管.下图为MOS管的标识我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。

不管是N沟道还是P沟道都一样。

把芯片放正。

从左到右分别为G极D极S极!如下图:用二极管档对MOS管的测量。

首先要短接三只引脚对管子进行放电。

1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1.3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...4然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G 极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先)5然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1到此我们可以判定此N沟道场管为正常有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。

6r380场效应管参数【原创实用版】目录1.场效应管的基本概念2.场效应管的参数及其含义3.场效应管参数的测量方法4.场效应管参数对电路性能的影响5.结论正文一、场效应管的基本概念场效应管（Field Effect Transistor，简称 FET）是一种半导体器件，是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。

场效应管是三种主要的晶体管之一，另外两种是双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。

场效应管具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点，在电路设计中有着广泛的应用。

二、场效应管的参数及其含义场效应管的参数主要有以下几个：1.源极和漏极之间的电流放大系数（β）：这个参数描述了场效应管的放大能力，即输入电流与输出电流之间的比例关系。

2.输入阻抗（Ri）：输入阻抗是指场效应管的输入端对电路的阻抗，它描述了场效应管对输入电压的响应能力。

输入阻抗越大，表示场效应管对输入电压的响应能力越强。

3.输出阻抗（Ro）：输出阻抗是指场效应管的输出端对电路的阻抗，它描述了场效应管对输出电流的控制能力。

输出阻抗越小，表示场效应管对输出电流的控制能力越强。

4.功耗（Pd）：功耗是指场效应管在正常工作状态下所消耗的功率。

功耗越低，表示场效应管的能效比越高。

5.输入电容（Ci）和输出电容（Co）：输入电容和输出电容是指场效应管的输入端和输出端的电容。

这两个参数影响场效应管的高频响应特性。

三、场效应管参数的测量方法场效应管参数的测量方法主要有以下几种：1.直流参数测试：通过测量场效应管的源极和漏极之间的电流和电压，可以得到场效应管的直流参数，如电流放大系数、输入阻抗和输出阻抗等。

2.交流参数测试：通过测量场效应管的输入端和输出端的电压和电流，可以得到场效应管的交流参数，如输入电容和输出电容等。

3.动态参数测试：通过测量场效应管的开关速度和开关延迟等参数，可以得到场效应管的动态参数，这些参数反映了场效应管在高速工作状态下的性能。

四、场效应管参数对电路性能的影响场效应管的参数对电路性能有着重要的影响。

大家来谈谈怎样快速判断场效应管的好坏？ - 《家电维修》大众版 - 【网上编辑部】 - 《...大家来谈谈怎样快速判断场效应管的好坏？现场效应管具有很多突出的确优点，在家用电器中得到广泛的应用首先，它具有极高的输入阻抗；其次，场效应管具有很多的类型，电源可正可负，增加了电路应用的灵活性；场效应管还有很强的抗辐射能力。

在日常的教学中，掌握场效应管的测量却是学生的难点，以下就来谈谈如何用万用表来检测场效应管。

$ N) {! ]% _' e. E: ] 场效应管主要有结型管和MOS管（金属一氧化物一半导体管）、 VMOS管（V型槽MOS管）等。

; 一、结型场效应管的测量! p0 j1 e; c/ ~6 |1、判定场效应管的电极( \) z3 R9 r& l, a; ' 先确定管子的栅极。

将万用表置于R×１００档，黑表笔接管子的一个电极，红表笔依次碰触另外两个电极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是P沟道管。

且黑表笔接的就是栅极。

若两次测出的阻值均很小，说明是N沟道管，且黑表笔接的就是栅极。

若不出现上述情况，可调换另一电极，按上述方法进行测量，直到判断出栅极为止P, o, S U6 o8 o x1 _一般结型场效应管的源极和漏极在制造工艺上是对称的，因此可互换使用，所以可以不再定栅极和漏极，源极和漏极间的电阻值正常时约为几千欧姆。

' v' \: x4 P: I$ f# O２、估测场效应管的放大能力% p( P, d q3 w+ T" @ 将表置于R×１００档，黑笔接漏极D,红笔接源极S，这时指针指出的是漏极和源极间的电阻值。

用手捏住栅极G，表针应有较大幅度的摆动，摆幅越大，则管子的放大能力越强。

若表针摆动很小，则管自放大能力很弱。

若表针不动，说明管子已失去放大能力。

) u/ D& a! f& h. n; U. l3 U二、MOS场效应管的测量3W+ f0 j2 E2 b" oMOS场效应管，目前常用的多为双删型的结构，两个删极都能控制沟道电流的大小，靠近源极S的栅极G1是信号栅，靠近漏极D的栅极G2是控制栅，通常加AGC电压d$ h/ G& D8 r6 '6 M+ ?5 C １、判定场效应管的电极2 a( I2 H2 _3 w8 _& R. _ 将表置于R×１００档，用红、黑表笔依次轮换测量各管脚间的电阻值，只有D和两极间的电阻值为几十至几千欧姆，其余各管脚间的阻值为无穷大。

场效应管的简单测试方法
场效应管种类众多，下面以SPP20N60C3管为例，它是英飞凌Cool MOS管，600V20A0.19Ω。

首先，要特别注意，不要用手或可能带有静电的物品接触管脚，特别是G脚，可以一手拿住管体，一手拿防静电镊子轻轻将管脚分开些，以方便鳄鱼夹能夹住管脚又不会短路。

见上图是为测试一个重要参数Rds，直流电源如果有条件可以用三端可调稳压做一个可调电源，注意使用时不要超过Vgs的最大限制，（SPP20N60C3管为20V），也可以用9V电池代用，因为这时SPP20N60C3管已经处于ON状态，只是只能测到RdsON，不能观察随着Vgs电压变化Rds的变化过程。

在加Vgs电压以前，首先用万用表测各管脚间电阻，对SPP20N60C3管而言只有在红表笔接D脚，黑表笔接S脚时导通，阻值大约15M左右，其它为无穷大，这是由于DS间内部接有一个二极管，因为SPP20N60C3管是高压管管脚间内阻很大，一般万用表检测不到，对于低压的管子内阻会相应的变小，内阻不一定是无穷大。

如果用万用表测量SPP20N60C3管脚间电阻小很多甚至短路，那必然已经损坏。

注意，万用表红表笔接S脚，黑表笔接D脚，显示为开路状态，反之显示15M左右。

注意，加Vgs电压一定要注意极性，SPP20N60C3管Vgs耐压±30V，但有的管可能+30V，-10V，要特别注意仔细阅读厂家提供的数据表。

本人用这种方法测试过SPP20N60C3管Rds值有1.5Ω的，基本可以判定为伪劣，有0.25Ω左右的，是正常的，。

6点判断MOS管好坏
电路中，如何判断MOS管的完好或失效，与单独鉴别MOS好坏不完全相同，电路中完好MOS的特点是：
（1）正面开始引脚排列为G D S;把万用表打到二极管档，红笔接S黑笔接D,此时大约有几百欧姆，反接测量为断路；然后黑笔接D,红笔触碰一下G在把红笔接到S,这时如果显示值比之前测量的小了很多说明MOS管好的。

（2）在加速过程中，如24V 电源时，MOS管栅极电压应为14V; 36V 电源时，MOS管栅极电压应为26V。

此时测试漏极（D）、源极（S）之间电压应随加速而下降。

若电压不下降，电动机不转动，说明MOS自身断路。

（3）万用表置R×l0k档，红表笔接S脚，黑表笔接D脚；然后
红表笔接S脚，黑表笔接G脚，MOS管漏、源极问电阻均应表示为∞，证明MOS管是完好的。

如若指示数值很小或为0，表示该管已经损坏。

（4）红表笔接漏极（D），黑表笔接源极（S），内部续流二极管导通，呈二极管特性，电阻接近0，不应看作MOS管损坏；颠倒红、黑表笔测试S、D极是∞，即应看作完好。

（5）对无刷电动机，有无输出，应使用数字表直流电压档分别测定三条相线，发现无输出，则进一步确认MOS管故障，并按上述方法测试。

（6）脱离运行状态下，在MOS漏极D与电源电压一致时，若漏极D 电压很低或无电压，对于无刷电动机，可能是电动机绕组断路；对有刷电动机可能是电刷或换向器出现问题。