光敏二极管的检测方法
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[图文]激光二极管的简单检测
激光二极管工作时发出的红光波长大约在600nm左右,可用于激光打印机、CD机、条形码阅读器等设备上。
激光二极管的符号如附图所示。
从图中可知,激光二极管由两部分构成,一部分是激光发射部分LD,另一部分为激光接收部分PD。
LD和PD两部分又有公共端点b,公共端一般同管子的金属外壳相连,所以激光二极管实际上只有三个脚a、b、c。
检测和判断激光二极管可按如下三个步骤进行。
1.区分LD和PD。
用万表的R×1k挡分别测出激光二极管三个引脚两两之间的阻值,总有一次两脚间的阻值大约在几千欧姆左右,这时黑表笔所接的一端是PD阳极端,红表笔所接的引脚为公共端,剩下的一个引脚为LD阴极端,这样就区分出了PD部分(图中的bc部分)和LD部分(图中的ab部分)。
2.检测PD部分。
激光二极管的PD部分实质上是一个光敏二极管,用万用表检测方法如下:用R×1k挡测其阻值,若正向电阻为几千欧姆,反向电阻为无穷大,初步表明PD部分是好的;若正向电阻为0或为无穷大,则表明PD部分已坏。
若反向电阻不是无穷大,而有几百千欧或上千千欧的电阻,说明PD部分已反向漏电,管子质量变差。
3.检测LD部分。
用万用表的R×1k挡测LD部分的正向阻值,即黑表笔接公共端b,红表笔接a脚,正向阻值应在10kΩ~30kΩ之间,反向阻值应为无穷大。
若测得的正向阻值大于55kΩ,反向阻值在100kΩ以下,表明LD部分已严重老化,使用效果会变差。
二极管的检测方法及步骤二极管是一种常用的电子元件,用于电路的整流、开关、放大等功能。
检测二极管的工作状态是维护和维修电子设备的重要环节。
下面将介绍二极管的检测方法及步骤。
1.使用万用表测试二极管的导通性:步骤一:调整万用表选择档位为二极管测试档,一般为20kΩ。
步骤二:将指示笔插入表头的COM孔和VΩmA孔,形成短路。
步骤三:将二极管两端的焊脚分别与指示笔接触,注意极性。
结果分析:如果指示笔有反应,表头显示的数值为1,则代表二极管导通;如果指示笔无反应,表头显示无穷大,则代表二极管断路。
2.利用排阻检测二极管的正向压降:步骤一:将二极管两端的脚与排阻相连。
步骤二:使用万用表测试排阻两端的电压。
结果分析:如果在正极脚插入电压,则在正向时二极管有正向压降;如果在负极脚插入电压,则无正向压降。
3.利用万用表测试二极管的反向电阻:步骤一:调整万用表选择档位为二极管测试档,一般为200kΩ。
步骤二:将指示笔插入表头的COM孔和VΩmA孔,形成短路。
步骤三:将二极管两端的焊脚分别与指示笔接触,注意极性。
结果分析:如果指示笔有反应,表头显示的数值为一个较大的电阻值,则代表二极管正常;如果指示笔无反应,表头显示无穷大,则代表二极管损坏。
4.通过二极管的发光来判断工作状态:步骤一:使用电压为0.5-1.5V的电池,如干电池或电池组。
步骤二:用导线将电池的正极与二极管的阳极相连,将电池的负极与二极管的阴极相连。
步骤三:观察二极管是否发光。
结果分析:如果二极管发出明亮的光则代表二极管正常工作,如果没有发光则代表二极管损坏或者非光敏二极管。
5.利用万用表测试二极管的倒流电流:步骤一:调整万用表选择档位为二极管测试档,一般为200mΩ。
步骤二:将指示笔插入表头的COM孔和VΩmA孔,形成短路。
步骤三:将二极管两端的焊脚分别与指示笔接触,注意极性。
结果分析:如果指示笔有反应,表头显示的数值为一个较小的电流值,则代表二极管正常;如果指示笔无反应,表头显示为0,则代表二极管损坏。
实验十一、十二【实验目的】见讲义【实验仪器】见讲义【实验原理】1、光电效应光敏传感器的物理基础是光电效应,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射称为外光电效应,或光电子发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
电子并不逸出材料表面的则是内光电效应。
光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。
即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。
光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类,几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类,通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。
(1)光电导效应若光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。
它是一种内光电效应。
光电导效应可分为本征型和杂质型两类。
前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。
杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。
杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。
(2)光生伏特效应 在无光照时,半导体PN 结内部自建电场。
当光照射在PN 结及其附近时,在能量足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。
载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场E 的作用,电子漂移到N 区,空穴漂移到P 区。
结果使N 区带负电荷,P 区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动势,此现象称为光生伏特效应。
2、实验原理(1)光敏电阻利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。
目前,光敏电阻应用的极为广泛,可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻。
利用光敏电阻制成的光控开关在我们日常生活中随处可见。
光敏二极管 1206
光敏二极管(Photodiode)是一种特殊的二极管,具有光电转换功能。
它能够将光信号转换为电信号,常用于光电控制、光电检测和光通信等领域。
1206是一种尺寸规格的表达方式,指的是光敏二极管的外观尺寸为12mm × 6mm。
这种尺寸的光敏二极管广泛应用于电子设备中,如电路板上的光电传感器模块、光控开关等。
它们通常采用表面贴装技术(SMT)进行安装,便于集成到现有的电路设计中,提供更便捷的电路连接和布局。
光敏二极管基本原理是利用半导体材料的光电效应。
当光照射到光敏二极管的PN结区域时,光子的能量会激发电子从价带跃迁到导带,产生电流。
通过测量这个电流信号的大小,可以确定光照强度的变化。
光敏二极管的特点包括高灵敏度、快速响应时间、宽波长范围和低噪声等。
不同类型的光敏二极管有不同的特性和应用场景,例如红外光敏二极管可以检测红外线,紫外光敏二极管可以检测紫外线等。
总之,光敏二极管是一种常见的光电器件,它在光电控制、光电检测和光通信等领域具有重要应用。
1206是指光敏二极管的尺寸规格为12mm × 6mm,适用于电子设备中的表面贴装安装。
四象限非位移光敏二极管
在正向光敏二极管中,当光线照射在PN结上时,光子会激发电
子从价带跃迁到导带,从而增加电流。
而在反向光敏二极管中,光
子的作用会导致PN结上的载流子浓度发生变化,从而改变了二极管
的电阻。
这种变化可以用来检测光线的强度和方向。
四象限非位移光敏二极管的工作原理是基于光生电压效应和光
生电阻效应。
当光线照射在光敏二极管上时,光子的能量被转化为
电子-空穴对,从而改变了二极管的电学特性。
这种变化可以被用来
检测光线的强度和方向,从而实现在四个象限中进行光线的检测。
在实际应用中,四象限非位移光敏二极管可以用于光敏电路、
光敏控制系统和光敏传感器等领域。
它的灵敏度高、响应速度快、
结构简单,因此被广泛应用于各种光学仪器和电子设备中。
总的来说,四象限非位移光敏二极管是一种能够在四个象限中
检测光线强度变化的光敏元件,其工作原理基于光生电压效应和光
生电阻效应,具有灵敏度高、响应速度快等特点,适用于光敏电路、光敏控制系统和光敏传感器等领域。
光敏二极管特性测试实验一、实验目的1.学习光电器件的光电特性、伏安特性的测试方法;2.掌握光电器件的工作原理、适用范围和应用基础。
二、实验内容1、光电二极管暗电流测试实验2、光电二极管光电流测试实验3、光电二极管伏安特性测试实验4、光电二极管光电特性测试实验5、光电二极管时间特性测试实验6、光电二极管光谱特性测试实验7、光电三极管光电流测试实验8、光电三极管伏安特性测试实验9、光电三极管光电特性测试实验10、光电三极管时间特性测试实验11、光电三极管光谱特性测试实验三、实验仪器1、光电二三极管综合实验仪 1个2、光通路组件 1套3、光照度计 1个4、电源线 1根5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根7、三相电源线 1根8、实验指导书 1本四、实验原理1、概述随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高,为此,近年来出现了许多性能优良的光伏检测器,如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)等。
光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管,通常又称光敏二极管和三敏三极管。
光敏二极管的种类很多,就材料来分,有锗、硅制作的光敏二极管,也有III-V族化合物及其他化合物制作的二极管。
从结构我来分,有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。
从对光的响应来分,有用于紫外光、红外光等种类。
不同种类的光敏二极管,具胡不同的光电特性和检测性能。
例如,锗光敏二极管与硅光敏二极管相比,它在红外光区域有很大的灵敏度,如图所示。
这是由于锗材料的禁带宽度较硅小,它的本征吸收限处于红外区域,因此在近红外光区域应用;再一方面,锗光敏二极管有较大的电流输出,但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流,因此,它的噪声较大。
又如,PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。
因此,在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。
ulrti测试方法RTI(Real-Time Imaging,实时成像)是一种非常常见的测试方法,它用于获得实时图像数据以分析并评估系统或设备的性能。
RTI测试方法可以应用于各种领域,如医学成像、机器视觉、工业检测等。
本文将介绍RTI测试方法的基本原理、应用领域以及具体的测试步骤。
一、RTI测试的基本原理RTI测试基于光学原理,通过光学传感器将物体传输和收集的实时图像数据转化为数字信号,并通过分析和处理这些信号来评估系统或设备的性能。
RTI测试可以提供高分辨率和高帧率的实时图像,以及各种有用的信息,如亮度、对比度、颜色等。
RTI测试的基本原理包括以下几个方面:1.光学传感器:通过光敏物质(如光敏二极管或CCD)和光学系统(如镜头)将光信号转化为电信号。
2.信号转换:通过模数转换器将模拟信号转化为数字信号,以便进一步处理和分析。
3.信号处理:通过数字信号处理器(DSP)对数字图像进行滤波、增强和修复等处理,以改善图像质量和准确性。
4.视觉分析:通过计算机视觉算法对数字图像进行分析和测量,以获取有关物体特征和性能的信息。
二、RTI测试的应用领域RTI测试方法在各个领域都得到广泛应用,特别是在医学成像、机器视觉和工业检测等领域。
以下是RTI测试的一些常见应用:1.医学成像:RTI测试可用于X射线、核磁共振和超声等医学成像技术的性能评估,以及图像处理和分析算法的验证。
2.机器视觉:RTI测试可用于检测和测量自动化系统中的产品和零件,如机器人视觉系统、无人机和无人驾驶汽车等。
3.工业检测:RTI测试可用于检测和识别工业系统中的缺陷和故障,如电子组件、制造设备和生产线等。
4.环境监测:RTI测试可用于监测环境中的污染、天气和气象等因素,如大气光学测量和水质分析等。
三、RTI测试的具体步骤RTI测试通常包括以下几个步骤:1.确定测试目标和要求:明确测试的目的和要求,确定需要测量和评估的参数,以及所使用的设备和工具。
一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。
1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。
两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。
在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。
2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。
正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。
来源:输配电设备网3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。
如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。
(二)稳压二极管的检测1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。
光敏二极管光敏电阻
光敏二极管是一种能够将光信号转换成电信号的器件,也被称为光电二极管。
它通常由一个半导体材料制成,具有两个电极(阳极和阴极)。
当光照射到光敏二极管时,光子能量会促使电子从价带跃迁到导带,从而形成电流。
光敏电阻是另一种用于检测光的器件,它通常是由半导体材料或光敏材料制成。
光敏电阻的电阻值会随着光照强度的变化而改变。
当光照强度增加时,光敏电阻的电阻值会减小,反之亦然。
光敏二极管和光敏电阻都可以用于光控制系统、照相机、光电转换器等应用中。
它们的基本原理类似,但工作原理和性能略有不同,具体使用哪种器件取决于具体的应用需求。
光敏二极管的暗电流越小越好是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。
暗电流越小,光敏二极管的性能越稳定,检测弱光的能力越强。
光敏二极管是一种采用PN结单向导电性能的结型光电器件,也叫光电二极管,能够将光信号变成电信号的探测器件,通过在PN结加上反向电压,在光的照射下反向导通,光敏二极管所用材料一般有硅、锗等。
如下图是光敏二极管的外形结构与符号。
光敏二极管一般有ZDU型和ZCU型两种。
一般常用的是ZCU型,它是全密封、金属外壳、顶部有玻璃窗口。
光敏二极管具有体积小、重量轻、使用寿命长、灵敏度高等特点。
1、光敏二极管主要参数①最高工作电压Umax:在无光照射时,光敏二极管反向电流不超过0.lμA时,所加的反向最高电压值。
②光电流IL:光敏二极管在受到一定光线照射时,在加有正常反向工作电压时的电流值。
③暗电流ID:在无光照射时,光敏二极管加有正常工作电压时的反向漏电流。
④响应时间Tr:光敏二极管把光信号转换为电信号所需的时间。
⑤光电灵敏度:表示光敏二极管对光的敏感程度。
2、光敏二极管应用光敏二极管有PN结型、PIN结型、雪崩型以及肖特基结型4种,其中应用较多的是用硅材料制成的PN结型光敏二极管。
光敏二极管主要用于自动控制。
如光耦合、光电读出装置、红外线遥控装置、红外防盗、路灯的自动控制、过程控制、编码器、译码器等。
3、光敏二极管检测1)光敏二极管引脚的区分通常直接查看光敏二极管的引脚长短即可区分:引脚长的为正极(P极),引脚短的为负极(N极) 2)对于有色点或管键标识的管子,其靠近标识的一脚为正极,另一脚为负极。
3)用万用表的区别方法是将万用表置于Rx1k挡,用挡板挡住管子的受光窗口,用红、黑表笔对调测出两次阻值,其阻值较大的一次测量中(反向阻值),红表笔所接的引脚为正极,黑表笔所接的引脚为负极。
光敏二极管的检测方法一、外电路测量方法外电路测量方法是通过改变二极管的外电路以实现对光敏二极管的检测。
常用的外电路测量方法包括电流-电压特性测量、响应时间测量和频率特性测量等。
1.电流-电压特性测量:通过该方法可以测量光敏二极管的电压-电流特性曲线来评估其性能。
光敏二极管在光照条件下,其反向电压会引起输出电流的变化,通过改变电压源与二极管之间的电压可以获得不同电流响应。
2.响应时间测量:光敏二极管的响应时间是指电流在接收到光信号后,响应的时间间隔。
为了测量光敏二极管的响应时间,常用的方法是通过光瞬态法或脉冲法来测量。
光瞬态法是指用一个短脉冲光源照射光敏二极管,通过测量二极管的电流快速上升时间来评估其响应时间。
脉冲法是指对一系列脉冲光源进行照射,并测量每个光脉冲所产生的电流响应时间。
通过测量得到的响应时间可以用来评估光敏二极管的灵敏度和快速响应性能。
3.频率特性测量:频率特性是指光敏二极管对不同频率光信号的响应情况。
通过改变输入光信号的频率,测量二极管输出电流的变化,可以得到光敏二极管的频率特性。
常用的频率特性测量方法包括幅频特性法、相频特性法和输入光信号扫频法等。
这些方法可以帮助评估光敏二极管对不同频率光信号的响应情况,以及其适用范围。
二、内部参数测量方法内部参数测量方法是通过测量光敏二极管器件的内部参数来评估其性能。
常用的内部参数测量方法包括噪声系数测量、量子效率测量和谱响应测量等。
1.噪声系数测量:噪声系数是光敏二极管器件输出噪声电压与输入信号电流之比。
测量光敏二极管的噪声系数可以了解其信号传输质量和灵敏度。
常用的测量方法有功率谱法、功率幅度法和平均值法等。
2.量子效率测量:量子效率是指光敏二极管转换光信号为电信号的效率。
测量光敏二极管的量子效率可以通过测量输入光信号的功率和输出电流的比值来计算。
常用的方法有比较法、标准比较法和透射法等。
3.谱响应测量:综上所述,光敏二极管的检测方法既包括外电路测量方法,又包括内部参数测量方法。
(一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。
1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。
两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。
在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。
2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。
正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。
3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。
如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。
(二)稳压二极管的检测1.正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。
光敏电阻特性及应用实验报告2016年4月18日实验三光敏二极管特性实验一.实验目的:1.熟悉光敏二极管的结构和光电转换原理。
2.掌握光敏二极管的暗电流及光电流的测试方法。
3.了解光敏二极管的特性,当光电管得工作偏压一定时,光电管输出光电流与入射光的照度(或通量)的关系。
二.实验原理:光敏二极管是一种光生伏特器件,用高阻P 型硅作为基片,然后在基片表面进行掺杂形成PN 结,N 区扩散区很浅为1um 左右,而空间电荷区(即耗尽层)较宽,所以保证了大部分光子入射到耗尽层内,光被吸收而激发电子——空穴对,电子——空穴对在外加反向偏压的作用下,空穴流向正极,形成了二极管的反向电流即光电流。
光电流通过外加负载电阻RL 后产生电压信号输出。
光敏二极管原理如图(9)所示。
在无光照的情况下,若给P—N 结一个适当的反向电压,则反向电压加强了内建电场,使P—N 结空间电荷区拉宽,势垒增大,流过P—N 结的电流(称反向饱和电流或暗电流)很小,它(反向电流)是由少数载流子的漂移运到形成的。
当光敏二极管被光照时,满足条件hv≧Eg 时,则在结区产生的光生载流子将被内场拉开,光生电子被拉向N 区,光生空穴被拉向P 区,于是在外加电场的作用下以少数载流子漂移运动为主的光电流。
显然,光电流比无光照时的反向饱和电流大得多,如果光照越强,表示在同样条件下产生的光生载流子越多,光电流就越大,反之,则光电流越小。
当二极管与负载电阻RL 串联时,则在RL 的两端便可得到随光照度变化的电压信号,从而完成了将光信号转变成电信号的转换。
光敏二极管在无光照时,在所加反向电压作用下,仍会有反向电流流过,这种电流的数值很小,称为暗电流。
暗电流值是光敏二极管传感器的重要参数之一,它影响光敏二极管的光电变换质量和工作稳定性,因此希望它数值越小越好。
在无辐射作用的情况下,PN 结硅光敏二极管的正、反向特性与普通PN 结二极管基本一样,均为图(10)所示的伏安特性曲线,当有光照时,PN 结硅光敏二极管的反向输出特性曲线如图(11)所示。
光敏二极管测光电路
是一种用于测量光强度的电路。
它采用光敏二极管作为光敏元件,通过将光敏二极管接入一个电路中,就可以利用它的光电效应来将光强度转换成电信号。
这种电路广泛应用于图像传感器、摄像机、智能家居等各种场合。
的原理是利用光敏元件在光照度不同条件下电阻值的变化程度,从而检测光强度的大小。
接线方式一般采用差分测量方式,一端接入光敏二极管,另一端接入一个电阻,两端连接微弱电流源,这样就能够产生微小电压差,通过运放和伺服电路反馈抑制噪声。
的实现有两种方式,一种是直接将光敏二极管接入微控制器的模拟输入端,然后通过软件处理获得光强度值。
这种方式简单、方便,但是在光强度小或者光强度变化范围较大的情况下,精度会有所降低。
另一种方式是采用专用的测光电路芯片,该芯片可以提供更高的测量精度和更广泛的测量范围。
通常情况下,该芯片会带有宽动态范围、高速响应、温度补偿等功能,具有更为优良的性能表现。
在实际应用中,可以根据具体需求选择合适的光敏二极管和测光电路芯片,并且根据现场的光照强度、衰减等因素进行校准,以提高测量的精度和可靠性。
总之,是一种核心技术,它为数字图像处理、智能家居、医疗诊疗等
应用领域提供了关键技术支持。
未来随着人类对数据隐私、安全等方
面的要求日益增长,具备隐私保护能力的测光电路也将成为发展潮流。
光敏二极管也叫光电二极管。
光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。
无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。
当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。
当光线照射PN结时,可以使PN结中产生电子一空穴对,使少数载流子的密度增加。
这些载流子在反向电压下漂移,使反向电流增加。
因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
检测光敏二极管,可用万用表Rx1k电阻档。
当没有光照射在光敏二极管时,它和普通的二极管一样,具有单向导电作用。
正向电阻为8-9kΩ,反向电阻大于5MΩ。
如果不知道光敏二极管的正负极,可用测量普通二极管正、负极的办法来确定,当测正向咆阻时,黑表笔接的就是光敏二极管的正极。
当光敏二极管处在反向连接时,即万用表红表笔接光敏二极管正极,黑表笔接光敏二极管负极,此时电阻应接近无穷大(无光照射时),当用光照射到光敏二极管上时,万用表的表针应大幅度问右偏转,当光很强时,表针会打到0刻度右边。
当测量带环极的光敏二极管时,环极和后极(正极)也相当一个光敏二极管,其性能也具有单向导电作用和见光后反向电阻大大下降。
区分环极和前极的办法是,在反向连接情况下,让不太强的光照在光敏二极管上,阻值略小的是前极,阻值略大的是环极。
光敏电阻又称光敏电阻器或光导管常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。
这些制作材料具有在特定波长的光照射下,其阻值迅速减小的特性。
这是由于光照产生的载流子都参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。
还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。
根据光敏电阻的光谱特性,可分为三种光敏电阻器:紫外光敏电阻器、红外光敏电阻器、可见光光敏电阻器。
和光敏二极管不同,光敏电阻测量的时候,没有正反,2面的电阻是一样的。
光敏二极管的检测方法
直流测量方法主要是通过测量光敏二极管的电阻变化来检测光强度。
光敏二极管的电阻与光照强度成反比,光照强度越强,电阻越小。
这种方
法的原理是将光敏二极管接入一个恒流源电路中,通过测量电压或电流的
变化来获得光强度信息。
恒流源电路可以保持电流不变,从而获得稳定的
测量结果。
直流测量方法简单可靠,适用于大多数光敏二极管的应用。
交流测量方法则利用了光敏二极管对光信号的高速响应特性。
交流测
量方法适用于需要高速响应和较高灵敏度的应用,如光通信和光谱分析等。
交流测量方法一般通过调制光源信号来实现。
光源信号可以调制为正弦波、方波或脉冲等形式,然后经过光敏二极管接收后,检测到的光信号也会相
应地进行调制。
通过检测光敏二极管输出信号的频率、幅度或相位的变化,可以根据光敏二极管对光信号的响应特性得到光强度信息。
光敏二极管的检测方法还可以根据不同的应用需求进行优化和改进。
例如,在光通信系统中,为了提高信号传输速率和灵敏度,光敏二极管通
常配合量子效应来使用,以提高光电转换效率。
而在光谱分析领域,为了
实现高分辨率和高精度的光谱测量,可以利用多光敏二极管阵列来实现多
波段的光强度测量。
总结起来,光敏二极管的检测方法主要包括直流测量和交流测量两种。
直流测量方法简单实用,适用于大多数应用场景,而交流测量方法适用于
需要高速响应和高灵敏度的应用。
根据具体的应用需求,可以对光敏二极
管的检测方法进行优化和改进,以提高测量精度和灵敏度。
一.万用表检测普通二极管的极性与好坏。
检测原理:根据二极管的单向导电性这一特点性能良好的二极管,其正向电阻小,反向电阻大;这两个数值相差越大越好。
若相差不多说明二极管的性能不好或已经损坏。
测量时,选用万用表的“欧姆”挡。
一般用R x100或R xlk挡,而不用Rx1或R x10k挡。
因为Rxl挡的电流太大,容易烧坏二极管,R xlok挡的内电源电压太大,易击穿二极管.测量方法:将两表棒分别接在二极管的两个电极上,读出测量的阻值;然后将表棒对换再测量一次,记下第二次阻值。
若两次阻值相差很大,说明该二极管性能良好;并根据测量电阻小的那次的表棒接法(称之为正向连接),判断出与黑表棒连接的是二极管的正极,与红表棒连接的是二极管的负极。
因为万用表的内电源的正极与万用表的“—”插孔连通,内电源的负极与万用表的“+”插孔连通。
如果两次测量的阻值都很小,说明二极管已经击穿;如果两次测量的阻值都很大,说明二极管内部已经断路:两次测量的阻值相差不大,说明二极管性能欠佳。
在这些情况下,二极管就不能使用了。
必须指出:由于二极管的伏安特性是非线性的,用万用表的不同电阻挡测量二极管的电阻时,会得出不同的电阻值;实际使用时,流过二极管的电流会较大,因而二极管呈现的电阻值会更小些。
二.特殊类型二极管的检测。
①稳压二极管。
稳压二极管是一种工作在反向击穿区、具有稳定电压作用的二极管。
其极性与性能好坏的测量与普通二极管的测量方法相似,不同之处在于:当使用万用表的Rxlk挡测量二极管时,测得其反向电阻是很大的,此时,将万用表转换到Rx10k档,如果出现万用表指针向右偏转较大角度,即反向电阻值减小很多的情况,则该二极管为稳压二极管;如果反向电阻基本不变,说明该二极管是普通二极管,而不是稳压二极管。
稳压二极管的测量原理是:万用表Rxlk挡的内电池电压较小,通常不会使普通二极管和稳压二极管击穿,所以测出的反向电阻都很大。
当万用表转换到Rx10k挡时,万用表内电池电压变得很大,使稳压二极管出现反向击穿现象,所以其反向电阻下降很多,由于普通二极管的反向击穿电压比稳压二极管高得多,因而普通二极管不击穿,其反向电阻仍然很大。
二极管万用表测量方法二极管是一种半导体器件,用于在电路中控制电流的方向。
使用万用表(Multimeter)测试二极管可以确定它的正负极性、是否正常工作等信息。
以下是使用万用表测试二极管的步骤:测量二极管的正负极性:1.选择二极管测试模式:将万用表调整到二极管测试模式,通常标有"diode" 或"D" 的符号。
2.连接万用表:将红色测量探针连接到二极管的正极(阳极),将黑色测量探针连接到二极管的负极(阴极)。
3.读取显示:如果二极管连接正确,万用表应该显示一个正常的二极管电压降(通常在0.6V到0.7V之间,具体取决于二极管的类型)。
4.反转连接:如果显示为"OL"(开路)或者无反应,可能是因为极性连接反了。
尝试反转测量探针,重新连接到二极管的两个端口,应该能够正确读取电压降。
检测二极管是否损坏:1.选择二极管测试模式:与上述相同,将万用表调整到二极管测试模式。
2.连接万用表:用相同的方式连接红色和黑色的测量探针。
3.读取显示:如果二极管正常,显示应该是电压降(通常在0.6V到0.7V之间)。
如果显示为"OL" 或"0",可能表示二极管已经损坏。
4.反转连接:与上述相同,如果检测无结果,尝试反转测量探针,重新连接到二极管的两个端口。
请注意,测试二极管时需要小心,确保使用正确的测试模式和正确的连接方式。
此外,如果使用数字型万用表,一些型号可能具有自动识别二极管的功能,这样在连接时不必担心极性。
在任何情况下,都应仔细阅读万用表的使用说明书。
1.电阻测量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口,然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。
正常时,正向电阻值在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。
若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则是该光敏二极管漏电或开路损坏。
再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源,然后观察其正、反向电阻值的变化。
正常时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大,说明该光敏二极管的灵敏度越高。
2.电压测量法将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。
正常时应有0.2~0.4V电压(其电压与光照强度成正比)。
3.电流测量法将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,正常的光敏二极管在白炽灯光下,随着光照强度的增加,其电流从几微安增大至几百微安。
1.光敏二极管的简易判别方法(1)电阻测量法用万用表1k档,测正向电阻约10kΩ左右。
在无光照情况下,反向电阻应为∞,反向电阻不是∞,说明漏电流大;有光照时,反向电阻应随光照增强而减小,阻值小至几kΩ或1kΩ以下。
(2)电压测量法用万用表1V档(无1V档可用1.5V或3V档),红表笔接光敏二极管的“十”极,黑表笔接“-”极,在光照情况下,其电压应与光照度成比例,一般可达0.2~0.4V。
(3)短路电流测量法用万用表50mA或500mA电流档,红表笔接光敏二极管的“十”极,黑表笔接“-”极,在白炽灯下(不能用日光灯),应随光照的增强,其电流随之增加。
短路电流,可达数十mA~数百mA。
光敏二极管的主要特性参数①最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下,反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。
②暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。
暗电流越小,光敏二极管的性能越稳定,检测弱光的能力越强。
③光电流IL:是指光敏二极管在受到一定光照时,在最高反向工作电压下产生的电流。
其测量的一般条件是:2856K钨丝光源,照度为10001x。
④光电灵敏度Sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数,用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示,单位为μA/μW。
隔⑤响应时间Tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。
响应时司越短,说明光敏二极管的工作频率越高。
⑥正向压降VF:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时,它两端产生的压降。
⑦结电容Cj:指光敏二极管PN结的电容。
Cj是影响光电响应速度的主要因索。
结面积越小,结电容Cj也就越小,则工作频率越高。
光敏二极管又称光电二极管,目前使用最多的是Si光电二极管。
它有四种类型:PN结型,PIN 结型,雪崩型和肖特基结型。
以下简介PN结型光敏二极管。
PN结型光敏二极管同普通二极管一样,也是PN结构造,只是结面积较大,结深较浅,管壳上有光窗,从而使人射光容易注入PN结的耗尽区中进行光电转换,大的结面积增加了有效光面积,提高了光电转换效率。
在无光照射时,光敏二极管的伏安特性和普通二极管一样,此时的反向饱和电流叫暗电流,一般在几微安到几百微安之间,其值随反向偏压的增大和环境温度的升高而增大。
在检测弱光电信号时,必须考虑用暗电流小的管子。
在有光照时,光敏二极管在一定的反偏电压范围内(UR≥5V),其反向电流将随光照强度(10-3~103lx范围内)的增加而线性增加,这时的反向电流又叫光电流。
因此,对应一定的光照强度,光敏二极管相当于一个恒流源。
在有光照而无外加电压时,光敏二极管相当于一个电池,P区为正,N区为负。
光敏二极管有一定光谱响应范围,并对某波长的光有最高的响应灵敏度(峰值波长)。
因此,为获取最大的光电流,应选择光谱响应特性符合待测光谱的光敏二极管,同时加大照度和调整入射的角度。
光敏二极管的响应时间,一般小于几百微秒,主要取决于结电容和外部电路电阻的乘积。
表B316列出了几种光敏二极管的参数,其中灵敏度指输入给定波长的单位功率时,光敏二极管能输出的光电流值。
搜索:0搜索标题当前位置:电子电路图> 基础知识>元器件资料> 光敏二极管工作原理-种类-什么是光敏二极管?-光电二极管应用光敏二极管工作原理-种类-什么是光敏二极管?-光电二极管应用来源:互联网作者:电路图【大中小】什么殊敏二极管?光电二极管的原理光线射入PN接面,P区电洞、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。
借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。
有PN、PIN、萧特基、APD等类型。
太阳电池也是利用此种效应。
光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。
它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。
光电二极管(也称光敏二极管)是在反向电压作用之下工作的。
没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。
当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流子。
它们在反向电压作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流也越大。
这种特性称为“光电导”。
光电二极管在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。
如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。
光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结,不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换,在电路图中文字符号一般为VD。
光电三极管除具有光电转换的功能外,还具有放大功能,在电路图中文字符号一般为VT。
光电三极管因输入信号为光信号,所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。
同光电二极管一样,光电三极管外壳也有一个透明窗口,以接收光线照射。
光电流---正电压特性短路电流---照度特性波长分布特性光敏二极管符号光敏二极管接法不同种类光电二极管的特点:型态特性用途肖特基型光电二极管高感度紫外线分光光度计,比色计PN光电二极管(扩散型) 低暗电流,入射光量与输出电流的直线性良好,感度范围400-1000nm光电开关,照相机外露传感器组件PIN型光电二极管低暗电流,入射光量与输出电流的直线性良好,感度范围400-1000nm遥控,传真机,光通信(短距离)崩溃型光电二极管(APD) 反应速度快,高频率的S/N良好,有放大功能→高感度范围400-1000nm光通信(短,中距离)特点应用时反向偏置连接没光照射,呈现极高阻值有光照射时,电阻减小可作光控关关图一TLIV105A的脉冲驱动电路图二TPS703A的脉冲接收信号电路图三光敏晶体管与光达林顿等效电路图顶一下(0)0.00%踩一下(0)0.00%Tags:基础知识元件电子元件发布时间:2010-10-01 19:17:21 点击: 29[收藏] [推荐] [评论] [纠错] [打印] [关闭] 上一篇:红外线发射二极管原理-红外线发光二极管资料-特性-作用下一篇:红外线发射二极管驱动电路-红外线发光二极管-应用详解-设计相关主题•光电三极管原理-光敏三极管-应用-光•光敏电阻原理-光敏电阻的特性-应用电•红外线遥控发射接收电路原理-电路图•二极管内部图片-图片•肖特基二极管作用-符号-肖特基二极管•稳压二极管稳压值测量方法-如何知道稳•TVS瞬态电压抑制二极管原理-作用-•继电器工作原理-什么是继电器-继电器•什么是消磁电阻-电视机消磁电阻参数型•变压器工作原理-变压器的原理-飞人发表评论send comments317350请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。
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