下载文档原格式
硅片清洗过程太阳能电池硅片清洗过程制绒-扩散-刻蚀-清先(去PSG)-沉积减反射膜-丝网印刷-烧结-分选-组装以下为制绒工艺1、去损伤层目的：用高温NaOH或KOH去除硅表面的切割损伤层，划痕、手印、杂质等要求：浓度20%，温度80C，时间5min达到：硅片表面减薄10-20μm注意事项：1、浓度保证为20%，要求有补液槽，补充每次清洗的消耗。
2、80C温度要有加热管。
3、30S时间准确控制。
4、有自动盖，减少挥发。
2、温水隔离目的：稀释硅表面或洗篮上残留的碱液。
要求：水50C，时间5min达到：浓碱被稀释注意事项：1、要有鼓泡2、鼓泡要均匀3、换水：a、溢流：1-2方/小时，快排7S，30S上水，补水管口径1寸，水压2kg。
3、A单晶制绒面目的：通过高温低浓度的NaOH/KOH将硅表面腐蚀出均匀的金字塔型表面，减少硅片对光的反射。
要求：在浓度为3%左右时，在80C上下的温度，约25min增加一定量的乙醇，加快溶液反应，起到消除气泡的作用。
达到：硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸2-10μm之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。
工艺要求：有鼓泡，有加热管，循环泵，使溶液均匀，温度均匀，浓度均匀。
注意事项：a、浓度、温度和清洗时间有一定的比例。
b、在制绒过程中不能有鼓泡。
c、测温点靠近硅片中部。
d、从制绒槽到水洗槽的时间控制在20s以内。
（否则在高温状态下残留的碱液会挥发留下硅表面。
B多晶制绒目的：通过恒定温度，较高浓度的酸液制绒（HNO3+HF）要求：浓度60%左右温度：15-20C，时间3-4min达到：硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸2-10μm之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。
注意事项：a、硅与酸反应是放热过程，需要降温，制冷。
b、有循环泵和溢流，保证温度。
工艺流程：注酸——放料——排酸——注水喷淋——鼓泡——提料——排水——注酸c、加自动盖和喷淋：HNO3+HF在高温下有很强的挥发性，有害酸气会会腐蚀设备和损害人体，加盖保护。
硅片的RCA清洗工艺
硅片的RCA清洗工艺是一种常用的表面清洗方法，用于去除硅片表面的有机和无机杂质，以保证硅片的纯净度和表面质量。
下面是硅片的RCA清洗工艺的详细步骤：
1. 准备工作：清洗室要保持干净，并确保所有使用的设备和容器都是清洁的。
准备好所需的化学试剂，包括去离子水、浓硝酸（HNO3）、浓氢氟酸（HF）和去离子水。
2. 第一次清洗（SC1）：将硅片放入清洗容器中，并加入去离子水，使其完全浸没。
将容器放入超声波清洗器中，超声波清洗时间一般为5-10分钟。
然后将容器取出，将硅片转移到新的容器中，并加入浓硝酸（HNO3）和去离子水的混合液体。
浸泡时间一般为10-15分钟。
清洗结束后，用去离子水冲洗硅片，确保将所有化学物质冲洗干净。
3. 第二次清洗（SC2）：将硅片转移到新的容器中，并加入浓氢氟酸（HF）和去离子水的混合液体。
浸泡时间一般为10-15分钟。
清洗结束后，用去离子水冲洗硅片，确保将所有化学物质冲洗干净。
4. 最后清洗：将硅片放入去离子水中，进行最后的冲洗，以确保将所有残留的化学物质彻底去除。
可以使用超声波清洗器来帮助清洗。
5. 干燥处理：将清洗后的硅片放入干燥器中，进行干燥处理。
确保硅片完全干燥，以避免水分残留。
需要注意的是，在进行硅片的RCA清洗工艺时，要注意安全操作，避免接触到化学试剂，以免对身体造成伤害。
同时，清洗过程中要保持环境的洁净，避免灰尘和其他杂质污染硅片表面。
链式硅片清洗的工艺流程链式硅片清洗的工艺流程通常包括以下步骤：预洗、主洗、去离子水冲洗、干燥等。
第一步是预洗。
预洗的主要目的是去除硅片表面的大颗粒杂质和有机污染物。
预洗通常使用碱性清洗剂进行，常见的清洗剂有氨水、硝酸、磷酸等。
首先，将硅片放入预洗设备中，设备中的清洗液与硅片表面接触，清洗液破坏有机污染物的化学键，使其脱落。
随后，进行力学清洗，通过刷洗或气泡冲击等方式，进一步清洗硅片表面。
预洗时间通常为几分钟到半个小时不等。
第二步是主洗。
主洗的主要目的是去除预洗过程中残留的有机污染物和颗粒杂质，并恢复硅片表面的电性能。
主洗通常使用强酸和强碱进行，常见的清洗剂有盐酸、硝酸、氢氧化钠等。
首先，将硅片放入主洗设备中，设备中的清洗液进一步去除有机污染物和颗粒杂质。
清洗液与硅片表面发生化学反应，将其溶解或转化为可溶性物质。
主洗时间通常为几分钟到十几分钟不等。
第三步是去离子水冲洗。
去离子水冲洗的主要目的是去除主洗过程中残留的酸碱及其他离子污染物。
通常使用去离子水设备进行冲洗。
去离子水具有极高的纯净度，其中的离子浓度非常低。
硅片放入去离子水设备中，通过大量的去离子水冲洗硅片表面，去除残留的污染物。
去离子水冲洗时间通常为几分钟到半小时不等。
最后一步是干燥。
将冲洗过的硅片放入干燥设备中，通常使用热风或氮气进行烘干。
热风能够快速将硅片表面的水分蒸发掉，氮气则能够避免硅片表面的氧化。
干燥时间通常为几分钟到半个小时不等。
以上就是链式硅片清洗的工艺流程。
清洗过程中需要注意的是，选择适当的清洗剂和清洗时间，确保清洗效果和硅片的安全性。
此外，清洗设备和工艺也需要进行定期的维护和校准，以确保清洗的稳定性和一致性。
清洗后的硅片可以进一步用于半导体制造等领域。
1．目的规范清洗车间作业流程,保证输出合格成品,特制定本办法。
2．范围清洗车间所有员工3．具体内容3．1．作业准备3．1．1．进入清洗车间须穿戴专用工作服、鞋。
3．1．2．准备好应该准备的物品和药品。
3．1．3．准备好各类专用工具。
3．1．4．开机前按工艺要求检查水、电、气，确认无误后，方可开机。
3．2具体作业流程3．2．预清洗3．2．1．将切好的晶棒平稳地放在预清洗水槽中。
3．2．2．用海棉将晶棒两端与水槽之间的缝隙塞满，防止在预冲洗过程中，切好的晶棒向一方倾倒造成崩边，碎片。
3．2．3．打开安装软管的水龙头，用手扶住硅片上侧，在硅片正上方循环移动进行冲洗,直到硅片底端没有脏水流出为止(水龙头一定要与晶棒垂直)。
如图（1）图（1）图（2）图（3）图（4）3．3．脱胶3．3．1．预冲洗干净后将清洗槽内脏水放掉，从槽的两边注入80℃左右的温水，水位刚好将硅片底部的胶浸泡住即可，注意：温水一定不要溅到硅片表面。
3．3．2．浸泡3-5分钟，直到硅片底部的胶软化，整个晶棒向一方自然伏倒。
3．3．3．向槽内加入冷水，与槽内温水混合，至水温至40℃左右停止加水，浸泡2分钟左右使晶棒冷却。
3．3．4．冷却后将水排出，用手将少量硅片轻轻挪动，待硅片松动轻轻拿起,使硅片脱离胶水或玻璃板面，每次拿片长度在5cm以内。
3．3．5．将冲洗干净的硅片头尾两边垫上海棉，整根晶棒垂直地放入盛满清水的蓝色周转筐内，水温25℃左右，（注意：水位必须将整个硅片浸泡住，浸泡时间最长不可超过1小时）。
3．3．6．做好标识。
3．3．7．将预清洗槽内碎硅片冲洗干净放入碎片筐内，做好相关记录（碎片记录表）。
3．4．插片3．4．1．戴手套作业。
3．4．2．将专用插片槽内注满纯净水,片盒放入槽内开始插片,片盒如图（2）放置如图：3．4．3．从周转箱内拿出少量硅片，左手将硅片托住，用大拇指将硅片一张张分开,右手拿硅片带胶一边正中位置,插入片盒内。
太阳能硅片的清洗工艺1.药槽清洗液最正确配比确定由以上尝试数据阐发, 在清洗剂浓度较低时,不克不及达到良好的清洗效果, 切割过程中吸附到Si片外表的砂浆等沾污依然逗留在 S i 片外表。
提高清洗剂用量, 砂浆残留的片数减少, 但是持续加大清洗剂用量, 又会造成新的污染, 即清洗剂残留，和砂浆残留一样, 会影响 Si 片的质量。
因此选择此中效果最好的配比为2.0L。
2．药槽清洗温度确实定药槽清洗温度设置与外表活性剂的性质密切相关，这是因为在低温时非离子外表活性剂与水完全混溶, 亲水基聚氧乙烯与水形成的氢键能量低, 随着温度升高分子热运动加剧氢键被破坏, 导致非离子外表活性剂在水中的溶解度下降, 当温度升高而且达到必然值时, 非离子外表活性剂从水溶液中析出变混浊, 此时的温度即为浊点，温度对非离子外表活性剂的去污能力的影响是明显的, 研究说明当温度接近于浊点时, 清洗效果最好。
通过尝试得出40-55℃均可, 但45℃为最正确。
3.碱性清洗液与Si的反响选择出产线持续进行清洗一个药槽,从新配清洗液开始每隔1 min测其 pH 值, 所得数据如图。
配置好筹办清洗用的碱性清洗液pH值在 1 2~mm 摆布的气泡, 认为是Si和清洗液中大量存在的-OH 发生如下反响:Si+4OH-→(SiO4)4+2H2-0.3,但是继续测量, pH值将保持在必然程度11. 5-1 2 摆布不再继续下降,这是因为上步反响生成的 (SiO4)4是不不变的, 它在水溶液中继续和水发生如下反响(SiO4)4+ 4H20→Si(OH)4 + 4OH-在式(1)中消耗的OH-得到补充,在反响达到平衡后, OH-底子保持不变,如此清洗液的pH值可以保持在必然范围而不持续下降, 能够获得不变的清洗效果.4.外表沾污的来源Si 片内部的原子摆列整齐有序,每个 Si原子的4个价电子与周围原子的价电子结合构成共价键布局。
但是颠末切割工序后, Si 片外表垂直切片标的目的的共价键遭到破坏而成为悬空键，这种不饱和键处于不不变状态, 具有可以俘获电子或其他原子的能力, 以减低外表能, 达到不变状态。
Q/GCL-CZWF 常州协鑫光伏科技有限公司企业标准Q/GCL-CZWF 40439—2010 硅片预清洗生产作业指导书2010-5-17发布 2010-5-17实施常州协鑫光伏科技有限公司发布Q/GCL-CZWF 40439-2010受控状态：受控目录1范围.............................................................................................................................................. - 1 -2 引用标准...................................................................................................................................... - 1 -3 定义............................................................................................................................................ - 1 -4 工作职责.................................................................................................................................... - 1 -5 操作程序.................................................................................................................................... - 2 -6 其它事项.................................................................................................................................... - 4 -7 检查与考核................................................................................................................................ - 4 -8 表格与记录.................................................................................................................................. - 4 -9 附录............................................................................................................................................ - 4 -附加说明............................................................................................................ 错误！未定义书签。
硅芯片清洗工艺由于新切片的硅片还有微粒、金属、有机物、自然氧化物等。
会直接影响产品的功能。
必须进行有效的清洗。
采用化学（清洗剂主要成分:酸、碱(氢氧化钠\氢氧化钾)、表面活性剂、螯合剂、有机溶剂、去离子水等）并结合物理等方法。
清洗流程：预清洗→脱胶→超声波清洗→有机溶剂清洗→去离子水循环清洗→SPM清洗→去离子水循环清洗→DHF清洗→去离子水循环清洗→APM清洗→去离子水循环清洗→HPM 清洗→去离子水循环清洗→烘干1.预清洗：预清洗保证硅片清洗的洁净度,在脱胶前的喷淋冲洗时间最好30min以上2.脱胶：分为手动脱胶和全自动脱胶，温度在55-70℃，可以清水脱胶、乳酸脱胶、柠檬酸脱胶。
脱胶注意事项:脱胶过程保证硅片表面不能干燥,防止砂浆干在表面,影响硅片表面的清洗.脱胶温度不能过高,防止硅片表面氧化。
3. 超声波清洗：超声波清洗机原理主要是通过换能器，将功率超声频源的声能转换成机械振动，通过清洗槽壁将超声波辐射到槽子中的清洗液。
由于受到超声波的辐射，使槽内液体中的微气泡能够在声波的作用下从而保持振动。
破坏污物与清洗件表面的吸附，引起污物层的疲劳破坏而被驳离，气体型气泡的振动对固体表面进行擦洗。
清洗槽温度40-55 清洗时间4-6min 清洗剂更换周期:清洗8000片左右。
4.有机溶剂清洗：根据相似相容用丙酮等有机溶剂清洗10min。
除去有机污染物。
然后去离子水循环冲洗。
5.SPM清洗：H2SO4 : H2O2为4:1，90℃15min。
SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O。
用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
然后去离子水循环冲洗。
6.DHF清洗：DHF浓度为0.5％-2％,30sec。
可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。
标准清洗流程1．标准硅片清洗流程：（1）丙酮溶液超声3－5分钟，无水乙醇超声3－5分钟，前后反复两遍，后用热、冷去离子水冲洗；（2）用HF溶液（HF:H2O）泡30秒，冲去离子水15分钟；（3）用I号洗液(NH4OH:H22:H20),先把去离子水加热至85°C，倒入NH4OH和H22，放入晶片，在烧杯中煮15分钟，后用去离子水冲6－7遍；（4）用稀释HF溶液（HF:H2O）泡30秒，冲热去离子水15分钟；（5）用II号洗液(HCl:H202:H20),先把去离子水加热至85°C，倒入HCl和H22，放入晶片，在烧杯中煮15分钟，后冲热去离子水15分钟，冲冷去离子水5分钟；（6）吹干后，烘干备用。
2．标准玻璃片清洗流程：（1）用有机混合溶液（丙酮：无水乙醇）浸泡抛光片，浸泡时间6小时以上；（2）抛光片在此有机混合溶液中超声10分钟；（3）丙酮溶液超声10分钟，无水乙醇超声10分钟，后用热、冷去离子水冲洗；（4）吹干后烘干；（5）浸泡在混合溶液(K2CrO7:H2SO4:H2O)16小时以上，后冲热去离子水15分钟，冲冷去离子水5分钟；（6）吹干后，烘干备用。
3．标准石英片清洗流程：（1）用有机混合溶液（丙酮：无水乙醇）浸泡抛光片，浸泡时间6小时以上；（2）抛光片在此有机混合溶液中超声10分钟；（3）丙酮溶液超声10分钟，无水乙醇超声10分钟，后用热、冷去离子水冲洗；（4）吹干后烘干；（5）浸泡在混合溶液(K2CrO7:H2SO4:H2O)16小时以上，后冲热去离子水15分钟，冲冷去离子水5分钟；（6）吹干后，烘干备用。
4．氧化进炉前硅片的清洗：（1）丙酮溶液超声3－5分钟，无水乙醇超声超声3－5分钟，前后反复两遍，后用热、冷去离子水冲洗；（2）用III号洗液(H2SO4：H22),先加入H22，后缓慢倒入浓H2SO4，反应温度在120°C左右，在烧杯中煮20分钟，后用去离子水冲6－7遍；（3）用稀释HF溶液（HF:H2O）泡30秒，冲热去离子水15分钟；（4）用II号洗液(HCl:H202:H20),先把去离子水加热至85°C，然后倒入HCL和H 202，放入晶片，在烧杯中煮15分钟，后冲热去离子水15分钟，冲冷去离子水5分钟；（5）吹干后，烘干备用。
