下载文档原格式
维修电工考试模拟题（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.电容器组禁止带电荷合闸，电容器再次合闸时，必须断开 5 min 后再进行操作。
A、正确B、错误正确答案：A2.对不同机型的计算机，针对同一问题编写的汇编语言程序，均可相互通用。
()A、正确B、错误正确答案：B3.直流电机电枢对地短路，一种是电枢绕组对地短路；另一种是换向器对地短路。
()A、正确B、错误正确答案：A4.电阻器与变阻器的选择参数主要是额定电阻值，与工作制无关。
()A、正确B、错误正确答案：B5.造成接触器触点熔焊的原因有三个：(1)选用规格不当；(2)操作频率过高；(3)触头弹簧损坏，初压力减小，触头吸合过程中产生振动。
()A、正确B、错误正确答案：A6.热稳定电流是指互感器在 1 s内承受短路电流的热作用而无损伤的一次电流有效值。
A、正确B、错误正确答案：A7.步进电动机的误差不会积累。
()A、正确B、错误正确答案：A8.若扰动产生在系统内部，则叫内扰动。
若扰动来自系统外部，则叫外扰动。
扰动都对系统的输出量产生影响。
()A、正确B、错误正确答案：A9.从空载到满载，变压器的磁滞损耗和涡流损耗是基本不变的。
()A、正确B、错误正确答案：A10."常用的接地摇表有国产ZC -8型、ZC - 29型、ZC - 34 A型等，它们的基本原A、正确B、错误正确答案：A11.穿透电流Iceo是晶体三极管的主要参数之一，其定义为：基极短路时，集电极和发射极之间的反向电流。
()A、正确B、错误正确答案：B12.直流耐压试验是考验被试品绝缘承受各种过电压能力的有效方法，对保证设备安全运行有重要意义。
()A、正确B、错误正确答案：B13.当直流发电机的负载电流不变时，表示其端电压与励磁电流之间变化关系的曲线称为外特性曲线。
()A、正确B、错误正确答案：B14.绕线转子异步电动机在转子电路中串接电阻或频敏变阻器，用以限制启动电流，同时也限制了启动转矩。
静电感应晶体管静电感应器件自从七十年代产生以来，由于它自身特有的优势，在八十年代取得了迅速的发展。
在这期间出现了许多形形色色的静电感应器件，其中就有静电感应晶体管（SIT）、双极型静电感应晶体管（BSIT）、静电感应晶闸管（SITH）这三种比较有价值的器件，这类器件均具有噪声低，线性度好，失真小等优点，现已广泛应用于电子行业。
2.1 静电感应晶体管的基本类型由于SIT、BSIT、SITH是静电感应器件中有代表性的三种器件，在此对它们作以简单介绍。
1、静电感应晶体管（SIT）SIT作为唯一一种具有类三极管特性的半导体器件，一般为常开型器件。
主要有以下特点[4]：（1）是单极性器件，所以工作速度比较快；（2）栅极是利用pn结的反偏控制，沟道中没有来自栅极的少子注入，器件的高速开关特性优异；（3）器件是垂直沟道，相比于场效应晶体管，沟道更短更窄；（4）电压控制型器件，驱动功率小；（5）栅电阻小，高频信号损失小，因此高频特性优异；（6）无电流集中，所以耐击穿强度比较高。
2、双极型静电感应晶体管（BSIT）与SIT不同，BSIT工作在正栅压下，具有饱和类五极管特性，一般是常关型器件，与其他功率器件相比，具有以下优点[4]：（1） BSIT是多子导电器件，相比于双极型器件，稳定性更好；（2）与MOSFET相比，通态电阻较低；（3）与IGBT相比，稳定性好，工艺简单，关断时间短；（4）与GTO相比，关断时间短。
另外，BSIT在很宽的电流范围内都具有很高的电流放大倍数，能实现对大功率电路的控制。
3、静电感应晶闸管（SITH）与SIT和BSIT不同，SITH有常开型和常关型两种类型，它的结构相当于在SIT的阳极串联了一个二极管。
主要有以下特点[4]：（1）栅极也是应用pn结反偏控制的，所以器件的开关速度比较高；（2）导通沟道大部分为耗尽区占据，正向导通压降低；（3）电流电压容量大，阻断增益高，工作频率高。
2.2 静电感应晶体管的基本结构根据静电感应晶体管栅体结构、分布和制造工艺的不同，静电感应晶体管的基本结构可分为：埋栅型、表面栅型、复合栅型、介质盖栅型、槽栅型和双栅型结构等。
MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
工控常用英文缩写AC(alternating current) 交流(电)A／D(analog to digital) 模拟／数字转换ADC(analog to digital convertor) 模拟／数字转换器ADM(adaptive delta modulation) 自适应增量调制ADPCM(adaptive differential pulse code modulation) 自适应差分脉冲编码调制ALU(arithmetic logic unit) 算术逻辑单元ASCII(American standard code for information interchange) 美国信息交换标准码A V(audio visual) 声视，视听BCD(binary coded decimal) 二进制编码的十进制数BCR(bi-directional controlled rectifier)双向晶闸管BCR(buffer courtier reset) 缓冲计数器BZ(buzzer) 蜂鸣器，蜂音器C(capacitance，capacitor) 电容量，电容器CA TV(cable television) 电缆电视CCD(charge-coupled device) 电荷耦合器件CCTV(closed-circuit television) 闭路电视CMOS(complementary) 互补MOSCPU(central processing unit)中央处理单元CS(control signal) 控制信号D(diode) 二极管DAST(direct analog store technology) 直接模拟存储技术DC(direct current) 直流DIP(dual in-line package) 双列直插封装DP(dial pulse) 拨号脉冲DRAM(dynamic random access memory) 动态随机存储器DTL(diode-transistor logic) 二极管晶体管逻辑DUT(device under test) 被测器件DVM(digital voltmeter) 数字电压表ECG(electrocardiograph) 心电图ECL(emitter coupled logic) 射极耦合逻辑EDI(electronic data interchange) 电子数据交换EIA(Electronic Industries Association) 电子工业联合会EOC(end of conversion) 转换结束EPROM(erasable programmable read only memory) 可擦可编程只读存储器EEPROM(electrically EPROM) 电可擦可编程只读存储器ESD(electro-static discharge) 静电放电FET(field-effect transistor) 场效应晶体管FS(full scale) 满量程F／V(frequency to voltage convertor) 频率／电压转换FM(frequency modulation) 调频FSK(frequency shift keying) 频移键控FSM(field strength meter) 场强计FST(fast switching shyster) 快速晶闸管FT(fixed time) 固定时间FU(fuse unit) 保险丝装置FWD(forward) 正向的GAL(generic array logic) 通用阵列逻辑GND(ground) 接地，地线GTO(Sate turn off thruster) 门极可关断晶体管HART(highway addressable remote transducer) 可寻址远程传感器数据公路HCMOS(high density COMS) 高密度互补金属氧化物半导体(器件)HF(high frequency) 高频HTL(high threshold logic) 高阈值逻辑电路HTS(heat temperature sensor) 热温度传感器IC(integrated circuit) 集成电路ID(international data) 国际数据IGBT(insulated gate bipolar transistor) 绝缘栅双极型晶体管IGFET(insulated gate field effect transistor) 绝缘栅场效应晶体管I／O(input／output) 输入／输出I／V(current to voltage convertor) 电流-电压变换器IPM(incidental phase modulation) 附带的相位调制IPM(intelligent power module) 智能功率模块IR(infrared radiation) 红外辐射IRQ(interrupt request) 中断请求JFET(junction field effect transistor) 结型场效应晶体管LAS(light activated switch)光敏开关LASCS(light activated silicon controlled switch) 光控可控硅开关LCD(liquid crystal display) 液晶显示器LDR(light dependent resistor) 光敏电阻LED(light emitting diode) 发光二极管LRC(longitudinal redundancy check) 纵向冗余(码)校验LSB(least significant bit) 最低有效位LSI(1arge scale integration) 大规模集成电路M(motor) 电动机MCT(MOS controlled gyrator) 场控晶闸管MIC(microphone) 话筒，微音器，麦克风min(minute) 分MOS(metal oxide semiconductor)金属氧化物半导体MOSFET(metal oxide semiconductor FET) 金属氧化物半导体场效应晶体管N(negative) 负NMOS(N-channel metal oxide semiconductor FET) N沟道MOSFETNTC(negative temperature coefficient) 负温度系数OC(over current) 过电流OCB(overload circuit breaker) 过载断路器OCS(optical communication system) 光通讯系统OR(type of logic circuit) 或逻辑电路OV(over voltage) 过电压P(pressure) 压力FAM(pulse amplitude modulation) 脉冲幅度调制PC(pulse code) 脉冲码PCM(pulse code modulation) 脉冲编码调制PDM(pulse duration modulation) 脉冲宽度调制PF(power factor) 功率因数PFM(pulse frequency modulation) 脉冲频率调制PG(pulse generator) 脉冲发生器PGM(programmable) 编程信号PI(proportional-integral(controller)) 比例积分(控制器)PID(proportional-integral-differential(controller))比例积分微分(控制器) PIN(positive intrinsic-negative) 光电二极管PIO(parallel input output) 并行输入输出PLD(phase-locked detector) 同相检波PLD(phase-locked discriminator) 锁相解调器PLL(phase-locked loop) 锁相环路PMOS(P-channel metal oxide semiconductor FET) P沟道MOSFETP-P(peak-to-peak) 峰--峰PPM(pulse phase modulation) 脉冲相位洲制PRD(piezoelectric radiation detector) 热电辐射控测器PROM(programmable read only memory) 可编只读程存储器PRT(platinum resistance thermometer) 铂电阻温度计PRT(pulse recurrent time) 脉冲周期时间PUT(programmable unijunction transistor) 可编程单结晶体管PWM(pulse width modulation) 脉宽调制R(resistance，resistor) 电阻，电阻器RAM(random access memory) 随机存储器RCT(reverse conducting thyristor) 逆导晶闸管REF(reference) 参考，基准REV(reverse) 反转R/F(radio frequency) 射频RGB(red／green／blue) 红绿蓝ROM(read only memory) 只读存储器RP(resistance potentiometer) 电位器RST(reset) 复位信号RT(resistor with inherent variability dependent) 热敏电阻RTD(resistance temperature detector) 电阻温度传感器RTL(resistor transistor logic) 电阻晶体管逻辑(电路)RV(resistor with inherent variability dependent on the voltage) 压敏电阻器SA(switching assembly) 开关组件SBS(silicon bi-directional switch) 硅双向开关，双向硅开关SCR(silicon controlled rectifier) 可控硅整流器SCS(safety control switch) 安全控制开关SCS(silicon controlled switch) 可控硅开关SCS(speed control system) 速度控制系统SCS(supply control system) 电源控制系统SG(spark gap) 放电器SIT(static induction transformer) 静电感应晶体管SITH(static induction thyristor) 静电感应晶闸管SP(shift pulse) 移位脉冲SPI(serial peripheral interface) 串行外围接口SR(sample realy，saturable reactor) 取样继电器，饱和电抗器SR(silicon rectifier) 硅整流器SRAM(static random access memory) 静态随机存储器SSR(solid-state relay) 固体继电器SSR(switching select repeater) 中断器开关选择器SSS(silicon symmetrical switch) 硅对称开关，双向可控硅SSW(synchro-switch) 同步开关ST(start) 启动ST(starter) 启动器STB(strobe) 闸门，选通脉冲T(transistor) 晶体管，晶闸管TACH(tachometer) 转速计，转速表TP(temperature probe) 温度传感器TRIAC(triodes AC switch) 三极管交流开关TTL(transistor-transistor logic) 晶体管一晶体管逻辑TV(television) 电视UART(universal asynchronous receiver transmitter) 通用异步收发器VCO(voltage controlled oscillator) 压控振荡器VD(video decoders) 视频译码器VDR(voltage dependent resistor) 压敏电阻VF(video frequency) 视频V／F(voltage-to-frequency) 电压／频率转换V／I(voltage to current convertor) 电压-电流变换器VM(voltmeter) 电压表VS(vacuum switch) 电子开关VT(visual telephone) 电视电话VT(video terminal) 视频终端pH计pH meterX射线衍射仪X-ray diffractometerX射线荧光光谱仪X-ray fluorescence spectrometer力测量仪表force measuring instrument孔板orifice plate文丘里管venturi tube水表water meter加速度仪accelerometer可编程序控制器programmable controller平衡机balancing machine皮托管Pitot tube皮带秤belt weigher光线示波器light beam oscillograph光学高温计optical pyrometer光学显微镜optical microscope光谱仪器optical spectrum instrument吊车秤crane weigher地中衡platform weigher字符图形显示器character and graphic display位移测量仪表displacement measuring instrument巡?检测装置data logger波纹管bellows长度测量工具dimensional measuring instrument长度传感器linear transducer厚度计thickness gauge差热分析仪differential thermal analyzer扇形磁场质谱计sector magnetic field mass spectrometer 料斗秤hopper weigher核磁共振波谱仪nuclear magnetic resonance spectrometer 气相色谱仪gas chromatograph浮球调节阀float adjusting valve真空计vacuum gauge动圈仪表moving-coil instrument基地式调节仪表local-mounted controller密度计densitometer液位计liquid level meter组装式仪表package system减压阀pressure reducing valve测功器dynamometer紫外和可见光分光光度计ultraviolet-visible spectrometer 顺序控制器sequence controller微处理器microprocessor温度调节仪表temperature controller煤气表gas meter节流阀throttle valve电子自动平衡仪表electronic self-balance instrument电子秤electronic weigher电子微探针electron microprobe电子显微镜electron microscope弹簧管bourdon tube数字式显示仪表digital display instrument热流计heat-flow meter热量计heat flux meter热电阻resistance temperature热电偶thermocouple膜片和膜盒diaphragm and diaphragm capsule 调节阀regulating valve噪声计noise meter应变仪strain measuring instrument湿度计hygrometer声级计sound lever meter黏度计viscosimeter转矩测量仪表torque measuring instrument转速测量仪表tachometer露点仪dew-point meter变送器transmitter。
什么是功率MOSFET？我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。
此外，二极管作为开关取决于信号流的方向；我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号。
对于诸如“流控制”或可编程开关之类的应用，我们需要一种三端器件和双极型三极管。
我们都听说过Bardeen & Brattain，是他们偶然之间发明了三极管，就像许多其它伟大的发现一样。
结构上，它由两个背靠背的结实现(这不是一笔大交易，早在Bardeen之前，我们可能就是采用相同的结构实现了共阴极)，但是，在功能上它是完全不同的器件，就像一个控制发射极电流流动的“龙头”—操作龙头的“手”就是基极电流。
双极型三极管因此就是电流受控的器件。
场效应三极管(FET)尽管结构上不同，但是，提供相同的“龙头”功能。
差异在于：FET是电压受控器件；你不需要基极电流，而是要用电压实施电流控制。
双极型三极管诞生于1947年，不久之后一对杰出的父子Shockley和Pearson就发明了(至少是概念)FET。
为了与较早出现的双极型“孪生兄弟”相区别，FET 的三个电极分别被称为漏极、栅极和源极，对应的三极管的三个电极分别是集电极、基极和发射极。
FET 有两个主要变种，它们针对不同类型的应用做了最优化。
JFET(结型FET)被用于小信号处理，而MOSFET(金属氧化物半导体FET)主要被用于线性或开关电源应用。
他们为什么要发明功率MOSFET？当把双极型三极管按照比例提高到功率应用的时候，它显露出一些恼人的局限性。
确实，你仍然可以在洗衣机、空调机和电冰箱中找到它们的踪影，但是，对我们这些能够忍受一定程度的家用电器低效能的一般消费者来说，这些应用都是低功率应用。
在一些UPS、电机控制或焊接机器人中仍然采用双极型三极管，但是，它们的用途实际上被限制到小于10KHz的应用，并且在整体效率成为关键参数的技术前沿应用中，它们正加速退出。
《电力电子技术》机械工业出版社命题人马宏松第一章功率二极管和晶闸管知识点：●功率二极管的符号，特性，参数●晶闸管的符号、特性、参数、工作原理●双向晶闸管的符号、特性、参数、工作原理●可关断晶闸管的符号、特性、参数、工作原理一、填空题1、自从_1956__ __ 年美国研制出第一只晶闸管。
2、晶闸管具有体积小、重量轻、损耗小、控制特性好等特点。
3、晶闸管的三个极分别为阳极、阴极、门极。
4、晶闸管导通的条件：在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，同时在它的阴极和门极间也加正向电压，两者缺一不可。
5、晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用。
6、晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。
7、双向晶闸管的四种触发方式：I+ 触发方式 I-触发方式Ⅲ+触发方式Ⅲ-触发方式。
8、GTO的开通时间由延迟时间和上升时间组成。
9、GTO的关断时间由存储时间、下降时间、和尾部时间。
10、功率二极管的导通条件：加正向电压导通，加反向电压截止。
11、对同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L在数值大小上有I L___>_____I H。
12、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM__<______U BO13、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A极阴极K 极和门极G极。
14、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
15、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
16、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压700V。
17、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
18、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
二、判断题1、第一只晶闸管是1960年诞生的。
（错）2、1957年至1980年称为现代电力电子技术阶段。
