5.电压传输特性

电子技术试题答案一填空1．三端集成稳压器7915的输出电压为 -15V 伏。

2．在反馈电路中，根据反馈极性不同分 正反馈 和 负反馈 。

3．半导体三极管从结构来看，可分为 PNP 和 NPN 两种。

4．常用的稳压电路有4种，它们是 直流稳压电路 、 稳压管稳压电路 、 串联型稳压电路 和 开关型稳压电路 。

5．小功率晶体管rbe 的近似公式为rbe=Tbe bb CQU r r I β=+‘（1+）。

6．在负反馈放大电路中，想稳定输出电压，应引入 电压 负反馈；想稳定输出电流，应引入 电流 负反馈；想提高输入电阻，应引入 串联 负反馈；想减小输入电阻，应引入 并联 负反馈；7．P 型半导体是在本征半导体中加入 三 价元素而形成的，其中多数载流子是 空穴 ，它的浓度取决于 掺入杂质 的浓度。

8．三极管作为放大器件使用时，必须满足的基本条件是发射结 正向 偏置，集电极 反向 偏置。

9．基本放大电路的三种组态是共射、共集、共基。

10．共发射极放大电路中，输出信号与输入信号相位相反，共集电极放大电路中，输出信号与输入信号相位相同。

11．功率放大器的基本要求是 输出电压稳定 、 输出足够功率 、 效率高 。

12．多级直接耦合放大器需要解决的主要问题是零点漂移问题。

13．在乙类功率放大电路中，放大管的导通角为180。

14．N 型半导体是在本征半导体中加入 五 价元素而形成的，其中多数载流子是自由电子，它的浓度取决于 掺入杂质 的浓度。

15．PN 结的基本特性是单向导电性。

16．正弦振荡器由放大电路、选频网络、正反馈网络、稳幅环节等环节组成。

17．三端集成稳压器7809的输出电压为 +9V 伏。

二单选1． 运放电路如右图，其门限电压为（ D ）。

A ．-4VB ．-1/4VC ． 1/4VD ．4V 2． 当温度升高时，三极管的反向饱和电流（ A ）。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．增大减少不能确定3．三极管三个管脚的电压分别为+3V 、+9V 、+3.2V ，则三极管的类型为（ A ）。

中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。

在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。

2。

晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。

3.硅稳压管的工作为 _ 区。

4。

为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。

5。

已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。

6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。

9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。

10。

为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。

11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。

12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。

13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。

在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。

直流电源由、、和四部分组成。

17。

串联型稳压电路由、、和四部分组成。

18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。

19。

NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。

20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。

21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。

22。

存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。

24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。

25。

某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。

26。

将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。

第二章逻辑门电路第一节重点与难点一、重点:1．TTL与非门外特性（1）电压传输特性及输入噪声容限：由电压传输特性曲线可以得出与非门的输出信号随输入信号的变化情况,同时还可以得出反映与非门抗干扰能力的参数U on、U off、U NH和U NL。

开门电平U ON是保证输出电平为最高低电平时输入高电平的最小值。

关门电平U OFF是保证输出电平为最小高电平时,所允许的输入低电平的最大值。

（2）输入特性:描述与非门对信号源的负载效应。

根据输入端电平的高低，与非门呈现出不同的负载效应，当输入端为低电平U IL时,与非门对信号源是灌电流负载，输入低电平电流I IL通常为1~1.4mA.当输入端为高电平U IH时，与非门对信号源呈现拉电流负载，输入高电平电流I IH通常小于50μA。

（3）输入负载特性:实际应用中，往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况,电阻的取值不同,将影响相应输入端的电平取值。

当R≤关门电阻R OFF时,相应的输入端相当于输入低电平；当R≥ 开门电阻R ON时，相应的输入端相当于输入高电平。

2．其它类型的TTL门电路（1)集电极开路与非门（OC门）多个TTL与非门输出端不能直接并联使用,实现线与功能.而集电极开路与非门（OC门）输出端可以直接相连,实现线与的功能，它与普通的TTL与非门的差别在于用外接电阻代替复合管.(2）三态门TSL三态门即保持推拉式输出级的优点，又能实现线与功能。

它的输出除了具有一般与非门的两种状态外，还具有高输出阻抗的第三个状态，称为高阻态，又称禁止态.处于何种状态由使能端控制.3．CMOS逻辑门电路CMOS反相器和CMOS传输门是CMOS逻辑门电路的最基本单元电路，由此可以构成各种CMOS逻辑电路。

当CMOS反相器处于稳态时，无论输出高电平还是低电平，两管中总有一管导通，一管截止，电源仅向反相器提供nA级电流，功耗非常小。

CMOS器件门限电平U TH近似等于1/2U DD，可获得最大限度的输入端噪声容限U NH和U NL=1/2U DD。

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。

3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。

二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 型锗管型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。

实验十四TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试大学通信工程系林XX一.实验目的：1、掌握TTL、CMOS与非门参数的测量方法；2、掌握TTL、CMOS与非门逻辑特性的测量方法；3、掌握TTL与CMOS门电路接口设计方法。

二.实验原理：(一)TTL门电路：TTL门电路是标准的集成数字电路，其输入、输出端均采用双极型三极管结构：凡是TTL器件特性均与TTL门电路具有相同特性，故需了解TTL门电路的主要参数。

7400是TTL型中速二输入端四与非门。

图1是它的部电路原理图和管脚排列图。

1、TTL与非门的主要参数：（1）输入短路电流：I IS：与非门某输入端接地时，该输入端接入地的电流。

（2）输入高电平电流I IH：与非门某输入端接V CC（5V），其他输入端悬空或接V CC时，流入该输入端的电流。

TTL与非门特性如图2所示：（3）开门电平V ON:使输出端维持低电平V OL所需的最小输入高电平，通常以V O=0.4V时的Vi定义。

（4）关门电平V OFF：使输出端保持高电平V OH所允许的最大输入低电平，通常以Vo=0.9V OH时的Vi定义。

阀值电平V T:V T=(V OFF+V ON)/2（5）开门电阻R ON：某输入端对地接入电阻（其他悬空），使输出端维持低电平（通常以V O=0.4V）所需的最小电阻值。

（6）关门电阻R OFF：某输入端对地接入电阻（其他悬空），使输出端保持高电平V OH（通常以V O=0.9V OH 所允许的最大电阻值）。

TTL与非门输入端的电阻负载特性曲线如图3所示。

（7）输出低电平负载电流I OL：输出保持低电平V O=0.4V时允许的最大灌流（如图4）；（8）输出高电平负载电流I OH：输出保持高电平V O=0.9V OH时允许的最大拉流；（9）平均传输延迟时间tpd：○1开通延迟时间t OFF：输入正跳变上升到1.5V相对输出负跳变下降到1.5V的时间间隔；○2关闭延迟时间t ON：输入负跳变上升到1.5V相对输出正跳变下降到1.5V的时间间隔；○3平均传输延迟时间：开通延迟时间与关闭延迟时间的算术平均值。

第二章 逻辑门电路集成逻辑门电路是组成各种数字电路的基本单元。

通过本章的学习，要求读者了解集成逻辑门的基本结构，理解各种集成逻辑门电路的工作原理，掌握集成逻辑门的外部特性及主要参数，掌握不同逻辑门之间的接口电路，以便于正确使用逻辑门电路。

第一节 基本知识、重点与难点一、基本知识（一） TTL 与非门 1．结构特点TTL 与非门电路结构，由输入极、中间极和输出级三部分组成。

输入级采用多发射极晶体管，实现对输入信号的与的逻辑功能。

输出级采用推拉式输出结构（也称图腾柱结构），具有较强的负载能力。

2．TTL 与非门的电路特性及主要参数 （1）电压传输特性与非门电压传输特性是指TTL 与非门输出电压U O 与输入电压U I 之间的关系曲线，即U O=f （U I ）。

（2）输入特性当输入端为低电平U IL 时，与非门对信号源呈现灌电流负载，1ILbe1CC IL R U U U I −−−=称为输入低电平电流，通常I IL ＝-1～1.4mA 。

当输入端为高电平U IH 时，与非门对信号源呈现拉电流负载，通常I IH ≤50μA 称为输入高电平电流。

（3）输入负载特性实际应用中，往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况。

若U i ≤U OFF ，则电阻的接入相当于该输入端输入低电平，此时的电阻称为关门电阻，记为R OFF 。

若U i ≥U ON ，则电阻的接入相当于该输入端输入高电平，此时的电阻称为开门电阻，记为R ON 。

通常R OFF ≤0.7K Ω，R ON ≥2K Ω。

（4）输出特性反映与非门带载能力的一个重要参数--扇出系数N O 是指在灌电流（输出低电平）状态下驱动同类门的个数IL OLmax O /I I N =其中OLmax I 为最大允许灌电流，I IL 是一个负载门灌入本级的电流（≈1.4mA ）。

N O 越大，说明门的负载能力越强。

（5）传输延迟时间传输延迟时间表明与非门开关速度的重要参数。

通达13级期末模电填空题选择题整理一、填空题整理1.半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2.利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。

3.在本征半导体中加入 5价元素可形成N型半导体，加入3价—元素可形成P型半导体。

N型半导体中的多子是自由电子；P型半导体中的多子是―空穴。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5.通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为0,反向电阻为（你猜），这两种状态相当于一个______ 开关。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.1.压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

8.2.极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10.晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降UCE不变，基极电流为20R A时，集电极电流等于2mA,则§=__100__。

12.场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N 沟道和P沟道两种。

13.晶体管工作在放大区时，具有发射结正偏、集电结反偏的特点。

14.晶体管工作在饱和区时，具有发射结正偏、集电结正偏的特点。

15.饱和失真和截止失真属于非线性失真，频率失真属于线性失真。

16.共集电极放大器又叫射极输出器，它的特点是：输入电阻高（高、低）；输出电阻低（高、低）；电压放大倍数约为 J。

17.多级放大器由输入级、中间级__________ 和输出级组成；其耦合方式有—阻容耦合和直接耦合、变压器耦合三种；集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。