半导体快速热处理温度范围
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金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W 塞(WPLUG)钝化层(PaSSiVaIion)acceptor受主,如B,掺入Si中需要接受电子Acid:酸actuator 激励ADI After develop inspection 显影后检视AEI After etching inspection 蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key):对位标记Alignment排成一直线,对平Alloy:合金Aluminum:铝Ammonia:氨水Ammonium fluoride: NHFAmmonium hydroxide: NHOHAmorphous silicon:α -Si,非晶硅(不是多晶硅) amplifier放大器AMU原子质量数Anak>g:模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom: A (E-m)埃AniSOtrOPiC:各向异性(如PoLYETCH) Antimony(Sb)Warc chamber 起弧室ARC: anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)MArsenic Eoxide(AsO)三氧化二珅Arsenic(As)WArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD: critical dimension关键性尺寸,临界尺寸Chamber反应室Chart图表Child lot 子批chiller制冷机Chip (die)晶粒Chip:碎片或芯片。
clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布,光阻覆盖Computer-aided design (CAD):计算机辅助设计。
Contact Hole 接触窗Control Wafer 控片Correlation:相关性。
sic mos管正常工作温度
SIC MOS管是一种基于碳化硅材料的金属氧化物半导体场效应晶体管。
它具有高电压和高温特性,通常被用于高温、高频和高压的应用环境。
关于SIC MOS管的正常工作温度,需要考虑到其材料和结构特性。
首先,SIC MOS管的碳化硅材料具有优异的热导性和耐高温特性,一般来说,SIC MOS管的正常工作温度范围可以达到150摄氏度至250摄氏度。
这个温度范围可以满足许多高温环境下的应用需求。
其次,SIC MOS管的工作温度还取决于具体的器件设计和制造工艺。
不同厂家生产的SIC MOS管可能具有不同的工作温度规格,因此在实际应用中需要参考厂家提供的规格书来确定具体的工作温度范围。
此外,SIC MOS管在高温下的性能表现也会受到温度的影响,包括导通特性、损耗特性、绝缘特性等。
因此,在选择和应用SIC MOS管时,需要充分考虑其在高温环境下的工作特性,以确保其稳定可靠地工作。
总的来说,SIC MOS管的正常工作温度一般在150摄氏度至250摄氏度之间,但具体的工作温度范围还需要根据器件的设计和制造工艺来确定,同时在实际应用中需要综合考虑其在高温环境下的性能表现。
半导体热处理工艺
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半导体热处理工艺:
①预热阶段:首先将半导体晶片缓慢加热至目标温度以下,以减少热冲击,防止损伤晶片。
②退火处理:将晶片加热至特定高温并维持一段时间,促使晶格缺陷修复,激活掺杂杂质,改善电学性能。
常用退火方式包括批量式炉退火、快速热退火(RTA)及激光退火,其中RTA仅需约10秒,而激光退火针对表面区域,更快速精确。
③冷却过程:完成退火后,晶片需被缓慢冷却,控制降温速率,避免产生新的内应力或损坏结构。
④合金化处理:特定情况下,热处理用于促进形成金属硅化物层,增强电极接触,提高器件性能。
⑤氧化处理:通过热氧化形成高质量的二氧化硅(SiO2)层,作为绝缘栅或保护层,控制气氛和温度确保良好介电性能。
整个热处理工艺通过精确控制温度、时间和气氛条件,对半导体材料的电学特性和晶体结构进行优化,是半导体制造中不可或缺的关键步骤。
二氧化硅退火
1. 退火原理
退火过程中,二氧化硅中的非晶态结构会向更稳定的形态转变,从而降低内部应力和缺陷。
同时,退火也能改变二氧化硅的折射率、密度和化学组成等性质。
2. 退火工艺
常见的退火工艺包括常规退火、快速热处理和离子注入退火等。
温度范围通常在800-1200°C,时间从几分钟到几小时不等。
退火气氛可选用惰性气体(氮气或氩气)或氧化性气体(氧气)。
3. 应用领域
(1) 半导体制造:用于生长掺杂二氧化硅、改善栅介质、平坦化等工序。
(2) 光纤制备:提高玻璃材料的均匀性和光学性能。
(3) 光学元件:改善透镜和反射镜的质量。
(4) 微机电系统(MEMS):调控二氧化硅膜层的机械和电学性质。
4. 发展趋势
未来,二氧化硅退火工艺将朝着更精确的温度控制、更短的处理时间和更高的能源效率发展。
新型退火设备和模拟软件的应用,将进一步提高退火质量和生产效率。
二氧化硅退火是一种重要的材料加工技术,对半导体、光电子和微系
统等领域的发展具有重要意义。
第1篇一、引言多晶硅是光伏产业和半导体产业的重要原材料,广泛应用于太阳能电池、太阳能热利用、半导体器件等领域。
随着新能源产业的快速发展,对多晶硅的需求量日益增加。
本文将详细介绍多晶硅的生产工艺流程,旨在为相关企业和研究人员提供参考。
二、多晶硅生产工艺流程概述多晶硅的生产工艺流程主要包括以下几个阶段:原料处理、还原反应、熔融提纯、铸造、切割、清洗、包装等。
三、多晶硅生产工艺流程详解1. 原料处理多晶硅的生产原料主要是冶金级硅(Si),其含量在98%以上。
首先,将冶金级硅进行破碎、研磨等处理,使其达到一定的粒度要求。
2. 还原反应还原反应是多晶硅生产的关键环节,其主要目的是将冶金级硅中的杂质去除,得到高纯度的多晶硅。
还原反应分为以下几个步骤:(1)将处理后的冶金级硅加入还原炉中。
(2)在还原炉中通入还原剂,如碳、氢气等,与冶金级硅发生还原反应。
(3)在还原过程中,炉内温度保持在约1100℃左右,反应时间为几小时至几十小时。
(4)反应结束后,将还原炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
3. 熔融提纯还原反应得到的粗多晶硅中仍含有一定的杂质,需要通过熔融提纯的方法进一步去除。
熔融提纯主要包括以下几个步骤:(1)将粗多晶硅加入熔融炉中。
(2)在熔融炉中通入提纯剂,如氢气、氯气等,与粗多晶硅发生反应,生成挥发性杂质。
(3)将挥发性杂质通过炉顶排气系统排出,实现提纯。
(4)提纯结束后,将熔融炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
4. 铸造将提纯后的多晶硅熔体倒入铸造炉中,进行铸造。
铸造过程主要包括以下几个步骤:(1)将熔融的多晶硅倒入铸锭模具中。
(2)在铸锭模具中通入冷却水,使多晶硅迅速凝固。
(3)待多晶硅凝固后,将铸锭模具从熔融炉中取出,得到多晶硅铸锭。
5. 切割将多晶硅铸锭切割成所需尺寸的硅片。
切割过程主要包括以下几个步骤:(1)将多晶硅铸锭放置在切割机上。
(2)在切割机上安装切割刀片,将多晶硅铸锭切割成硅片。
图片简介:本技术介绍了一种NOR闪存及其制作方法,该闪存包括存储单元,其包括层叠的栅极结构,该结构依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅,浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角,所述浮栅边角为圆滑形貌。
该制作方法,包括在晶圆上形成存储单元的步骤,完成晶圆源极自对准刻蚀和离子注入的步骤;对晶圆进行第一次快速热处理,使存储单元的浮栅边缘形成一层二氧化硅薄膜的步骤;通过湿法刻蚀工艺去除浮栅边缘的二氧化硅薄膜的步骤;对晶圆进行第二次快速热处理,使存储单元的浮栅边角的形貌由尖锐变得圆滑,形成圆滑形貌的浮栅边角的步骤。
本技术能够改善NOR闪存的存储单元中浮栅的抗串扰性能,提高NOR闪存的可靠性。
技术要求1.一种NOR闪存,包括存储单元,其特征在于,所述存储单元包括层叠的栅极结构,所述栅极结构从下到上依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅,所述浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角,所述浮栅边角为圆滑形貌。
2.如权利要求1所述的NOR闪存,其特征在于,所述存储单元还包括形成在外延层的源极和漏极,所述源极和所述漏极分别位于所述栅极结构的各个侧面。
3.一种NOR闪存的制作方法,其特征在于,包括在晶圆上形成存储单元的浮栅和控制栅的步骤,还包括以下步骤:S100,完成晶圆源极自对准刻蚀和离子注入的步骤;S200,对晶圆进行第一次快速热处理,使存储单元的浮栅边缘形成一层二氧化硅薄膜的步骤;S300,通过湿法刻蚀工艺去除浮栅边缘的二氧化硅薄膜的步骤;S400,对晶圆进行第二次快速热处理,使存储单元的浮栅边角的形貌由尖锐变得圆滑,形成圆滑形貌的浮栅边角的步骤。
4.如权利要求3所述的NOR闪存的制作方法,其特征在于,形成在晶圆上存储单元的步骤,包括形成层叠的栅极结构的步骤,以及在所述栅极结构各个侧面的外延层形成源极和漏极的步骤。
5.如权利要求4所述的NOR闪存的制作方法,其特征在于,形成层叠的栅极结构的步骤,包括依次在衬底之上形成外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层和控制栅的步骤。
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3. Acid:酸4. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)5. Align mark(key):对位标记6. Alloy:合金7. Aluminum:铝8. Ammonia:氨水9. Ammonium fluoride:NH4F10. Ammonium hydroxide:NH4OH11. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)12. Analog:模拟的13. Angstrom:A(1E-10m)埃14. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH)15. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)16. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)17. Argon(Ar)氩18. Arsenic(As)砷19. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20. Arsine(AsH3)21. Asher:去胶机22. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)23. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)24. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)25. Baseline:标准流程26. Benchmark:基准27. Bipolar:双极28. Boat:扩散用(石英)舟29. CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。
在工艺上通常指条宽,例如POLY CD 为多晶条宽。
集成电路快速热处理
集成电路快速热处理是一种在短时间内对半导体晶片进行加热处理的方法,其设备通常采用单片热处理设备,如快速热处理(RTP)设备。
这种设备可以在短时间内将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(如200-1300℃),并且能够快速降温,升/降温度速率约为20-250℃/分钟。
RTP设备具有多种优良的工艺性能,如极佳的热预算和更好的表面均匀性,尤其适用于大尺寸的晶圆片。
此外,RTP设备还可以灵活、快速地转换和调节工艺气体,使得在单个热处理过程中可以完成多段热处理工艺。
例如,在离子注入完成后,使用RTP设备可以修复离子注入产生的损伤,激活掺杂质子并有效抑制杂质扩散。
在实际应用中,RTP系统的加热灯被固定在一个封闭的腔内,透光罩将加热灯与腔内环境和位于腔内的一个或多个晶片隔离开,并确保将灯发出的大部分辐射热能射向半导体晶片。
在灯和基片之间还设有薄的平面石英衬片,通过控制辐射热能在腔中的分布并取消了通常在现有技术的RTP系统中用于隔离灯的厚平面石英窗,从而提高了生产率和可靠性。
半导体-FAB-常用单词◎ A开头的单字◎1. Abort取消操作2. Abnormal异常3. Acetic Acid(CH3COOH)醋酸4. Acetone(CH3COCH3)丙酮5. Acid酸6. Add增加7. Adjust调整8. Air Shower 洁净走道9. Alignment对准10. Alloy合金11. Aluminum(Al)铝12. Ammonia(NH4OH)氢氧化胺(俗称:氨水)13. Analysis分析 m~H14. AR氩气15. Automation 自动化◎ B开头的单字◎1. Bake烘烤暂存3. Barcode条形码4. Batch整批5. BHLD 被工程师或客户Bank Hold 短时间内不会Run的货6. Blue Tape 蓝膜7. Boat石英晶舟8. Bottom底部9. Breakdown Voltage 击穿电压10. Broken破片;损坏11. Buffer生产暂存区12. Buffer Chemical 缓冲液◎ C开头的单字◎1. Calibration 校正;调整2. Camera照相机;摄影机3. Cancel清除4. Candela(cd)烛光5. Cart手推车6. Cassette晶舟7. Certify8. Chamber反应室9. Charge电荷10.Chipping 崩裂11. Chip Suction Pen 真空吸笔12. Chip Transfer - m(Machine) 翻转机13. Clean Bench 清洗台14. Clean Room 洁净室15.Cleaning 清洗IF16. Cleaning Sequence 清洗程序17.Clear清除18.Coat涂布19.Coater 上光阻机台20. Coating 上光阻;涂布上整个表面21. Completed 结束;完成22.Confirm 确认23.Contact 接触24. Contamination 污染25. Control Wafer(C/W)控片Controller 控制器27. Cooling Water 冷却水28. Crucible,Pot 坩埚29.Curing 烘烤30.Customer 客户31. CVD(Chemical Vapor Deposition) 化学汽相沉积32. Cycle Time 生产周期◎ D开头的单字◎1. Daily Monitor 每日检测2. Data资料;数据3. Date日期4. Defect缺点;缺陷5. Defocus散焦;无法聚焦6. Del(Delete) 清7. Delay延迟8. Department 部门9. Deposition(DEP)沉积10.Develop 显影11. Developer 显影器;显影液12. Die,Chip 晶粒(台);芯片(陆)13. DI Water 去离子水Dicing切割15.Down当机16.Drain泄出17. Dry Etching 干蚀刻18. Dry Pump 干式(无油封)的真空泵19. Dummy Wafer(D/W)挡片◎ E开头的单字◎1. E/R(Etching Rate) 蚀刻率2. Emergency Stop 紧急停止3. EMO紧急停止按钮4. Endpoint终点值5. Engineer工程师6. Epi –wafer 磊晶片(台);外延片(陆)7. Equipment 机8. Error Message 错误讯息9. Etching蚀刻10. Evaporation 蒸镀11. Exhaust 抽出;抽风管;排(废)气12. Expanding Machine 扩张机13. Exposure 曝光;曝光量◎ F开头的单字◎1. FAC厂务2. Facility 厂务水电气系统3. Film薄膜4. Focus聚焦;焦距5. Forward Current 顺向电流6. Forward Voltage(Vf)顺向电压7. FQC最终检验员8. Furnace炉管◎ G开头的单字◎1. Gallium(Ga)镓2. GOR(General Operation Rule) 厂区操作规则3. Group群组◎ H开头的单字◎1. Handle处理2. High Current 高电流3. Highlight强调4. High Vacuum 高真空5. High Voltage 高电压6. History歴史7. HMDS界面活性剂8. Hold扣留;暂停9. Hold Date 留置日期10. Hold Reason 留置原因11. Hold User 留置者12. Hot Run 很急件13. Hydrochloric Acid(HCL)盐酸14. Hydrofluoric Acid(HF)氢氟酸15. Hydrogen Peroxide(H2O2)双氧水◎ I开头的单字◎1. Idle休息2. Initial初始状态3. Inspection检验4. IPA(Isopropyl Acetone) 异丙醇5. IPQC制程检验员6. IQC进料检验员7. Item项目8. Iv Test Iv测试◎ J开头的单字◎1. Job工作2. Job – Name 程序名称代号◎ K开头的单字◎1. Key Lock 功能键;指令键2. Keyboard键盘◎ L开头的单字◎1. Leak泄漏2. LHLD 被Hold住的货(Hold在上一站)3. Light Emitting Diode(LED)发光二极体4. Link连结;线5. Lithography 微影6. Log记录7. Lost 机台是清空的,无人操作机台或机台没在Run货8. Lot批货9. Lot History Information 批货历史资料10. Lot -ID 批货编号11. Lot Information 批货信息12. Lot Note 批货批注13. Lot Note Information 批货批注信息14. Lot Owner 货主15. Lot Position 批货位置16. Lot Process Status 批货生产状态17. Lot Status 批货状态18. LPHL 被工程师Hold在当站,请依Lot Note Call工程师或执行Run Card19. Luminous Intensity(Iv)光的强度(单位:cd,mcd)◎ M开头的单字◎1. Maintain维护2. Maintenance 维修;保护3. Manufacture 制造4. Mark记号5. Mask光罩6. Merge合并7. Metal金属8. Microscope 显微镜;实体显微镜9. Misalign对偏10. Missing Lot 失踪批货11. Miss operation(MO)错误操作12.Multi多重的◎ N开头的单字◎1. Native Oxide Layer 自然氧化层2. NHLD 因下一站机台正在Run货或无法Run货而设的Hold(Hold在下一站)3. Nitric Acid(NHO3)硝酸4.Nitride氮化物5. Nitrogen(N)氮6. Normal Lot 普通货7. Notavailable 不可用的;无效的8.Notch缺角9.Nozzle喷嘴◎ O开头的单字◎1. OCAP (Out Of Control Action 异常状况处理计划Plan)2. Off-line 不与计算机联机;间接参与生产的人员3. OI(Operation Instruction) 操作准则4. On-line 与计算机联机;直接参与生产的人员5. Operation 操作6. Operation Cancel 操作中止;取消操作7. Operation Complete 操作完成8. Operation Number(.)操作步骤编号9. Operation Procedure 操作流程10. Operation Start 操作开始11. Operation Start Cancel 取消"操作开始"12. OPI(Operator Interface) 操作接口13. Optical Aligner 光对准曝光机14. OQC 出货检验员15. Out Of Control(OOC)超出控制规格16. Out Of Spec(OOS)超出规格17. Outgassing 指附着于固体表面的气体因压力降低或热量而升华18. Oven 烤箱;炉子19. Over Etching 过度蚀刻20. Over Q-Time 超过限制时间21. Owner 负责人22. Oxide 氧化物◎ P开头的单字◎1. Parameter 参数2. Part Number 型号3. Particle 微粒子4. Passivation 护层5. Password 密码6. Pattern 图案7. Pattern Shift 图案偏移8. Peeling 剥皮;剥离9. Phosphorus(P)磷10. Phosphorus Acid(H3PO4)磷酸11. Photo 黄光12. Photolithographic Patterning 微影图案13. Photo Resist(PR)光阻;光阻液14. Photo Resist Stripper 去光阻液15. Physical Vapor Deposition(PVD) 物理汽相沉积16. Piece 片数;张数17. Plasma 电浆18. PM(Preventive Maintenance) 机台定期例行保养19. PN(Production Notice) 制造通报20. PN Junction PN结21. Post Exposure Bake 曝光后烘烤22. POD 晶片专用盒(Run货専用)23.Port 港口;舱门24.Press 压;按下25. Pressure 压力26. Priority 优先次序27. Probe 探针28. Probe Area 探索区29. Probe Card 探针卡30. Process 制程31. Product 产品32. Program 程序33. Pump Down 抽真空34. Pure Water 纯水35. Purge 清除36.Push 推动◎ Q开头的单字◎1.Q-Time 限制的时数2.Quality 品质3. Quaternary Compound 四元化合物;季化合物◎ R开头的单字◎1. Range范围2. Rapid Thermal Processing(RTP) 快速高温处理3. Rate速率4. Recipe处方;程序5. Recipe ID 程序名称6. Reclaim 回收改造;外送研磨7. Record记录8. Recover排除;复原9. Recover Runcard 异常流程卡10. Recover Wafers 回收晶片11.Recycle 循环;再制造12.Reject 拒绝13.Release 释放;放行14.Reset重新启动;重设15. Resistance 电阻16.Reticle 光罩17. Reverse Current(Ir)逆向电流18.Rework 重做;重工19. RHLD 机台Alarm造成货被Hold住20.Robot机械手臂21. Rough Vacuuming 粗抽22.Route路径;途程23. Route ID 程序编号24.RS表面电阻RTA快速热处理26.Rule规则27.Run执行28. Runcard(R/C)流程卡29.Rush急件◎ S开头的单字◎1. Sapphire蓝宝石2. Scan扫描3. Scan Fail 扫描失效4. Scan Speed 扫描速度5. Scattering散射6. Scrap报废7. Scratch刮伤8. Scrubber刷洗器;清扫夫9. Search搜寻SEMI半自动11.Sensor 感应器12.Sequence 顺序13. Service 服务14.Set设定15.Shift位移;班别16. Shut Down 停机17.Sign签名18.Signal讯号19. Signal Tower 讯号灯20. Silicon(Si)矽(硅)21.Single 单一22.Size尺寸;型23.Skill24.Skip跳过;跳站25. Slot ID 晶片摆放位置26.Slurry 研磨液27. Sodium Hydroxide(NaOH)氢氧化钠28. SOLID/Solid 固体29.Solvent 溶剂;缓和剂30.Sort31.Sorter 排序机台32. SPC(Statistical Process Control) 统计制程管制33. Spec(Specification) 规格34. Spin Dryer 旋干机35.Split 分开;部份;分批36.Stage站别;层次37.Status 状态38.Step步骤39.Stress 应力Strip去除41.Substrate 基板42. Sulferic Acid(H2SO4)硫酸43.Summary 摘要44. Super Hot Run(SH)超级急件45. Supervisor 督导者(课长)46.Supplier 供货商47.Supply 供给48.Support 支援49. Surface Contamination 表面污染Switch 按钮;开关51.System 系统◎ T开头的单字◎1. Tag显示器2. Tank槽3. Tape胶带4. Target目标5. TC(Thermal Couple) 热电偶(用以量测物体温度)6. TE(Technician) 技术员7. Technology技术8. TECN(Temporary Engineer) 临时工程变更通知单(Change Notice)9. Telephone电话10. Temp(Temperature) 温度11.Terminal 终端机12.Terminate 终止13. Ternary Compound 三元化合物14.Testing 测试部门15. Thallium(Tl)鉈16. Thermionic Filament 热电子灯丝17. Thin Film(T/F)薄膜18. Thin Film Deposition 薄膜沉积19. Thickness(THK)厚度20. Thickness Uniformity 厚度的均匀度21.Throttle 节流22. Throughput 生产速度23.Tilt倾斜24.Timeout 时限已到25.标题26. Tool ID 机台编号27. Tool Name 机台名称28.Tools工具29. Track in/out 入/出帐30.Training 训练31.Transfer 晶片传送;翻转32.Transport 输送33. Tray 指High Current上放Cassette的基座(有三个)34.Trend趋势35.Trolley 推车36.Trouble 麻烦;异常;问题37. Trouble Over 故障结束38.Tune调机Tuning 调机中40. Turbo Pump 分子涡轮真空泵41. Turn Rate(T/R)晶片周转率42.Twist晶片旋转角度Type类型;型态◎ U开头的单字◎1. Ultrasonic Cleaner (Supersonic超音波清洗机cleaner)2. Underdeveloped 显影不良3. Under – Etching 蚀刻不足4. Uniformity(U%)均匀度5. Unit单位6. Unload收货7. Unlock开关放松8. Update更改9. Use使用10. User ID 使用者编号11. User Name 使用者名称◎ V开头的单字◎1. Vacuum(VAC.)真空2. Vacuum Evaporator 真空蒸镀机3. Vacuum Gauge 真空压力计4. Vacuum Pump 真空泵5. Valve阀6. Vapor蒸气7. Vender(Vendor) 厂商8. Vent泄漏9. Venting破真空10.Verify确认11. Vf Test Vf测试12. Vf Tester Vf 测试机13. View Angle 视角;发光角度(单位:deg)14. Voltage(V)电压◎ W开头的单字◎1. Wafer 晶片(台);外延片(陆)2. Wafer Actual Output 实际晶片产3. Wafer ID(#) 刻号(#)4. Wafer Out 晶片产出量5. Wafer Pcs(Pieces) 晶片片数6. Wafer Stage 晶片承载台7. Waste Chemicals Collection 废液回收箱8. WAT(Wafer Accept Test) 晶片接收侦测9. Water Mark 水痕10. Wet Etching 湿蚀刻11. Wet Etching System 湿蚀刻系统12. Wheel High Current上固定晶片旋转植入的轮盘13. White Tape 白膜14. Whole Dicing 全切15.Width宽度16. WIP Lot List 在制品的批货清单◎ X开头的单字◎1.X-rayX射线◎ Y开头的单字◎良率◎ Z开头的单字◎1.Zero零层2. Zoom(Zoom In/Zoom Out) 调整自由焦距镜头。
第四章氧化1.简述几种常用的氧化方法及其特点。
答:(1)干氧氧化在高温下,氧气与硅反应生成SiO2,其反应为干氧氧化的生成的SiO2结构致密、干燥、均匀性和重复性好,掩蔽能力强,与光刻胶粘附性好,然而干氧氧化法的生长速率慢,所以经常同湿氧氧化方法相结合生长SiO2。
(2)水汽氧化在高温下,硅与高纯水产生的蒸汽反应生成SiO2,其反应为:产生的分子沿界面或者以扩散方式通过层散离。
因为水比氧在中有更高的扩散系数和大得多的溶解度,所以水汽氧化的速率一般比较高。
(3)湿氧氧化湿氧氧化的氧化剂是通过高纯水的氧气,高纯水一般被加热到95左右。
通过高纯水的氧气携带一定水蒸气,所以湿氧氧化的氧化剂既含有氧,又含有水汽。
因此,的生长速率介于干氧和水汽氧化之间,与氧气流量、水汽的含量有着密切的关系。
(4)氢氧合成氧化采用高温合成技术进行水汽氧化,在这种氧化系统中,氧化剂是由纯氢和纯氧直接反应生成的水汽,可在很宽的范围内变化的压力。
(5)快速热氧化使用快速热氧化设备进行氧化,用于制造非常薄(<30埃)的氧化层。
2.说明的结构和性质,并简述结晶型和无定型的区别。
答:的中心是Si原子,四个顶点是O原子,顶角上的4个O原子正好与Si原子的4个价电子形成共价键,相邻的Si-O四面体是靠Si-O-Si键桥连接。
其密度一般为2.20g/,熔点1700左右,折射率为波长的函数,密度较大则折射率较大,化学性质十分稳定,室温下只与HF发生反应。
结晶型由Si-O四面体在空间规则排列构成,每个顶角的O原子与两个相邻四面体中心的Si原子形成共价键,Si-O-Si键桥的角度为144;无定型的Si-O四面体的空间排列没有规律,Si-O-Si键桥的角度不固定,在110之间,平均值.相比之下,无定型网络疏松,不均匀,有孔洞。
3.以为例说明的掩蔽过程。
答:当与接触时,就转变为含磷的玻璃体(PSG),其变化过程如图所示。
(a)扩散刚开始,只有靠近表面的转变为含磷的玻璃体;(b)随着扩散的进行,大部分层转变为含磷的玻璃体;(c)整个层都转变为含磷的玻璃体;(d)在层完全转变为玻璃体后,又经过一定时间,层保护的硅中磷已经扩进一定深度。
1)Acetone 丙酮丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3性质:无色,具剌激性薄荷臭味的液体用途:在FAB内的用途,主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性:对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤粘膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
允许浓度:1000ppm2)Active Area 主动区域MOS核心区域,即源,汲,闸极区域3)AEI蚀刻后检查(1)AEI 即After Etching Inspection,在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后,分别对产品实施主检或抽样检查。
(2)AEI的目的有四:提高产品良率,避免不良品外流。
达到品质的一致性和制程的重复性。
显示制程能力的指标。
防止异常扩大,节省成本(3)通常AEI检查出来的不良品,非必要时很少做修改。
因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。
生产成本增高,以及良率降低的缺点。
4)A l-Cu-Si 铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为Target,其成份为0.5%铜,1%硅及98.5%铝,一般制程通常是使用99%铝1%硅.后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移5)A lkaline Ions 碱金属雕子如Na+,K+,破坏氧化层完整性,增加漏电密度,减小少子寿命,引起移动电荷,影响器件稳定性。
其主要来源是:炉管的石英材料,制程气体及光阻等不纯物。
6)A lloy 合金半导体制程在蚀刻出金属连线后,必须加强Al与SiO2间interface的紧密度,故进行Alloy步骤,以450℃作用30min,增加Al与Si的紧密程度,防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值,使RC的值尽量减少。
7)A luminum 铝一种金属元素,质地坚韧而轻,有延展性,容易导电。
普遍用于半导体器件间的金属连线,但因其易引起spike及Electromigration,故实际中会在其中加入适量的Cu或Si 8)A nneal 回火又称退火:也叫热处理,集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。
半导体的快速热处理(Rapid Thermal Processing,简称RTP)是一种重要的半导体制造工艺,用于改善半导体材料的电学和机械性能。
快速热处理通常涉及到将硅晶圆在几秒钟或更短的时间内加热到超过1000摄氏度的温度,然后慢慢降低温度,以防止热冲击导致的变形或破裂。
快速热处理的温度范围广泛,具体取决于所需的处理效果和使用的设备。
以下是一些常见的快速热处理温度范围:
1. 激活掺杂物:在一定的温度区间(例如350-550摄氏度)内,可以激活硅晶圆中的掺杂物,提高其电导率。
2. 化学气相沉积(CVD)前的预处理:在化学气相沉积过程中,快速热处理可以用来去除晶圆表面的污染物,活化表面以促进沉积过程。
3. 热处理以改变电阻率:通过在特定温度(例如550-800摄氏度)下处理,可以改变硅晶圆的电阻率,这在制造某些类型的半导体器件时是有用的。
4. 沉淀和层错缺陷控制:在较高的温度区间(例如800-1200摄氏度),快速热处理可以用来控制氧在硅晶圆中的沉淀,以及由此产生的层错缺陷。
5. 还原直拉单晶硅片中的氧:在1200摄氏度的高温下,快速热处理可以用来还原硅晶圆中的氧,这是提高硅纯度和电学性能的重要步骤。
快速热处理工艺的精确控制和优化对于生产高质量的半导体器件至关重要。
为了实现准确的温度控制和均匀的热分布,通常会使用高强度的激光器、灯源或其他加热手段,并结合先进的温度监测和控制系统。
通过这种方式,可以确保快速热处理工艺在不同批次和不同设备之间具有较好的重复性和一致性。