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电子电路基础练习1

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电子电路基础练习题一、填空题1．PN结加正偏电压时, P区接电位, N区接电位, 此时电流（大小高低）。

2．常温下，硅二极管的开启电压（即：死区电压）约V，导通电压约V；锗二极管的开启电压（即：死区电压）约V，导通电压约_V。

3．双极型三极管中有_ _种载流子导电, 是_控制器件.4．场效应三极管中有____种载流子导电, 是____控制器件.5．双极型半导体三极管工作在放大状态时, 发射结_偏置, 集电结_ _偏置.对于NPN 管，此时各引脚电位大小关系是Uc _ U B __U E;而对于PNP管，此时各引脚电位大小关系是U C _U B_U E。

6．温度升高时, 三极管的电流放大系数β变_, 在相同I B的情况下,U BE将变_ _，I CBO变。

7．单管放大电路中欲获较高的电压放大倍数且反相输出，应当选用__组态放大器；欲获较高的输入电阻，应当选用__组态放大器；欲获较宽的通頻带，应当选用__组态放大器。

（限答双极型三极管单管放大电路组态名称）。

9.欲放大直流信号, 应采用___耦合方式.10.多级放大电路级间耦合有耦合、耦合和耦合三种方式。

11.二变量真值表中，输入有0则输出为1，输入全1则输出为0，其逻辑关系是。

12.十进制数14的等值二进制数是，8421BCD码是。

13.有一个逻辑函数F=A⊕B,其与或表达式为，与非-与非表达式为，或与表达式为，与或非表达式为。

14.数字电路按照功能可以分为两类，一类是逻辑电路，另一类是逻辑电路。

15.晶体三极管作开关用时，在大信号作用下，稳态时工作在区和区，过渡状态工作在区。

16.使用TTL集成门电路时，为实现线与逻辑功能应选用门电路，为实现总线系统应选用门电路。

17.TTL门电路输出高电平的典型值是伏，输出低电平的典型值是伏。

18.TTL与门多余输入端应该接，TTL或门多余输入端应该接。

19.TTL与非门的灌电流负载发生在输出电平情况下，拉电流负载发生在输出电平情况下。

20.欲将10KH Z的矩形波变换成1KH Z的矩形波可使用电路。

21.欲将10KH Z的正弦波变换成同频率的矩形波可使用电路。

22.理想集成放大器的开环电压放大倍数A od = _, 差模输入电阻r id = ___, 输出电阻r o = _ ，共模抑制比K CMR = ___. (限用∞,0 符号)23.PN结正向偏置时_ _扩散形成较大的正向电流，反向偏置时__漂移形成较小的反向电流。

24.数字逻辑电路中某一时刻的输出状态仅由该时刻电路的输入信号决定，称其为_ __逻辑电路。

若输出状态还与输入信号作用前的本身状态有关，称其为_ __逻辑电路。

25.测出两个单管共射电路幅频响应曲线如图：从中可知（a）Au=倍，f L= Hz，f H= Hz(b) 的Au= 倍，f L= H z，f H= Hz（b）电路的信号耦合方式一定是耦合。

二、单项选择题1．在本征半导体中，电子浓度__ __空穴浓度；在P型半导体中，电子浓度__空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度_空穴浓度；A 小于B 大于C 等于D无法判断2．当PN结外加正向电压时，扩散电流____漂移电流，耗尽层____；当PN结外加反向电压时，扩散电流__ __漂移电流，耗尽层_ __。

A 小于B 大于C 等于D变宽E变窄F不变3．采用差动放大电路是为 而设置的。

A 稳定放大倍数 B提高输入电阻 C克服温漂 D扩展频带4．集成运放工作在线性区时，两个输入端的电压u+和u-满足关系式，这叫而两个输入端的电流I+和I-满足关系式，这叫。

A u+=u-．B u+>>u-C 虚短（路）D 虚断（路）E I+ = I- = 0F I+ < I- G虚地5．在比较器中，使输出发生跳变的____电压值，叫做：门限电平或阈值电压。

A输入B输出C运放u+的D运放u-的6．欲使放大电路输出电阻减小，应采用__负反馈，欲使放大电路输入电阻增大，应采用负反馈。

A电流B电压C串联D并联7.反相比例放大器中R F引入的是负反馈。

A电压串联B电压并联C电流串联D电流并联8. 放大电路中引入电压串联负反馈，电压放大倍数。

A. 不变B.增大C.减小D.无法判断9. 单相桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流是负载电流的倍。

A. 0.25B. 0.5C. 1.0D. 1.510. 工作在放大状态的三极管，测得三个管脚的电位分别为:1脚 -3.2V, 2脚 -3V, 3脚, -6V。

由此可以判定三极管为。

A.NPN型硅管B. PNP型硅管C. NPN型锗管D. PNP型锗管11．正逻辑系统约定电平用逻辑“1”表示A. 高B. 低C. 0D. 任意12. 当输入变量A、B的取值相同时，输出F = 0，取值不同时F = 1，则输出与输入间的逻辑关系是A.异或B. 同或C. 与非D. 与或非13．在杂质半导体中，多子浓度主要取决于__ __，而少子浓度则与__ _有关系。

A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷14．集成运放内电路大多采用__ __耦合方式. 为降低温漂，它的输入级采用______式放大电路的形式，为了提高带负载的能力，它的输出级大多采用__ ____电路。

A阻容 B 直接C共源D差分E共基F互补对称15．差动放大电路用恒流源代替发射极电阻R e⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。

A提高差模电压放大倍数 B提高共模电压放大倍数C 提高共模抑制比D 提高差模输出电阻16．用集成运放构成的电压比较器电路，在稳态时运放处于____区。

而当输出发生跳变时，它渡越过______区。

A饱和B截止C非线性区D线性区17．欲稳定放大电路的输出电压，提高输入电阻，应采用_______负反馈；欲实现电流控制电流源，应采用负反馈。

A电流串联B电流并联C电压串联D电压并联18．工作在放大状.态的双极型三极管，测得三个管脚的电位分别为：1脚：3﹒8v，2脚：3．1v，3脚6﹒3v，由此可判定1脚是。

A发射极B基极C集电极 D 无法判断19．在放大电路的输入回路中，输入信号、净输入信号及反馈信号以电流形式相加减，称为反馈。

A.电压B.电流C.串联D.并联20.工作在放大状态的双极型三极管，测得三个管脚的电流分别为：１脚流进２mA，２脚流进0.04mA，３脚流进-2.04mA，由此可知此管电流放大系数β为，此管为管。

A. 50B. 51C. NPND. PNP21.单相全波桥式整流电路，电容滤波接负载的情况下，电路输出电压是变压器付边电压有效值Ｕ2的倍。

A. 0.9B. 1.0C.1.2D.1.422. 为了保证三极管工作在放大区，要求发射极正向偏置，集电极偏置：A. 正向B. 反向C. 无D. 变化23. 与二进制数101001等值的十进制数是A. 38B. 41C. 49D. 56三、简答题1.电路如图所示，求u o2.电路如图所示，求u o3.电路如图，画出其电压传输特性和输出电压波形4.下图所示电路中，F为边沿JK触发器(1)列写触发器控制端的逻辑函数式(2)对应输入波形，画出输出信号的波形。

（设触发器初态为０）5.下图所示电路中，F为边沿D触发器(1)列写触发器控制端的逻辑函数式(2)对应输入波形，画出输出信号的波形。

（设触发器初态为０）6.给定电路如图，写出各触发器的状态方程，其中满足AQQ nn+=+1的电路是（）。

7.8.求最简或非-或非式和最简与或非式：9.给出三个应用电路如图（a），给出三个电压传输特性如图（b）请用“关系线条”，把电路和电压传输特性相对应连接。

并标出电压传输特性上数值。

（黑点处）10.分析下图所示CMOS电路是否能正常工作，写出能正常工作电路的输出信号的逻辑表达式。

11.分析下图所示TTL电路的输出信号的逻辑表达式。

四、分析题1.电路如图所示，求uo2.下图中集成运放是理想的，指出电路的反馈类型，计算电路的输出电压uo。

3. 试分析如图所示的同步计算器（设触发器初态为0） 要求：（１）列写触发器控制端的逻辑函数式。

（２）列状态转换表。

（３）画出CP 与Q1、Q2、F 的波形图。

4. 给定3线—8线译码器的灵活应用电路如图：分析电路并写出输出Y1，Y2的函数表达式，其中A 、B 、C 为输入变量。

并将Y1(A 、B 、C)、Y2(A 、B 、C)化为最简与或式。

5. 试写出下图中各电路的次态输出函数表达式，并画出给定输入作用下Q1、Q2的电压波形。

设触发器的初态为0。

CP1Q 2Q FABABQ AB Q R S Q ABR ABS BQ Q A Q K Q J Q B K A J n n n nn n n n =+=+===+=+===++22121111116. 同步时序逻辑电路如图所示。

列写触发器控制端的逻辑函数式。

试列出其状态表，画出其工作波形。

nnn n nn n nn n Q K Q Q J Q Q Q Q K Q J K Q Q J 12012020210101201==+=====CP0Q 1Q 2Q五、设计题1.试用数据选择器74LS153实现逻辑F(A、B、C、D)=∑m(0，3，5，6)。

2.试用3线—8线译码器74LS138实现逻辑F =ABC+ACD。

六、综合应用题1.给定电路如图（A）, 硅三极管输出特性如图（B）：a)估算I BQ , I CQ , U CEQ (设UBEQ=0.7V)b)求r be及 值(设r be =300Ω).c)画微变等效图, 求中频电压放大倍数A u输入电阻R I输出电阻R o。

d)若输入正弦信号U i由很小渐渐调大时，U o首先出现什么失真（饱和，截止）？画出此时波形u CE及u o，这是什么失真（底部，顶部）？为克服失真，R b2应如何调节？2.某电子系统各单元电路框图如图a所示，其中施密特触发器的电压传输特性如图b所示，两个阈值电压分别为UT+=3.2V，UT-=1.6V，已知A点的波形如图c所示，试画出B、C、D、E、F各点的工作波形。

（设单稳的TW=6TA，TA为A点波形的周期）。

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电子电路基础知识(考题)

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电子电路基础知识--测试第一篇电子电路基础知识一、判断题（正确的打√，错误的打×）1、射极输出器不具有电压放大作用。

（√）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

（√）3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。

（×）说明：效率最高是的乙类功放.4、逻辑电路中“1”比“0”大。

（×）说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。

5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。

（√）6、直流放大器只能放大直流信号。

（√）7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（√）8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×）9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√）10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√）11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×）12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。

13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×）14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

（×）15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。

（×）16、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（×）17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。

（×）18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（×）19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×）20、晶体三极管具有能量放大功能。

（×）21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。

电工基础习题册电子版

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第一章电路基础知识§1-1电流和电压一、填空题1、_________流通的路径称为电路，通常电路是由___________、_________、________和____________组成。

2、习惯上规定______电荷移动的方向为电流的方向，因此，电流的方向实际上与电子移动的方向________。

3、金属导体中自由电子的定向移动方向与电流方向____________。

4、电流分为_________和_______两大类，凡_____________________________的电流称为_______________，简称_________；凡_________________________________的电流称为________________，简称__________。

5、若3min通过导体横截面的电荷量是1.8C，则导体中的电流是____________A。

6、测量电流时，应将电流表____________接在电路中，使被测电流从电流表的_______接线柱流进，从______接线柱流出。

7、电压是衡量___________做功能力的物理量；电动势表示电源_________________________________________________能力。

8、电路中某点与______________的电压即为该点的电位，若电路中a、b两点的电位分别为U a、U b，则a、b两点间的电压U ab=_________________；U ba=_______________。

9、参考点的电位为________，高于参考点的电位取________值，低于参考点电位取______值。

10、电动势的方向规定为在电源内部由________极指向_______极。

11、测量电压时，应将电压表和被测电路______联，使电压表接线柱的正负和被测两点的电位_______。

12、如图所示，电压表的a应接电阻的______端，b应接电阻的_______端。

《电子电路基础》习题解答第1章

《电子电路基础》习题解答第1章

第一章习题解答题1.1 电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。

设二极管是理想的。

解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。

正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V 。

锗管的导通压降为0.2～0.3V 。

理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。

分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。

若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。

如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。

一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。

图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位N U 为-12V 。

VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。

理想情况为零，相当于短路。

所以V U AO 6-=；图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位V U AO 0=，而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。

电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案-第一章

第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。

15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。