电子技术基础第二章整流与滤波电路习题册

《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.6.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说确的是（）。

一、填空题1、多极放大电路常用的耦合方式有三种： 耦合、 耦合和 耦合。

2、半导体中中存在两种载流子： 和 。

纯净的半导体称为 ，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为 。

杂质半导体分为两种： 半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是 。

当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 ，这是制造半导体器件的基础。

3、在本征半导体中加入5价元素可形成 半导体，加入3价元素可形成 半导体。

4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的 通路。

若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。

非线性失真分为 失真和 失真。

5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。

6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数 ；负反馈使放大倍数 ；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是 ，交流负反馈能够 改善放大电路的 。

7、电压负反馈使输出 保持稳定，因而 了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而 了输出电阻。

串联负反馈 了放大电路的输入电阻；并联负反馈则 了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态： 式、 式、 式和 式。

8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的 成分，同时，尽量保留其中的 成分。

滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。

电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于 电流。

在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低 成分。

9、直流稳压电源一般由变压器电路、 及 和稳压电路四部分组成。

10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是 放大器，Av2是 放大器，Av3是放大器。

11、集成运算放大器在状态和条件下，得出两个重要结论他们是：和( )12、基本门电路有门、门和门。

第一章整流滤波电路一、填空题1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 PN结。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压导通，外加反偏电压截至。

3、（1-1，低）利用二极管的单向导电性，可将交流电变成直流电。

4、（1-1，低）根据二极管的单向导电性性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越大越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是0.3 ，死区电压是。

6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为0.7 ，锗二极管的工作电压为0.3 。

7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越小，反向电阻越大，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象雪崩。

11、（1-1，中）发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。

12、（1-2，中）整流是把转变为。

滤波是将转变为。

电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。

13、（1-1，中）设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。

14、（1-1，中）除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。

15、（1-1，低）常用的整流电路有和。

16、（1-2，中）为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。

17、（1-2，难）电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。

第一章整流滤波电路一、填空题1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。

2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。

3、利用二极管的，可将交流电变成。

4、根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。

5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。

6、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。

7、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。

8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。

9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。

11、发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。

12、整流是把转变为。

滤波是将转变为。

电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。

13、设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。

14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。

15、常用的整流电路有和。

16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。

17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。

18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。

二、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。

A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。

《电子技术基础》单元练习（四）滤波电路一、填空题1、所谓滤波，就是保留脉动直流电中的成分，尽可能滤除其中的成分，把脉动直流电变成直流电的过程。

2、滤波电路一般接在电路的后面，常用的滤波电路有滤波、滤波和滤波等几种。

3、滤波电路适用于大电流负载，滤波电路的直流输出电压高。

4、负载电阻RL的阻值越、滤波电路C的容量越，电容的滤波效果越好。

5、在大功率整流设备中，为防止故障，必须安装保护和保护的元器件。

6、负载电阻RL的阻值越、滤波电感L的电感受量越，电感滤波效果越好。

二、选择题1、半波整流电路加滤波电容后，正确的说法是（）A、输出电压不变B、二极管的导通时间变短C、二极管承受的最大反向电压不变2、整流滤波电路如图所示，设图中变压器的副边电压有效值V2=10V，参数满足R L C>>（2～5）T/2。

则输出电压平均值为（）A、10VB、14VC、16VD、12V3、在桥式整流电路中接入电容 C滤波后，输出直流电压较未加C时（）A、升高B、降低C、不变4、在桥式整流电路中接入电容 C滤波后，二极管的导通角（）A、变大B、变小C、不变5、在桥式整流电路中接入电容 C滤波后，外特性（）A、变好B、变坏C、不变6、在下图电路中，U2=10V，若电容C脱焊，则U C=（）A、4.5VB、9VC、2VD、4V7、在题6所示电路中，若某一个二极管接反，则（）A、变压器有半周被短路，会引起元器件损坏B、变为半波整流C、电容C将过压击穿D、稳压管将过流损坏8、在题6所示电路中，若某一个二极管脱焊，则（）A、变压器有半周被短路，会引起元器件损坏B、变为半波整流C、电容C将过压击穿D、稳压管将过流损坏三、分析计算题1、某单相半波整流电容电路，负载电阻RL为1KΩ，若要求负载两端的电压为100V，试确定：（1）画出电路图；（2）所用二极管的参数；（3）所用电容器的容量和耐压值。

2、单相全波整流电路电容滤波电路如图所示，已知U1=220V，RL=10Ω，并要求负载电压U L=12V。

电⼒电⼦技术复习习题第1章电⼒电⼦器件填空题：1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在__开关__状态。

电⼦技术包括信息电⼦技术和电⼒电⼦技术两⼤类。

2.在通常情况下，电⼒电⼦器件功率损耗主要为__通态损耗__，⽽当器件开关频率较⾼时，功率损耗主要为__开关损耗___。

3.电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由__控制电路__、__驱动电路_、__主电路__三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__保护电路___。

4.按内部电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电的情况，电⼒电⼦器件可分为_单极型_、_双极型__、_复合型_三类。

5.电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为_单向导电性_。

6.电⼒⼆极管的主要类型有_普通⼆极管_、_快恢复⼆极管_、_肖特基⼆极管_。

晶闸管派⽣器件：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管。

7.肖特基⼆极管的开关损耗_⼩于_快恢复⼆极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本⼯作特性可概括为 _门极_ 正向有触发则导通、反向截⽌ ___关断_ 。

9.对同⼀晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值⼤⼩上有I L_=(2~4)_IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值⼤⼩上应为，UDRM_<_Ubo。

11.逆导晶闸管是将_⼆极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同⼀管芯上的功率集成器件。

12.GTO的_GTO元的阴极和门极并联_结构是为了便于实现门极控制关断⽽设计的。

13.功率晶体管GTR从⾼电压⼩电流向低电压⼤电流跃变的现象称为_击穿_。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截⽌区对应后者的_截⽌区_、前者的饱和区对应后者的_放⼤区_、前者的⾮饱和区对应后者的_饱和区_。

15.电⼒MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数，对器件并联时均流有利。

16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升⾼⽽_下降_，开关速度_⼩于_电⼒MOSFET 。

21. 单相半波可控整流电路对电感负载供电， L ＝20mH ， U 2＝100V ，求当 α＝0 和 60 时的负载电流 I d ，并画出 u d 与 i d 波形。

解： α＝0 时，在电源电压 u 2 的正半周期晶闸管导通时，负载电感 导通时刻，负载电流为零。

在电源电压u 2 的负半周期，负载电感导通。

因此，在电源电压 u 2 的一个周期里，以下方程均成立：L di d 2U 2 sin tdt2考虑到初始条件：当 t ＝0时 i d ＝0可解方程得：2U 2 i d(1 cos t)L1 2 2U 22(1 cos t)d( t) L2U 2=2u d 与 i d 的波形如下图：量在 u 2负半周期180 ~300 期间释放，因此在 u 2 一个周期中 60 ~300 期间以下微分方程成 立： L d d itd2U 2 sin t其平均值为此时 u d 与 i d 的波形如下图：α ＝ 60 °时， L 储能， 电感 L 储藏的能L 储能，在晶闸管开始 L 释放能量，晶闸管继续I d考虑初始条件：当t ＝ 60 时 i d ＝ 0 可解方程得：i d2U 2 L 1( cos t)I d52U 2 1 33 2U L 2 (12 cos t)d( t) =2U 22L =11.25(A)2．图2-9 为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为2 2U2 ；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。

答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。

因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。

以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。

①以晶闸管VT 2为例。

第一章：直流稳压电路第一节：整流滤波电路一、填空题1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。

2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。

3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。

4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。

5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。

6、二极管最主要的特性是___________二、判断题1、二极管的正向电阻比反向电阻大。

（）2、二极管两端加上正向电压就能导通。

（）3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的1.2倍。

（）4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。

（）5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。

（）6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（）7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。

（）8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。

（）9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。

（）10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。

（）11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。

（）12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。

（）13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。

（）三、选择题1、二极管具有（)A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（）A、特性良好B、已被击穿C、内部开路3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（）A、万用表在不同的档位，其内阻不同B、二极管有非线性的伏安特性C、被测二极管质量差4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）A、输出电压高B、在大电流是滤波效果好C、带负载能力差D、电源接通瞬间整流管要承受较大的浪涌电流5、关于电感滤波，下列说法错误的是（）A、体积小B、对变动的负载滤波效果好C、带负载能力好D、整流管不会受到浪涌电流的损害四、计算题1、有一直流负载，电阻为1.5KΩ，要求工作电流为10mA，如果采用半波整流电路，试求电源变压器二次电压为多少？2、有一直流负载需直流电压6V，直流电流0.4A，如果采用单相桥式整流电路，试求电源变压器二次电压为多少？流过二极管的平均电流为多少？第二节：直流稳压电源一、选择题1、用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管（2CW13）的电压，读数只有0.7V，这种情况表明该稳压二极管（）A、工作正常B、接反C、已经击穿2、硅稳压二极管稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串接，此限流电阻的作用是（）A、提供偏流B、仅是限制电流C、限流和调压3、一个稳压二极管稳压值为8V，另一个稳压二极管稳压值为7.5V，若把两个二极管的正极并接，再将负极并接，组成一个稳压电路该稳压值为（）A、8VB、7.5VC、15.5V二、填空题1、直流稳压电源是一种交流电网电压发生变化时，或负载变动时，能保持___________电压基本稳定的直流电源。

第一章整流滤波电路参考答案一、填空题 1、 PN 结 2、 导通，截止3、 单向导电性，直流电4、 单向导电，大5、 0.2V, 0.1V6、 0.7V, 0.3V7、 小，大8、 N, P9、 最大平均整流电流，最高反向工作电压，反向电流，正向压降，工作频率 10、 反向击穿11、 电，光，正向偏置，光，电，反向偏置12、 交流电，脉动的直流电，脉动的直流电，平滑的直流电，负载电流较小H 变化不大，负载电流较大13、 0.45 6，1.2U2，0.9 5 14、 稳压二极管，发光二极管15、 半波整流电路，桥式整流电路/全波整流电路16、电容滤波电路，电感滤波电路17、电容器放电快慢,小，平滑18^ b, a, a二、选择题1、A 8、A 15、A 22、D 29、D 2、B 9、D 16、B 23、D30、B 3、C 10、B17、B24、C31、C 4、A18、D 25、B 32、B 11、B5、 B6、 B7、 B 三、判断题12、 B 13、 D 14、 A19、 C 20、 B 21、 A26、 A 27、 B 28、 A33、B1、对2、对3、错4、对5、对6、对7、错8、对9、错10、错11、对12、对13、错14、对四、简答1、（1-1,低）什么是PN结？PN结有什么特性?答：PN结是P型半导体和N型半导体交界面附近的一个特殊区域。

它的最大的特性是单向导电性，正偏时导通，反偏时截止。

2、（1-1,低）欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：应使管子的正向电阻小一点，反向电阻大一点。

3、（1-1, 为什么说二极管是一-种非线形元件？什么是二极管的伏安特性？它的伏安特性曲线是如何绘制的？答：因为当二极管两端有电压加载时，通过二极管的电流与加在二极管两端的电压不是线形关系。

此时二极管两端电压与通过它的电流的关系即二极管的伏安特性。

以电压为横坐标，以电流为纵坐标绘制出的曲线即为它的伏安特性1111线。