硅片的等级标准

文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03文件名称硅片检验标准文件编号LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、无2、156-156.73、无4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限更改后内容及条款1、增加硅片黑色带状区域要求2、155.8-156.73、增加表面玷污定义4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。

2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。

3 定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。

3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。

翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。

弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。

硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。

崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。

缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。

水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。

表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。

游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。

微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。

4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。

菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。

BA1A2B1、B2、B3…B91导电类型P P硅片分选设备抽检2隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3崩边长度≤1 mm，深度≤0.5 mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤2 处；B1— 1mm＜崩边长度≤5mm，1mm＜深度≤2mm，1＜崩边总数≤3目测全检4TTV ≤30 μm ≤30 μm B2— 30μm＜TTV≤50μm；硅片分选设备抽检5厚度200±20 μm 200±20 μm B3— 厚度偏差超过±20μm但小于±40μm硅片分选设备抽检6尺寸156±0.5 mm 156±0.5 mm B4— 硅片尺寸偏差超过±0.5mm但小于±1.0mm 硅片分选设备抽检7倒角1±0.5 mm、45°±10º1±0.5 mm、45°±10ºB5— 倒角尺寸偏差超过±0.5mm但小于±0.8mm 硅片分选设备抽检8线痕深度≤8 μm 深度≤15 μmB6— 15μm＜深度≤30μm目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检9电阻率0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cm0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cmB7— 电阻率＜0.5Ω.cm硅片分选设备抽检10少子寿命≥2μs≥2μsB8— 0.5μs≤少子寿命＜2μs少子寿命测试仪按硅块检验规程进行抽检11表面质量状况硅片表面及侧面无凹坑，无沾污，无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；硅片表面及侧面无凹坑，无明显沾污（表面沾污总面积小于3mm 2，每一百片单边侧面沾污总面积小于20mm 2）（判断时参照沾污样本片进行判定），无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；B9— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有3处，每处沾污或其他赃物面积≤1mm2目测全检12弯曲度≤80 μm ≤80 μm ≤80 μm塞尺抽检13氧碳含量氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm3氧含量≤8x1017atoms/cm 3；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧碳含量测试仪客户要求时才抽检检测方法检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级表1 太阳能多晶硅片质量等级分类方法序号检验项目A CD。

prime级硅片参数【原创实用版】目录1.引言2.Prime 级硅片的定义和重要性3.Prime 级硅片的参数4.结语正文【引言】在半导体制造领域，硅片作为基础材料，其质量和性能直接影响到集成电路的性能和可靠性。

其中，Prime 级硅片作为高品质硅片，在半导体制造中具有举足轻重的地位。

本文将对 Prime 级硅片的参数进行详细介绍。

【Prime 级硅片的定义和重要性】Prime 级硅片是指在硅片生产过程中，通过严格控制各种参数，使其达到较高品质的硅片。

这种硅片具有低缺陷密度、高电子迁移率、良好的热稳定性和可靠性等优点，被广泛应用于高性能计算、通信、汽车电子等领域。

Prime 级硅片的出现，极大地推动了半导体技术的发展，提高了集成电路的性能和可靠性。

【Prime 级硅片的参数】Prime 级硅片的参数主要包括以下几个方面：1.厚度：硅片的厚度是其重要参数之一，通常根据实际应用需求来选择。

较薄的硅片可以降低成本、减少重量，但可能会影响其机械强度和可靠性；较厚的硅片则具有较好的机械性能和可靠性，但成本较高。

2.尺寸：硅片的尺寸也对其性能和应用产生影响。

一般来说，较大的硅片可以提高生产效率，降低成本，但可能会影响其均匀性和可靠性；较小的硅片则可以提高集成度，提高性能，但成本较高。

3.纯度：硅片的纯度是衡量其质量的重要指标。

高纯度的硅片可以降低缺陷密度，提高电子迁移率，从而提高集成电路的性能和可靠性。

4.缺陷密度：缺陷密度是评价硅片质量的重要指标。

低缺陷密度可以提高硅片的可靠性和性能。

5.电子迁移率：电子迁移率是衡量硅片导电性能的参数。

高电子迁移率的硅片具有较高的导电性能和较低的功耗。

6.热稳定性：热稳定性是衡量硅片在高温环境下性能变化的参数。

良好的热稳定性可以保证硅片在高温环境下仍具有较高的可靠性和性能。

【结语】总之，Prime 级硅片作为高品质硅片，其各项参数对半导体制造和集成电路性能具有重要影响。

好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01单晶硅片检验标准.版本号：A/1 页码：第1页共4页生效日期：2009-7-15一、目的为明确产品质量要求，加强产品质量管控，使公司单晶生产成品执行的检测工作有据可依，特制定本标准。

二、适用范围适用于线切割后太阳能级单晶硅片的品质检验。

三、主要内容1、检测环境要求：温度18～28℃，湿度不大于60%。

2、硅片分类原则：项目内容A符合《硅单晶切割片企业内控标准》的硅片B物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、边缘、色差、外圆未磨光、尺寸不良（边长、对角线）、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－B级品判定标准C物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、尺寸不良（边长、对角线）、应力、花片、污片、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－C级品判定标准不合格品物理性能不合格或缺角、缺口、亮点、穿孔；备注：电阻率按照0.5~1Ω.cm，1~3Ω.cm，3~6Ω.cm单独包装入库2、判定标准（见下表）：批准审核编制修改履历页码内容状态备注受控好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01 单晶硅片检验标准版本号：A/1页码：第2页 共4页生效日期：2009-7-15内容 项目检测标准A等外品不合格品备注BC厚度T 及 厚度偏差TV 总厚度变化TTV WARP ：① 180u m ±20 u m ； ② 200 u m ±20 u m ③ TTV ≤30um ； ④warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um其中厚度T 为硅片中心点厚度，TV 为一批硅片中心点厚度偏差，TTV 同一张硅片厚度最大值减去最小值，warp 为硅片的翘曲度。

硅片质量的七大标准硅片是半导体行业中至关重要的材料之一，它被广泛用于制造集成电路和太阳能电池等应用。

为了确保硅片的质量和性能，有七个关键标准需要被考虑。

本文将详细介绍硅片质量的七大标准。

1. 净度和杂质控制硅片的净度和杂质控制是硅片质量的首要标准。

杂质的存在会对硅片的电学和光学性能产生负面影响。

硅片应该具有极高的净度，特别是对于一些高纯度硅片，杂质的控制尤为重要。

常见的杂质包括金属杂质和非金属杂质，如铁、铜、氧和碳等。

通过严格的杂质控制和净化工艺，可以确保硅片的高纯度和杂质含量的极低水平。

2. 厚度均匀性硅片的厚度均匀性是评估硅片质量的重要指标之一。

硅片的厚度在制造过程中需要被精确控制，以确保产品的一致性和可靠性。

任何过大或过小的厚度变化都可能导致硅片的性能降低。

通过使用先进的制造工艺和仪器设备，可以实现硅片的高度均匀性。

3. 表面平整度硅片的表面平整度是衡量硅片质量的重要指标之一。

表面平整度不仅影响硅片的外观，还直接影响到硅片在后续工艺中的加工性能。

高度平整的表面能够提供更好的光学特性和更高的精度加工。

通过表面处理和抛光工艺，可以实现硅片表面的高度平整度。

4. 晶体结构和晶格质量硅片的晶体结构和晶格质量是评估硅片质量的重要指标之一。

硅片应具有高度有序的晶体结构和完整的晶格。

任何晶体结构和晶格缺陷都可能对硅片的性能和可靠性产生负面影响。

通过严格的制造和质量控制工艺，可以实现硅片的高质量晶体结构和晶格。

5. 衬底的平整度和晶向硅片的衬底平整度和晶向也是评估硅片质量的重要指标之一。

衬底平整度是指硅片表面的平整度和平坦度，对于一些高精度的应用尤为重要。

晶向指的是硅片中晶体的方向，它会对硅片的电学性能和加工特性产生影响。

通过精密的加工和晶体生长工艺，可以实现硅片衬底的高平整度和理想的晶向。

6. 绝缘性能硅片的绝缘性能是评估硅片质量的重要指标之一，特别是对于一些应用需要电绝缘的场景。

绝缘性能可以通过测量硅片的绝缘电阻和击穿电压来评估。

prime级硅片参数（原创实用版）目录1.引言2.Prime 级硅片的定义和特点3.Prime 级硅片的参数4.参数对硅片性能的影响5.结论正文【引言】在半导体制造中，硅片作为最基本的材料，其品质直接影响到最终产品的性能。

其中，Prime 级硅片作为高品质硅片，其参数特性备受关注。

本文将介绍 Prime 级硅片的参数及其对硅片性能的影响。

【Prime 级硅片的定义和特点】Prime 级硅片是指在生产过程中经过严格筛选，具有高纯度、高晶体质量、低缺陷密度和优异的电学性能的硅片。

相较于普通硅片，Prime 级硅片具有更高的可靠性和稳定性，适用于制造高性能的半导体器件。

【Prime 级硅片的参数】Prime 级硅片的主要参数包括以下几个方面：1.纯度：硅片的纯度对半导体材料的电学性能有着重要影响。

Prime 级硅片的纯度要求非常高，一般要求杂质元素含量在 ppb（parts per billion）级别。

2.晶体质量：晶体质量直接影响硅片的可靠性和稳定性。

Prime 级硅片要求晶体质量优秀，包括位错密度、孪生密度、反相边界等指标均需满足较高要求。

3.缺陷密度：缺陷密度是评价硅片质量的重要指标。

Prime 级硅片要求具有低缺陷密度，包括表面缺陷、体内缺陷等均需控制在较低水平。

4.电学性能：Prime 级硅片的电学性能对半导体器件的性能至关重要。

主要包括电阻率、电导率、载流子浓度等参数，需满足较高要求。

【参数对硅片性能的影响】硅片的参数对半导体器件的性能有着重要影响。

例如，高纯度可以降低杂质引起的电学性能损失；高晶体质量和低缺陷密度可以提高硅片的可靠性和稳定性；优秀的电学性能可以保证半导体器件的高性能。

【结论】总之，Prime 级硅片作为高品质硅片，其参数特性对硅片性能具有重要影响。