硅片检验标准

菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。

硅片进货检验规程
1、从仓库领取同一硅片供应商一定数量的硅片。

2、用“BD-86A型半导体电阻率测试仪”测出每片硅片的原始方块电阻，
并按照20 Ω/□一档进行分档存放。

（详见《硅片进货检验报告单》）
3、用测厚仪测出每片硅片的厚度并按20μm一档进行分档存放。

（详见《硅片进货检验报告单》）
4、在检测硅片方块电阻和厚度的同时，挑出外观不良的硅片另外存放。

（外观不良包括：裂纹、划痕、污垢、崩边、缺角、厚度不一、边距不一、形状不规则等）
5、检验结束后按要求填写好《硅片检验报告单》。

6、将检验好的硅片统一摆放的固定位置。

版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。

J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。

3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。

3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。

4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。

检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。

4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。

塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。

4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。

4.2.3 检验时戴PVC手套。

从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。

4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。

将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。

将线痕、TTV超标片区别放置。

再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。

并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。

4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。

如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。

4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。

多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。

2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）；3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。

3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125⨯125；156⨯156；210⨯210。

5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个；5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。

无密集型线痕。

5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm；5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。

5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。

soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。

1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。

1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。

二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。

2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。

2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。

三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。

3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。

3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。

四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。

4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。

4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。

五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。

5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。

5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。

六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。

6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。

6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。

七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。

7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。

7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。

八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。

8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。

半导体硅片的检验准则半导体硅片的检验准则导语：半导体硅片检验是半导体制造过程中非常重要的环节。

本文将深入探讨半导体硅片的检验准则，包括其基本原理、常见的检验方法和标准，以及对检验结果的分析和评估。

一、背景介绍在半导体工业中，半导体硅片是制造集成电路的重要基础材料。

而半导体硅片的质量直接影响着电子器件的性能和可靠性。

在半导体生产过程中进行严格的检验至关重要。

二、基本原理半导体硅片的检验是通过测量和分析其物理参数和工艺特征来判断其质量。

主要包括以下几个方面：1. 外观检验：包括观察硅片表面是否有裂纹、划痕、污染等缺陷，以及检查硅片的尺寸和平整度是否符合要求。

2. 电特性检验：通过测量硅片的电阻、电容、电压等参数，判断其电性能是否满足设计要求。

3. 表面特性检验：通过使用显微镜、扫描电子显微镜等设备，观察硅片表面的形貌、晶粒结构等特征，以评估其晶体质量和晶粒大小的均匀性。

4. 化学污染检验：通过使用化学分析方法，检测硅片中的有害杂质、金属离子等污染物的含量，以评估其纯度。

三、常见的检验方法和标准1. 外观检验：通常采用目视检查和显微镜观察的方式进行，以国家相关标准为准。

2. 电特性检验：包括电阻测量、电容测量、霍尔效应测量等方法，仪器主要包括多用电表、LCR桥、霍尔效应测试仪等。

3. 表面特性检验：常用的方法有显微镜观察、原子力显微镜观察、扫描电子显微镜观察等，根据不同应用领域制定相应的表面粗糙度、晶粒尺寸等标准。

4. 化学污染检验：一般通过化学分析方法，如电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、能谱仪或质谱仪等，以国际标准或公司内部标准为依据。

四、检验结果的分析和评估半导体硅片的检验结果通常会输出各项参数的数值以及对应的标准值。

根据数值的大小和与标准值的偏差，可进行以下分析和评估方面的工作：1. 质量评估：将检验结果与已设定的标准进行对比，评估硅片是否合格，是否可继续用于下一工序的制造。

2. 偏差分析：对超出标准范围的数据进行分析，找出问题所在，进一步改进生产工艺。