模电1-2双极型三极管

T：9013（NPN）；RP=10K；
R1=15K、R2=3K、Re=2K、
Rc=3K、RL=3K、Rs=5K1；
C1=10μF、C2=10μF、Ce=100μF。 CHENLI
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三、实验电路图
VCC
Rw1 R5 C3
S R1 H C1
R3
ICQ
υs
K
R2
R4 Rw2
R6
C2υo
R
R7
L
Ri
共射极放大C电HE路NLI
三极管共射极放大电路
CHENLI
1
一、实验目的
1. 学习共射放大电路的设计方法、安装与调试技术； 2. 掌握放大器静态工作点的测量与调整方法，了解在不
同偏置条件下静态工作点对放大器性能的影响； 3. 学习放大电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻
及频率特性等性能指标的测试方法； 4. 了解静态工作点与输出波形失真的关系，掌握最大不
调试电路如图所示。图中Rs 为已知外接电阻，用交流毫
伏表分别测出Us和Ui，然后根据下式可求得放大电路的
Ro14
CHENLI
15
四、实验内容
1. 静态工作点的调整和测量 2. RL＝∞及RL＝3K时，电压放大倍数的测量 3. 输入电阻和输出电阻的测量 4. 放大电路上限频率fH、下限频率fL的测量 5. 观察静态工作点对输出波形的影响
CHENLI
16
1. 静态工作点的调整和测量
1. 按所设计的放大器的元件参数焊接电路，根据电路原 理图仔细检查电路的完整性和焊接质量。
即UCE＝1/2×UC或IC＝1/2×ICS。 (ICS为集电极饱和电流，ICS≈UC/RC)。 这样便可获得较大输出动态范围。当放大器输出端

模电Ch1 常用半导体器件基础概念6二极管PN结...PN结和二极管区别2IV特性4主要参数1瞬态响应3IV特性等效电路16微变等效电路7稳压二极管14其他二极管2BJT双极型三极管(Bipolar Junction Transistor,简称BJT)双极： 在工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程注意集电极的结面积较大:为什么要大?为什么是电流控制器件因为β化简成了一个系数,IC和IB成比例4晶体管内部载流子的运动6共射电流放大系数7共射特性曲线输入特性曲线输入特性曲线开启电压Von硅三极管的Von为0.5~0.7V,锗三极管的Von为0.2~0.3V。

指数关系当Uc增大时，曲线将右移输出特性曲线UBE<UEBQ,B-E反偏,B-C反偏开启电压UonB-E正,B-C反偏B-E正,B-C正注意横线由IB控制,而EFT是电压Vgs具体公式是什么?没有吗?这里Ib和纵轴Ic是线性关系，比例为β改变β的方法在半导体器件有讲硅三极管开始进入饱和区的Vce值约为0.6~0.7V例题主要参数17温度对晶体管的影响10FET单极型器件:只靠多数载流子导电结型FET52绝缘栅FET(MOSFET)50主要参数27FET和BJT的比较7集成电路中的元件Ch2 基本放大电路放大电路性能指标28BJT共射放大电路基本共射放大电路6直接耦合共射放大电路8阻容耦合共射放大电路4PNP共射放大电路放大电路分析...静态工作点的稳定温度34BJT放大电路三种基本接法50EFT放大电路55复合管52Ch3 集成运算放大电路使用原因26结构87电压传输特性7零点漂移15主要性能指标1运放类型7集成运放结构拆分11运放等效电路（低频）6运放保护措施7常用结构输入级常使用共集共基来提高输入电阻，提高带宽为什么提高带宽？利用有源负载提高放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数？例题4Ch4 放大电路的频率响应基本高低通模型7晶体管的高频等效模型晶体管的混合π模型简化的混合π模型13β和α随频率的变化10FET的高频等效模型7单管放大电路的频率响应电容考虑情况3单管共射放大电路46单管共源放大电路6频率响应的改善减小fL加大耦合电容及其回路电阻，以增大回路时间常数或各级之间采用直接耦合（不用耦合电容也就没有高通）增大fH减小C'π/C'gs, 而C'π≈Cπ+(gm*RL)Cu，所以可以通过减小gmRL的方法提高fH->注意：fH的提高与|A|的增大是相互矛盾的。

双极性晶体三极管教 学课件
目录
CONTENTS
• 双极性晶体三极管概述 • 双极性晶体三极管特性 • 双极性晶体三极管的应用 • 双极性晶体三极管的选择与使用 • 双极性晶体三极管的制作与调试
01
双极性晶体三极管 概述
定义与工作原理
定义
双极性晶体三极管是一种电子器 件，由半导体材料制成，具有三 个电极（基极、集电极和发ຫໍສະໝຸດ 极 ）。常见问题与解决方法
问题1
三极管发热严重。
解决方法
检查电路是否正常，降低三极管的工作电流， 或更换更高额定功率的三极管。
问题2
三极管无法正常放大信号。
解决方法
调整基极电阻，使基极电流达到合适值，或检查输 入信号是否正常。
三极管噪声过大。
问题3
解决方法
优化电路设计，减少干扰源，或选择低噪声三极管。
05
双极性晶体三极管的温度特性对其稳定性有着重要影响。随着温度的升高，三极管的放大倍数会减小 ，这是因为温度升高会使载流子运动速度加快，导致电流放大倍数下降。此外，温度变化还会影响三 极管的其他性能参数，如截止频率和噪声系数等。
03
双极性晶体三极管 的应用
放大电路中的应用
信号放大
双极性晶体三极管可以作为信号放大元件，通过外部电路的 调节，实现对输入信号的放大，广泛应用于音频、视频等信 号处理领域。
工作原理
双极性晶体三极管通过控制基极 电流来控制集电极和发射极之间 的电流，从而实现信号放大和开 关作用。
结构与类型
结构
双极性晶体三极管由两个PN结（基 区与集电区之间、基区与发射区之间 ）构成，具有三个电极。
类型
根据结构特点和应用领域，双极性晶 体三极管可分为NPN型和PNP型两类 。

例1：测晶体管各极电流，当IB=40µA时，IC=1.6mA， ：测晶体管各极电流， 时 ， 分别画出当I 管或PNP 求 β , 分别画出当 B=70µA，且该管为 ， 该管为NPN管或 管或
管时的各极电流。 管时的各极电流。 解：
IC 1600 β≈ = = 40 IB 40
IC ≈ βIB = 2.8mA
温度变化大的环境应选用硅管。 温度变化大的环境应选用硅管。 硅管
集电极－ 集电极－发射极之间的穿透电流 ICEO
ICEO与输出特性曲线IB＝0对应 与输出特性曲线 对应
穿透电流 I CEO = (1 + β ) I CBO
3、特征频率 fT
β 值下降到 时的信号频率 。 值下降到1时的信号频率
4、极限参数 （1）最大集电极耗散功率 PCM ） PCM = iCuCE＝常数 （2）最大集电极电流 ICM ）
2、输出特性
iC
iC是关于uCE的函数， 的函数，
受IB限制 (1)放大区 放大区 =100 µA
5 4
UCE>UBE>0， ，
(2)截止区 截止区
IC = βIB
80 µA 放 大 区 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0
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饱 和 3 区
1、三极管内部载流子的传输过程 IC
c
ICBO
过程： 过程： （1）发射 （2）复合和扩散 （3） 收集 关系： 关系： IC = ICn + ICBO
ICn
Rc IB
b
Rb
e
IE = IC + IB
e
2、三极管内的电流分配关系 （1）共基直流电流放大系数 ）
I Cn I C ≈ α= IE IE