电子元器件参数范文

电子元件参数大全电子元件参数大全型号参数用途12N20N沟200V 12A通用型场效应管 1DI2002N-140硅NPN 1200V 200A 1400W普通用途1DI3002N-120硅NPN 1000V 300A 2000W普通用途 2N100锗NPN 25V 5mA 音频放大\普通射频2N1000锗NPN 40V ＞7MHz低频开关管2N1003锗PNP 35V 普通射频2N1004锗PNP 35V 普通射频2N1005硅NPN 15V 25mA β=10-25普通用途2N1006硅NPN 15V 25mA β=25-150普通用途2N1007锗PNP 40V 3A 35W音频功率放大2N1008锗PNP 20V 低频开关管2N1008A锗PNP 40V 低频开关管2N1008B锗PNP 60V 低频开关管2N1009锗PNP 35V 低频开关管2N101(/13)锗PNP 25V 1W *K音频放大2N1010锗NPN 10V 2mA 2MHz普通射频2N1011锗PNP 80V 5A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1012锗NPN 40V ＞3MHz开关管2N1013锗PNP 60V功率放大\开关管2N1014锗PNP 100V 5A 50W音频放大\开关及功率放大 2N1015硅NPN 30V 150W音频放大\开关及功率放大 2N1015A硅NPN 60V 150W音频放大\开关及功率放大 2N1015B硅NPN 100V 150W音频放大\开关及功率放大 2N1015C硅NPN 150V 150W音频放大\开关及功率放大 2N1015D硅NPN 200V 150W音频放大\开关及功率放大 2N1015E硅NPN 250V 150W音频放大\开关及功率放大2N1015F硅NPN 300V 150W音频放大\开关及功率放大2N1016硅NPN 30V 150W音频放大\开关及功率放大2N1016A硅NPN 60V 150W音频放大\开关及功率放大2N1016B硅NPN 100V 150W音频放大\开关及功率放大2N1016C硅NPN 150V 150W音频放大\开关及功率放大2N1016D硅NPN 200V 150W音频放大\开关及功率放大2N1016E硅NPN 250V 150W音频放大\开关及功率放大2N1016F硅NPN 300V 150W音频放大\开关及功率放大2N1017锗PNP 30V 1A 音频放大2N1018锗PNP 30V 1A 音频放大2N102锗NPN 25V 1.5A 1W *K音频放大2N102/13锗NPN 25V 1.5A 1W *K音频放大2N10202N1021锗PNP 100V 7A 150W功率放大\开关管2N1021A锗PNP 100V 7A 150W功率放大\开关管2N1022锗PNP 120V 7A 150W功率放大\开关管2N1022A锗PNP 120V 7A 150W音频放大\开关及功率放大2N1023锗PNP 40V 10mA 120MHz普通射频2N1024硅PNP 18V 0.1A β＞9普通用途2N1025硅PNP 40V 0.1A β＞9普通用途2N1026硅PNP 40V 0.1A β=18-44普通用途2N1027硅PNP 18V 0.1A β＞18普通用途2N1028硅PNP 12V 0.1A β＞9普通用途2N1029锗PNP 50V 25A 90W音频放大\开关及功率放大2N1029A锗PNP 60V 25A 90W音频放大\开关及功率放大2N1029B锗PNP 90V 25A 90W音频放大\开关及功率放大2N1029C锗PNP 100V 25A 90W音频放大\开关及功率放大2N103锗NPN 35V 10mA 音频放大2N1030锗PNP 50V 25A 90W音频放大\开关及功率放大2N1030A锗PNP 60V 25A 90W音频放大\开关及功率放大2N1030B锗PNP 90V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1030C锗PNP 100V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1031锗PNP 50V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1031A锗PNP 60V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1031B锗PNP 90V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1031C锗PNP 100V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1032锗PNP 50V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1032A锗PNP 60V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1032B锗PNP 90V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1032C锗PNP 100V 25A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1034硅PNP 50V 0.05A β=15音频放大2N1035硅PNP 50V 0.05A β=30音频放大2N1036硅PNP 50V 0.05A β=60音频放大2N1037硅PNP 50V 0.05A β=30音频放大2N1038锗PNP 40V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1038-1锗PNP 40V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1038-2锗PNP 40V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1039锗PNP 60V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1039-1锗PNP 60V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1039-2锗PNP 60V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N104锗PNP 30V 50mA 音频放大2N1040锗PNP 80V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1040-1锗PNP 80V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1040-2锗PNP 80V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1041锗PNP 100V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1041-1锗PNP 100V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1041-2锗PNP 100V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1042锗PNP 40V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1042-1锗PNP 40V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1042-2锗PNP 40V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大2N1042-2A锗PNP 40V 3A 20W 普通用途2N1042-2ψ锗PNP 40V 3A 1W 普通用途2N1043锗PNP 60V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1043-1锗PNP 60V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1043-2锗PNP 60V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1043-2ψ锗PNP 60V 3A 1W 普通用途2N1044锗PNP 80V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1044-1锗PNP 80V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1044-2锗PNP 80V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1044-2ψ锗PNP 80V 3A 1W 普通用途2N1045锗PNP 100V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1045-1锗PNP 100V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1045-2锗PNP 100V 3.5A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1045-2ψ锗PNP 100V 3A 1W 普通用途2N1046锗PNP 100V 10A 50W音频放大\开关及功率放大 2N1046A/B锗PNP 130V 15A 50W音频放大\开关及功率放大2N1047锗NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1047A硅NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1047B硅NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1047C硅NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1048硅NPN 120V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1048A硅NPN 120V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1048B硅NPN 120V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1048C硅NPN 120V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1049硅NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1049A硅NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1049B硅NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1049C硅NPN 80V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N105锗PNP 35V 15mA 音频放大2N1050A硅NPN 120V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1050B硅NPN 120V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1050C硅NPN 120V 8A 40W音频放大\开关及功率放大 2N1051硅NPN 40V 0.3A 音频放大2N1052硅NPN 200V 0.2A 开关管2N1053硅NPN 180V 0.2A 开关管2N1054硅NPN 125V 0.2A 开关管2N1055硅NPN 100V 0.2A 开关管2N1056锗PNP 70V 0.3A 低频开关管2N1057锗PNP 45V 0.3A 低频开关管2N1058锗NPN 20V 0.1A 低频开关管2N1059锗NPN 40V 0.1A 低频开关管2N106锗PNP 15V 10mA 音频放大2N1060硅NPN 40V 0.2A ＜50ns开关管2N1065锗PNP 40V 10MHz普通射频\开关管2N1066锗PNP 40V 10mA 120MHz普通射频2N1067硅NPN 60V 0.5A 5W音频放大\开关及功率放大 2N1068硅NPN 60V 1.5A 10W音频放大\开关及功率放大 2N1069硅NPN 60V 4A 50W音频放大\开关及功率放大 2N107锗PNP 12V 10mA 音频放大2N1070硅NPN 60V 4A 50W音频放大\开关及功率放大 2N1072硅NPN 75V 2A 2W低频开关管2N1073锗PNP 40V 10A 85W音频放大\开关及功率放大 2N1073A锗PNP 80V 10A 85W音频放大\开关及功率放大 2N1073B锗PNP 120V 10A 85W音频放大\开关及功率放大 2N1074硅NPN 50V 0.1A β=14音频放大2N1075硅NPN 50V 0.1A β=25音频放大2N1076硅NPN 50V 0.1A β=50音频放大2N1077硅NPN 50V 0.1A β=18音频放大2N1079硅NPN 60V 3A 60W音频放大\开关及功率放大2N1108锗PNP 16V 5mA 35MHz普通射频2N1109锗PNP 16V 5mA 35MHz普通射频2N111锗PNP 30V 0.2A 3MHz普通射频2N1110锗PNP 16V 5mA 35MHz普通射频2N1111锗PNP 20V 5mA 35MHz普通射频2N1111A锗PNP 20V 5mA 35MHz普通射频2N1111B锗PNP 20V 5mA 35MHz普通射频2N1114锗NPN 25V 0.2A ＞7MHz低频开关管2N1115锗PNP 20V 0.125A 低频开关管2N1115A锗PNP 20V 0.125A 低频开关管2N1116硅NPN 60V 0.8A 低频开关管2N1117硅NPN 60V 0.8A 低频开关管2N1118硅PNP 25V 0.05A 普通用途2N1118A硅PNP 25V 0.05A 普通用途2N1119硅PNP 10V 0.05A 普通用途2N111A锗PNP 30V 0.2A 3MHz普通射频2N112锗PNP 30V 0.2A 5MHz普通射频2N1120锗PNP 80V 15A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1121锗NPN 15V 20mA 8MHz普通射频2N1122锗PNP 12V 0.05A ＞40MHz普通射频\开关管 2N1122A锗PNP 15V 0.05A ＞40MHz普通射频\开关管 2N1123锗PNP 46V 0.4A 低频开关管2N1124锗PNP 40V 0.5A β＞40低频开关管2N1125锗PNP 40V 0.5A β=50-150低频开关管2N1126锗PNP 40V 0.5A β＞40低频开关管2N1127锗PNP 40V 0.5A β=50-150低频开关管2N1128锗PNP 25V 0.5A 音频放大2N1129锗PNP 25V 0.5A 音频放大2N112A锗PNP 30V 0.2A 5MHz普通射频2N113锗PNP 30V 0.2A 10MHz普通射频2N1130锗PNP 30V 0.5A 音频放大2N1131硅PNP 60V 0.6A 低频开关管2N1131A硅PNP 60V 0.6A 低频开关管2N1132硅PNP 50V 0.6A 低频开关管2N1132A硅PNP 60V 0.6A 低频开关管2N1132B硅PNP 70V 0.6A 低频开关管 2N1132B46硅PNP 70V 0.6A 96MHz普通用途2N1135硅PNP 12V 0.05A 普通用途2N1135A硅PNP 12V 0.05A 普通用途2N1136锗PNP 60V 6A 60W音频放大\开关及功率放大 2N1136A锗PNP 90V 6A 60W音频放大\开关及功率放大 2N1136B锗PNP 100V 6A 60W音频放大\开关及功率放大2N1137锗PNP 60V 6A 60W音频放大\开关及功率放大 2N1137A锗PNP 90V 6A 60W音频放大\开关及功率放大 2N1137B锗PNP 100V 6A 60W音频放大\开关及功率放大2N1138锗PNP 60V 6A 60W音频放大\开关及功率放大 2N1138A锗PNP 90V 6A 60W音频放大\开关及功率放大 2N1138B锗PNP 100V 6A 60W音频放大\开关及功率放大2N1139硅NPN 15V 0.1A ＞100MHz开关管2N114锗PNP 30V 0.2A 20MHz普通射频2N1140硅NPN 40V ＞60MHz开关管2N1141锗PNP 35V 0.1A ＞750MHz用于VHF频段及射频2N1141A锗PNP 35V 0.1A ＞750MHz用于VHF频段及射频2N1142锗PNP 30V 0.1A ＞600MHz用于VHF频段及射频2N1142A锗PNP 30V 0.1A ＞600MHz用于VHF频段及射频2N1143锗PNP 25V 0.1A ＞480MHz用于VHF频段及射频2N1143A锗PNP 25V 0.1A ＞480MHz用于VHF频段及射频2N1144锗PNP 16V 0.2A β=34-90音频放大2N1145锗PNP 16V 0.2A β=25-90音频放大2N1146锗PNP 40V 15A 69W音频放大\开关及功率放大 2N1146A锗PNP 60V 15A 69W音频放大\开关及功率放大2N1146B锗PNP 80V 15A 69W音频放大\开关及功率放大2N1146C锗PNP 100V 15A 69W音频放大\开关及功率放大2N1147锗PNP 40V 15A 87W音频放大\开关及功率放大 2N1147A锗PNP 60V 15A 87W音频放大\开关及功率放大2N1147B锗PNP 80V 15A 87W音频放大\开关及功率放大2N1147C锗PNP 100V 15A 87W音频放大\开关及功率放大2N1149硅NPN 45V 25mA B=9-20普通用途2N115锗PNP 32V 3A 50W音频放大\开关及功率放大 2N1150硅NPN 45V 25mA β=18-40普通用途2N1151硅NPN 45V 25mA β=18-90普通用途2N1152硅NPN 45V 25mA β=36-90普通用途2N1153硅NPN 45V 25mA β=76-333普通用途2N1154硅NPN 50V 0.06A 普通用途及驱动2N1155硅NPN 80V 0.05A 普通用途及驱动2N1156硅NPN 120V 0.04A 普通用途及驱动2N1157锗PNP 60V 25A 187W功率放大\开关管2N1157A锗PNP 80V 25A 187W功率放大\开关管2N1158锗PNP 20V 0.1A ＞200MHz普通射频2N1158A锗PNP 20V 0.1A ＞200MHz普通射频2N1159锗PNP 80V 5A 90W音频放大\开关及功率放大2N116锗PNP2N1160锗PNP 80V 7A 90W音频放大\开关及功率放大 2N1162锗PNP 50V 25A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1162A锗PNP 50V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1163锗PNP 50V 25A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1163A锗PNP 50V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1164锗PNP 80V 25A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1164A锗PNP 80V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1165锗PNP 80V 25A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1165A锗PNP 80V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1166锗PNP 100V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1166A锗PNP 100V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1167锗PNP 100V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1167A锗PNP 100V 25A 106W音频放大\开关及功率放大2N1168锗PNP 50V 5A 45W音频放大\开关及功率放大 2N1169锗NPN 40V 0.4A 低频开关管2N117硅NPN 45V 25mA 4MHz低频开关管2N1170锗PNP 40V 0.4A 低频开关管2N1171锗PNP 30V 1A 低频开关管2N1172锗PNP 40V 1.5A 低频开关管2N1173锗NPN 35V 0.2A 低频开关管2N1174锗PNP 35V 0.2A 低频开关管2N1175锗PNP 35V 0.5A 低频开关管2N1175A锗PNP 35V 0.5A 低频开关管2N1176锗PNP 15V 0.3A 音频放大2N1176A锗PNP 40V 0.3A 音频放大2N1176B锗PNP 60V 0.3A 音频放大2N1177锗PNP 30V 10mA 140MHz普通射频2N1178锗PNP 30V 10mA 140MHz普通射频2N1179锗PNP 30V 10mA 140MHz普通射频2N118硅NPN 45V 25mA 5MHz低频开关管2N1180锗PNP 30V 10mA 100MHz普通射频2N1182锗PNP 60V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1183锗PNP 45V 3A 音频放大\开关及功率放大 2N1183A锗PNP 60V 3A 音频放大\开关及功率放大 2N1183B锗PNP 80V 3A 音频放大\开关及功率放大 2N1184锗PNP 45V 3A 音频放大\开关及功率放大 2N1184A锗PNP 60V 3A 音频放大\开关及功率放大 2N1184B锗PNP 80V 3A 音频放大\开关及功率放大2N1185锗PNP 45V 0.5A β=190-400低频开关管2N1186锗PNP 60V 0.5A β=30-70低频开关管2N1187锗PNP 60V 0.5A β=50-120低频开关管2N1188锗PNP 60V 0.5A β=100-225低频开关管2N1189锗PNP 45V 0.5A β=115音频放大及驱动?2N118A硅NPN 45V 25mA 5MHz低频开关管2N119硅NPN 45V 25mA 6MHz低频开关管2N1190锗PNP 45V 0.5A β=170音频放大及驱动?2N1191锗PNP 40V 0.2A β=30-70低频开关管2N1192锗PNP 40V 0.2A β=50-125低频开关管2N1193锗PNP 40V 0.2A β=100-250低频开关管2N1194锗PNP 40V 0.2A β=190-500低频开关管2N1195锗PNP 30V 40mA 1GHz用于UHF频段及射频2N1196硅PNP 70V 0.1A 普通用途2N1197硅PNP 70V 0.1A 普通用途2N1198锗NPN 25V 75mA 9MHz低频开关管2N1199硅NPN 20V 0.1A 125MHz普通射频\开关管2N1199A硅NPN 20V 0.1A 125MHz普通射频\开关管2N1200硅NPN 20V 0.1A 普通射频2N1201硅NPN 20V 0.1A 普通射频2N1202锗PNP 80V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1203锗PNP 120V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1204锗PNP 20V 0.5A 开关管2N1204A锗PNP 20V 0.5A 开关管2N1205硅NPN 20V 25MHz普通用途2N1206硅NPN 60V 0.15A 3W低频开关管2N1207硅NPN 125V 0.15A 3W低频开关管2N1208硅NPN 60V 5A 45W功率放大\开关管2N1208/1硅NPN 60V 5A 45W功率放大\开关管2N1209硅NPN 45V 5A 45W功率放大\开关管2N1209/1硅NPN 45V 5A 45W功率放大\开关管2N1210硅NPN 60V 5A 30W功率放大\开关管2N1210/1硅NPN 60V 5A 30W功率放大\开关管2N1211硅NPN 80V 5A 30W功率放大\开关管2N1211/1硅NPN 80V 5A 30W功率放大\开关管2N1212硅NPN 60V 5A 45W功率放大\开关管2N1212/1硅NPN 60V 5A 45W功率放大\开关管2N1217锗NPN 20V 25mA 9MHz低频开关管2N1218锗NPN 45V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1219硅PNP 30V 0.1A β＞18普通用途2N122硅NPN 120V 0.14A 9W低频开关管2N1220硅PNP 30V 0.1A β＞9普通用途2N1221硅PNP 30V 0.1A β＞18普通用途2N1222硅PNP 30V 0.1A β＞9普通用途2N1223硅PNP 30V 0.1A β＞6普通用途2N1224锗PNP 40V 10mA 30MHz普通射频2N1225锗PNP 40V 10mA 70MHz普通射频2N1226锗PNP 60V 10mA 30MHz普通射频2N1227锗PNP 35V 3A 50W音频放大\开关及功率放大 2N1228硅PNP 15V 0.1A β=14-32普通用途2N1229硅PNP 15V 0.1A β=28-65普通用途2N123锗PNP 20V 0.5A 开关管2N123/5锗PNP 20V 0.5A 开关管2N1230硅PNP 35V 0.1A β=14-32普通用途2N1231硅PNP 35V 0.1A β=28-65普通用途2N1232硅PNP 60V 0.1A β=14-32普通用途2N1232A硅PNP 60V 0.1A β=14-32普通用途2N1233硅PNP 60V 0.1A β=28-65普通用途2N1234硅PNP 110V 0.1A β=14-32普通用途2N1235硅NPN 120V 5A 85W功率放大\开关管2N1238硅PNP 15V 0.1A β=14-32普通用途2N1239硅PNP 15V 0.1A β=28-65普通用途2N124锗NPN 10V 8mA β=12-24开关管2N1240硅PNP 35V 0.1A β=14-32普通用途2N1241硅PNP 35V 0.1A β=28-65普通用途2N1242硅PNP 60V 0.1A β=14-32普通用途2N1243硅PNP 60V 0.1A β=28-65普通用途2N1244硅PNP 110V 0.1A β=14-32普通用途2N1245锗PNP 30V 4A 20W音频功率放大2N1246锗PNP 30V 4A 20W音频功率放大2N1247硅NPN 6V 5mA β＞15普通用途2N1248硅NPN 6V 5mA β＞15普通用途2N1249硅NPN 6V 5mA β>15普通用途2N125锗NPN 10V 8mA β=24-48开关管2N1250硅NPN 50V 5A 85W音频放大\开关及功率放大 2N1250/1硅NPN 50V 5A 85W音频放大\开关及功率放大 2N1251锗NPN 20V 0.1A 低频开关管2N1252硅NPN 30V 1A β=15-45低频开关管2N1252A硅NPN 30V 1A β=15-45低频开关管2N1253硅NPN 30V 1A β=30-90低频开关管2N1253A硅NPN 30V 1A β=30-90低频开关管2N1254硅PNP 30V 0.1A β=25-50普通用途2N1255硅PNP 30V 0.1A β=40-80普通用途2N1256硅PNP 40V 0.1A β=25-50普通用途2N1257硅PNP 40V 0.1A β=40-80普通用途2N1258硅PNP 50V 0.1A β=75-150普通用途2N1259硅PNP 50V 0.1A β=25-100普通用途2N126锗NPN 10V 8mA β=48-100开关管 2N1260硅NPN 120V 2A 85W功率放大\开关管2N1261锗PNP 80V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1261A锗PNP 80V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1262锗PNP 80V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1262A锗PNP 80V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1263锗PNP 80V 3.5A 34W功率放大\开关管 2N1263A锗PNP 80V 3.5A 34W功率放大\开关管 2N1264锗PNP 20V 10mA 3MHz普通射频2N1264/13锗PNP 20V 10mA 3MHz普通射频 2N1265锗PNP 20V 0.1A 音频放大2N1265/5锗PNP 20V 0.1A 音频放大2N1266锗PNP 10V 音频放大2N1267硅NPN 20V 0.1A β=4-16普通用途2N1268硅NPN 20V 0.1A β=7-30普通用途2N1269硅NPN 20V 0.1A β=20-80普通用途2N127锗NPN 10V 8mA β=100-200开关管2N1270硅NPN 20V 0.1A β=4-16普通用途2N1271硅NPN 20V 0.1A β=7-30普通用途2N1272硅NPN 20V 0.1A β=20-80普通用途 2N1273锗PNP 15V 0.2A 低频开关管2N1274锗PNP 25V 0.2A 低频开关管2N1275硅PNP 100V 0.1A 普通驱动管2N1276硅NP N 40V 25mA β=9-22普通用途 2N1277硅NPN 40V 25mA β=18-44普通用途 2N1278硅NPN 40V 25mA β=37-90普通用途 2N1279硅NPN 40V 25mA β=76-330普通用途2N128锗PNP 10V 5mA 28MHz普通射频2N1280锗PNP 16V 0.4A ＞5MHz低频开关管 2N1281锗PNP 16V 0.4A ＞7MHz低频开关管 2N1282锗PNP 16V 0.4A ＞10MHz低频开关管 2N1283锗PNP 20V 0.4A ＞5MHz低频开关管 2N1285锗PNP 40V 10mA 100MHz普通射频2N1287锗PNP 20V 50mA2N1287A锗PNP 20V 50mA2N1288锗NPN 15V 0.05A 60MHz开关管2N1289锗NPN 20V 0.05A 60MHz开关管2N129锗PNP 10V 5mA 30MHz普通射频2N1291锗PNP 35V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1292锗NPN 35V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1293锗PNP 60V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1294锗NPN 60V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1295锗PNP 80V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1296锗NPN 80V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1297锗PNP 100V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1298锗NPN 100V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1299锗NPN 40V 0.2A ＞4MHz低频开关管2N130锗PNP 25V 10mA 音频放大2N1300锗PNP 13V 0.1A 40MHz普通射频\开关管2N1301锗PNP 13V 0.1A 60MHz普通射频\开关管 2N1302锗NPN 25V 0.3A 5MHz低频开关管2N1303锗PNP 30V 0.3A 5MHz低频开关管2N1304锗NPN 25V 0.3A 10MHz低频开关管2N1305锗PNP 30V 0.3A 10MHz低频开关管2N1306锗NPN 25V 0.3A 15MHz低频开关管2N1307锗PNP 30V 0.3A 15MHz低频开关管2N1308锗NPN 25V 0.3A 25MHz低频开关管2N1309锗PNP 30V 0.3A 20MHz低频开关管2N130A锗PNP 45V 0.1A 音频放大2N131锗PNP 25V 10mA 音频放大2N1310锗NPN 90V 普通驱动管2N1311锗NPN 75V 普通驱动管2N1312锗NPN 50V 普通驱动管2N1313锗PNP 30V 0.4A 12MHz低频开关管2N1314锗PNP 40V 3.5A 125W音频放大\开关及功率放大 2N1315锗PNP 32V 3.5A 125W音频放大\开关及功率放大2N1316锗PNP 30V 0.4A ＞10MHz低频开关管2N1317锗PNP 20V 0.4A ＞10MHz低频开关管2N1318锗PNP 10V 0.4A ＞10MHz低频开关管2N1319锗PNP 20V 0.4A ＞3MHz低频开关管2N131A锗PNP 45V 0.1A 音频放大2N132锗PNP 25V 10mA 音频放大2N1320锗PNP 35V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1321锗NPN 35V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1322锗PNP 60V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1323锗NPN 60V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1324锗PNP 80V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1325锗NPN 80V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1326锗PNP 100V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1327锗NPN 100V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1328锗PNP 35V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1329锗NPN 35V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N132A锗PNP 35V 0.1A 音频放大2N133锗PNP 25V 10mA 音频放大2N1330锗NPN 60V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1331锗PNP 80V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1332锗NPN 80V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1333锗PNP 100V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1334锗NPN 100V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1335硅NPN 120V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动 2N1336硅NPN 120V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动 2N1337硅NPN 120V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动 2N1338硅NPN 80V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动 2N1339硅NPN 120V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动 2N133A锗PNP 35V 0.1A 音频放大2N1340硅NPN 150V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动2N1341硅NPN 120V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动 2N1342硅NPN 150V 0.3A ＞70MHz普通射频或驱动 2N1343锗PNP 20V 0.4A ＞4MHz低频开关管2N1344锗PNP 15V 0.4A ＞7MHz低频开关管2N1345锗PNP 10V 0.4A ＞10MHz低频开关管2N1346锗PNP 12V 0.4A ＞10MHz低频开关管2N1347锗PNP 20V 0.2A ＞5MHz低频开关管2N1348锗PNP 40V 0.4A ＞5MHz低频开关管2N1349锗PNP 40V 0.4A ＞10MHz低频开关管2N135锗PNP 20V 50mA 普通射频2N1350锗PNP 50V 0.4A ＞8MHz低频开关管2N1351锗PNP 50V 0.4A ＞8MHz低频开关管2N1352锗PNP 30V 0.2A ＞低频开关管2N1353锗PNP 15V 0.2A ＞低频开关管2N1354锗PNP 15V 0.2A ＞3MHz低频开关管2N1355锗PNP 15V 0.2A ＞5MHz低频开关管2N1356锗PNP 15V 0.2A ＞5MHz低频开关管2N1357锗PNP 15V 0.2A ＞10MHz低频开关管2N1358锗PNP 80V 15A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1358A锗PNP 80V 15A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1358M锗PNP 80V 15A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1359锗PNP 50V 10A 106W音频放大\开关及功率放大 2N136锗PNP 20V 50mA 普通射频2N1360锗PNP 50V 10A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1361锗PNP 25V 0.2A 4MHz低频开关管2N1361A锗PNP 25V 0.2A 4MHz低频开关管2N1362锗PNP 100V 10A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1363锗PNP 100V 10A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1364锗PNP 120V 10A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1365锗PNP 120V 10A 106W音频放大\开关及功率放大2N1366锗NPN 18V 25mA ＞5MHz低频开关管 2N1367锗NPN 18V 25mA ＞低频开关管2N137锗PNP 10V 50mA 10MHz普通射频2N1370锗PNP 25V 0.2A β=45-165低频开关管2N1371锗PNP 45V 0.2A β=45-165低频开关管2N1372锗PNP 25V 0.2A β=25-105低频开关管2N1373锗PNP 45V 0.2A β=25-105低频开关管2N1374锗PNP 25V 0.2A β=50-165低频开关管2N1375锗PNP 45V 0.2A β=50-165低频开关管2N1376锗PNP 25V 0.2A β=67-165低频开关管2N1377锗PNP 45V 0.2A β=67-165低频开关管2N1378锗PNP 12V 0.2A β=85-330低频开关管2N1379锗PNP 25V 0.2A β=85-330低频开关管 2N138锗PNP 24V 0.15A 低频开关管 2N1380锗PNP 12V 0.2A β=27-330低频开关管2N1381锗PNP 25V 0.2A β=27-330低频开关管2N1382锗PNP 25V 0.2A β=50-150低频开关管2N1383锗PNP 25V 0.2A β=30-150低频开关管2N1384锗PNP 30V 0.5A 35MHz低频开关管2N1385锗PNP 25V 0.1A ＞250MHz普通射频\开关管 2N1386硅NPN 25V 0.05A 60MHz普通用途2N1387硅NPN 30V 0.05A 50MHz普通用途2N1388硅NPN 45V 0.05A ＞50MHz普通用途2N1389硅NPN 50V 0.05A ＞25MHz普通用途 2N138A/B锗PNP 45V 0.1A 低频开关管2N139锗PNP 16V 15mA 普通射频 2N1390硅NPN 20V 0.05A ＞20MHz普通用途2N1391锗NPN 25V ＞3MHz低频开关管2N1395锗PNP 40V 10mA 30MHz普通射频2N1396锗PNP 40V 10mA 100MHz普通射频2N1397锗PNP 40V 10mA 120MHz普通射频2N1398锗PNP 30V 10mA ＞140MHz普通射频2N1399锗PNP 30V 10mA ＞140MHz普通射频2N140锗PNP 16V 15mA 普通射频2N1400锗PNP 30V 10mA ＞100MHz普通射频2N1401锗PNP 30V 10mA ＞120MHz普通射频2N1401A锗PNP 30V 10mA ＞120MHz普通射频2N1402锗PNP 30V 10mA ＞100MHz普通射频2N1403锗PNP 15V 0.1A ＞200MHz普通射频2N1404锗PNP 25V 0.3A 普通射频\开关管2N1404A锗PNP 25V 0.3A 普通射频\开关管2N1405锗PNP 30V 0.05A ＞250MHz普通射频2N1406锗PNP 30V 0.05A ＞250MHz普通射频2N1407锗PNP 30V 0.05A ＞200MHz普通射频2N1408锗PNP 50V 0.2A 低频开关管2N1409硅NPN 30V 0.5A β=15-45低频开关管2N1409A硅NPN 30V 0.5A β=15-45低频开关管2N141锗PNP 60V 0.8A *K音频放大及驱动?2N141/13锗PNP 60V 0.8A 音频放大及驱动?2N1410硅NPN 30V 0.5A β=30-90低频开关管2N1410A硅NPN 30V 0.5A β=30-90低频开关管2N1411锗PNP 5V 0.05A 开关管2N1412锗PNP 100V 15A 150W音频放大\开关及功率放大 2N1412A锗PNP 100V 15A 150W音频放大\开关及功率放大 2N1413锗PNP 35V 0.5A β=25-42低频开关管2N1414锗PNP 35V 0.5A β=34-65低频开关管2N1415锗PNP 35V 0.5A β=53-90低频开关管2N14162N1418硅NPN 30V 0.05A 普通射频\开关管2N1419锗PNP 80V 25A 87W音频放大\开关及功率放大2N142锗NPN 60V 0.8A *K音频放大及驱动?2N142/13锗NPN 60V 0.8A *K音频放大及驱动?2N1420硅NPN 60V 1A 低频开关管2N1420A硅NPN 60V 1A 低频开关管2N1421硅NPN 60V 3A 30W功率放大\开关管2N1422硅NPN 60V 3A 30W功率放大\开关管2N1423硅NPN 60V 3A 60W功率放大\开关管2N1424硅NPN 60V 3A 60W功率放大\开关管2N1425锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1426锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1427锗PNP 6V 0.05A 普通射频\开关管2N1428硅PNP 6V 0.05A 低频开关管2N1429硅PNP 6V 0.05A 低频开关管2N143锗PNP 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N143/13锗PNP 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N1430锗PNP 120V 10A 70W功率放大\开关管2N1431锗NPN 20V 0.1A 低频开关管2N1432锗PNP 45V 10mA 普通射频2N1433锗PNP 80V 3.5A β=20-50音频放大\开关及功率放大 2N1434锗PNP 80V 3.5A β=45-115音频放大\开关及功率放大 2N1435锗PNP 80V 3.5A β=30-75音频放大\开关及功率放大 2N1436锗PNP 15V 0.05A 开关管2N1437锗PNP 100V 3A 23W功率放大\开关管2N1438锗PNP 100V 3A 23W功率放大\开关管2N1439硅PNP 50V 0.1A β=5-12普通用途2N144锗NPN 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N144/13锗NPN 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N1440硅PNP 50V 0.1A β=9-22普通用途2N1441硅PNP 50V 0.1A β=18-36普通用途2N1442硅PNP 50V 0.1A β=30-65普通用途2N1443硅PNP 50V 0.1A β＞50普通用途2N1444硅NPN 60V 0.5A 低频开关管2N1445硅NPN 120V 0.75A 低频开关管2N1446锗PNP 45V 0.4A β=16-45低频开关管2N1447锗PNP 45V 0.4A β=36-65低频开关管2N1448锗PNP 45V 0.4A β=50-90低频开关管2N1449锗PNP 45V 0.4A β=70-125低频开关管2N145锗NPN 20V 5mA ＞普通射频2N1450锗PNP 30V 0.1A 开关管2N1451锗PNP 45V 0.4A β=20-65音频放大2N1452锗PNP 45V 0.4A β=30-90音频放大2N1453锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1454锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1455锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1456锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1457锗PNP 80V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1458锗PNP 80V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N146锗NPN 20V 5mA ＞普通射频2N1461锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1462锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1463锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1464锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1465锗PNP 120V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1466锗PNP 120V 3A 20W音频放大\开关及功率放大2N1468硅NPN2N1469硅PNP 40V 0.1A 普通用途2N147锗NPN 20V 5mA ＞普通射频2N1470硅NPN 60V 3A 55W音频放大\开关及功率放大 2N1471锗PNP 12V 0.2A 普通用途2N1472硅NPN 25V 0.1A 140MHz开关管2N1473锗NPN 40V 0.4A ＞4MHz低频开关管2N1474硅PNP 60V 0.1A 普通用途2N1474A硅PNP 60V 0.1A 普通用途2N1475硅PNP 60V 0.1A β=36-88普通用途2N1476硅PNP 100V 0.1A β=12-36普通用途2N1477硅PNP 100V 0.1A β=30-66普通用途2N1478锗PNP 30V 0.5A 低频开关管2N1479硅NPN 60V 1.5A 5W低频开关管2N148锗NPN 16V 5mA ＞普通射频2N1480硅NPN 100V 1.5A 5W低频开关管2N1481硅NPN 60V 1.5A 5W低频开关管2N1482硅NPN 100V 1.5A 5W低频开关管2N1483硅NPN 60V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1484硅NPN 100V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1485硅NPN 60V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1486硅NPN 100V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1487硅NPN 50V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N1488硅NPN 100V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N1489硅NPN 60V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N148A锗NPN 32V 5mA ＞普通射频2N149锗NPN 16V 5mA ＞普通射频2N1490硅NPN 100V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N1491硅NPN 30V 0.1A 250MHzVHF驱动2N1492硅NPN 60V 0.1A 275MHzVHF驱动2N1493硅NPN 100V 0.1A 300MHzVHF驱动2N1494锗PNP 20V 0.5A ＜35ns开关管2N1494A锗PNP 20V 0.5A ＜35ns开关管2N1495锗PNP 40V 0.5A ＜55ns开关管2N1495A锗PNP 40V 0.5A ＜55ns开关管2N1496锗PNP 40V 0.5A ＜55ns开关管2N1499锗PNP 20V 0.1A 开关管2N1499A锗PNP 20V 0.1A 开关管2N1499B锗PNP 30V 开关管2N149A锗NPN 32V 5mA ＞普通射频2N150锗NPN 16V 5mA ＞普通射频2N1500锗PNP 15V 0.05A 开关管2N1500/18锗PNP 15V 0.05A 开关管 2N1501锗PNP 60V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1502锗PNP 40V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1504锗PNP 80V 3A 25W功率放大\开关管2N1504/10锗PNP 80V 3A 25W功率放大\开关管 2N1505硅NPN 50V 0.5A 普通射频或驱动2N1506硅NPN 60V 0.5A 普通射频或驱动2N1506A硅NPN 60V 0.5A 普通射频或驱动2N1507硅NPN 60V 1A 低频开关管2N1508硅NPN 100V 1A 1W低频开关管2N1509硅NPN 60V 1A 1W低频开关管2N150A锗NPN 32V 5mA ＞普通射频2N151锗PNP2N1510锗NPN 75V 0.02A 低频开关管 2N1511硅NPN 60V 6A 75W功率放大\开关管2N1512硅NPN 100V 6A 75W功率放大\开关管2N1513硅NPN 60V 6A 75W功率放大\开关管2N1514硅NPN 100V 6A 75W功率放大\开关管2N1515锗PNP 20V 10mA 70MHz普通射频2N1516锗PNP 20V 10mA 70MHz普通射频2N1517锗PNP 20V 10mA 70MHz普通射频2N1517A锗PNP 40V 10mA 70MHz普通射频2N1518锗PNP 50V 25A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1519锗PNP 80V 25A 70W音频放大\开关及功率放大2N152锗PNP2N1520锗PNP 50V 35A 70W音频放大\开关及功率放大2N1521锗PNP 80V 35A 70W音频放大\开关及功率放大2N1522锗PNP 50V 50A 70W音频放大\开关及功率放大2N1523锗PNP 80V 50A 70W音频放大\开关及功率放大2N1524锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1525锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1526锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1527锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1528硅NPN 25V 20mA 20MHz普通射频\开关管2N1529锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大2N1529A锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大2N153锗PNP2N1418硅NPN 30V 0.05A 普通射频\开关管2N1419锗PNP 80V 25A 87W音频放大\开关及功率放大2N142锗NPN 60V 0.8A *K音频放大及驱动?2N142/13锗NPN 60V 0.8A *K音频放大及驱动?2N1420硅NPN 60V 1A 低频开关管2N1420A硅NPN 60V 1A 低频开关管2N1421硅NPN 60V 3A 30W功率放大\开关管2N1422硅NPN 60V 3A 30W功率放大\开关管2N1423硅NPN 60V 3A 60W功率放大\开关管2N1424硅NPN 60V 3A 60W功率放大\开关管2N1425锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1426锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1427锗PNP 6V 0.05A 普通射频\开关管2N1428硅PNP 6V 0.05A 低频开关管2N1429硅PNP 6V 0.05A 低频开关管2N143锗PNP 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N143/13锗PNP 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N1430锗PNP 120V 10A 70W功率放大\开关管2N1431锗NPN 20V 0.1A 低频开关管2N1432锗PNP 45V 10mA 普通射频2N1433锗PNP 80V 3.5A β=20-50音频放大\开关及功率放大 2N1434锗PNP 80V 3.5A β=45-115音频放大\开关及功率放大 2N1435锗P NP 80V 3.5A β=30-75音频放大\开关及功率放大 2N1436锗PNP 15V 0.05A 开关管2N1437锗PNP 100V 3A 23W功率放大\开关管2N1438锗PNP 100V 3A 23W功率放大\开关管2N1439硅PNP 50V 0.1A β=5-12普通用途2N144锗NPN 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N144/13锗NPN 60V 0.8A 1W *K音频放大及驱动?2N1440硅PNP 50V 0.1A β=9-22普通用途2N1441硅PNP 50V 0.1A β=18-36普通用途2N1442硅PNP 50V 0.1A β=30-65普通用途2N1443硅PNP 50V 0.1A β＞50普通用途2N1444硅NPN 60V 0.5A 低频开关管2N1445硅NPN 120V 0.75A 低频开关管2N1446锗PNP 45V 0.4A β=16-45低频开关管2N1447锗PNP 45V 0.4A β=36-65低频开关管2N1448锗PNP 45V 0.4A β=50-90低频开关管2N1449锗PNP 45V 0.4A β=70-125低频开关管2N145锗NPN 20V 5mA ＞普通射频2N1450锗PNP 30V 0.1A 开关管2N1451锗PNP 45V 0.4A β=20-65音频放大2N1452锗PNP 45V 0.4A β=30-90音频放大2N1453锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大2N1454锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大2N1455锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大2N1456锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大2N1458锗PNP 80V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N146锗NPN 20V 5mA ＞普通射频2N1461锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1462锗PNP 30V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1463锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1464锗PNP 60V 5A 43W音频放大\开关及功率放大 2N1465锗PNP 120V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1466锗PNP 120V 3A 20W音频放大\开关及功率放大 2N1468硅NPN2N1469硅PNP 40V 0.1A 普通用途2N147锗NPN 20V 5mA ＞普通射频2N1470硅NPN 60V 3A 55W音频放大\开关及功率放大 2N1471锗PNP 12V 0.2A 普通用途2N1472硅NPN 25V 0.1A 140MHz开关管2N1473锗NPN 40V 0.4A ＞4MHz低频开关管2N1474硅PNP 60V 0.1A 普通用途2N1474A硅PNP 60V 0.1A 普通用途2N1475硅PNP 60V 0.1A β=36-88普通用途2N1476硅PNP 100V 0.1A β=12-36普通用途2N1477硅PNP 100V 0.1A β=30-66普通用途2N1478锗PNP 30V 0.5A 低频开关管2N1479硅NPN 60V 1.5A 5W低频开关管2N148锗NPN 16V 5mA ＞普通射频2N1480硅NPN 100V 1.5A 5W低频开关管2N1481硅NPN 60V 1.5A 5W低频开关管2N1482硅NPN 100V 1.5A 5W低频开关管2N1483硅NPN 60V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1484硅NPN 100V 3A 25W音频放大\开关及功率放大 2N1485硅NPN 60V 3A 25W音频放大\开关及功率放大2N1487硅NPN 50V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N1488硅NPN 100V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N1489硅NPN 60V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N148A锗NPN 32V 5mA ＞普通射频2N149锗NPN 16V 5mA ＞普通射频2N1490硅NPN 100V 6A 75W音频放大\开关及功率放大 2N1491硅NPN 30V 0.1A 250MHzVHF驱动2N1492硅NPN 60V 0.1A 275MHzVHF驱动2N1493硅NPN 100V 0.1A 300MHzVHF驱动2N1494锗PNP 20V 0.5A ＜35ns开关管2N1494A锗PNP 20V 0.5A ＜35ns开关管2N1495锗PNP 40V 0.5A ＜55ns开关管2N1495A锗PNP 40V 0.5A ＜55ns开关管2N1496锗PNP 40V 0.5A ＜55ns开关管2N1499锗PNP 20V 0.1A 开关管2N1499A锗PNP 20V 0.1A 开关管2N1499B锗PNP 30V 开关管2N149A锗NPN 32V 5mA ＞普通射频2N150锗NPN 16V 5mA ＞普通射频2N1500锗PNP 15V 0.05A 开关管2N1500/18锗PNP 15V 0.05A 开关管2N1501锗PNP 60V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1502锗PNP 40V 3.5A 34W功率放大\开关管2N1504锗PNP 80V 3A 25W功率放大\开关管2N1504/10锗PNP 80V 3A 25W功率放大\开关管2N1505硅NPN 50V 0.5A 普通射频或驱动2N1506硅NPN 60V 0.5A 普通射频或驱动2N1506A硅NPN 60V 0.5A 普通射频或驱动2N1507硅NPN 60V 1A 低频开关管2N1508硅NPN 100V 1A 1W低频开关管2N1509硅NPN 60V 1A 1W低频开关管2N150A锗NPN 32V 5mA ＞普通射频2N151锗PNP2N1510锗NPN 75V 0.02A 低频开关管2N1511硅NPN 60V 6A 75W功率放大\开关管2N1512硅NPN 100V 6A 75W功率放大\开关管2N1513硅NPN 60V 6A 75W功率放大\开关管2N1514硅NPN 100V 6A 75W功率放大\开关管2N1515锗PNP 20V 10mA 70MHz普通射频2N1516锗PNP 20V 10mA 70MHz普通射频2N1517锗PNP 20V 10mA 70MHz普通射频2N1517A锗PNP 40V 10mA 70MHz普通射频2N1518锗PNP 50V 25A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1519锗PNP 80V 25A 70W音频放大\开关及功率放大 2N152锗PNP2N1520锗PNP 50V 35A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1521锗PNP 80V 35A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1522锗PNP 50V 50A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1523锗PNP 80V 50A 70W音频放大\开关及功率放大 2N1524锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1525锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1526锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1527锗PNP 24V 10mA 33MHz普通射频2N1528硅NPN 25V 20mA 20MHz普通射频\开关管2N1529锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1529A锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N153锗PNP2N1531A锗PNP 80V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1532锗PNP 100V 5A 106W音频放大\开关及功率放大2N1533锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1533A锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1534锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1534A锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1535锗PNP 60V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1535A锗PNP 60V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1536锗PNP 80V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1536A锗PNP 80V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1537锗PNP 100V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1537A锗PNP 100V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1538锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1538A锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1539锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1539A锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N154锗PNP2N1540锗PNP 60V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1540A锗PNP 60V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1541锗PNP 80V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1541A锗PNP 80V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1542锗PNP 100V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1542A锗PNP 100V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1543锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1543A锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1544锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1544A锗PNP 40V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1545锗PNP 60V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1545A锗PNP 60V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1546锗PNP 80V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1546A锗PNP 80V 5A 106W音频放大\开关及功率放大2N1547A锗PNP 100V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1548锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1548A锗PNP 120V 5A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1549锗PNP 40V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1549A锗PNP 40V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N155锗PNP 30V 3A 20W音频放大\开关及功率放大2N1550锗PNP 60V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1550A锗PNP 60V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1551锗PNP 80V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1551A锗PNP 80V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1552锗PNP 100V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1552A锗PNP 100V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1553锗PNP 40V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1553A锗PNP 40V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1554锗PNP 60V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1554A锗PNP 60V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1555锗PNP 80V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1555A锗PNP 80V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1556锗PNP 100V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1556A锗PNP 100V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1557锗PNP 40V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1557A锗PNP 40V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1558锗PNP 60V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1558A锗PNP 60V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1559锗PNP 80V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1559A锗PNP 80V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N156锗PNP 30V 3A 20W音频放大\开关及功率放大2N1560锗PNP 100V 15A 106W音频放大\开关及功率放大 2N1560A锗PNP 100V 15A 106W音频放大\开关及功率放大。

参数SMT全套范文SMT是Surface Mount Technology的缩写，即表面贴装技术。

它是一种电子元器件安装技术，将电子元器件直接焊接在印刷电路板（PCB）的表面上，取代了传统的插拔式元器件安装方式。

SMT技术的发展和广泛应用，极大地提高了电子产品的生产效率和性能。

SMT技术的全套参数主要包括以下几个方面：1.组件尺寸：这是指电子元器件的尺寸大小。

SMT技术可以处理不同尺寸的元器件，从非常小的微型元器件到较大的功率元器件都可以进行贴装。

通常来说，小型元器件尺寸在几毫米到几十毫米之间，大型元器件尺寸可以达到几厘米以上。

2.焊盘间距：这是指PCB上焊盘（即元器件与PCB连接的焊接点）之间的间距。

焊盘间距必须与元器件的引脚间距匹配，以确保元器件可以正确安装在PCB上。

对于SMT技术而言，焊盘间距可以非常小，通常在0.5毫米到2毫米之间。

3.贴装精度：这是指元器件安装的精度要求。

SMT技术可以实现非常高的贴装精度，通常可以在数十微米范围内实现。

这种高精度的贴装让电子产品在工作时更加稳定可靠，减少了信号传输时的误差和损耗。

4.贴装速度：这是指SMT设备的贴装速度。

随着SMT设备技术的不断发展，贴装速度越来越快。

现在的高速SMT设备可以每小时贴装数以万计的元器件，大大提高了生产效率。

5.焊接方式：SMT技术主要采用的是热风炉焊接方式，即通过热风炉将电子元器件和PCB上的焊膏加热，使得焊膏熔化，并与焊盘实现焊接。

这种焊接方式可以快速、准确地完成焊接过程，且焊点质量好，焊接强度高。

6.设备及工艺参数：SMT技术需要使用各种设备和工艺参数配合完成贴装过程，常见的设备包括贴装机、热风炉、贴装头、传送带等。

而工艺参数包括热风炉温度、焊接时间、贴装头压力等。

这些参数需要根据元器件的特性和要求进行调整，以保证整个贴装过程的质量和稳定性。

总结起来，SMT全套参数不仅包括了元器件的尺寸、焊盘间距和贴装精度等方面的要求，还包括了SMT设备的贴装速度、焊接方式以及设备和工艺参数等。

电子元器件的规格参数123电子元器件的规格参数描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。

规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。

电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。

电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。

电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。

通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。

在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。

使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。

电子元器件的命名与标注通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。

电子元器件的名称由字母和数字组成。

对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。

型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。

文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。

②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。

③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。

例如，对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh④对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母R表示小数点。

电容贡献计算范文电容是一种电子元器件，用于存储电荷和能量。

它是由两个导体板之间的绝缘材料（电介质）隔开的。

导体板上的电荷可以在电介质中储存，并且可以根据系统的需求释放或存储。

电容的贡献是指它在电路中的作用和影响。

电容的主要贡献是存储电荷和能量。

当电容器连接到电源时，它会吸收电流并储存电荷，当电容器断开电源时，它会释放储存的电荷。

这种电荷的积累和释放会对电路中的电压和电流产生影响。

电容的贡献还包括对电路中的频率的响应。

电容的电容值决定了它对不同频率的电压变化的响应速度。

频率越高，电容器对电压变化的响应越慢。

这是因为在高频率下，电荷需要更多的时间去从电容器中积累和释放。

电容的贡献还包括对电路中的瞬态响应的影响。

当电路中发生突然的电压或电流变化时，电容器可以提供额外的电荷来缓冲和稳定电路。

换句话说，电容器可以使电路更稳定，并提供电流的平滑。

在电源电路中，电容器的贡献还包括过滤和平滑电源电压。

电容器可以吸收电源中的电压突变和噪声，并平滑输出电压。

这有助于保护电路中的其他电子元件免受不稳定的电压波动的影响。

在交流电路中，电容的贡献还包括对电路中电流和电压的相移。

电容器会导致电流和电压之间的相位差。

在电容器头部，电流领先电压，而在电容器的尾部，电流滞后于电压。

这种相移可以用于调节电路中的电流和电压关系。

此外，电容的贡献还体现在信号处理中。

在信号传输和滤波中，电容器可以用来滤除不需要的频率分量或频带，并保留感兴趣的信号。

这在音频和无线通信领域是非常常见的应用。

总结起来，电容的贡献包括存储电荷和能量、对频率的响应、对瞬态响应的影响、对电源电压的过滤和平滑、对电流和电压的相位差调节，以及在信号处理中的应用。

这些贡献使得电容器成为电子电路中非常重要的元件之一。

第1篇一、引言随着科技的不断发展，电子技术已经成为现代社会不可或缺的一部分。

为了提高学生的实践能力和综合素质，我校组织了为期两周的电子实训课程。

通过本次实训，我对电子技术有了更深入的了解，以下是对本次实训的总结报告。

二、实训目的与意义1. 实训目的本次电子实训旨在使学生掌握电子技术的基本理论、基本知识和基本技能，提高学生的动手能力、分析问题和解决问题的能力，培养学生的创新意识和团队协作精神。

2. 实训意义（1）提高学生的实践能力：通过实际操作，使学生将理论知识与实际应用相结合，提高学生的实践能力。

（2）培养学生的创新意识：在实训过程中，鼓励学生发挥自己的创造力，提出新的设计方案，培养学生的创新意识。

（3）增强团队协作精神：实训过程中，学生需要与同学共同完成任务，提高团队协作能力。

三、实训内容1. 电子元件识别与检测实训内容：认识电子元件，掌握电子元件的检测方法。

实训目的：使学生熟悉电子元件的种类、外形、功能及检测方法。

2. 常用电路的组装与调试实训内容：组装简单的电子电路，如电阻分压电路、放大电路等，并进行调试。

实训目的：使学生掌握电路组装、调试的基本技能。

3. 电子产品的设计与制作实训内容：设计并制作一个简单的电子产品，如收音机、简易电源等。

实训目的：培养学生的创新能力和实际操作能力。

4. 电子电路故障排查与维修实训内容：对已组装的电子电路进行故障排查与维修。

实训目的：使学生掌握电子电路故障排查与维修的基本方法。

四、实训过程1. 第一周（1）进行电子元件识别与检测实训，掌握电子元件的种类、外形、功能及检测方法。

（2）学习常用电路的组装与调试，掌握电路组装、调试的基本技能。

2. 第二周（1）进行电子产品的设计与制作，发挥自己的创新能力，制作一个简单的电子产品。

（2）对已组装的电子电路进行故障排查与维修，掌握电子电路故障排查与维修的基本方法。

五、实训成果与体会1. 成果（1）掌握了电子元件的种类、外形、功能及检测方法。

《基于深度学习的电子元器件缺陷检测方法的研究》篇一一、引言随着电子工业的快速发展，电子元器件的质量和可靠性对电子产品的性能起着至关重要的作用。

因此，对电子元器件的缺陷检测变得尤为重要。

传统的缺陷检测方法主要依赖人工视觉或简单的机器视觉技术，但这些方法往往存在效率低下、准确率不高的问题。

近年来，深度学习技术的快速发展为电子元器件缺陷检测提供了新的解决方案。

本文将介绍一种基于深度学习的电子元器件缺陷检测方法，以提高检测效率和准确性。

二、相关工作在过去的几十年里，许多研究者对电子元器件的缺陷检测进行了研究。

传统的缺陷检测方法主要依赖于人工视觉或简单的机器视觉技术，这些方法在处理大量数据和复杂背景时往往表现不佳。

近年来，随着深度学习技术的发展，越来越多的研究者开始将深度学习应用于电子元器件的缺陷检测。

深度学习技术可以通过学习大量数据中的特征，提高缺陷检测的准确性和效率。

三、方法本文提出了一种基于深度学习的电子元器件缺陷检测方法。

该方法主要包括数据预处理、模型训练和缺陷检测三个步骤。

1. 数据预处理：首先，我们需要对电子元器件的图像进行预处理，包括去噪、增强和归一化等操作。

这些操作可以提高图像的质量，有助于模型更好地学习特征。

2. 模型训练：我们采用深度学习中的卷积神经网络（CNN）进行模型训练。

CNN可以自动学习图像中的特征，从而实现对电子元器件的缺陷检测。

在训练过程中，我们需要使用大量的带标签的图像数据，通过不断调整模型的参数，使模型能够更好地识别出缺陷。

3. 缺陷检测：在模型训练完成后，我们可以使用该模型对电子元器件的图像进行缺陷检测。

通过将待检测图像输入到模型中，模型可以自动识别出图像中的缺陷，并给出相应的检测结果。

四、实验为了验证本文提出的基于深度学习的电子元器件缺陷检测方法的有效性，我们进行了大量的实验。

实验数据集包括多种类型的电子元器件图像，涵盖了各种不同的缺陷类型。

我们使用了不同的CNN模型进行训练和测试，并对实验结果进行了分析和比较。

电子元器件介绍范文电子元器件是构成电子设备的基础组成部分，它们在电子设备中起着不可或缺的作用。

电子元器件可分为主动元器件和被动元器件两大类。

主动元器件是指可以进行电子信号增强、控制和放大等操作的器件，如晶体管、二极管、集成电路等。

被动元器件是指不能进行电子信号增强、控制和放大等操作的器件，如电阻、电容、电感等。

下面将为大家介绍几种常见的电子元器件。

晶体管是一种基础的主动元器件，在电子设备中具有广泛的应用。

它是由半导体材料构成的，根据材料的不同可以分为NPN型和PNP型。

晶体管具有放大作用，可以调节电流、信号等。

晶体管可广泛应用于放大电路、开关电路、稳压电路等。

二极管是一种常用的主动元器件。

它由两种不同材料构成，有正向导通和反向截止两种工作模式。

二极管具有整流作用，可以只允许电流单向通过。

二极管广泛应用于整流电路、保护电路等。

集成电路（IC）是一种重要的主动元器件，它将电子元器件集成在一个芯片上。

集成电路具有体积小、功耗低、可靠性高、集成度高等特点。

根据功能的不同，集成电路可分为处理器、存储器、放大器、时钟等。

集成电路广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。

电容是一种常见的被动元器件，它由两个带电板和介质构成。

电容根据介质的不同可以分为瓷质电容、铝电解电容、钽电容等。

电容具有存储电荷的作用，可以在电路中起到滤波、分离电路等作用。

电感是一种常见的被动元器件，它由导线或绕组构成。

电感根据导线或绕组形式的不同可以分为线圈电感和铁芯电感等。

电感具有储能和电感阻抗的作用，可以在电路中起到传感、滤波、阻抗匹配等作用。

电阻是一种常见的被动元器件，它由导体构成。

电阻根据导体材料的不同可以分为金属膜电阻、碳膜电阻、电位器等。

电阻具有限制电流、调节电流和分压等作用，可以在电路中起到稳压、限流、电压分压等作用。

以上仅是电子元器件中的几种常见类型，仍有许多其他类型的电子元器件未进行介绍。

电子元器件的种类繁多，每个元器件都有自己特定的功能和用途。

资料范本本资料为word版本，可以直接编辑和打印，感谢您的下载电子元器件的规格参数地点：__________________时间：__________________说明：本资料适用于约定双方经过谈判，协商而共同承认，共同遵守的责任与义务，仅供参考，文档可直接下载或修改，不需要的部分可直接删除，使用时请详细阅读内容123电子元器件的规格参数描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。

规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。

电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。

电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。

电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。

通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。

在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。

使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。

电子元器件的命名与标注通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。

电子元器件的名称由字母和数字组成。

对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。

型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。

文字符号法： = 1 \* GB3 ① 用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。

= 2 \* GB3 ② 电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。

电子元器件介绍范文电子元器件是电子装置中的基本构成部分，也是电子技术的重要支撑之一、它们能够在电路中实现不同的功能，如放大、控制、求和、计算和存储等。

本文将介绍几种常见的电子元器件：电阻、电容、电感、二极管、三极管和继电器。

首先，电阻是电子电路中最基本的元器件之一、它的主要功能是阻止电流的流动，通过限制电流的大小来控制电路中的能量转换。

电阻的单位是欧姆（Ω），常见的有固定电阻和可变电阻两种类型。

在电子电路中，电阻用来控制电流的大小，调节电路的幅度和频率。

其次，电容是一种能够存储电能的元器件。

它由两个导电板之间隔着一层绝缘材料组成。

当电源施加电压时，电容器会储存电荷。

电容的单位是法拉（F），常见的有固定电容和可变电容两种类型。

在电子电路中，电容器用来储存能量，平滑电压，滤波和分离不同频率的信号。

接下来，电感是一种能够产生感应电流的元器件。

它由通电导线组成的线圈构成。

当电流通过线圈时，会在其周围产生磁场。

当磁场发生变化时，将会产生感应电流。

电感的单位是亨利（H），常见的有固定电感和可变电感两种类型。

在电子电路中，电感器用来储存能量，滤波和传递信号。

此外，二极管是一种电子器件，具有单向导电性。

它由一个p型半导体和一个n型半导体组成。

当正向偏置时，二极管会导通电流；当反向偏置时，二极管会截止电流。

二极管的主要用途包括整流、稳压、保护和信号检测。

三极管是一种具有放大功能的电子器件。

它由三个半导体材料构成，分别为基极、发射极和集电极。

三极管可以根据输入信号的变化来控制输出信号。

它被广泛应用于放大、开关、振荡和门电路等领域。

最后，继电器是一种具有开关功能的电子器件。

它由线圈和一对开关触点组成。

当线圈加电时，产生的磁场将会使触点闭合或断开，从而实现对电路的开关控制。

继电器主要用于电路的分流、分配和保护。

综上所述，电子元器件是电子技术中不可或缺的组成部分。

它们在电子电路中扮演着不同的角色，用于控制和转换电能。

通过合理选择和使用电子元器件，可以实现对电路的精确控制和功能扩展。

电子元器件规格书模板电子元器件规格书1. 引言电子元器件规格书是为了确保电子产品的设计、制造和维修过程中的一致性和可靠性而编写的。

本规格书旨在提供对电子元器件的详细描述，包括其功能、性能、特性、尺寸、材料等方面的要求。

本文将按照规格书的一般结构，逐步介绍各个部分的内容。

2. 产品描述2.1 产品名称：在此处填写电子元器件的准确名称。

2.2 产品型号：在此处填写电子元器件的型号。

2.3 产品用途：在此处描述电子元器件的主要用途和应用场景。

3. 性能要求3.1 电气特性：- 电压要求：描述电子元器件的工作电压范围和额定电压。

- 电流要求：描述电子元器件的工作电流范围和额定电流。

- 频率要求：描述电子元器件的工作频率范围和额定频率。

3.2 功能要求：- 功能描述：详细描述电子元器件的功能和工作原理。

- 功能参数：列举电子元器件的主要功能参数，并说明其要求和测量方法。

3.3 环境要求：- 工作温度范围：描述电子元器件的工作温度范围。

- 储存温度范围：描述电子元器件的储存温度范围。

- 湿度要求：描述电子元器件的工作湿度范围和储存湿度范围。

4. 尺寸和外观要求4.1 尺寸要求：详细描述电子元器件的尺寸要求，包括长度、宽度、高度等。

4.2 外观要求：描述电子元器件的外观要求，包括颜色、表面处理等。

5. 材料要求5.1 主要材料：列举电子元器件的主要材料，并说明其要求和标准。

5.2 环保要求：描述电子元器件所使用材料的环保要求，符合相关法规和标准。

6. 可靠性要求6.1 寿命要求：描述电子元器件的设计寿命和使用寿命要求。

6.2 可靠性测试：说明对电子元器件进行可靠性测试的要求和方法。

7. 标志和包装要求7.1 标志要求：描述电子元器件上的标志要求，包括商标、型号、生产日期等。

7.2 包装要求：说明电子元器件的包装要求，包括包装材料、包装方式等。

8. 其他要求在此部分列出其他未涉及的要求，如特殊测试要求、质量控制要求等。

电子元器件范文在现代科技飞速发展的时代，电子元器件成为了我们日常生活中不可或缺的重要元素。

从家用电器到通信设备，从医疗器械到交通工具，无不离开电子元器件的应用。

本文将从不同角度探讨电子元器件的范围及其在不同领域中的作用。

一、电子元器件的范围电子元器件是指用来改变电流和电压大小、控制电流和电压流向以及完成特定功能的装置或部件。

它包括了各种各样的电子器件，如二极管、晶体管、电阻、电容、电感、集成电路等。

其中，二极管是最基本的电子元件之一，它具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向上流动；晶体管作为一种放大器件，能够放大电流和电压的信号；电阻用于控制电流的大小，使电子元器件能够正常工作等等。

二、电子元器件在通信领域的应用通信领域是电子元器件最广泛应用的领域之一。

无论是有线通信还是无线通信，电子元器件都起到了关键的作用。

例如，在手机通信系统中，射频器件、信号处理器件、电源管理器件等都是不可或缺的元件。

射频器件用于接收和发送无线信号，信号处理器件用于接收和处理信号，电源管理器件用于提供电力供应等。

这些元件的稳定性和性能直接影响到通信设备的质量和可靠性。

三、电子元器件在家用电器领域的应用家用电器是我们日常生活中最常见的领域之一，也是电子元器件的重要应用领域。

从电视机、冰箱到洗衣机、空调，几乎所有的家电产品都离不开电子元器件的支持。

例如，电视机中的图像处理器件和音频处理器件负责将信号转化为画面和声音；冰箱中的温度传感器和控制芯片能够精确地控制冷藏室和冷冻室的温度；洗衣机中的电机驱动器件和水位传感器能够实现自动洗涤等等。

四、电子元器件在医疗器械领域的应用医疗器械是人类健康事业中的重要组成部分，电子元器件在该领域的应用也日益广泛。

例如，心脏起搏器就是一种利用电子元器件来维持心脏正常跳动的设备；血糖仪利用传感器和处理器件检测和监测血糖水平；医用图像设备如核磁共振和X射线等利用各种电子元器件进行信号采集和处理。

这些器械的安全性和可靠性需要依赖高质量的电子元器件来保障。

电子行业电子元器件参数表一、引言电子行业是现代科技发展的重要领域之一，而电子元器件作为电子产品的核心组成部分，其参数表的准确性和完整性对于产品的性能和质量有着重要的影响。

本文将介绍电子元器件参数表的基本结构和要求，以及编写参数表时需要注意的事项。

二、电子元器件参数表的基本结构电子元器件参数表通常包括以下几个方面的信息：1. 元器件基本信息：包括元器件的型号、封装形式、厂家、生产日期等基本信息，以便于标识和追溯。

2. 电气参数：包括元器件的电压、电流、功率等电气特性参数，用于描述元器件在电路中的工作条件。

3. 物理参数：包括元器件的尺寸、重量、引脚排列等物理特性参数，用于描述元器件的外观和安装要求。

4. 环境参数：包括元器件的工作温度范围、湿度要求、防尘防水等环境条件，用于指导元器件的使用环境和保护措施。

5. 可靠性参数：包括元器件的寿命、可靠性指标等参数，用于评估元器件的使用寿命和可靠性。

三、电子元器件参数表的要求编写电子元器件参数表时，需要注意以下几个方面的要求：1. 准确性：参数表中的信息应准确无误，避免出现错误或模糊不清的描述。

可以通过实验测试、厂家提供的数据和相关标准进行验证和确认。

2. 完整性：参数表应包含所有必要的信息，以便用户全面了解元器件的性能和特性。

遗漏重要参数可能导致用户误解或选择错误。

3. 规范性：参数表应按照统一的规范和格式进行编写，以便用户能够方便地查找和比较不同元器件的参数。

可以参考国际标准或行业规范进行编写。

4. 可读性：参数表应排版整洁美观，语句通顺，以提高用户的阅读体验。

可以使用表格、图表等形式来展示参数，使信息更清晰易懂。

5. 更新性：电子元器件的性能和规格可能随着技术的进步而不断更新，因此参数表应定期进行更新，以保持与最新产品的一致性。

四、编写电子元器件参数表的注意事项在编写电子元器件参数表时，需要注意以下几个事项：1. 核实数据：确保参数表中的数据准确可靠，可以通过实验测试、厂家提供的数据和相关标准进行核实。

一、报告背景随着电子技术的飞速发展，电子元器件在各类电子产品中的应用越来越广泛。

为了提高我国电子产品的质量和市场竞争力，熟练掌握电子元器件的识别与检测技术显得尤为重要。

本报告旨在总结电子元器件识别与检测的实习经验，分析常见电子元器件的特点，并提出相应的检测方法。

二、实习目的1. 熟悉各类电子元器件的名称、符号、参数和功能。

2. 掌握电子元器件的识别方法，提高实际操作能力。

3. 了解电子元器件的检测原理和常用检测仪器。

4. 分析电子元器件在实际应用中的常见故障，提高故障排除能力。

三、实习内容1. 电子元器件的分类及特点电子元器件分为有源和无源两大类。

有源元器件如二极管、三极管、集成电路等，具有放大、开关、稳压等功能；无源元器件如电阻、电容、电感等，主要起到储能、限流、滤波等作用。

2. 电子元器件的识别方法（1）外观识别：根据元器件的形状、颜色、尺寸等外观特征进行识别。

（2）符号识别：根据元器件的符号、字母和数字标识进行识别。

（3）参数识别：根据元器件的标称值、额定值等参数进行识别。

3. 电子元器件的检测方法（1）外观检测：检查元器件的外观是否有破损、氧化、脱焊等现象。

（2）电阻检测：使用万用表测量元器件的阻值，判断其是否在正常范围内。

（3）电容检测：使用万用表测量元器件的容值，判断其是否在正常范围内。

（4）二极管检测：使用万用表测量二极管的正向导通电压和反向截止电压，判断其是否正常。

（5）三极管检测：使用万用表测量三极管的静态电流和电压，判断其是否正常。

四、实习心得1. 通过本次实习，我对电子元器件有了更加深入的了解，掌握了各类元器件的识别和检测方法。

2. 实践过程中，我学会了如何分析元器件的故障原因，提高了故障排除能力。

3. 在实习过程中，我发现理论知识与实际操作相结合的重要性，进一步提高了自己的综合素质。

4. 本次实习让我认识到电子元器件在电子产品中的重要作用，为今后从事相关工作打下了坚实基础。

电子元件参数大全第一部分：电阻器1. 电阻值：电阻器的电阻值是指其对电流的阻碍程度。

常见的电阻值单位有欧姆(Ω)、千欧(ΚΩ)、兆欧(ΜΩ)等。

2. 公差：电阻器的公差是指在标称电阻值周围允许存在的误差范围。

常见的公差值有±1%、±5%等。

3. 功率：电阻器能够耐受的最大功率。

常见的功率值有1/8W、1/4W、1/2W等。

4. 温度系数：电阻器的电阻值随温度变化的程度。

常见的温度系数有±100ppm/℃、±250ppm/℃等。

第二部分：电容器1. 电容值：电容器的电容值是指其存储电荷的能力。

常见的电容值单位有法拉(F)、微法(F)、皮法(PF)等。

2. 电压：电容器能够耐受的最大电压。

常见的电压值有16V、25V、50V等。

3. 稳定性：电容器的电容值稳定性。

常见的稳定性等级有Class 1、Class 2等。

4. 耐温范围：电容器能够耐受的温度范围。

常见的耐温范围有-40℃～+85℃、-55℃～+125℃等。

第三部分：电感器1. 电感值：电感器的电感值是指其对电流变化的阻抗。

常见的电感值单位有亨利(H)、毫亨(mH)、微亨(μH)等。

2. 公差：电感器的公差是指在标称电感值周围允许存在的误差范围。

常见的公差值有±5%、±10%等。

3. 频率范围：电感器能够正常工作的频率范围。

常见的频率范围有1kHz～100MHz、10kHz～1GHz等。

4. 耐电流：电感器能够耐受的最大电流。

常见的耐电流值有100mA、500mA、1A等。

第四部分：二极管1. 直流正向电压降：二极管在正向导通时的电压降。

常见的电压降值有0.7V、1.2V等。

2. 存储时间：二极管转向断态后恢复到导通态所需要的时间。

常见的存储时间有5ns、10ns等。

3. 最大反向电压：二极管能够耐受的最大反向电压。

常见的最大反向电压值有50V、100V等。

4. 最大耗散功率：二极管能够耐受的最大功率。

电子元器件控制计划书范文一、引言电子元器件是现代电子设备的重要组成部分，对于电子设备的性能和可靠性起着至关重要的作用。

为了确保电子元器件的质量和可控性，制定一份电子元器件控制计划书是非常必要的。

本文将介绍一份电子元器件控制计划书的范文，以供参考。

二、控制目标1. 确保电子元器件的质量符合国家标准和相关技术要求。

2. 控制电子元器件的供应链，保证供应商的可靠性和稳定性。

3. 建立严格的检验和测试流程，确保电子元器件的可靠性和性能满足产品要求。

三、控制内容1. 供应商管理（1）建立供应商评估制度，对潜在供应商进行评估和筛选，确保供应商的可靠性和稳定性。

（2）与供应商签订合同，明确双方的责任和义务。

（3）建立供应商管理制度，定期对供应商进行评估和考核。

2. 电子元器件的采购（1）制定采购计划，根据生产需求和库存情况进行合理的采购计划安排。

（2）对采购的电子元器件进行严格的验收和检验，确保其质量和性能符合要求。

（3）建立电子元器件的档案，记录电子元器件的采购信息和质量状况。

3. 电子元器件的仓储管理（1）建立电子元器件的仓储管理制度，保证电子元器件的储存环境符合要求。

（2）对电子元器件进行分类、标识和分区管理，确保电子元器件的可追溯性。

（3）定期对仓库进行清点和盘点，及时发现和处理异常情况。

4. 电子元器件的检验和测试（1）建立严格的检验和测试流程，包括外观检查、尺寸测量、性能测试等环节。

（2）购买和维护先进的检测设备和仪器，确保检验和测试的准确性和可靠性。

（3）建立电子元器件的不合格品处理流程，及时处理不合格品，防止其流入生产线。

四、控制措施1. 建立电子元器件控制小组，负责制订和执行电子元器件控制计划书。

2. 建立电子元器件控制档案，记录电子元器件的采购、仓储、检验和测试等信息。

3. 建立电子元器件质量问题反馈机制，及时处理和解决质量问题。

4. 加强与供应商的沟通和合作，共同提高电子元器件的质量和可控性。

Characteristic / Test ConditionsDrain-Source Breakdown Voltage (V GS = 0V, I D = 250µA)On State Drain Current 2 (V DS > I D(on) x R DS(on) Max, V GS = 10V)Drain-Source On-State Resistance 2 (V GS = 10V, 0.5 I D[Cont.])Zero Gate Voltage Drain Current (V DS = V DSS , V GS = 0V)Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 V DSS, V GS = 0V, T C = 125°C)Gate-Source Leakage Current (V GS = ±30V, V DS = 0V)Gate Threshold Voltage (V DS = V GS , I D = 5mA)050-5600 R e v A 8-2007Symbol V DSS I D I DM V GS V GSM P D T J ,T STGT L I AR E AR E ASParameterDrain-Source VoltageContinuous Drain Current @ T C = 25°C Pulsed Drain Current 1Gate-Source Voltage Continuous Gate-Source Voltage Transient Total Power Dissipation @ T C = 25°C Linear Derating FactorOperating and Storage Junction Temperature Range Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.Avalanche Current 1 (Repetitive and Non-Repetitive)Repetitive Avalanche Energy 1Single Pulse Avalanche Energy 4UNIT Volts AmpsVolts Watts W/°C °C AmpsmJSTATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICSSymbol BV DSS I D(on)R DS(on)I DSS I GSS V GS(th)UNIT Volts AmpsOhms µAnA VoltsMINTYPMAX800440.150100500±10024APT8015JVFR80044176±30±407005.6-55 to 15030044503600APT8015JVFR800V44A 0.150Ω®CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.APT Website - Power MOS V ® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V ®also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.•Fast Recovery Body Diode •100% Avalanche Tested•Lower Leakage •Popular SOT-227 Package•Faster SwitchingPOWER MOS V®MAXIMUM RATINGSAll Ratings: T C = 25°C unless otherwise specified.APT8015JVFR050-5600 R e v A 8-2007Z θJ C , T H E R M A L I M P E D A N C E (°C /W )10-510-410-310-210-1 1.010RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION0.20.10.050.010.0050.0010.0005DYNAMIC CHARACTERISTICSSOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICSCharacteristic / Test Conditions Continuous Source Current (Body Diode)Pulsed Source Current 1 (Body Diode)Diode Forward Voltage 2 (V GS = 0V, I S = -I D [Cont.])Peak Diode Recovery dv /dt 5Reverse Recovery Time(I S = -I D [Cont.], di /dt = 100A/µs)Reverse Recovery Charge(I S = -I D [Cont.], di /dt = 100A/µs)Peak Recovery Current(I S = -I D [Cont.], di /dt = 100A/µs)Symbol I S I SM V SDdv /dtt rr Q rr I RRMUNIT Amps Volts V/ns ns µC AmpsSymbol C iss C oss C rss Q g Q gs Q gd t d (on)t r t d (off)t fCharacteristic Input Capacitance Output CapacitanceReverse Transfer Capacitance Total Gate Charge 3Gate-Source Charge Gate-Drain ("Miller") Charge Turn-on Delay Time Rise TimeTurn-off Delay Time Fall TimeTest ConditionsV GS = 0V V DS = 25V f = 1 MHz V GS = 10V V DD = 0.5 V DSS I D = I D [Cont.] @ 25°CV GS = 15V V DD = 0.5 V DSS I D = I D [Cont.] @ 25°CR G = 0.6ΩMINTYPMAX147151765014702050794119069010357511027541022442040971451530UNIT pFnCns MIN TYP MAX 441761.318T j = 25°C 300T j = 125°C 600T j = 25°C 2.5T j = 125°C 17.7T j = 25°C 16.1T j = 125°C36.21Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction3See MIL-STD-750 Method 3471temperature.4Starting T j = +25°C, L = 3.72mH, R G = 25Ω, Peak I L= 44A2Pulse Test: Pulse width < 380 µS, Duty Cycle < 2%5I S ≤ -I D [Cont.], di /dt= 100A/µs, V DD - V DSS , T j - 150°C, R G = 2.0Ω,V R = 200VAPT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.THERMAL/PACKAGE CHARACTERISTICSSymbol R θJC R θJA V Isolation TorqueMINTYPMAX0.1840250013UNIT °C/W Voltslb•inCharacteristic Junction to Case Junction to AmbientRMS Voltage (50-60 Hz Sinusoidal Waveform From Terminals to Mounting Base for 1 Min.)Maximum Torque for Device Mounting Screws and Electrical Terminations.V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)FIGURE 2, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS FIGURE 3, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)I D , DRAIN CURRENT (AMPERES)FIGURE 4, TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS FIGURE 5, R DS (ON) vs DRAIN CURRENTT C , CASE TEMPERATURE (°C)T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)T C , CASE TEMPERATURE (°C)FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURER D S (O N ), D R A I N -T O -S O U R C E O N R E S I S T A N C E I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )(N O R M A L I Z E D )V G S (T H ), T H R E S H O L D V O L T A G E B V D S S , D R A I N -T O -S O U R C E B R E A K D O W N R D S (O N ), D R A I N -T O -S O U R C E O N R E S I S T A N C EI D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )(N O R M A L I Z E D )V O L T A G E (N O R M A L I Z E D )255075100125150-50-250255075100125150-50-250255075100125150APT8015JVFR100806040201.41.31.21.11.00.90.81.151.101.051.000.950.901.21.11.00.90.80.70.61008060402010080604020504030201002.52.01.51.00.50.0050-5600 R e v A 8-2007V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREAFIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGEFIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGEV G S , G A T E -T O -S O U R C E V O L T A G E (V O L T S )I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )I D R , R E V E R S E D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )C , C A P A C I T A N C E (p F )APT8015JVFR200100501051.5.120161284050-5600 R e v A 8-200760,00010,0005,0001,000500200100501051SOT-227 (ISOTOP ®) Package OutlineDimensions in Millimeters and (Inches)APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,5225,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.ISOTOP is a Registered Trademark of SGS Thomson.。

电子元件参数大全1. 电阻器（Resistor）1.1 额定功率（Rated Power）电阻器的额定功率是指在指定的工作条件下，电阻器可以稳定工作的最大功率。

通常以瓦（W）为单位表示。

额定功率越大，电阻器可以承受的电流和功率越高。

1.2 额定电阻（Resistance）电阻器的额定电阻是指在指定的工作条件下，电阻器的阻值。

通常以欧姆（Ω）为单位表示。

额定电阻决定了电阻器在电路中的阻值大小。

1.3 允许误差（Tolerance）电阻器的允许误差是指电阻器的实际阻值与额定电阻之间的最大允许偏差。

通常以百分比（%）表示。

允许误差越小，电阻器的阻值越精确。

2. 电容器（Capacitor）2.1 额定电容（Capacitance）电容器的额定电容是指在指定的工作条件下，电容器可以储存的最大电荷量。

通常以法拉（F）为单位表示。

额定电容决定了电容器在电路中的电荷储存能力。

2.2 额定电压（Rated Voltage）电容器的额定电压是指在指定的工作条件下，电容器可以承受的最大电压。

通常以伏特（V）为单位表示。

额定电压越高，电容器可以承受的电压越大。

2.3 介质材料（Dielectric Material）电容器的介质材料是指用于隔离正负极板的材料。

常见的介质材料有电解质、氧化铝、陶瓷等。

不同的介质材料有不同的电气特性和使用条件。

3. 电感器（Inductor）3.1 额定电感（Inductance）电感器的额定电感是指在指定的工作条件下，电感器的感抗。

通常以亨利（H）为单位表示。

额定电感决定了电感器在电路中的感抗大小。

3.2 额定电流（Rated Current）电感器的额定电流是指在指定的工作条件下，电感器可以承受的最大电流。

通常以安培（A）为单位表示。

额定电流越大，电感器可以承受的电流越高。

3.3 质量因数（Quality Factor）电感器的质量因数是指电感器内部电阻和外部电路的等效电阻之比。

质量因数越高，电感器的能量损耗越小，性能越好。

二极管测试方法范文二极管是一种电子元器件，也是电子器件中最常用的一种。

它具有单向导电性质，能够允许电流在一个方向上通过，而在另一个方向上封锁电流流动。

二极管广泛应用于各种电子电路中，因此二极管的测试方法非常重要。

一、二极管的正反特性测试方法：1.直流正向电压特性测试：（1）连接测试电路，将二极管的阳极（P极）连接到正极电源，将二极管的阴极（N极）连接到负极电源；（2）逐渐增加电压，直到二极管开始导通，并记录此时的电压值，称为二极管的开启电压（Von）；（3）继续增加电压，记录导通电流的变化情况，从而得到二极管的整个正向特性曲线。

2.直流反向电压特性测试：（1）连接测试电路，将二极管的阳极（P极）连接到负极电源，将二极管的阴极（N极）连接到正极电源；（2）逐渐增加电压，直到二极管开始击穿或向前穿透，并记录此时的电压值，并称为二极管的击穿电压（Vbr），或称为反向阻断电压（VR）。

二、二极管的参数测试方法：1.测试正向电压降（VF）：（1）连接测试电路，将二极管的阳极（P极）连接到正极电源，将二极管的阴极（N极）连接到负极电源；（2）使用万用表的电压档测量二极管的正向电压降（VF），即二极管在正向导通时的电压降。

2.测试反向电阻（RZ）：（1）连接测试电路，将二极管的阳极（P极）连接到负极电源，将二极管的阴极（N极）连接到正极电源；（2）使用万用表的电阻档测量二极管在反向偏置下的电阻值，即反向电阻（RZ）。

正常二极管应该具有很大的反向电阻值。

三、二极管的功能测试方法：1.测试是否正常导通：（1）连接测试电路，将二极管的阳极（P极）连接到正极电源，将二极管的阴极（N极）连接到负极电源；（2）使用万用表的电阻档测量二极管两个引脚之间的电阻值。

正常导通的二极管应该显示较低的电阻值。

2.测试是否正常截止：（1）连接测试电路，将二极管的阳极（P极）和阴极（N极）均连接到负极电源；（2）使用万用表的电阻档测量二极管两个引脚之间的电阻值。

最常用的电子元器件参数及说明电子元器件是电子设备中的基本组成部分，其参数和说明对于正确选择和使用电子元器件至关重要。

以下是几种最常用的电子元器件参数及其说明。

1. 电阻（Resistance）：电阻是电子元器件中最基本的参数之一，用于控制电流的流向和强度。

电阻的单位为欧姆（Ω），用来表示电流通过元器件时的阻碍程度。

较大的电阻值意味着更大的阻力，电流通过元器件时会减弱。

电阻常用于电路中的限流和分压。

2. 电容（Capacitance）：电容是电子元器件中的另一个基本参数，用于存储电荷。

电容的单位为法拉（F），表示元器件存储的电荷量。

较大的电容值意味着元器件能够存储更多的电荷，从而具有较大的电压储存能力。

电容常用于电路中的电源稳压和信号滤波。

3. 电感（Inductance）：电感是电子元器件中的参数之一，用于储存电流的磁场能量。

电感的单位为亨利（H），用来表示元器件储存磁场能量的能力。

较大的电感值意味着元器件能够储存更多的能量。

电感常用于电路中的滤波和弹性储能。

4. 电压（Voltage）：电压是电子元器件参数中的重要值，用于表示电势差，即电流流动的驱动力。

电压的单位为伏特（V），用于表示两个点之间的电位差。

较高的电压值意味着更大的电势差，电流的流动也会更快。

电压常用于电路中的供电和信号传输。

5. 电流（Current）：电流是电子元器件参数中的基本值，用于表示电荷的流动情况。

电流的单位为安培（A），用于表示单位时间内通过元器件的电荷量。

较大的电流值意味着有更多的电荷通过元器件，电流的流动也会更大。

电流常用于电路中的功率传输和电子器件的工作状态。

这些参数是电子元器件中最常用的，也是电子设备设计和制造中最为重要的。

掌握这些参数的含义和关系，可以帮助工程师选择和使用恰当的元器件，同时也能够更好地理解和分析电子电路的工作原理。

通过合理选择和使用电子元器件，可以提高电子设备的性能和可靠性。